本實(shí)用新型屬于LED照明領(lǐng)域，具體涉及到一種大功率LED球場(chǎng)投射燈。

背景技術(shù)：

大功率LED燈在機(jī)場(chǎng)、運(yùn)動(dòng)場(chǎng)、碼頭、廣場(chǎng)、大橋等的投射燈、球場(chǎng)燈、舞臺(tái)燈、景觀燈等具有廣泛的應(yīng)用前景。但在推廣應(yīng)用中存在主要技術(shù)瓶頸之一就是散熱問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型旨在提供一種大功率LED球場(chǎng)投射燈，其散熱器采用熱電分離的散熱主體和復(fù)合式基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的散熱問(wèn)題。

本實(shí)用新型提供了一種大功率LED球場(chǎng)投射燈，包括燈罩、燈具模組和散熱器，所述散熱器包括散熱主體和復(fù)合式基板，所述復(fù)合式基板通過(guò)螺絲鎖緊在所述散熱主體上，且所述復(fù)合式基板包括基板、壓合層和陶瓷層，所述基板上設(shè)有多個(gè)金屬凸起，所述陶瓷層設(shè)于所述金屬凸起上方，所述半導(dǎo)體LED芯片設(shè)于所述陶瓷層上方；所述基板的非凸起處的上表面設(shè)有壓合層，所述壓合層與所述金屬凸起等高。

優(yōu)選地，所述復(fù)合式基板為銅基板或鋁基板。

進(jìn)一步地，所述散熱主體包括多個(gè)平行設(shè)置的熱管鉚接鰭片。

優(yōu)選地，所述燈罩為高純鋁反光罩。

優(yōu)選地，所述陶瓷層的材料為AL₂O₃、ALN、ALON、SiC中的一種。

本實(shí)用新型提供的所述大功率LED球場(chǎng)投射燈采用熱電分離的散熱主體和復(fù)合式基板，通過(guò)在半導(dǎo)體LED芯片與基板之間設(shè)置陶瓷層，可有效的進(jìn)行光電隔離的同時(shí)又具備優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，使得位于陶瓷基板上的半導(dǎo)體LED芯片的熱量可直接通過(guò)金屬凸起傳遞到散熱器；在基板的非凸起處設(shè)置壓合層，驅(qū)動(dòng)電路電子元器件通過(guò)電路與半導(dǎo)體LED芯片連接，可有效的進(jìn)行光電控制，實(shí)現(xiàn)熱電分離。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型提供的一種大功率LED球場(chǎng)投射燈中散熱器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中復(fù)合式基板的剖視圖；

圖3為圖2的仰視圖；

其中：10-復(fù)合式基板，20-散熱主體，1-基板，2-壓合層，3-陶瓷層，4-半導(dǎo)體LED芯片，11-金屬金屬凸起，21-絕緣層，22-銅箔，31、33-陶瓷層背面的第一部分，32-陶瓷層背面的第二部分。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳述。

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種大功率LED球場(chǎng)投射燈，包括燈罩、燈具模組和散熱器，所述散熱器包括散熱主體20和復(fù)合式基板10，所述復(fù)合式基板10通過(guò)螺絲鎖緊在所述散熱主體20上。

所述散熱主體20包括多個(gè)平行設(shè)置的熱管鉚接鰭片；所述燈罩為高純鋁反光罩。

請(qǐng)參閱圖2，所述復(fù)合式基板10為銅基板或鋁基板，其上部設(shè)有半導(dǎo)體LED芯片4，其下部螺絲鎖緊在所述散熱主體20上，包括基板1、壓合層2和陶瓷層3。

所述基板1上設(shè)有多個(gè)金屬凸起11，所述陶瓷層3設(shè)于所述金屬凸起11上方，所述半導(dǎo)體LED芯片4設(shè)于所述陶瓷層3上方；所述基板1的非凸起11處的上表面設(shè)有壓合層2，所述壓合層2與所述金屬凸起11等高。

所述壓合層2用于基板1上多個(gè)半導(dǎo)體LED芯片電路4間的屏蔽，由絕緣層21及銅箔22制成；所述絕緣層的材料為樹(shù)脂、FR4、BT中的一種。

對(duì)所述金屬凸起11進(jìn)行噴錫或沉錫。

請(qǐng)參閱圖3，所述陶瓷層3包括兩部分，第一部分31、33與銅箔接合，第二部分32通過(guò)回流焊或共晶焊的方式焊接于所述金屬凸起11上。

所述陶瓷層的材料為AL₂O₃、ALN、ALON、SiC中的一種；且所述陶瓷層可呈通孔貫穿設(shè)置，以使所述半導(dǎo)體LED芯片與所述基板線路連通。

本實(shí)用新型提供的所述大功率LED球場(chǎng)投射燈采用熱電分離的散熱主體和復(fù)合式基板，通過(guò)在半導(dǎo)體LED芯片與基板之間設(shè)置陶瓷層，可有效的進(jìn)行光電隔離的同時(shí)又具備優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，使得位于陶瓷基板上的半導(dǎo)體LED芯片的熱量可直接通過(guò)金屬凸起傳遞到散熱器；在基板的非凸起處設(shè)置壓合層，驅(qū)動(dòng)電路電子元器件通過(guò)電路與半導(dǎo)體LED芯片連接，可有效的進(jìn)行光電控制，實(shí)現(xiàn)熱電分離。

以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。