等離子蝕刻裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供等離子蝕刻裝置，其具備：具有等離子處理室的殼體；被加工物保持構(gòu)件，其配設(shè)在等離子處理室內(nèi)，在上表面保持被加工物；處理氣體噴射構(gòu)件，其具有處理氣體噴射部；處理氣體供給構(gòu)件，其向處理氣體噴射構(gòu)件提供處理氣體；和減壓等離子處理室的減壓構(gòu)件，該處理氣體噴射部具有中央噴射部和外周噴射部，處理氣體供給構(gòu)件具備：處理氣體供給源；緩沖箱，其與處理氣體供給源連通，暫時(shí)收納處理氣體；將緩沖箱和中央噴射部連通的中央噴射部供給路徑；將緩沖箱和外周噴射部連通的外周噴射部供給路徑；配設(shè)于中央噴射部供給路徑的第1高頻開閉閥；配設(shè)于外周噴射部供給路徑的第2高頻開閉閥；和控制第1高頻開閉閥和第2高頻開閉閥的控制構(gòu)件。
【專利說明】等離子蝕刻裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于通過等離子蝕刻去除形成于半導(dǎo)體器件周圍的缺口等的等離子蝕刻裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]例如，在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在大致圓板形形狀的半導(dǎo)體晶片的表面呈格子狀地形成的分割預(yù)定線劃分而成的多個(gè)區(qū)域中形成IC (集成電路)、LSI (大規(guī)模集成電路)等器件，沿著分割預(yù)定線對(duì)形成有該器件的各區(qū)域進(jìn)行分割，由此，制造出一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件。作為分割半導(dǎo)體晶片的分割裝置一般使用切削裝置，該切削裝置通過厚度為20μπι左右的切削刀沿著分割預(yù)定線來切削半導(dǎo)體晶片。像這樣分割出的半導(dǎo)體器件在封裝之后被廣泛利用到便攜電話和個(gè)人電腦等電氣設(shè)備中。
[0003]然而，切削裝置進(jìn)行的切削加工通過旋轉(zhuǎn)的切削刀實(shí)施，因此具有在半導(dǎo)體器件的外周產(chǎn)生細(xì)小的缺口或應(yīng)力，從而使器件的抗折強(qiáng)度降低的問題。
[0004]為了消除這樣的問題，提出了如下方法:通過沿著分割預(yù)定線對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行等離子蝕刻并分割，得到在外周不產(chǎn)生缺口或應(yīng)力的半導(dǎo)體器件(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特許第4447325號(hào)公報(bào)
[0006]然而，在沿著分割預(yù)定線對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行等離子蝕刻并分割的方法中，蝕刻速率存在偏差，從而具有無法沿著多個(gè)分割預(yù)定線均勻進(jìn)行蝕刻這一問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種能夠沿著多個(gè)分割線均勻蝕刻半導(dǎo)體晶片等被加工物的等離子蝕刻裝置。
[0008]為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種等離子蝕刻裝置，其具備:具有等離子處理室的殼體；被加工物保持構(gòu)件，其配設(shè)在該殼體的等離子處理室內(nèi)，且在上表面保持被加工物；處理氣體噴射構(gòu)件，其具有處理氣體噴射部，該處理氣體噴射部向由該被加工物保持構(gòu)件保持的被加工物噴射等離子產(chǎn)生用的處理氣體；處理氣體供給構(gòu)件，其向該處理氣體噴射構(gòu)件提供處理氣體；以及對(duì)該等離子處理室內(nèi)進(jìn)行減壓的減壓構(gòu)件，該等離子蝕刻裝置的特征在于，
[0009]該處理氣體噴射構(gòu)件的該處理氣體噴射部具有中央噴射部和圍繞該中央噴射部的外周噴射部，
[0010]該處理氣體供給構(gòu)件具備:處理氣體供給源；緩沖箱，其與該處理氣體供給源連通，暫時(shí)收納處理氣體；將該緩沖箱和該中央噴射部連通的中央噴射部供給路徑；將該緩沖箱和該外周噴射部連通的外周噴射部供給路徑；配設(shè)于該中央噴射部供給路徑的第I高頻開閉閥；配設(shè)于該外周噴射部供給路徑的第2高頻開閉閥；以及控制該第I高頻開閉閥的開閉頻率和該第2高頻開閉閥的開閉頻率的控制構(gòu)件。
[0011]上述處理氣體供給構(gòu)件包含:提供第I處理氣體的第I處理氣體供給源；提供第2處理氣體的第2處理氣體供給源；將第I處理氣體和第2處理氣體混合的氣體混合構(gòu)件；將氣體混合構(gòu)件和緩沖箱連通的處理氣體連通路徑；以及壓力調(diào)整構(gòu)件，其配設(shè)于處理氣體連通路徑，對(duì)提供到緩沖箱的處理氣體的壓力進(jìn)行調(diào)整。
[0012]此外，該等離子蝕刻裝置具有多個(gè)上述處理氣體供給構(gòu)件，上述控制構(gòu)件對(duì)分別配設(shè)于各處理氣體供給構(gòu)件的中央噴射部供給路徑和外周噴射部供給路徑的第I高頻開閉閥的開閉頻率和第2高頻開閉閥的開閉頻率進(jìn)行控制。
[0013]在本發(fā)明的等離子蝕刻裝置中，處理氣體噴射構(gòu)件的處理氣體噴出部具有中央噴射部和圍繞該中央噴射部的外周噴射部，處理氣體供給構(gòu)件具備:處理氣體供給源；緩沖箱，其與處理氣體供給源連通，暫時(shí)收納處理氣體；將緩沖箱和中央噴射部連通的中央噴射部供給路徑；將緩沖箱和外周部噴射部連通的外周噴射部供給路徑；配設(shè)于中央噴射部供給路徑的第I高頻開閉閥；配設(shè)于外周噴射部供給路徑的第2高頻開閉閥；以及控制第I高頻開閉閥和第2高頻開閉閥的開閉頻率的控制構(gòu)件，因此要噴射到等離子處理室的處理氣體從中央噴射部和外周噴射部以規(guī)定的開閉頻率被提供，所以噴射到了等離子處理室的處理氣體被充分?jǐn)嚢?，能夠在被加工物的各部分使蝕刻速率均勻。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的等離子蝕刻裝置的主要部分剖視圖。
[0015]圖2是作為被加工物的半導(dǎo)體晶片的立體圖。
[0016]圖3是在圖2所示的半導(dǎo)體晶片的表面粘貼保護(hù)帶的保護(hù)部件粘貼步驟的說明圖。
[0017]圖4是在圖2所示的半導(dǎo)體晶片的背面中的除與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域中覆蓋抗蝕劑膜的抗蝕劑膜覆蓋步驟的說明圖。
[0018]圖5是放大示出通過圖1所示的等離子蝕刻裝置蝕刻后的半導(dǎo)體晶片的主要部分的剖視圖。
[0019]標(biāo)號(hào)說明
[0020]2:等離子蝕刻裝置；3:殼體；30:等離子處理室；35:門；36:門動(dòng)作構(gòu)件；4:減壓構(gòu)件；5:第I電極單元；50:高頻電源；51:被加工物保持臺(tái)；6 --第2電極單元；60:高頻電源；61:處理氣體噴出部；611:中央噴射部；612:外周噴射部；7:處理氣體供給構(gòu)件；71:第I處理氣體供給構(gòu)件；72 --第2處理氣體供給構(gòu)件；711a、721a:第I處理氣體供給源；711b,721b:第2處理氣體供給源;713、723:氣體混合構(gòu)件;716、726:緩沖箱;717、727:壓力調(diào)整構(gòu)件；718a、728a:第I隔膜閥;718b、728b --第2隔膜閥；8:控制構(gòu)件；10:半導(dǎo)體晶片；11:保護(hù)帶；12:光致抗蝕劑月旲。

【具體實(shí)施方式】
[0021]以下，參照附圖詳細(xì)地對(duì)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的等離子蝕刻裝置的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0022]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的等離子蝕刻裝置的主要部分剖視圖。圖1所示的等離子蝕刻裝置2具有形成等離子處理室30的殼體3。該殼體3由以下部分構(gòu)成:底壁31、頂壁32、左右側(cè)壁33、34、后側(cè)側(cè)壁以及前側(cè)側(cè)壁(未圖示)，在右側(cè)側(cè)壁34設(shè)置有被加工物搬出搬入用的開口 341。在開口 341的外側(cè)配設(shè)有能夠沿上下方向移動(dòng)的、用于開閉開口 341的門35。該門35通過門動(dòng)作構(gòu)件36來進(jìn)行工作。門動(dòng)作構(gòu)件36由以下部分構(gòu)成:氣缸361 ;以及活塞桿362，其與配設(shè)于該氣缸361內(nèi)的未圖示的活塞連接，活塞桿362的末端(圖中為上端)與上述門35連接。通過利用該門動(dòng)作構(gòu)件36開啟門35，能夠經(jīng)過開口341對(duì)被加工物進(jìn)行搬出搬入。另外，在構(gòu)成殼體3的左側(cè)壁33設(shè)置有排氣口 331，該排氣口 331與減壓構(gòu)件4連接。
[0023]在通過上述殼體3形成的等離子處理室30中配設(shè)有以下部件:配設(shè)在底壁31上的作為被加工物保持構(gòu)件的第I電極單元5 ;以及與該第I電極單元5相對(duì)地配設(shè)的作為處理氣體噴射構(gòu)件的第2電極單元6。作為被加工物保持構(gòu)件的第I電極單元5設(shè)置有在上表面保持被加工物的圓形的被加工物保持臺(tái)51。另外，被加工物保持臺(tái)51構(gòu)成為具有靜電卡盤。通過高頻電源50向這樣構(gòu)成的第I電極單元5施加頻率為13MHz且50w的高頻電力。
[0024]作為處理氣體噴射構(gòu)件的第2電極單元6在下表面具有處理氣體噴出部61，該處理氣體噴出部61配設(shè)成與上述第I電極單元5的被加工物保持臺(tái)51相對(duì)，且具有向被加工物保持臺(tái)51噴出等離子產(chǎn)生用的處理氣體的噴出口。該處理氣體噴出部61具有圓形的中央噴射部611、和圍繞該中央噴射部611的圓環(huán)狀的外周噴射部612。此外，在第2電極單元6中，形成有與中央噴射部611連通的第I通道62、和與外周噴射部612連通的第2通道63。通過高頻電源60向這樣構(gòu)成的第2電極單元6施加頻率為13MHz且3000?的高頻電力。
[0025]等離子蝕刻裝置2具備向上述第2電極單元6提供等離子產(chǎn)生用的處理氣體的處理氣體供給構(gòu)件7。處理氣體供給構(gòu)件7具有提供分別與上述第2電極單元6不同的等離子產(chǎn)生用的處理氣體的第I處理氣體供給構(gòu)件71和第2處理氣體供給構(gòu)件72。第I處理氣體供給構(gòu)件71具有提供作為第I處理氣體的SF6氣體的第I處理氣體供給源71 la、和提供作為第2處理氣體的O2氣體的第2處理氣體供給源711b。第I處理氣體供給源711a和第2處理氣體供給源711b分別經(jīng)由氣體通道712a和712b與氣體混合構(gòu)件713連通。另外，在氣體通道712a和712b中分別配設(shè)有電磁開閉閥714a和714b、以及流量調(diào)整閥715a和715b。因此，當(dāng)電磁開閉閥714a和714b被打開時(shí)，作為第I處理氣體的SF6氣體和作為第2處理氣體的O2氣體分別從第I處理氣體供給源711a和第2處理氣體供給源711b起，經(jīng)由流量調(diào)整閥715a和715b流入到氣體混合構(gòu)件713并被混合。
[0026]上述氣體混合構(gòu)件713經(jīng)由處理氣體連通路徑711c與緩沖箱716連通。該緩沖箱716暫時(shí)蓄積從氣體混合構(gòu)件713提供的處理氣體。另外，在使氣體混合構(gòu)件713和緩沖箱716連通的處理氣體連通路徑711c中，配設(shè)有對(duì)提供到緩沖箱716的處理氣體的壓力進(jìn)行調(diào)整的壓力調(diào)整構(gòu)件717。因此，將蓄積在緩沖箱716中的處理氣體維持到規(guī)定的壓力范圍。
[0027]上述緩沖箱716經(jīng)由中央噴射部供給路徑711d和外周噴射部供給路徑711e與形成于上述第2電極單元6的第I通道62和第2通道63連通。在中央噴射部供給路徑711d和外周噴射部供給路徑711e中分別配設(shè)有作為第I高頻開閉閥和第2高頻開閉閥的第I隔膜閥718a和第2隔膜閥718b、以及節(jié)流閥719。
[0028]上述第2處理氣體供給構(gòu)件72除了第I處理氣體不同以外，是與上述第I處理氣體供給構(gòu)件71實(shí)質(zhì)相同的結(jié)構(gòu)。
[0029]S卩，第2處理氣體供給構(gòu)件72具有提供作為第I處理氣體的C4F8氣體的第I處理氣體供給源721a、和提供作為第2處理氣體的O2氣體的第2處理氣體供給源721b。第I處理氣體供給源721a和第2處理氣體供給源721b分別經(jīng)由氣體通道722a和722b與氣體混合構(gòu)件723連通。另外，在氣體通道722a和722b中分別配設(shè)有電磁開閉閥724a和724b、以及流量調(diào)整閥725a和725b。
[0030]上述氣體混合構(gòu)件723經(jīng)由處理氣體連通路徑721c與緩沖箱726連通。該緩沖箱726暫時(shí)蓄積從氣體混合構(gòu)件723提供的處理氣體。另外，在使氣體混合構(gòu)件723和緩沖箱726連通的處理氣體連通路徑721c中，配設(shè)有對(duì)提供到緩沖箱726的處理氣體的壓力進(jìn)行調(diào)整的壓力調(diào)整構(gòu)件727。因此，將蓄積在緩沖箱726中的處理氣體維持到規(guī)定的壓力范圍。
[0031]上述緩沖箱726經(jīng)由中央噴射部供給路徑721d和外周噴射部供給路徑721e與形成于上述第2電極單元6的第I通道62和第2通道63連通。在中央噴射部供給路徑721d和外周噴射部供給路徑721e中分別配設(shè)有作為第I高頻開閉閥和第2高頻開閉閥的第I隔膜閥728a和第2隔膜閥728b、以及節(jié)流閥729。
[0032]等離子蝕刻裝置2具備控制構(gòu)件8。該控制構(gòu)件8控制上述作為第I高頻開閉閥和第2高頻開閉閥的第I隔膜閥718a、728a和第2隔膜閥718b、728b的開閉頻率。此外，控制構(gòu)件8對(duì)上述門動(dòng)作構(gòu)件36、減壓構(gòu)件4、高頻電源50、高頻電源60、電磁開閉閥714a和714b、電磁開閉閥724a和724b等進(jìn)行控制。
[0033]等離子蝕刻裝置2是按照以上方式構(gòu)成的，以下對(duì)其作用進(jìn)行說明。
[0034]圖2示出了作為晶片的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖2所示的半導(dǎo)體晶片10例如由直徑200mm且厚度700 μ m的圓形的硅晶片構(gòu)成，在表面1a呈格子狀地形成有多個(gè)分割預(yù)定線101，并且在通過該多個(gè)分割預(yù)定線101劃分而成的多個(gè)區(qū)域中形成有IC、LSI等器件102。如圖3所示，為了保護(hù)器件102，在這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片10的表面1a粘貼作為保護(hù)部件的保護(hù)帶11 (保護(hù)部件粘貼步驟)。在這樣將保護(hù)帶11粘貼到半導(dǎo)體晶片10的表面1a后，實(shí)施背面磨削步驟，在該步驟中，磨削半導(dǎo)體晶片10的背面1b來將半導(dǎo)體晶片10形成為規(guī)定的成品厚度(例如350 μ m)。該背面磨削步驟能夠使用以往公知的磨削裝置實(shí)施。
[0035]在如上述那樣磨削半導(dǎo)體晶片10的背面1b來將半導(dǎo)體晶片10形成為器件的規(guī)定成品厚度后，實(shí)施在半導(dǎo)體晶片10的背面1b中的除與分割預(yù)定線101對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域中覆蓋抗蝕劑膜的抗蝕劑膜覆蓋步驟。該抗蝕劑膜覆蓋步驟，首先圖4的(a)所示，在半導(dǎo)體晶片10的背面1b涂覆正性光致抗蝕劑來形成光致抗蝕劑膜12 (光致抗蝕劑涂覆步驟)。接著，對(duì)作為形成于半導(dǎo)體晶片10的背面1b的光致抗蝕劑膜12的應(yīng)蝕刻區(qū)域的除與分割預(yù)定線101對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域進(jìn)行遮蔽，使光致抗蝕劑膜12曝光(曝光步驟)，并通過堿性溶液對(duì)曝光后的光致抗蝕劑膜12進(jìn)行顯影(顯影步驟)。其結(jié)果，如圖4的(b)所示，去除光致抗蝕劑膜12中的與曝光后的分割預(yù)定線101對(duì)應(yīng)的區(qū)域。因此，在半導(dǎo)體晶片10的背面10b，在與分割預(yù)定線101對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域中覆蓋光致抗蝕劑膜12。
[0036]然后，說明蝕刻步驟，在蝕刻步驟中，使用上述圖1所示的等離子蝕刻裝置2，如上述圖4的(a)和(b)所示那樣實(shí)施抗蝕劑膜覆蓋步驟，并沿著分割預(yù)定線101蝕刻半導(dǎo)體晶片10，由此將半導(dǎo)體晶片10沿著分割預(yù)定線101分割成一個(gè)個(gè)器件，半導(dǎo)體晶片10在背面1b中的與分割預(yù)定線101對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域中覆蓋有光致抗蝕劑膜12。
[0037]首先，控制構(gòu)件8使門動(dòng)作構(gòu)件36工作，使門35在圖1中向下方移動(dòng)，從而打開設(shè)置于殼體3的右側(cè)側(cè)壁34的開口 341。然后，通過未圖示的搬出搬入構(gòu)件將實(shí)施了上述抗蝕劑膜覆蓋步驟的半導(dǎo)體晶片10從開口 341搬送到通過殼體3形成的等離子處理室30，將被粘貼到半導(dǎo)體晶片10的表面的保護(hù)帶11側(cè)載置到構(gòu)成第I電極單元5的被加工物保持臺(tái)51上。然后，控制構(gòu)件8通過使被加工物保持臺(tái)51的靜電卡盤發(fā)揮功能，由靜電卡盤隔著保護(hù)帶11保持載置在被加工物保持臺(tái)51上的半導(dǎo)體晶片10。因此，對(duì)于保持在被加工物保持臺(tái)51上的半導(dǎo)體晶片10，被覆蓋在背面1b中的除分割預(yù)定線101以外的區(qū)域中的光致抗蝕劑膜12處于上側(cè)。
[0038]在像這樣將半導(dǎo)體晶片10保持到被加工物保持臺(tái)51上后，控制構(gòu)件8使門動(dòng)作構(gòu)件36工作，使門35在圖1中向上方移動(dòng)，從而關(guān)閉設(shè)置于殼體3的右側(cè)側(cè)壁34的開口341。然后，控制構(gòu)件8使減壓構(gòu)件4工作，將由殼體3形成的等離子處理室30內(nèi)減壓至例如20Pa的壓力。進(jìn)而，實(shí)施將半導(dǎo)體晶片10沿著分割預(yù)定線101分割成一個(gè)個(gè)器件的蝕刻步驟。
[0039]為了實(shí)施蝕刻步驟，控制構(gòu)件8控制構(gòu)成第I處理氣體供給構(gòu)件71和第2處理氣體供給構(gòu)件72的各構(gòu)件，如后述那樣，經(jīng)過設(shè)置于第2電極單元6的第I通道62和第2通道63，從中央噴射部611和外周噴射部612將由SF6氣體和O2氣體組成的處理氣體以及由C4F8氣體和O2氣體組成的處理氣體交替噴射到等離子處理室30。此外，控制構(gòu)件8控制高頻電源50和高頻電源60來向第I電極單元5施加頻率為13MHz且50w的高頻電力，并且向第2電極單元6施加頻率為13MHz且3000?的高頻電力。
[0040]這里，說明通過第I處理氣體供給構(gòu)件71和第2處理氣體供給構(gòu)件72噴射到等離子處理室30的由SF6氣體和O2氣體組成的處理氣體以及由C4F8氣體和O2氣體組成的處理氣體的噴射要領(lǐng)。
[0041]控制構(gòu)件8以例如10Hz的開閉頻率控制第I隔膜閥718a，并且以例如50Hz的開閉頻率控制第2隔膜閥718b，并使該控制工作I秒鐘，停止2秒鐘?？刂茦?gòu)件8反復(fù)實(shí)施該I秒鐘的工作和2秒鐘的停止。其結(jié)果，以10Hz的頻率，從中央噴射部611經(jīng)由節(jié)流閥719和第I通道62，按照2秒鐘的間隔將由SF6氣體和O2氣體組成的處理氣體向等離子處理室30噴射I秒鐘，并且以由50Hz的頻率，從外周噴射部612經(jīng)由節(jié)流閥719和第2通道63，按照2秒鐘的間隔將由SF6氣體和O2氣體組成的處理氣體向等離子處理室30噴射I秒鐘。
[0042]此外，控制構(gòu)件8以例如50Hz的開閉頻率控制第I隔膜閥728a，并且以例如30Hz的開閉頻率控制第2隔膜閥728b，停止作為上述第I隔膜閥718a和第2隔膜閥718b的工作期間的I秒鐘并工作作為第I隔膜閥718a和第2隔膜閥718b的停止期間的2秒鐘?？刂茦?gòu)件8反復(fù)實(shí)施該I秒鐘的停止和2秒鐘的工作。其結(jié)果，以50Hz的頻率，從中央噴射部611經(jīng)由節(jié)流閥729和第I通道62，按照I秒鐘的間隔將由C4F8氣體和O2氣體組成的處理氣體向等離子處理室30噴射2秒鐘，并且以由30Hz的頻率，從外周噴射部612經(jīng)由節(jié)流閥729和第2通道63，按照I秒鐘的間隔將由C4F8氣體和O2氣體組成的處理氣體向等離子處理室30噴射2秒鐘。另外，在本實(shí)施方式中，第I處理氣體供給構(gòu)件71和第2處理氣體供給構(gòu)件72以I分鐘10升的比例提供要噴射到等離子處理室30的由SF6氣體和O2氣體組成的處理氣體，并以I分鐘0.7升的比例提供由C4F8氣體和O2氣體組成的處理氣體。
[0043]由此，在從中央噴射部611和外周噴射部612向等離子處理室30交替地提供了等離子產(chǎn)生用的由SF6氣體和O2氣體組成的處理氣體以及由C4F8氣體和O2氣體組成的處理氣體的狀態(tài)下，控制構(gòu)件8控制高頻電源50和高頻電源60來向第I電極單元5施加頻率為13MHz且50w的高頻電力，并且向第2電極單元6施加頻率為13MHz且3000w的高頻電力。由此，在第I電極單元5與第2電極單元6之間的空間中，產(chǎn)生由SF6氣體和C4F8氣體組成的等離子，該等離子化后的活性物質(zhì)經(jīng)過形成于半導(dǎo)體晶片10的背面的光致抗蝕劑膜12中的與分割預(yù)定線101對(duì)應(yīng)的區(qū)域作用到半導(dǎo)體晶片10，因此如圖5所示，半導(dǎo)體晶片10沿著分割預(yù)定線101被蝕刻去除而形成分割槽210，并被分割為一個(gè)個(gè)器件102。另外，通過如上述那樣控制構(gòu)成第I處理氣體供給構(gòu)件71和第2處理氣體供給構(gòu)件72的各構(gòu)件并實(shí)施20分鐘的等離子蝕刻加工，能夠在硅晶片上形成350 μ m的分割槽。
[0044]如上所述，在本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置2中，要噴射到等離子處理室30的等離子產(chǎn)生用的由SF6氣體和O2氣體組成的處理氣體以及由C4F8氣體和O2氣體組成的處理氣體從中央噴射部611和外周噴射部612以規(guī)定的開閉頻率被提供，因此噴射到了等離子處理室30的處理氣體被充分?jǐn)嚢?，所以能夠在半?dǎo)體晶片10的各部分使蝕刻速率均勻。
[0045]以上，根據(jù)圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不僅限于實(shí)施方式，能夠在本發(fā)明的主旨范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形實(shí)施。例如，在上述實(shí)施方式中示出了具備第I處理氣體供給構(gòu)件71和第2處理氣體供給構(gòu)件72的例子，但也可以通過I個(gè)處理氣體供給構(gòu)件從中央噴射部611和外周噴射部612向等離子處理室30交替地噴射處理氣體。
[0046]此外，在上述實(shí)施方式中示出了如下例子:將作為保持被加工物的被加工物保持構(gòu)件的第I電極單元5配設(shè)到下側(cè)，將具有處理氣體噴射部的作為處理氣體噴射構(gòu)件的第2電極單元6配設(shè)到上側(cè)，該處理氣體噴射部向由被加工物保持構(gòu)件保持的被加工物噴射等離子產(chǎn)生用的處理氣體，但也可以將作為被加工物保持構(gòu)件的第I電極單元5配設(shè)到上側(cè)，將作為處理氣體噴射構(gòu)件的第2電極單元6配設(shè)到下側(cè)。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子蝕刻裝置，其具備:具有等離子處理室的殼體；被加工物保持構(gòu)件，其配設(shè)在該殼體的等離子處理室內(nèi)，且在上表面保持被加工物；處理氣體噴射構(gòu)件，其具有處理氣體噴射部，該處理氣體噴射部向由該被加工物保持構(gòu)件保持的被加工物噴射等離子產(chǎn)生用的處理氣體；處理氣體供給構(gòu)件，其向該處理氣體噴射構(gòu)件提供處理氣體；以及對(duì)該等離子處理室內(nèi)進(jìn)行減壓的減壓構(gòu)件，該等離子蝕刻裝置的特征在于， 該處理氣體噴射構(gòu)件的該處理氣體噴射部具有中央噴射部和圍繞該中央噴射部的外周噴射部， 該處理氣體供給構(gòu)件具備:處理氣體供給源；緩沖箱，其與該處理氣體供給源連通，暫時(shí)收納處理氣體；將該緩沖箱和該中央噴射部連通的中央噴射部供給路徑；將該緩沖箱和該外周噴射部連通的外周噴射部供給路徑；配設(shè)于該中央噴射部供給路徑的第I高頻開閉閥；配設(shè)于該外周噴射部供給路徑的第2高頻開閉閥；以及控制該第I高頻開閉閥的開閉頻率和該第2高頻開閉閥的開閉頻率的控制構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，其中， 該處理氣體供給構(gòu)件包括:提供第I處理氣體的第I處理氣體供給源；提供第2處理氣體的第2處理氣體供給源；將該第I處理氣體和該第2處理氣體混合的氣體混合構(gòu)件；將該氣體混合構(gòu)件和緩沖箱連通的處理氣體連通路徑；以及壓力調(diào)整構(gòu)件，其配設(shè)于該處理氣體連通路徑，對(duì)提供到該緩沖箱的處理氣體的壓力進(jìn)行調(diào)整。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子蝕刻裝置，其中， 該等離子蝕刻裝置具有多個(gè)該處理氣體供給構(gòu)件， 該控制構(gòu)件對(duì)分別配設(shè)于各處理氣體供給構(gòu)件的該中央噴射部供給路徑和該外周噴射部供給路徑的該第I高頻開閉閥的開閉頻率和該第2高頻開閉閥的開閉頻率進(jìn)行控制。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK104299878SQ201410324224
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月16日
【發(fā)明者】荒見淳一, 岡崎健志 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科