專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置，特別涉及一種具有較大主亮區(qū)的等離子體顯示裝置。
一般的等離子體顯示裝置(Plasma Display Panel，簡稱PDP)的前板電極是以公知的半導(dǎo)體制造技術(shù)制成，由其發(fā)光的方式可分為穿透型及反射型兩種，其中所謂穿透型PDP是指熒光材料是形成在前板上；而反射式PDP則指的是熒光材料形成在后板上?，F(xiàn)今的研究是朝向反射型的PDP發(fā)展。
前板電極可分為兩種，一為透明電極，一般是利用ITO材料制成，另一為輔助電極，為不透明材料，一般則是采用Cr/Cu/Cr或Cr/Al/Cr等的三層結(jié)構(gòu)。目前，采用公知前板電極結(jié)構(gòu)的PDP，在發(fā)光時會造成在同一像素(pixel)內(nèi)，有亮暗亮暗亮暗區(qū)分布的現(xiàn)象，造成亮區(qū)光線無法有效集中利用，并且會造成暗區(qū)偏亮，同時，在輔助電極的黏著力及在蝕刻方面均有不良影響。
參照圖1a，其為一般PDP的結(jié)構(gòu)，包括一對平行相對的基板10，包括有第一基板10a與第二基板10b；多對透明電極12，形成在上述第一基板10a上，向第一方向延伸，彼此平行，同時在垂直于上述第一方向的第二方向上各對透明電極12是等距間隔；多對輔助電極14，形成在上述多對透明電極12上，向第一方向延伸，彼此平行；一介電層16，覆蓋住整個第一基板10a及其上的透明電極12與輔助電極14；多組定址電極18，形成在上述第二基板10b上，向第二方向延伸，彼此平行，同時在第一方向上各定址電極18為等距間隔；多個間隔層20，形成在第二基板10b上，與該多個定址電極18相平行，用以界定該放電空間為像素陣列；及多個熒光層22，形成在上述間隔層20間，用以當(dāng)施加電壓在上述定址電極18與上述透明電極12及輔助電極14，導(dǎo)致放電空間中的氣體開始放電時，受放電產(chǎn)生的紫外光的作用而發(fā)光。
其中，在兩基板10a、10b間充入有氣體，一般是He氣，當(dāng)電極通以適當(dāng)極性的電壓時，充入前、后基板10a、10b間的氣體會發(fā)生崩潰(breakdown)現(xiàn)象，氣體被大量離子化，于是產(chǎn)生等離子體，而利用等離子體所產(chǎn)生的紫外光來激發(fā)特定型式的紅、綠、藍色的熒光物質(zhì)，熒光物質(zhì)受激發(fā)后，會放出可見光，而可見光會經(jīng)由前基板射出。在現(xiàn)有的前板電極結(jié)構(gòu)中，參照圖1b，輔助電極14完全貼于透明電極12之上，并因制造中對準的問題，通常輔助電極14的邊緣與透明電極12的邊緣有一小段距離，一般約為10～20μm，此位置為透光的部分，而輔助電極14的材料為不透光，所以會造成熒光物質(zhì)放射出光線時，除了主亮區(qū)外，在暗區(qū)間仍有3個小亮區(qū)存在，導(dǎo)致暗區(qū)的暗準位會不夠低，影響對比值。另外，如Cr/Cu/Cr結(jié)構(gòu)的輔助電極，其中Cr層與形成透明電極的ITO材料的黏著性不佳，容易在后續(xù)的工藝中剝離。而且，在蝕刻過程中，因Cu/Cr/ITO間存在有電位的問題，會造成Cr層有較大的側(cè)向蝕刻，更降低了輔助電極與透明電極間的黏著性。并且，在形成介電層時可能會造成殘留的氣泡，這些情形在大尺寸的PDP中，因為均勻性的問題，會造成更大的影響。
在先有技術(shù)中，針對對比不良的問題，有提出在公知的PDP結(jié)構(gòu)中對前板加上黑帶，以改良對比。其形成黑帶的方式可如圖2或圖3所示，也就是說，黑帶30、32可形成于各對透明電極12之間，或者可形成并覆蓋位于各對透明電極12間的空隙。然而，不論是那一種方式，其雖能改善對比度，但卻無法針對固定的像素大小，將亮區(qū)范圍擴大。
由此，為了解決先有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的在于提出一種等離子體顯示裝置，其可以在固定的像素大小的情況下，擴大亮區(qū)的范圍。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種等離子體顯示裝置，其輔助電極具有較佳的附著性，可避免在制造中受外力作用而剝離，以增進等離子體顯示裝置制造時的優(yōu)良率。
為了達到上述目的，本發(fā)明利用改變在制造中形成輔助電極的位置，使輔助電極并不僅是與透明電極接觸，也同時與基板接觸。如此，雖然作為輔助電極材料的鉻(Cr)與作為透明電極材料的ITO間的附著性差，但由于鉻對玻璃基板的附著性良好，因此可改善整個輔助電極的附著性。再者，若將輔助電極的形成位置向透明電極的外側(cè)偏移，則可使得透明電極的亮區(qū)面積增大。
另外，如上所述，在蝕刻過程中，因Cu/Cr/ITO間存在有電位的問題，會造成Cr層有較大的側(cè)向蝕刻，所以在使得輔助電極直接與基板接觸時，就可以避免上述電位問題的產(chǎn)生，也就可以防止Cr層有較大的側(cè)向蝕刻，因此，也可改善輔助電極的附著性。
為了更進一步說明本發(fā)明的方法、結(jié)構(gòu)與特點，現(xiàn)結(jié)合


較佳實施例如下，其中圖1a是一公知的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖1b是圖1a所示的等離子體顯示裝置的截面圖。
圖2是另一種公知的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3是另一種公知的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的再一實施例的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
在制作本發(fā)明所揭露的等離子體顯示裝置時，可采用與公知的等離子體顯示裝置相似的工藝與制作參數(shù)，無需大幅地改變制造的步驟。因此，一般的等離子體顯示裝置制造者，運用原有的設(shè)備即可實施本發(fā)明，不必再增加額外的成本。
根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例，為了改善輔助電極的附著性，可在蝕刻透明電極的步驟中，同時對透明電極上形成輔助電極的位置進行蝕刻，如此，在形成輔助電極后，由于輔助電極直接與基板接觸，所以其具有良好的附著性。
參照圖4，在本實施例中，等離子體顯示裝置是包括一對平行相對的基板，包括有第一基板10a與第二基板10b，相互面對而形成一放電空間；多對透明電極42，形成在所述第一基板10a上，向第一方向延伸，彼此平行，同時在垂直于所述第一方向的第二方向上各對透明電極42是等距間隔；多對輔助電極44，形成在所述多對透明電極42上，向第一方向延伸，彼此平行，且各對輔助電極44是對稱地形成在各對透明電極42之上的相對外側(cè)；一介電層16，覆蓋住整個第一基板10a及其上的透明電極42與輔助電極44；多個定址電極18，形成在所述第二基板10b上，向第二方向延伸，彼此平行，同時在第一方向上各定址電極18為等距間隔；多個間隔層(未顯示于截面圖中)，形成在第二基板10b上，與該多個定址電極18相平行，用以界定該放電空間為像素陣列；多個熒光層22，形成在上述間隔層間，用以當(dāng)施加電壓在所述定址電極18與所述透明電極42及輔助電極44，導(dǎo)致放電空間中的氣體開始放電時，受放電產(chǎn)生的紫外光的作用而發(fā)光。
不過，上述實施例雖然可以改善輔助電極的附著性，但是由于形成輔助電極的位置與公知的等離子體顯示裝置中形成輔助電極的位置一樣，所以在固定的像素大小的情況下，并無法擴大等離子體顯示裝置的亮區(qū)。
在本發(fā)明的第二個實施例中，除了改善輔助電極的附著性外，為了進一步地擴大等離子體顯示裝置的亮區(qū)，故將輔助電極的形成位置向透明電極的外側(cè)偏移，使得輔助電極形成在透明電極與基板之上。如此，由于輔助電極與基板接觸，可改善其附著性，同時由于其向透明電極的外側(cè)偏移，所以可以擴大透明電極內(nèi)側(cè)的亮區(qū)面積。
參照圖5，根據(jù)本實施例，等離子體顯示裝置包括一對平行相對的基板，包括有第一基板10a與第二基板10b，相互面對而形成一放電空間；多對透明電極12，形成在所述第一基板10a上，向第一方向延伸，彼此平行，同時在垂直于所述第一方向的第二方向上各對透明電極12是等距間隔；多對輔助電極54，形成在所述多對透明電極12上，向第一方向延伸，彼此平行，且各對輔助電極54是對稱地形成在各對透明電極12之上的相對外側(cè)；一介電層16，覆蓋住整個第一基板10a及其上的透明電極12與輔助電極54；多個定址電極18，形成在所述第二基板10b上，向第二方向延伸，彼此平行，同時在第一方向上各定址電極18為等距間隔；多個間隔層，形成在第二基板10b上，與該多個定址電極18相平行，用以界定該放電空間為像素陣列；多個熒光層22，形成在所述間隔層間，用以當(dāng)施加電壓于所述定址電極18與所述透明電極12及輔助電極54，導(dǎo)致放電空間中的氣體開始放電時，受放電產(chǎn)生的紫外光的作用而發(fā)光。
在上述實施例中，以實際的數(shù)據(jù)而言，輔助電極的高度約為2.4μm、寬度約為70～100μm，而透明電極的高度約為0.13μm、寬度約為250～350μm，可知公知等離子體顯示裝置的主亮區(qū)寬度約為400μm。采用本實施例的結(jié)構(gòu)，與公知者相比，其主亮區(qū)可擴大約400μm，換言之，整個主亮區(qū)可擴大約10％。
前面兩個實施例中，在制造中均只須修改光掩模上的圖案，再依據(jù)原來的步驟進行制造即可。在第一個實施例中，必須修改透明電板的光掩模的圖案，而在第二個實施例中，則必須修改覆輔助電極的光掩模的圖案。
再者，運用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，為了改善顯示時的對比度，同樣地可在各對透明電極12之間形成黑帶34，如圖6所示，且為了避免發(fā)生短路的情形，最好是以不導(dǎo)電的材料來制作黑帶，例如墨水(ink)或碳黑。又因為墨水或碳黑自液態(tài)變?yōu)楣虘B(tài)時，會有收縮的現(xiàn)象，所以為了進一步抵抗黑帶收縮產(chǎn)生的應(yīng)力，可將黑帶36直接形成并覆蓋在相鄰兩對電極54的空隙之間，如圖7所示。
權(quán)利要求
1．一種等離子體顯示裝置，包括一對平行相對的基板，包括有第一基板與第二基板，相互面對而形成一放電空間；多對透明電極，形成在所述第一基板上，向第一方向延伸，彼此平行，同時在垂直于所述第一方向的第二方向上各對透明電極是等距間隔；多對輔助電極，形成在所述多對透明電極上，向第一方向延伸，彼此平行，且各對輔助電極是對稱地形成在各對透明電極之上的相對外側(cè)；一介電層，覆蓋住整個第一基板及其上的透明電極與輔助電極；多個定址電極，形成在所述第二基板上，向第二方向延伸，彼此平行，同時在第一方向上各定址電極為等距間隔；多個間隔層，形成在第二基板上，與該多個定址電極相平行，用以界定該放電空間為像素陣列；多個熒光層，形成在所述間隔層間，用以當(dāng)施加電壓于所述定址電極與所述透明電極及輔助電極，導(dǎo)致放電空間中的氣體開始放電時，受放電產(chǎn)生的紫外光的作用而發(fā)光；其中所述輔助電極與所述第一基板接觸，以增強輔助電極的附著性。
2．如權(quán)利要求1的等離子體顯示裝置，其中，所述輔助電極是形成在所述透明電極的開口上，且經(jīng)過該開口，與所述第一基板接觸。
3．如權(quán)利要求1的等離子體顯示裝置，其中，所述輔助電極是形成覆蓋在所述透明電極與所述第一基板的交界處。
4．如權(quán)利要求1的等離子體顯示裝置，其中，所述輔助電極為Cr/Cu/Cr或Cr/Al/Cr的結(jié)構(gòu)。
5．如權(quán)利要求1的等離子體顯示裝置，其中，所述透明電極是由氧化銦錫或氧化錫材料構(gòu)成。
全文摘要
一種等離子體顯示裝置,可在固定的像素大小的情況下,擴大亮區(qū)的范圍,同時并可使其輔助電極具有較佳的附著性,以增進生產(chǎn)率。此種等離子體顯示裝置是利用改變在制造中形成輔助電極的位置,使輔助電極并不僅是與透明電極接觸,也同時與基板接觸,以改善整個輔助電極的附著性。再者,將輔助電極的形成位置向透明電極的外側(cè)偏移,可使得透明電極的亮區(qū)面積增大。
文檔編號H01J17/49GK1284695SQ9911772
公開日2001年2月21日 申請日期1999年8月12日 優(yōu)先權(quán)日1999年8月12日
發(fā)明者蘇耀慶, 宋文發(fā), 林義哲 申請人:達碁科技股份有限公司