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一種液體材料等離子體處理裝置制造方法

文檔序號(hào):2856858閱讀:175來源:國知局
一種液體材料等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種液體材料等離子體處理裝置,包括處理腔和等離子體噴槍,處理腔任一側(cè)壁上端設(shè)置有進(jìn)液口,下端設(shè)置有進(jìn)氣口,處理腔對(duì)應(yīng)側(cè)壁上端設(shè)置有出氣口,下端設(shè)置有出液口,處理腔內(nèi)水平設(shè)置有氣體分布板,出液口、出氣口和進(jìn)液口分別設(shè)置于氣體分布板上方,進(jìn)氣口設(shè)置于氣體分布板下方,等離子體噴槍頭端與進(jìn)氣口連接。本發(fā)明中等離子體噴槍將電力后的反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入處理腔下部,然后經(jīng)過氣體分布板進(jìn)入處理腔上部,充滿處理腔后從出氣口溢出,再從進(jìn)液口中向處理腔上部通入液體材料,電離后的反應(yīng)氣體邊對(duì)液體材料鼓泡邊對(duì)其進(jìn)行表面處理,從而實(shí)現(xiàn)液體材料等離子處理,使得處理更均勻,效果更好。
【專利說明】一種液體材料等離子體處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于等離子體處理裝置領(lǐng)域,更具體的說是涉及一種液體材料等離子體處
理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì),它廣泛存在于宇宙中,常被視為是除去固、液、氣外,物質(zhì)存在的第四態(tài)。
[0003]目前,等離子體裝置一般的是在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電場(chǎng),用真空泵實(shí)現(xiàn)一定的真空度,隨著氣體愈來愈稀薄,分子間距及分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離也愈來愈長,受電場(chǎng)作用,他們發(fā)生碰撞而形成離子體,這些離子的活性很高,其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵,在任何暴露的材料表面引起化學(xué)反應(yīng),從而使材料表面的結(jié)構(gòu)、成分和基團(tuán)發(fā)生變化,得到滿足實(shí)際要求的表面。等離子體反應(yīng)速度快、處理效率高,而且改性僅發(fā)生在材料表面,對(duì)材料內(nèi)部本體材料的性能沒有影響,是理想的表面改性手段。
[0004]液體材料需要進(jìn)行等離子體活化反應(yīng)實(shí)現(xiàn)液體材料表面的處理,例如油表面親水化等處理,而現(xiàn)有技術(shù)中沒有可以對(duì)液體材料等離子體處理的裝置。
[0005]因此,亟需一種液體材料等離子體處理裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種液體材料等離子體處理裝置。
[0007]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種液體材料等離子體處理裝置,包括處理腔和等離子體噴槍,所述處理腔任一側(cè)壁上端設(shè)置有進(jìn)液口,下端設(shè)置有進(jìn)氣口,所述處理腔對(duì)應(yīng)側(cè)壁上端設(shè)置有出氣口,下端設(shè)置有出液口,所述處理腔內(nèi)水平設(shè)置有氣體分布板,所述出液口、所述出氣口和所述進(jìn)液口分別設(shè)置于所述氣體分布板上方,所述進(jìn)氣口設(shè)置于所述氣體分布板下方,所述等離子體噴槍頭端與所述進(jìn)氣口連接。
[0008]進(jìn)一步的,所述處理腔為絕緣處理腔。
[0009]進(jìn)一步的,所述等離子體噴槍包括高頻電源、陽極套管和陰極,所述陰極設(shè)置于所述陽極套管中間,所述陽極套管和陰極分別連接到高頻電源的正、負(fù)極,所述陽極套管與所述陰極之間設(shè)置有用于反應(yīng)氣體電離的氣體反應(yīng)腔。
[0010]進(jìn)一步的,所述陽極套管中還設(shè)置有水冷層,所述水冷層包括設(shè)置于所述陽極套管中的通道層和延伸設(shè)置于所述陽極套管頭部的外夾水冷層。
[0011]進(jìn)一步的,所述陰極末端設(shè)置有防止所述陰極末端與所述陽極套管放電的絕緣層。
[0012]進(jìn)一步的,所述高頻電源的頻率范圍為IOKhz — IOOKhz。
[0013]進(jìn)一步的,還包括用于冷卻反應(yīng)氣體的冷卻箱和用于收集液體材料的液體收集箱,所述冷卻箱與所述出氣口連接,所述液體收集箱一端與所述冷卻箱連接,另一端與所述進(jìn)液口連接。
[0014]進(jìn)一步的,還包括用于循環(huán)處理的循環(huán)腔,所述循環(huán)腔一端與所述出液口連接,另一端與所述進(jìn)液口連接。
[0015]本發(fā)明具有積極的效果:本發(fā)明中等離子體噴槍將電力后的反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入處理腔下部,然后經(jīng)過氣體分布板進(jìn)入處理腔上部,充滿處理腔后從出氣口溢出,再從進(jìn)液口中向處理腔上部通入液體材料,電離后的反應(yīng)氣體邊對(duì)液體材料鼓泡邊對(duì)其進(jìn)行表面處理,從而實(shí)現(xiàn)液體材料等離子處理,使得處理更均勻,效果更好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中:
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]其中:1、處理腔,2、出液口,3、氣體分布板,4、出氣口,5、陰極,6、氣體反應(yīng)腔,7、進(jìn)液口,8、進(jìn)氣口,9、冷卻箱,10、液體收集箱,11、外夾水冷層,12、陽極套管,13、通道層,14、循環(huán)腔。
【具體實(shí)施方式】
[0018]實(shí)施例1
如圖1所示,作為第一優(yōu)選實(shí)施例,本實(shí)施例提供一種液體材料等離子體處理裝置,包括處理腔I和等離子體噴槍,處理腔I右側(cè)壁上端設(shè)置有進(jìn)液口 7,下端設(shè)置有進(jìn)氣口 8,處理腔I左側(cè)壁上端設(shè)置有出氣口 4,下端設(shè)置有出液口 2,處理腔I內(nèi)水平設(shè)置有氣體分布板3,出液口 2、出氣口 4和進(jìn)液口 7分別設(shè)置于氣體分布板3上方,進(jìn)氣口 8設(shè)置于氣體分布板3下方,等離子體噴槍頭端與進(jìn)氣口 8連接。
[0019]本實(shí)施例的等離子體噴槍包括高頻電源(圖中未示出)、陽極套管12和陰極5,陰極5設(shè)置于陽極套管12中間,陽極套管12和陰極5分別連接到高頻電源的正、負(fù)極,陽極套管12與陰極5之間設(shè)置有用于反應(yīng)氣體電離的氣體反應(yīng)腔6。
[0020]本實(shí)施例中采用頻率范圍為IOKhz — IOOKhz的高頻電源,高頻電源激發(fā)陽極套管12和陰極5之間形成電場(chǎng),氣體反應(yīng)腔6中的反應(yīng)氣體在電場(chǎng)下電離后從進(jìn)氣口 8進(jìn)入處理腔I下部,然后經(jīng)過氣體分布板3進(jìn)入處理腔I上部,充滿處理腔I后從出氣口 4溢出,再從進(jìn)液口 7中向處理腔上部通入液體材料,電離后的反應(yīng)氣體邊對(duì)液體材料鼓泡邊對(duì)其進(jìn)行表面處理,從而實(shí)現(xiàn)液體材料等離子處理,使得處理更均勻,效果更好。
[0021]實(shí)施例2
如圖2所示,作為第二優(yōu)選實(shí)施例,其余與實(shí)施例1相同,不同之處在于,本實(shí)施例提供的處理腔I為絕緣處理腔,陽極套管12中還設(shè)置有水冷層,水冷層包括設(shè)置于陽極套管12中的通道層13和延伸設(shè)置于陽極套管12頭部的外夾水冷層11,陰極5末端設(shè)置有防止陰極5末端與陽極套管12放電的絕緣層(圖中未示出),水冷層可對(duì)電離后的反應(yīng)氣體進(jìn)行降溫,避免反應(yīng)氣體溫度過高。
[0022]本實(shí)施例還包括用于冷卻反應(yīng)氣體的冷卻箱9和用于收集液體材料的液體收集箱10,冷卻箱9與出氣口 4連接,液體收集箱10 —端與冷卻箱9連接,另一端與進(jìn)液口 7連接。
[0023]本實(shí)施例中反應(yīng)氣體在對(duì)液體材料等離子體處理時(shí)會(huì)將液體材料汽化從出氣口 4溢出,冷卻箱9將溢出的氣體冷卻時(shí)汽化的液體材料變?yōu)橐后w狀,進(jìn)入液體收集箱10中,再從進(jìn)液口 7進(jìn)入處理腔I中進(jìn)行處理,避免了液體材料的浪費(fèi),更加環(huán)保。
[0024]實(shí)施例3
如圖3所示,作為第三優(yōu)選實(shí)施例,其余與實(shí)施例1或2相同,不同之處在于,本實(shí)施例還包括用于循環(huán)處理的循環(huán)腔14,循環(huán)腔14 一端與出液口 2連接,另一端與進(jìn)液口 7連接,循環(huán)腔14與出液口 2之間還設(shè)置有水泵。本實(shí)施例中增加循環(huán)腔14將處理過的液體材料二次處理,提高處理效果。
[0025]以上所述的具體實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,包括處理腔和等離子體噴槍,所述處理腔任一側(cè)壁上端設(shè)置有進(jìn)液口,下端設(shè)置有進(jìn)氣口,所述處理腔對(duì)應(yīng)側(cè)壁上端設(shè)置有出氣口,下端設(shè)置有出液口,所述處理腔內(nèi)水平設(shè)置有氣體分布板,所述出液口、所述出氣口和所述進(jìn)液口分別設(shè)置于所述氣體分布板上方,所述進(jìn)氣口設(shè)置于所述氣體分布板下方,所述等離子體噴槍頭端與所述進(jìn)氣口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,所述處理腔為絕緣處理腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,所述等離子體噴槍包括高頻電源、陽極套管和陰極,所述陰極設(shè)置于所述陽極套管中間,所述陽極套管和陰極分別連接到高頻電源的正、負(fù)極,所述陽極套管與所述陰極之間設(shè)置有用于反應(yīng)氣體電離的氣體反應(yīng)腔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,所述陽極套管中還設(shè)置有水冷層,所述水冷層包括設(shè)置于所述陽極套管中的通道層和延伸設(shè)置于所述陽極套管頭部的外夾水冷層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,所述陰極末端設(shè)置有防止所述陰極末端與所述陽極套管放電的絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,所述高頻電源的頻率范圍為IOKhz — IOOKhz。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,還包括用于冷卻反應(yīng)氣體的冷卻箱和用于收集液體材料的液體收集箱,所述冷卻箱與所述出氣口連接,所述液體收集箱一端與所述冷卻箱連接,另一端與所述進(jìn)液口連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的液體材料等離子體處理裝置,其特征在于,還包括用于循環(huán)處理的循環(huán)腔,所述循環(huán)腔一端與所述出液口連接,另一端與所述進(jìn)液口連接。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103681200SQ201310668285
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月11日
【發(fā)明者】沈文凱, 王紅衛(wèi) 申請(qǐng)人:蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司
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