本技術(shù)涉及照明領(lǐng)域，特別涉及一種照明用led光源。

背景技術(shù)：

1、隨著led照明技術(shù)的不斷發(fā)展，照明不僅要高效節(jié)能，健康舒適的光色質(zhì)量也越來越受到人們關(guān)注。針對新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，人們對照明光品質(zhì)及舒適度提出了更高要求，特別是針對健康照明的要求在不斷提高。與傳統(tǒng)的led照明相比，全光譜照明波段更接近于太陽光，可以提供更為真實、自然、色彩平衡的照明效果。這種照明方式對于人的視覺健康和舒適度有著積極的影響，同時也有助于提高工作效率和減少疲勞。全光譜照明的應(yīng)用范圍廣泛，包括但不限于醫(yī)療、教育、娛樂和建筑等領(lǐng)域。同時，隨著科技的不斷發(fā)展和人們對健康和環(huán)保意識的不斷提高，全光譜照明的應(yīng)用范圍也將進一步擴大?？偠灾庾V照明是當(dāng)前l(fā)ed照明的發(fā)展方向，具有廣泛的應(yīng)用前景和重要的社會意義。

2、就全光譜照明的商業(yè)化而言，一方面出于相應(yīng)光源的體積和成本考慮，商業(yè)化的全光譜led光源不可能僅通過采用具有不同發(fā)射峰值波長的led芯片的方式覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段，另一方面，出于當(dāng)前已經(jīng)商業(yè)化led芯片的規(guī)格參數(shù)而言，當(dāng)前已經(jīng)商業(yè)化的led芯片的發(fā)射峰值波長也無法完全覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段。因此，當(dāng)前全光譜照明的商業(yè)化主要依賴于將具有不同發(fā)射峰值波長的多種波長轉(zhuǎn)換材料均勻混合的方式制備led光源的熒光粉膠，對應(yīng)在將該熒光粉膠均勻覆蓋于相應(yīng)led芯片并固化形成該led光源的熒光粉層后，藉由該熒光粉層中不同波長轉(zhuǎn)換材料對該led芯片所發(fā)出的相應(yīng)波段的光的轉(zhuǎn)換，使得該led光源所發(fā)出的光能夠盡可能覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段。

3、也就是說，目前的商業(yè)化的全光譜led光源中，涂覆于led芯片上的熒光粉層中包含具有不同發(fā)射峰值波長的多種波長轉(zhuǎn)換材料。由于照明領(lǐng)域主要采用的led芯片的發(fā)射峰值波長通常處于500nm以內(nèi)，對應(yīng)這些波長轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜也被優(yōu)化在500nm以內(nèi)，但為覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段，這些波長轉(zhuǎn)換材料中還會有發(fā)射峰值波長在紅光和近紅外波段的波長轉(zhuǎn)換材料，而如圖1所示，發(fā)射峰值波長在紅光和近紅外波段的波長轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜通常又會包含大于500nm的波段，甚至最高可以到800nm，對應(yīng)命名激發(fā)光譜包含大于500nm的波段的這些波長轉(zhuǎn)換材料為寬激發(fā)光譜的波長轉(zhuǎn)換材料，當(dāng)熒光粉層的波長轉(zhuǎn)換材料中同時包含發(fā)射峰值波長在500nm至800nm區(qū)間的波長轉(zhuǎn)換材料時，這些波長轉(zhuǎn)換材料所轉(zhuǎn)換出的光會激發(fā)前述寬激發(fā)光譜的波長轉(zhuǎn)換材料而產(chǎn)生二次激發(fā)，以至于在依目標(biāo)發(fā)光光譜計算和配置熒光粉膠中的波長轉(zhuǎn)換材料的比例時，實際制備獲得的led光源的發(fā)光光譜難以與目標(biāo)發(fā)光光譜相匹配且具備不確定性，具體體現(xiàn)為實際制備獲得的led光源的整體光效相對設(shè)計值會被降低，且實際發(fā)光參數(shù)相對設(shè)計值的變化具備不確定性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的一個目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源具有至少一led芯片，并基于所述led芯片所發(fā)出的光對具有不同發(fā)射峰值波長的多種波長轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)，使得所述led光源的目標(biāo)發(fā)光光譜能夠在較寬的波段范圍基于各所述波長轉(zhuǎn)換材料的比例配置被設(shè)計，因而適用于健康照明。

2、本實用新型的另一個目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量均能夠被降低，因而有利于在依目標(biāo)發(fā)光光譜計算和配置各波長轉(zhuǎn)換材料的比例時，降低二次激發(fā)對計算結(jié)果的影響而有利于簡化對各波長轉(zhuǎn)換材料的比例的計算和配置。

3、本實用新型的另一個目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量均能夠被降低，因而有利于在依目標(biāo)發(fā)光光譜計算和配置各波長轉(zhuǎn)換材料的比例后，保障所述led光源的實際發(fā)光光譜與目標(biāo)發(fā)光光譜之間的匹配性，對應(yīng)有利于保障所述led光源的整體光效和實際發(fā)光參數(shù)的穩(wěn)定性和一致性。

4、本實用新型的另一個目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源具有先后固化的至少兩層熒光粉層，其中在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長大于在后固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長，如此以避免在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長落入在后固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜的波峰區(qū)間，對應(yīng)降低所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量。

5、本實用新型的另一個目的在于提供一種照明用led光源，其中在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長大于在后固化的熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長，如此以避免在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長落入在后固化的熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜的波峰區(qū)間，對應(yīng)進一步降低所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量。

6、本實用新型的另一個目的在于提供一種照明用led光源，其中在先固化的熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長大于在后固化的熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長，如此以避免在先固化的熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長落入在后固化的熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜的波峰區(qū)間，對應(yīng)避免所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)。

7、本實用新型的另一個目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量均能夠被降低，對應(yīng)在各波長轉(zhuǎn)換材料的比例依目標(biāo)發(fā)光光譜被固定配置的狀態(tài)，使得所述led芯片的輻射通量的變化引起的實際發(fā)光光譜的變化能夠被計算獲取，如此以便于在后繼依對所述led芯片的輻射通量的控制，調(diào)節(jié)所述led光源的實際發(fā)光光譜，從而滿足具有明確目的性的照明調(diào)節(jié)需求。

8、為實現(xiàn)以上至少一目的，根據(jù)本實用新型的一個方面，本實用新型提供一種照明用led光源，所述照明用led光源包括：

9、一基板載體，至少一led芯片，以及在所述led芯片的發(fā)光路徑被先后固化的至少兩層熒光粉層，其中所述led芯片被承載于所述基板載體并與所述基板載體上的相應(yīng)線路連接，其中所述led芯片選自發(fā)射峰值波長在300nm-480nm范圍內(nèi)的led芯片，其中以在先固化和在后固化區(qū)分按時間順序被固化的至少兩所述熒光粉層中相鄰的兩所述熒光粉層，在后固化的所述熒光粉層被固化于在先固化的所述熒光粉層，各所述熒光粉層包含至少一種波長轉(zhuǎn)換材料，且在先固化的所述熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長大于在后固化的所述熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長。

10、在一實施例中，其中在先固化的所述熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長大于在后固化的所述熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長。

11、在一實施例中，其中在先固化的所述熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長大于在后固化的所述熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長。

12、在一實施例中，其中的兩所述熒光粉層中，在先固化的所述熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長大于等于670nm，在后固化的所述熒光粉層中任一波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長小于670nm。

13、在一實施例中，其中該兩所述熒光粉層中，在先固化的所述熒光粉層中具有至少兩種波長轉(zhuǎn)換材料，在后固化的所述熒光粉層中具有至少三種波長轉(zhuǎn)換材料。

14、在一實施例中，其中該兩所述熒光粉層中，在先固化的所述熒光粉層中具有兩種波長轉(zhuǎn)換材料且兩種波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長分別處于733nm±5nm和795nm±5nm的范圍，在后固化的所述熒光粉層中具有五種波長轉(zhuǎn)換材料且五種波長轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長分別處于494±5nm、535±5nm、495±5nm、655±5nm以及525±5nm的范圍。

15、在一實施例中，其中所述led芯片的數(shù)量為多個，各所述led芯片選自發(fā)射峰值波長在400nm-480nm范圍內(nèi)的led芯片，并且多個所述led芯片被設(shè)置滿足具有多個發(fā)射峰值波長。

16、在一實施例中，其中多個所述led芯片被設(shè)置滿足具有至少三個發(fā)射峰值波長，并且各發(fā)射峰值波長之間的最小差值大于等于5nm。

17、在一實施例中，其中多個所述led芯片被設(shè)置滿足具有四個發(fā)射峰值波長，這四個發(fā)射峰值波長分別處于435nm±5nm，445nm±5nm，455nm±5nm以及470nm±5nm的范圍。

18、通過對隨后的描述和附圖的理解，本實用新型進一步的目的和優(yōu)勢將得以充分體現(xiàn)。