專利名稱：在材料處理系統(tǒng)中監(jiān)視等離子體的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在一個處理系統(tǒng)中監(jiān)視一個過程，以及更具體地講，用帶有一個積分傳輸器件的一個監(jiān)視裝置來監(jiān)視一個過程。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)中集成電路(1C)的制造典型地應(yīng)用等離子體以在一個等離子體反應(yīng)器中建立或協(xié)助表面化學(xué)反應(yīng)，這是從基片上除去材料以及在基片上淀積材料所必須的。一般講，等離子體是在等離子體反應(yīng)器內(nèi)，在真空條件下，通過加熱電子使其能量足以維持和一種供給處理氣體的離化碰撞。另外，加熱電子能有足夠的能量以維持離解性碰撞，以及因而，要在事先確定的條件下(例如，反應(yīng)室壓力，氣體流率，等等)選擇特定一組氣體，以產(chǎn)生對反應(yīng)室內(nèi)要進行的特定過程(例如，腐蝕過程，這時材料被從基片去除或淀積過程，這時材料被加到基片)適合的帶電的和化學(xué)活性的粒子種類。
例如在一個腐蝕過程中，當(dāng)確定等離子處理系統(tǒng)的狀態(tài)和確定正在生產(chǎn)的器件質(zhì)量時監(jiān)視等離子體處理系統(tǒng)可以是非常重要的。附加的過程數(shù)據(jù)可以用來防止關(guān)于系統(tǒng)狀態(tài)和正在生產(chǎn)的產(chǎn)品的狀態(tài)的錯誤的結(jié)論。例如，一個等離子體處理系統(tǒng)的連續(xù)使用能夠?qū)е碌入x子體處理性能的逐漸惡化，最終導(dǎo)致系統(tǒng)的完全失效。附加的過程有關(guān)數(shù)據(jù)和裝置有關(guān)數(shù)據(jù)將改進等離子體處理系統(tǒng)的管理以及正在生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種設(shè)備和方法以監(jiān)視在一個處理系統(tǒng)中的一個過程，以及更具體地講，提供一個具有積分傳輸器件的過程監(jiān)視裝置以及一種用具有積分傳輸器件的過程監(jiān)視裝置來監(jiān)視在一個處理系統(tǒng)中某個過程的方法。
本發(fā)明提供一種設(shè)備和方法以監(jiān)視在一個材料處理系統(tǒng)中的一個等離子體過程，更具體地講，提供一個具有積分傳輸器件的等離子體監(jiān)視裝置以及一種用一個具有積分傳輸器件的等離子體監(jiān)視裝置來監(jiān)視在材料處理系統(tǒng)中一個等離子體過程的方法。
本發(fā)明也提供了在一個材料處理系統(tǒng)中監(jiān)視一個過程的一種手段，它包括至少一個耦合到至少一個傳感器接口組件(SIA)的射頻響應(yīng)傳感器。


從下面本發(fā)明示例性實施方案的詳細敘述并結(jié)合附圖，本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點將變得更加清楚和更加容易領(lǐng)會，其中圖1給出按照本發(fā)明的一個實施方案，材料處理系統(tǒng)的一個簡化框圖；圖2給出按照本發(fā)明的一個實施方案，射頻響應(yīng)等離子體傳感器和傳感器接口組件的一個簡化框圖；圖3a-3c給出按照本發(fā)明的幾個實施方案，射頻響應(yīng)等離子體傳感器的簡化框圖；圖4a-4c給出按照本發(fā)明的另外幾個實施方案，射頻響應(yīng)等離子體傳感器的簡化框圖；圖5a-5c給出按照本發(fā)明的另外幾個實施方案，射頻響應(yīng)等離子體傳感器的簡化框圖；圖6a-6c給出按照本發(fā)明的幾個實施方案，傳感器接口組件的簡化框圖；圖7a-7c給出按照本發(fā)明的另外幾個實施方案，傳感器接口組件的簡化框圖；圖8a-8c給出按照本發(fā)明的另外幾個實施方案，傳感器接口組件的簡化框圖；以及圖9給出按照本發(fā)明一個實施方案，監(jiān)視一個材料處理系統(tǒng)的方法。
具體實施例方式
本發(fā)明提供一種改進的材料處理系統(tǒng)，它能夠包括一個等離子體處理工具，該工具能夠包括一個處理室。另外，該等離子體處理系統(tǒng)能夠包括多個射頻響應(yīng)等離子體傳感器，這些傳感器被耦合到等離子體處理工具以產(chǎn)生和發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，以及一個傳感器接口組件(SIA)，用以接收從多個射頻響應(yīng)等離子體傳感器中至少一個來的等離子體數(shù)據(jù)。
圖1給出按照本發(fā)明的一個實施方案，一個材料處理系統(tǒng)的簡化框圖。例如，材料處理系統(tǒng)100能夠包含一個腐蝕系統(tǒng)，諸如一個等離子體腐蝕器。材料處理系統(tǒng)100也能夠包含一個涂光刻膠系統(tǒng)，如一個光刻膠旋涂系統(tǒng)，和/或材料處理系統(tǒng)100能夠包含一個光刻膠成圖系統(tǒng)，諸如一個光刻系統(tǒng)。在另一個實施方案中，材料處理系統(tǒng)100能夠包含一個電介質(zhì)涂覆系統(tǒng)，諸如一個玻璃上旋涂(Spin-on-glass，SOG)或電介質(zhì)上旋涂(Spin-on-dielectri，SOD)系統(tǒng)。在另一個實施方案中，材料處理系統(tǒng)100能夠包含一個淀積室，諸如一個化學(xué)蒸汽淀積(CVD)系統(tǒng)，一個物理蒸汽淀積(PVD)系統(tǒng)，一個原子層淀積(ACD)系統(tǒng)，和/或其組合。在另一個實施方案中，材料處理系統(tǒng)100能包含一個熱處理系統(tǒng)，諸如一個快速熱處理(RTP)系統(tǒng)。在另一個實施方案中，材料處理系統(tǒng)100能夠包含一個批擴散爐或其它半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。
在圖中給出的實施方案中，材料處理系統(tǒng)100包含處理室110，上部組件120，基片握持器130以支持基片135，泵系統(tǒng)160和控制器170。例如，泵系統(tǒng)160能在處理室110中提供一個可控制的壓力。例如，處理室110能在鄰近基片135的一個處理空間115中有利于處理氣體的形成。材料處理系統(tǒng)100能被配置成可以處理200mm基片，300mm基片，或更大的基片。材料處理系統(tǒng)也能夠通過在一個或多個處理室內(nèi)產(chǎn)生等離子體來運作。
基片135能用，例如，自動基片轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，通過狹縫閥(未畫出)和室供給通道(未畫出)來轉(zhuǎn)移進或轉(zhuǎn)移出處理室110，在該轉(zhuǎn)移系統(tǒng)中，基片用位于基片握持器130內(nèi)的基片提升針來接收，并用位于握持器130內(nèi)的裝置來機械移動。一旦從基片轉(zhuǎn)移系統(tǒng)接收到基片135，就能把基片下降至基片握持器130的一個上表面。
基片135能夠用例如一個靜電固定系統(tǒng)來粘在基片握持器130上。另外，基片推持器130還能包括一個冷卻系統(tǒng)，它包括一個循環(huán)冷卻劑流，以從基片握持器130接收熱量并把熱量轉(zhuǎn)送到一個熱交換系統(tǒng)(未畫出)，或在加熱時，把熱量從熱交換器傳送出。另外，氣體能夠，例如，通過一個背側(cè)氣體系統(tǒng)被傳送到基片135的背側(cè)，以改進在基片135和基片握持器130之間的氣-隙熱傳導(dǎo)。當(dāng)在較高或較低溫度下需要基片的溫度控制時，能夠用這樣的系統(tǒng)。在其它的實施方案中，能夠包括諸如電阻加熱元件這樣的加熱元件或熱電加熱器/冷卻器。
在另外的實施方案中，基片握持器130能夠，例如，還包括一個垂直移動裝置(未畫出)，它能夠被圍以耦合至基片握持器130和處理室110并用來密封垂直移動裝置使之與處理室110的低壓氣氛隔離的一個波紋管。另外，一個波紋管護罩(未畫出)能夠，例如，耦合到基片握持器130，并用來保護波紋管?；粘制?30能，例如，還提供一個聚焦環(huán)(未畫出)，一個屏蔽環(huán)(未畫出)和一個擋板(未畫出)。
在圖1所給出的實施方案中，基片握持器130能夠包含一個電極(未畫出)，通過這個電極，射頻功率能被耦合到在處理空間115中的處理氣體。例如，基片握持器130能夠通過從射頻系統(tǒng)150發(fā)送射頻功率而電偏置在一個射頻電壓上。在某些情況下，一個射頻偏置能夠被用來加熱電子以形成和保持等離子體。射頻偏置的典型頻率能在1MHz到100MHz的范圍內(nèi)。例如，用13.56MHz作等離子體處理的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟知的。
如圖1所示，上部組件120能夠被耦合到處理室110并用來實現(xiàn)下述功能中至少一個功能提供一個氣體注入系統(tǒng)，提供一個電容性耦合等離子體(CCP)源，提供一個電感性耦合等離子體(ICP)源，提供一個變壓器耦合等離子體(TCP)源，提供一個微波供功率的等離子體源，提供一個電子回旋共振(ECR)等離子體源，提供一個螺旋波等離子體源，以及提供一個表面波等離子體源。
例如，上部組件120能包含一個電極，一個絕緣環(huán)，一個天線，一個傳輸線，和/或其它射頻部件(未畫出)。另外，上部組件120能包含永久磁鐵，電磁鐵，和/或其它磁系統(tǒng)部件(未畫出)。另外，上部組件120能包含供給管線，注入裝置，和/或其它氣體供應(yīng)系統(tǒng)部件(未畫出)。另外，上部組件120能包含一個室，一個蓋，密封裝置，和/或其它機械部件(未畫出)。
在另一個實施方案中，處理室110能夠，例如，還包含一室襯墊(未畫出)或處理管(未畫出)以保護處理室110免受在處理空間115中的處理等離子體的損傷。另外，處理室110能包含一個監(jiān)視口(未畫出)。一個監(jiān)視口能夠，例如，允許處理空間115的光學(xué)監(jiān)視。
材料處理系統(tǒng)100還包含至少一個有一個積分傳輸裝置的測量設(shè)備。如圖示實施方案所示，至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器190能被用以產(chǎn)生和發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。例如，室110能夠包含至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器190，和/或上部組件120能包含至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器190，和/或基片握持器能包含至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器190。
材料處理系統(tǒng)100還包含至少一個具有一個積分接受裝置的接口設(shè)備。如圖1所示，一個傳感器接口組件(SIA)180能夠用來與至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器190通信。例如，SIA 180能夠接收等離子體數(shù)據(jù)。
在一個實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器190能包含一個傳感器(未畫出)和一個發(fā)射器(未畫出)，而SIA180能包含一個接收器(未畫出)和一個發(fā)射器(未畫出)。射頻響應(yīng)等離子體傳感器190能用發(fā)射器來傳送數(shù)據(jù)，而該SIA180能用接收器來接收傳送來的數(shù)據(jù)。各個射頻響應(yīng)等離子體，傳感器190能用同一或不同頻率來運作，而SIA180能用一個或多個頻率來運作。
材料處理系統(tǒng)100還包含一個控制器170?？刂破?70能夠被耦合到室110，上部組件120，基片握持器130，射頻系統(tǒng)150，泵系統(tǒng)160，和SIA180?？刂破髂軌虮慌渲贸煽梢韵騍IA提供控制數(shù)據(jù)和從SIA接收等離子體數(shù)據(jù)。例如，控制器170能夠包含一個微處理器，一個存儲器(例如易失性和/或非易失性存儲器)，和一個數(shù)字I/O端口，該端口能產(chǎn)生多個控制電壓，這些電壓是以和處理系統(tǒng)100通信激活對處理系統(tǒng)100的輸入，以及監(jiān)視從處理系統(tǒng)100的輸出。另外，控制器170能夠和室110，上部組件120，基片握持器130，射頻系統(tǒng)150，泵系統(tǒng)160，和SIA180交換信息。例如，能夠利用存儲在存儲器中的一個程序按照一個被存儲的處理方案來控制一個材料處理系統(tǒng)100的上述部件。另外，控制器170能夠配置成可以分析等離子體數(shù)據(jù)，來把等離子體數(shù)據(jù)和目標(biāo)等離子體數(shù)據(jù)比較，并用這種比較來改變一個處理過程和/或來控制等離子體處理工具。另外，控制器能夠被配置成可以分析等離子體數(shù)據(jù)，把等離子體數(shù)據(jù)和以往的等離子體數(shù)據(jù)比較，并用這種比較來預(yù)報和/或警告一種故障。
圖2給出按照本發(fā)明的一個實施方案，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器和一個SIA的簡化框圖。在所述的實施方案中，SIA180包含SIA接收器181和SIA發(fā)射器182，而射頻響應(yīng)等離子體傳感器190包含等離子體傳感器191和射頻響應(yīng)發(fā)射器192。
SIA180用通信鏈接195能夠耦合到射頻響應(yīng)電傳感器190。例如，射頻響應(yīng)電傳感器190和SIA180能在0.01MHz到110.0GHz的范圍內(nèi)用一個或多個射頻頻率來運作。通信鏈接195也能夠包含光學(xué)裝置。
SIA接收器181能夠被配置成可以接收從一個或更多個射頻響應(yīng)傳感器來的信號。例如，SIA接收器181能夠配置成可以接收從至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器來的響應(yīng)信號，而該響應(yīng)信號能夠包含數(shù)據(jù)，此數(shù)據(jù)能夠包括等離子體數(shù)據(jù)。
另外，SIA發(fā)射器182能夠配置或可以把信號發(fā)送到一個或多個射頻響應(yīng)等離子體傳感器。例如，SIA發(fā)射器182能夠配置成可以把一個輸入信號發(fā)送到至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器，而該輸入信號能夠包含數(shù)據(jù)，此數(shù)據(jù)能夠包括控制數(shù)據(jù)。
等離子體傳感器191能夠被配置成可以測量一個或多個與等離子體有關(guān)的性質(zhì)。例如，等離子體傳感器191能夠配置成可以產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)，這可以包含等離子體密度，等離子體均勻性，以及等離子體化學(xué)等數(shù)據(jù)中至少一個，并把這些等離子體數(shù)據(jù)提供至射頻響應(yīng)發(fā)射器192。
在各個實施方案中，等離子體傳感器191能包含一個朗繆爾探針，一個掃描朗繆爾探針，紫外探針，紅外探針，一個掃描光學(xué)發(fā)射光譜儀(OES)，以及一個干涉儀中的至少一個。另外，等離子體傳感器能夠是窄帶或?qū)拵аb置，以及等離子體傳感器能夠測量，存儲，和/或處理等離子體數(shù)據(jù)。
等離子體傳感器191也能進一步包含功率源，接收器，發(fā)射器，控制器，存儲器(例如易失性和/或非易失性存儲器)，和外殼中的至少一個。
等離子體傳感器191能夠配置成可以在一個長時間內(nèi)或在一個短時間內(nèi)產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。例如，一個等離子體傳感器能夠包含一個連續(xù)工作的計時器和一個觸發(fā)計時器中至少一個，而一個觸發(fā)計時器能夠用一個過程相關(guān)部件或一個非過程相關(guān)部件來觸發(fā)。一個過程傳感器能夠把射頻能量轉(zhuǎn)換為直流信號，并用此直流信號來操作該傳感器，以這種方式，過程相關(guān)數(shù)據(jù)，諸如射頻小時數(shù)據(jù)能夠被產(chǎn)生出來。
射頻響應(yīng)發(fā)射器192能夠配置成可以把信號發(fā)送到至少一個SIA180。例如射頻響應(yīng)發(fā)射器192能夠配置成可以發(fā)送一個響應(yīng)信號，而該響應(yīng)信號能夠包含數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)能夠包括電學(xué)數(shù)據(jù)。另外，該發(fā)射器能夠用來處理和發(fā)送窄帶和寬帶信號，包括調(diào)幅信號，調(diào)頻信號，和/或調(diào)相信號。另外，該發(fā)射器也能夠處理和發(fā)送編碼信號和/或擴頻信號以在諸如半導(dǎo)體處理設(shè)備這樣一個高干擾環(huán)境內(nèi)提高其性能。
在各種實施方案中，射頻響應(yīng)發(fā)射器192能包括一個功率源，一個信號源，一個調(diào)制器，一個放大器，一個天線，一個存儲器(例如易失性和/或非易失性存儲器)，一個外殼，和一個控制器中的至少一個。在一種情況下，射頻響應(yīng)發(fā)射器192能包括一個天線(未畫出)，當(dāng)位于一個射頻場內(nèi)時，它被用作一個背散射器件。
在另一個實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器190還能包含一個功率源，信號源，接收器，天線，存儲器(例如易失性和/或非易失性存儲器)，計時器，外殼，和控制器中的至少一個。另外，射頻響應(yīng)等離子體傳感器190也能進一步包含諸如在同一日期提交的，委托書編號為231748US6YA，題目為“監(jiān)視一材料處理系統(tǒng)的方法和裝置”共同未決申請10/＿＿；在同一日期提交的，委托書編號為231749US6YA，題目為“監(jiān)視一材料處理系統(tǒng)的方法和裝置”共同未決申請10/＿＿；在同一日期提交的，委托書編號為231750US6YA，題目為“監(jiān)視一材料處理系統(tǒng)的方法和裝置”共同未決申請10/＿＿；以及在同一日期提交的，委托書編號為231227US6YA，題目為“在一材料處理系統(tǒng)中的監(jiān)視部分的方法和裝置”共同未決申請10/＿＿中所敘述的傳感器，所有這些共同未決申請在此插入以供參考。
圖3a-3c給出按照本發(fā)明的幾個實施方案，射頻響應(yīng)等離子體傳感器的簡化框圖。在所畫出的各實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器190包含等離子體傳感器191，射頻響應(yīng)發(fā)射器192和功率源194。
如圖3a中所示，功率源194能和射頻響應(yīng)發(fā)射器192耦合。功率源194也能夠安插在射頻響應(yīng)發(fā)射器192內(nèi)部。如圖3b中所示，功率源194能夠和等離子體傳感器191耦合，功率源194也能夠安插在等離子體傳感器191內(nèi)部。如圖3c所示，功率源194也能夠和等離子體傳感器191和射頻響應(yīng)發(fā)射器192耦合。功率源194也能夠安插在等離子體傳感器191內(nèi)部和安插在射頻響應(yīng)發(fā)射器192內(nèi)部。
功率源194能包含一個射頻-直流轉(zhuǎn)換器，一個直流-直流轉(zhuǎn)換器和一個電池中的一個。例如，射頻-直流轉(zhuǎn)換器能包含一個天線，二極管，和濾波器中至少一個。在一種情況下，射頻-直流轉(zhuǎn)換器能把至少一個等離子體相關(guān)頻率轉(zhuǎn)換為直流信號。在另一種情況下，一個射頻-直流轉(zhuǎn)換器能把至少一個非等離子體相關(guān)頻率轉(zhuǎn)換為一個直流信號。例如，一個輸入和/或外部信號能夠被提供給轉(zhuǎn)換器。
圖4a-4c給出按照本發(fā)明其它的實施方案，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器的簡化框圖。在所畫出的各實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器190包含等離子體傳感器191，射頻響應(yīng)發(fā)射器192和接收器196。
如圖4a中所示，接收器196能被耦合至射頻響應(yīng)發(fā)射器192。接收器196也可以安插在射頻響應(yīng)發(fā)射器192內(nèi)部。如圖4b中所示，接收器196能夠被耦合至等離子體傳感器191。接收器196也能被安插在等離子體傳感器191內(nèi)部。如圖4c中所示，接收器也能被耦合至等離子體傳感器191和射頻響應(yīng)發(fā)射器192。接收器196也能被安插在等離子體傳感器191內(nèi)部和安插在射頻響應(yīng)發(fā)射器192的內(nèi)部。
接收器196能夠包含一個功率源，信號源，天線，降頻變頻器，解調(diào)器，解碼器，控制器，存儲器(例如易失性和/或非易失性存儲器)，和轉(zhuǎn)換器中的至少一個。例如，該接收器能夠被用來接收和處理包括調(diào)幅信號調(diào)頻信號和/或調(diào)相信號在內(nèi)的窄帶和寬帶信號。另外，該接收器也能接收和處理編碼信號和/或擴頻信號以在一個諸如半導(dǎo)體處理設(shè)備這樣的高干擾環(huán)境內(nèi)提高其性能。該接收器可以從SIA接收要存儲在存儲器內(nèi)的表明狀態(tài)或部件狀況的信號(例如，諸如arcs這樣的出錯)。
圖5a-5c給出按照本發(fā)明另外一些實施方案，射頻響應(yīng)等離子體傳感器的簡化框圖。在所畫出的各實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器190包含等離子體傳感器191，射頻響應(yīng)發(fā)射器192和控制器198。
如圖5a所示，控制器198能被耦合至射頻響應(yīng)發(fā)射器192?？刂破?98也能被安插在射頻響應(yīng)發(fā)射器192內(nèi)部。如圖5b所示，控制器198能被耦合至等離子體傳感器191?？刂破?98也能被安插在等離子體傳感器191內(nèi)部。如圖5c所示，控制器被耦合至等離子體傳感器191和射頻響應(yīng)發(fā)射器192?？刂破?98也能被安插在等離子體傳感器191內(nèi)和射頻響應(yīng)發(fā)射器192內(nèi)。
控制器198能包含一個微處理器，微控制器，計時器，數(shù)字信號處理器(DSP)，存儲器(例如易失性和/或非易失性存儲器)，A/D轉(zhuǎn)換器，和D/A轉(zhuǎn)換器中的至少一個。例如，控制器可以用來處理從調(diào)幅信號，調(diào)頻信號，和/或調(diào)相信號接收到的數(shù)據(jù)以及用來處理要在調(diào)幅信號，調(diào)頻信號或調(diào)相信號上要發(fā)送的數(shù)據(jù)。另外，控制器198能夠被用來處理編碼和/或擴頻信號?？刂破?98也能被用于存儲信息，諸如測量數(shù)據(jù)，指令代碼，傳感器信息，和/或部件信息，這可以包括傳感器標(biāo)志和部件標(biāo)志數(shù)據(jù)。例如，輸入信號數(shù)據(jù)能被提供給控制器198。
圖6a-6c給出按照本發(fā)明的各實施方案，一個SIA的簡化框圖。在所畫出的各實施方案中，SIA180包含SIA接收器181，SIA發(fā)射器182，和功率源184。
SIA發(fā)射器182能被配置成可以把一個輸入信號發(fā)送給至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器，而該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠用該輸入信號來控制其操作。例如，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能用該輸入信號信息來確定什么時候產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)和/或什么時候發(fā)送一個響應(yīng)信號。
SIA發(fā)射器182能包括一個功率源，信號源，天線，升頻變頻器，放大器，調(diào)制器，編碼器，計時器，控制器，存儲器(例如，易失性和/或非易失性存儲器)，一個D/A轉(zhuǎn)換器，和一個A/D轉(zhuǎn)換器中的至少一個。例如，該發(fā)射器能被用來處理和發(fā)送包括調(diào)幅信號，調(diào)頻信號和/或調(diào)相信號的窄帶和寬帶信號。另外，SIA發(fā)射器182能夠配置成可以處理和發(fā)送編碼信號和/或擴頻信號，以在諸如一個半導(dǎo)體處理設(shè)備這樣一個高干擾環(huán)境內(nèi)提高性能。
SIA接收器181能夠被配置成可以從至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收一個響應(yīng)信號，而該響應(yīng)信號能包含等離子體數(shù)據(jù)。
SIA接收器181能包含一個功率源，一個信號源，天線，降頻變頻器，解調(diào)器，解碼器，計時器，控制器，存儲器(例如，易失性和/或非易失性存儲器)，一個D/A轉(zhuǎn)換器，和一個A/D轉(zhuǎn)換器中至少一個。例如，該SIA接收器能被用來接收和處理包括調(diào)幅信號，調(diào)頻信號和/或調(diào)相信號的窄帶和寬帶信號。另外，SIA接收器181也能夠配置成可以接收和處理編碼信號，以在一個諸如半導(dǎo)體處理設(shè)備這樣一個高干擾環(huán)境內(nèi)提高性能。
如圖6a所示，功率源184能被耦合至SIA發(fā)射器182。功率源184也可被安插在SIA發(fā)射器182內(nèi)。如圖6b所示，功率源184能被耦合至SIA接收器181。功率源184也能被安插在SIA接收器181內(nèi)部。如圖6c中所示，功率源184能被耦合至SIA接收器181和SIA發(fā)射器182。功率源184也能被安插在SIA接收器181和SIA發(fā)射器182內(nèi)部。
功率源184能包含一個射頻一直流變換器，直流一直流變換器，一個電池，濾波器，計時器，存儲器(例如，易失性和/或非易失性存儲器)，和一個控制器中的至少一個。另外，該功率源也能在室的外部，并用一條或多條電纜耦合至SIA。
圖7a-7c給出按照本發(fā)明的其它一些實施方案，一個傳感器接口組件的簡化框圖。在所畫出的實施方案中，SIA180包含SIA接收器181，SIA發(fā)射器182，和控制器186。
如圖7a所示，控制器186能被耦合至SIA接收器181?？刂破?86也能被安插在SIA接收器181的內(nèi)部。如圖7b所示，控制器186能被耦合至SIA發(fā)射器182?？刂破?86也能被安插在SIA發(fā)射器182的內(nèi)部。如圖7c所示，控制器186能被耦合至SIA接收器181和SIA發(fā)射器182?？刂破?86也能被安裝插在SIA接收器181和SIA發(fā)射器182的內(nèi)部。
控制器186能包含一個微處理器，微控制器，數(shù)字信號處理器(DSP)，存儲器(例如，易失性和非易失性存儲器)，A/D轉(zhuǎn)換器，和D/A轉(zhuǎn)換器中的至少一個。例如，控制器能被用來處理從響應(yīng)信號接收到的數(shù)據(jù)以及用來處理要在輸入信號上被發(fā)送的數(shù)據(jù)。另外，控制器186能被用來存儲信息，諸如測量到的數(shù)據(jù)，指令代碼，傳感器信息，和/或部件信息，這能包括傳感器標(biāo)志和部件標(biāo)志數(shù)據(jù)。
圖8a-8c給出按照本發(fā)明的另外一些實施方案，一個傳感器接口組件的簡化框圖。在所畫出的實施方案中，SIA180包含SIA接收器181，SIA發(fā)射器182，和接口188。
如圖8a中所示，接口188能夠被耦合至SIA接收器181。接口188也能被安插在SIA接收器181的內(nèi)部。如圖8b中所示，接口188能夠被耦合至SIA發(fā)射器182。接口188也能被安插在SIA發(fā)射器182的內(nèi)部。如圖8c中所示，接口188能夠被耦合至SIA接收器181和SIA發(fā)射器182。接口188也能被安插在SIA接收器181和SIA發(fā)射器182的內(nèi)部。
接口188能夠包含一個功率源，一個信號源，一個接收器，一個發(fā)射器，一個控制器，一個處理器，存儲器(例如，易失性和/或非易失性存儲器)，和一個轉(zhuǎn)換器中的至少一個。例如，該接口能夠用來處理從一個系統(tǒng)及部件，諸如控制器170(圖1)接收到的或送至一個系統(tǒng)及部件的數(shù)據(jù)。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員能認(rèn)識到，接收器和發(fā)射器能結(jié)合成一個收發(fā)器。
圖9給出按照本發(fā)明的一個實施方案，監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的一種方法。程序900從910開始。
在920中，提供至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器。在一個材料處理系統(tǒng)中，能夠在許多不同位置提供射頻響應(yīng)等離子體傳感器。例如，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠位于室壁，上部組件，和基片握持器內(nèi)。射頻響應(yīng)等離子體傳感器也能夠安置在室襯墊(處理管)內(nèi)，如果在材料處理系統(tǒng)內(nèi)用了襯墊的話。另外，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠耦合至一個轉(zhuǎn)移系統(tǒng)部件，一個射頻系統(tǒng)部件，一個氣體供給系統(tǒng)部件，和/或一個排氣系統(tǒng)部件，如果在該材料處理系統(tǒng)內(nèi)用了一個或多個這些部件的話。
一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含耦合至一個等離子體傳感器的一個射頻響應(yīng)發(fā)射器。該等離子體傳感器能包含一個朗繆爾探針，一個掃描朗繆爾探針，一個掃描光學(xué)發(fā)射光譜儀(OES)，紅外探針，紫外探針和一個干涉儀中的至少一個。
一個等離子體傳感器能被配置成可以產(chǎn)生諸如等離子體數(shù)據(jù)這樣的數(shù)據(jù)，并把數(shù)據(jù)提供給一個射頻響應(yīng)發(fā)射器。一個等離子體傳感器也能包含一個處理器，存儲器(例如，易失性和/或非易失性存儲器)，計時器，和功率源中的至少一個，以及周內(nèi)部控制程序來產(chǎn)生，存儲，和/或分析諸如等離子體數(shù)據(jù)這樣數(shù)據(jù)并接著把這些數(shù)據(jù)供給至射頻響應(yīng)發(fā)射器的傳感器，一個等離子體傳感器能用一個過程相關(guān)和/或非過程相關(guān)的信號來確定什么時候來運作。等離子體傳感器也能進一步包含接收器，發(fā)射器，和外殼中的至少一個。
在各個實施方案中，一個射頻響應(yīng)發(fā)射器包含一個發(fā)射器和一個天線。例如，該發(fā)射器能被配置成可以用數(shù)據(jù)，諸如等離子體數(shù)據(jù)來調(diào)制和/或編碼一個輸入信號，而該天線被配置成可以發(fā)送該輸入信號。
在其它情況下，一個射頻響應(yīng)發(fā)射器能包含一個調(diào)制器和一個天線，而該調(diào)制器能被配置成可以用等離子體數(shù)據(jù)來調(diào)制一個輸入信號，而該天線能被配置成可以發(fā)送該調(diào)制信號。一個射頻發(fā)射器也能包含一個天線和一個背散射調(diào)制器(backscatter modulator)。
在930中，提供一個傳感器接口組件(SIA)。一個SIA可以提供在一材料處理系統(tǒng)的多個不同位置上。例如，一個SIA可以位于室壁內(nèi)，上部組件內(nèi)，和基片握持器內(nèi)。在其它實施方案中，SIA可以安置在室的外面，如果能夠建立它和射頻響應(yīng)等離子體傳感器的通信連系的話。SIA也能夠被耦合至一個監(jiān)視口或其它輸入口。
一個SIA能夠包含一個接收器，用以接收從至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器來的響應(yīng)信號，而該響應(yīng)信號能夠包含數(shù)據(jù)，諸如等離子體數(shù)據(jù)。例如，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能被配置成可以用過程有關(guān)和/或非過程有關(guān)的內(nèi)部控制程序來產(chǎn)生和發(fā)送一個響應(yīng)信號。
另外，該SIA能包括一個發(fā)射器，用以把一個輸入信號發(fā)送至至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器，而該輸入信號能包括對至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器的操作數(shù)據(jù)。例如，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能被配置成當(dāng)它從一個SIA接收一個輸入信號時，可以產(chǎn)生并發(fā)送一個響應(yīng)信號。
在其它情況下，該SIA能包含一個功率源，它能被耦合至SIA發(fā)射器和SIA接收器。在其它的實施方案中，該SIA包含一個能耦合至SIA發(fā)射器和SIA接收器的控制器。
在940中，用至少一個有等離子體傳感器和射頻響應(yīng)發(fā)射器的射頻響應(yīng)等離子體傳感器來產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。一個等離子體傳感器能在一個過程前，過程中，或過程后產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。例如，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能對室部件，上部組件部件，以及基片握持器部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。另外，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能對室襯墊(處理管)(如果材料處理系統(tǒng)用了室襯墊的話)產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。另外，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠為一個轉(zhuǎn)移系統(tǒng)部件，一個射頻系統(tǒng)部件，一個氣體供給系統(tǒng)部件，和/或一個排氣系統(tǒng)部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。
例如，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠產(chǎn)生等離子體密度，等離子體均勻性，等離子體時間，和等離子體化學(xué)數(shù)據(jù)中的至少一個。
射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠被提供在材料處理系統(tǒng)許多個不同位置內(nèi)，以及能夠被配置成可以在材料處理系統(tǒng)進行一個等離子體過程前，進行一個等離子體過程中，和/或過程后產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。例如，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠被耦合至一個室部件，一上部組件，和一個基片握持器中的至少一個，并能夠在系統(tǒng)中的不同位置上產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。另外，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠為一個室襯墊(處理管)產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)，如果該材料處理系統(tǒng)用了室襯墊的話。另外，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能為一個氣體供給系統(tǒng)和/或一個排氣系統(tǒng)產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。
在一個或多個實施方案中，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個功率源，而該功率源能被配置成可以用等離子體相關(guān)的頻率來使射頻響應(yīng)等離子體傳感器產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。例如，該功率源能夠把提供給等離子體室的某些射頻能量轉(zhuǎn)換成直流信號，并用該直流信號來操作在射頻響應(yīng)等離子體傳感器中的等離子體傳感器。射頻響應(yīng)等離子體傳感器也可以包含一個耦合至等離子體傳感器的電池，而該直流信號能被用來使等離子體傳感器開始產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。
在其它的實施方案中，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個功率源，而該功率源能夠被配置成可以用一個非等離子體相關(guān)的頻率來使射頻響應(yīng)等離子體傳感器產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。例如，該功率源可以把由輸入信號提供的某些射頻能量轉(zhuǎn)化成直流信號，并用該直流信號來操作在射頻響應(yīng)等離子體傳感器中的等離子體傳感器。射頻響應(yīng)等離子體傳感器也能包含一個耦合至等離子體傳感器的電池，而該直流信號能夠被用來使等離子體傳感器開始產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。
在另外一些實施方案中，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠用等離子體相關(guān)的和非等離子體相關(guān)的各個頻率來產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)。在其它的實施方案中，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個存儲器，以用來存儲等離子體數(shù)據(jù)。
在950中，至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器用它的射頻響應(yīng)發(fā)射器去發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。例如，一個射頻響應(yīng)發(fā)射器能夠發(fā)送一個包括等離子體數(shù)據(jù)的響應(yīng)信號。在另一個實施方案中，一個射頻響應(yīng)發(fā)射器可以耦合到不止一個等離子體傳感器。
射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠被提供在材料處理系統(tǒng)的許多個不同位置上，并被配置成可以在材料處理系統(tǒng)進行一個等離子體過程以前，期間，和/或以后發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。例如，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠被耦合到一個室壁，一個上部組件或一個基片握持以中的至少一個并能從系統(tǒng)的不同位置發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。另外，一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器能從一個室襯墊(處理管)發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，如果在材料處理系統(tǒng)內(nèi)用襯墊的話。另外，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠從一個轉(zhuǎn)移系統(tǒng)部件，一個射頻系統(tǒng)部件，一個氣體供給系統(tǒng)部件，和/或一個排氣系統(tǒng)部件發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
在某些實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個功率源，而該功率源能夠被配置成可以用一個等離子體相關(guān)頻率來使射頻響應(yīng)等離子傳感器發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。例如，該功率源能夠把提供給等離子體室的某些射頻能量轉(zhuǎn)換為直流信號并用該直流信號來操作在射頻響應(yīng)等離子體傳感器中的發(fā)射器。射頻響應(yīng)等離子體傳感器也能包含一個耦合至發(fā)射器的電池，以及能夠用該直流信號來使射頻響應(yīng)發(fā)射器開始發(fā)射數(shù)據(jù)。
在其它的一些實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能夠包含一個功率源，以及該功率源能被配置成可以用一個非等離子體相關(guān)的頻率來使射頻響應(yīng)等離子體傳感器發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。例如，該功率源能夠把由一個輸入信號所提供的某些射頻能量轉(zhuǎn)換成一個直流信號并用該直流信號來操作在射頻響應(yīng)等離子體傳感器中的發(fā)射器。射頻響應(yīng)等離子體傳感器也可以包含一個耦合至發(fā)射器的電池并用該輸入信號以使射頻響應(yīng)發(fā)射器開始發(fā)送數(shù)據(jù)。
當(dāng)發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)時，在射頻響應(yīng)等離子體傳感器中的射頻響應(yīng)發(fā)射器能用一個等離子體相關(guān)頻率或一個非等離子體相關(guān)頻率來發(fā)送一個響應(yīng)信號。
在另外一些實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個接收器，它能被用來接收一個輸入信號。例如，一個接收器能夠被配置成可以接收一個輸入信號并能用此輸入信號來產(chǎn)生操作數(shù)據(jù)的控制該射頻響應(yīng)等離子體傳感器。同樣，該輸入信號能用等離子體相關(guān)和/或非等離子體相關(guān)頻率。
在其它的一些實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個存儲器，它能用來存儲等離子體數(shù)據(jù)。等離子體數(shù)據(jù)能在過程的一段時間內(nèi)被存儲而在過程的另一段不同的時間內(nèi)被發(fā)送。例如，等離子體數(shù)據(jù)能在一等離子體事件中被存儲而在該等離子件事件已經(jīng)結(jié)束后被發(fā)送。
在另外一些實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個能用來控制射頻響應(yīng)等離子體傳感器操作的控制器。該控制器能包含操作數(shù)據(jù)和/或從SIA接收操作數(shù)據(jù)。例如，該控制器能夠用來確定何時產(chǎn)生和發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
在某些實施方案中，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能包含一個計時器。計時器能包含一個連續(xù)運行計時器和一個觸發(fā)計時器中的至少一個，而觸發(fā)計時器能用一個過程相關(guān)或一個非過程相關(guān)的頻率來觸發(fā)。例如，一個計時器能夠把射頻能量轉(zhuǎn)換為一個直流信號以及用該直流信號來操作該計時器。以這種方式，射頻小時數(shù)據(jù)就能被產(chǎn)生出來。另外，計時器也能被為射頻響應(yīng)等離子體傳感器所接收的輸入信號所觸發(fā)。
在960中，能夠用一個SIA從一個或多個射頻響應(yīng)等離子體傳感器來接收一個包含等離子體數(shù)據(jù)的響應(yīng)信號。例如，在SIA中的接收器能夠被配置成可以在整個過程中或在過程的部分時間內(nèi)接收一個或多個響應(yīng)信號。在某些情況下，當(dāng)一個射頻信號被提供給等離子體室時，射頻響應(yīng)等離子體傳感器能發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
另外，SIA能夠被用來發(fā)送一個輸入信號至一個或多個射頻響應(yīng)等離子體傳感器。例如，在SIA中的發(fā)射器能夠被配置成可以在整個過程中或過程的一部分時間內(nèi)發(fā)送一個或多個輸入信號。在某些情況下，射頻響應(yīng)等離子體傳感器當(dāng)它從SIA接收一個輸入信號時能夠發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)至SIA。一個輸入信號，例如，能包含對于射頻響應(yīng)等離子體傳感器的操作數(shù)據(jù)。
該SIA能夠用內(nèi)部的和/或外部的控制數(shù)據(jù)來確定什么時候來接收和什么時候來發(fā)送信號。例如，SIA能夠被配置成可以在材料處理系統(tǒng)進行一個等離子體過程之前，之間和/或之后來運作。
SIA能夠提供在材料處理系統(tǒng)內(nèi)一個或多個位置上。例如，SIA能夠被耦合至一個室壁，一個上部組件，和一個基片握持器中的至少一個并能從系統(tǒng)內(nèi)不同位置接收等離子體數(shù)據(jù)。另外，SIA能夠從耦合至室襯墊(處理管)的射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收等離子體數(shù)據(jù)，如果在材料處理系統(tǒng)內(nèi)用了室襯墊的話。另外，SIA能夠從耦合至一個轉(zhuǎn)移系統(tǒng)部件，一個時頻系統(tǒng)部件，一個氣體供給系統(tǒng)部件，和/或一個排氣系統(tǒng)部件的一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收等離子體數(shù)據(jù)。
在某些實施方案中，SIA能包含一個功率源，而該功率源能夠被配置成可以用一等離子體相關(guān)頻率來使SIA運作。例如，該功率源能包含一個能把提供給等離子體室的某些射頻能量轉(zhuǎn)換為直流信號的射頻-直流轉(zhuǎn)換器，而該直流信號能被用來操作在SIA中的發(fā)射器和/或接收器。
在另外一些實施方案中，SIA能包含一個功率源，而該功率源能被配置成可以用非等離子體相關(guān)的頻率來使SIA運作。例如，該功率源能包含一個能把由外部信號提供的某些射頻能量轉(zhuǎn)換成直流信號的射頻-直流轉(zhuǎn)換器，以及該直流信號能被用于保持在SIA中的發(fā)射器和/或接收器。
另外，該功率源也能在室的外部并用一個或多根電纜耦合至SIA。功率源也能包含一個電池。
在970中，該SIA能把等離子體數(shù)據(jù)送至系統(tǒng)控制器。另外，該SIA能予處理等離子體數(shù)據(jù)。例如，該SIA能夠壓縮和/或加密數(shù)據(jù)。程序900終止于980。
SIA和/或系統(tǒng)控制器能被配置成可以分析諸如等離子體數(shù)據(jù)這樣的數(shù)據(jù)，并用這樣分析結(jié)果去控制一個過程和/或控制一個處理工具。該SIA和/或系統(tǒng)控制器能被配置成可以把等離子體數(shù)據(jù)和目標(biāo)等離子體數(shù)據(jù)比較，以及用這種比較來控制一個過程和/或一個處理工具。另外，該SIA和/或系統(tǒng)控制器能夠被配置成可以把等離子體數(shù)據(jù)和歷史上的等離子體數(shù)據(jù)比較，并用這種比較來預(yù)言，防止，和/或宣布一種故障。另外，該SIA和/或系統(tǒng)控制器能夠被配置成可以分析諸如等離子體數(shù)據(jù)這樣的數(shù)據(jù)，并用這種分析結(jié)果來確定何時來進行某一部件的維護。
雖然上面只對本發(fā)明的某些示例性的實施方案進行了詳細敘述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易了解，可能對示例性實施方案作許多修改而沒有顯著地偏離本發(fā)明的創(chuàng)新的內(nèi)容和優(yōu)點。因而，所有這些修改都被要求包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種材料處理系統(tǒng)，包括等離子體處理工具，其中等離子體處理工具包括一個處理室；多個耦合至等離子體處理工具的射頻響應(yīng)等離子體傳感器，射頻響應(yīng)等離子體傳感器被配置成可以為等離子體處理工具產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)并發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)；以及傳感器接口組件(SIA)，配置成可以從至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收等離子體數(shù)據(jù)。
2.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中等離子體數(shù)據(jù)包括等離子體密度，等離子體均勻性，等離子體持續(xù)時間，等離子體功率，和等離子體化學(xué)中的至少一個。
3.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括過程化學(xué)傳感器，以產(chǎn)生過程化學(xué)數(shù)據(jù)；以及耦合到過程化學(xué)傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器以發(fā)送過程化學(xué)數(shù)據(jù)。
4.權(quán)利要求3所要求的材料處理系統(tǒng)，其中過程化學(xué)數(shù)據(jù)包括流率，氣體品種，流通時間，排氣率，和壓力數(shù)據(jù)中的至少一個。
5.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器以產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器，以發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
6.權(quán)利要求5所要求的材料處理系統(tǒng)，其中等離子體傳感器包括朗繆爾探針，掃描朗繆爾探針，紫外探針，紅外探針，微波探針、掃描光發(fā)射光譜儀(OES)，和干涉儀中的至少一個。
7.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合到處理室部件。
8.權(quán)利要求7所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器，配置成可以為室部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器，以為室部件發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
9.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括一個上部組件，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合到上部組件的至少一個部件。
10.權(quán)利要求9所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器，用以為上部組件的該至少一個部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器，以對于上部組件的該至少一個部件發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
11.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括基片握持器，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合至該基片握持器。
12.權(quán)利要求11所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該基片握持器包括卡盤，靜電卡盤(ESC)，護罩，聚焦環(huán)，擋板，和電極中的至少一種。
13.權(quán)利要求11所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器，用以為基片握持器產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器，以為基片握持的發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
14.權(quán)利要求11所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器，用以為在基片握持器上的晶片產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器，以為該晶片發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
15.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括一個環(huán)，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合至該環(huán)。
16.權(quán)利要求15所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該環(huán)包括聚焦環(huán)，屏蔽環(huán)，電極環(huán)，和絕緣體環(huán)中的至少一種。
17.權(quán)利要求15所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器，用以為該環(huán)產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器，以為該環(huán)發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
18.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括一平板，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合至該平板。
19.權(quán)利要求18所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該平板包括排氣平板，擋氣平板，電極平板，和絕緣體平板中的至少一種。
20.權(quán)利要求18所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器，用以為平板產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器以為平板發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
21.權(quán)利要求5所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器還包括耦合至該等離子體傳感器和該射頻響應(yīng)發(fā)射器中至少一個的計時器。
22.權(quán)利要求5所要求的材料處理系統(tǒng)，其中射頻響應(yīng)發(fā)射器包括天線，用以發(fā)送響應(yīng)信號，以及耦合至天線的發(fā)射器，其中該發(fā)射器被配置成可以用等離子體數(shù)據(jù)來調(diào)制和/或編碼響應(yīng)信號。
23.權(quán)利要求5所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器還包括功率源，該功率源耦合至等離子體傳感器和射頻響應(yīng)發(fā)射器中的至少一個。
24.權(quán)利要求23所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該功率源包括用來把從等離子體相關(guān)信號所發(fā)射的能量轉(zhuǎn)換為直流信號的射頻-直流轉(zhuǎn)換器，用來把非等離子體相關(guān)信號轉(zhuǎn)換為直流信號的射頻-直流轉(zhuǎn)換器，直流-直流轉(zhuǎn)換器，和電池中的至少一個。
25.權(quán)利要求24所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該功率源把直流信號提供給等離子體傳感器。
26.權(quán)利要求24所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該功率源把直流信號提供給射頻響應(yīng)發(fā)射器。
27.權(quán)利要求5所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器還包括控制器，該控制器耦合至等離子體傳感器和射頻響應(yīng)發(fā)射器中的至少一個。
28.權(quán)利要求27所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該控制器包括微處理器，微控制器，計時器，數(shù)字信號處理器(DSP)，存儲器，接收器，A/D轉(zhuǎn)換器，D/A轉(zhuǎn)換器中的至少一個。
29.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器以產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器以發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)；以及接收器，它耦合至等離子體傳感器和射頻響應(yīng)發(fā)射器中的至少一個。
30.權(quán)利要求29所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該射頻響應(yīng)發(fā)射器包括天線和背散射調(diào)制器。
31.權(quán)利要求29所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該射頻響應(yīng)發(fā)射的包括天線，用以發(fā)送響應(yīng)信號，以及耦合至天線的發(fā)射器，其中發(fā)射器被配置成可以用等離子體數(shù)據(jù)來調(diào)制和/或編碼該響應(yīng)信號。
32.權(quán)利要求31所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該射頻響應(yīng)發(fā)射器還包括射頻-直流轉(zhuǎn)換器，直流-直流轉(zhuǎn)換器，和電池中的至少一個。
33.權(quán)利要求29所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器還包括至少功率源，功率源用射頻-直流轉(zhuǎn)換器，直流-直流轉(zhuǎn)換器，和電池中的至少一個來產(chǎn)生直流信號。
34.權(quán)利要求29所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該接收器包括天線和處理器，該天線被用來接收輸入信號，該處理器被配置成可以用該輸入信號來產(chǎn)生操作數(shù)據(jù)，并用此操作數(shù)據(jù)來控制該射頻響應(yīng)發(fā)射器，該接收器，和該等離子體傳感器中的至少一個。
35.權(quán)利要求34所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該接收器還包括用以把從過程相關(guān)信號發(fā)射的能量轉(zhuǎn)換為直流信號的射頻-直流轉(zhuǎn)換器，用以把非過程相關(guān)信號轉(zhuǎn)換為直流信號的射頻-直流轉(zhuǎn)換器，直流-直流轉(zhuǎn)換器，和電池中的至少一個。
36.權(quán)利要求29所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器還包括控制器，該控制器耦合到接收器，等離子體傳感器，和射頻響應(yīng)發(fā)射器中的至少一個。
37.權(quán)利要求36所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該控制器包括微處理器，微控制器，數(shù)字信號處理器(DSP)，存儲器，A/D轉(zhuǎn)換器，和D/A轉(zhuǎn)換器中的至少一個。
38.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器以產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)收發(fā)器，以發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
39.權(quán)利要求38所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該射頻響應(yīng)收發(fā)器包括天線，用以發(fā)送響應(yīng)信號，耦合至天線的發(fā)射器，其中該發(fā)射器被配置成可用等離子體數(shù)據(jù)來調(diào)制和/或編碼該響應(yīng)信號，第二天線，接收器，和處理器，該第二天線被用來接收輸入信號，該接收器被配置成可以用輸入信號來產(chǎn)生操作數(shù)據(jù)，該處理器被配置成可以用操作數(shù)據(jù)來控制該射頻響應(yīng)收發(fā)器。
40.權(quán)利要求38所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器還包括控制器，該控制器耦合至等離子體傳感器和射頻響應(yīng)收發(fā)器中的至少一個。
41.權(quán)利要求40所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該控制器包括微處理器，微控制器，數(shù)字信號處理器(DSP)，計時器，存儲器，A/D轉(zhuǎn)換器，和D/A轉(zhuǎn)換器中的至少一個。
42.權(quán)利要求38所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器還包括至少功率源，它耦合至等離子體傳感器和射頻響應(yīng)收發(fā)器中的至少一個，功率源包括射頻-直流轉(zhuǎn)換器，直流-直流轉(zhuǎn)換器，和電池中的至少一個。
43.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中SIA包括接收器，用以接收響應(yīng)信號，該響應(yīng)信號包括從至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器來的等離子體數(shù)據(jù)；以及發(fā)射器，用以向該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器發(fā)送輸入信號，其中該輸入信號引起該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器向接收器送出響應(yīng)信號。
44.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該材料處理系統(tǒng)還包括耦合至SIA的控制器，該控制器被用來分析等離子體數(shù)據(jù)，其中該控制器把等離子體數(shù)據(jù)與目標(biāo)電性能數(shù)據(jù)加以比較，并用這種比較來改變一個過程。
45.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該材料處理系統(tǒng)還包括耦合至SIA的控制器，該控制器被用來分析等離子體數(shù)據(jù)，其中該控制器把等離子體數(shù)據(jù)與歷史上的等離子體數(shù)據(jù)加以比較，并用這種比較來預(yù)示一種故障。
46.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該材料系統(tǒng)還包括耦合至SIA的控制器，該控制器被用以分析等離子體數(shù)據(jù)，其中該控制器把等離子體數(shù)據(jù)和歷史上的等離子體數(shù)據(jù)加以比較，并用這種比較來宣布一種故障。
47.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該材料處理系統(tǒng)還包括耦合至SIA的控制器，該控制器用來向SIA提供指令數(shù)據(jù)。
48.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該材料處理系統(tǒng)還包括耦合至SIA的控制器，該控制器用以分析等離子體數(shù)據(jù)和控制處理工具。
49.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括射頻系統(tǒng)，其中一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合至至少一個射頻系統(tǒng)部件。
50.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括氣體供給系統(tǒng)，其中一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合至至少一個氣體供給系統(tǒng)部件。
51.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其中一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合至至少一個轉(zhuǎn)移系統(tǒng)部件。
52.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，還包括排氣系統(tǒng)，其中一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合至至少一個排氣系統(tǒng)部件。
53.權(quán)利要求1所要求的材料處理系統(tǒng)，其中材料處理系統(tǒng)還包括耦合至SIA的控制器，該控制器用以分析等離子體數(shù)據(jù)并用此分析結(jié)果來決定何時對處理工具進行維護。
54.一種射頻響應(yīng)等離子體傳感器，包括等離子體傳感器，為在材料處理系統(tǒng)中的一個部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及和該等離子體傳感器耦合的射頻響應(yīng)發(fā)射器，以為該部件發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
55.權(quán)利要求54所要求的射頻響應(yīng)等離子體傳感器，其中該部件是一個腐蝕系統(tǒng)的一部分。
56.權(quán)利要求54所要求的射頻響應(yīng)等離子體傳感器，其中該部件是一個淀積系統(tǒng)的一部分。
57.權(quán)利要求54所要求的射頻響應(yīng)等離子體傳感器，其中該部件是一個清洗系統(tǒng)的一部分。
58.權(quán)利要求54所要求的射頻響應(yīng)等離子體傳感器，其中該部件是一個轉(zhuǎn)移系統(tǒng)的一部分。
59.一種等離子體處理系統(tǒng)，包括處理工具，其中該處理工具包括一個等離子體室；多個直流電合至該處理工具的射頻響應(yīng)等離子體傳感器以產(chǎn)生和發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器被耦合到等離子體室；以及傳感器接口組件(SIA)，用以接收從多個射頻響應(yīng)等離子體傳感器送來的等離子體數(shù)據(jù)。
60.權(quán)利要求59所要求的材料處理系統(tǒng)，其中該處理系統(tǒng)還包括耦合至SIA的控制器，該控制器被用以分析等離子體數(shù)據(jù)以及控制等離子體處理系統(tǒng)。
61.一種監(jiān)視包括一個處理工具的材料處理系統(tǒng)的方法，其中該處理工具包括至少一個處理室，該方法包括提供耦合至處理工具的射頻響應(yīng)等離子體傳感器，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器被用以產(chǎn)生和發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)；以及提供傳感器接口組件(SIA)，其中SIA被用以從射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收等離子體數(shù)據(jù)。
62.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收包括操作數(shù)據(jù)的輸入信號并用該操作數(shù)據(jù)以響應(yīng)信號來發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
63.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該等離子體數(shù)據(jù)包括淀積數(shù)據(jù)和腐蝕數(shù)據(jù)中的至少一個。
64.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括把至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器耦合至一個室部件；為室部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及為室部件發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器。
65.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括把至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器耦合至上部組件的一個部件；對于上部組件的該部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及對上部組件的該部件發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器。
66.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括把至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器耦合至一個基片握持器；為基片握持器產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及為基片握持器發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器。
67.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括把至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器耦合至一個晶片；為該晶片產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及為該晶片發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器。
68.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括把射頻響應(yīng)等離子體傳感器耦合到轉(zhuǎn)移系統(tǒng)部件，射頻系統(tǒng)部件，氣體供給系統(tǒng)部件，和排氣系統(tǒng)部件中的至少一個；為該部件產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及為該部件發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器。
69.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括把至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器耦合至一個環(huán)；為該環(huán)產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及為該環(huán)發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器。
70.權(quán)利要求69所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該環(huán)包括聚焦環(huán)，屏蔽環(huán)，淀積環(huán)，電極環(huán)和絕緣體環(huán)中的至少一種。
71.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括把至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器耦合至一個平板；為該平板產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及為該平板發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至該等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器。
72.權(quán)利要求71所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該平板包括阻擋板，排氣板，電極板，和注入板中的至少一種。
73.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括把至少一個功率源耦合至一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器和耦合至等離子體傳感器的射頻響應(yīng)發(fā)射器；產(chǎn)生直流信號；以及把該直流信號供給至該射頻響應(yīng)發(fā)射器和該等離子體傳感器中的至少一個。
74.權(quán)利要求73所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中該方法還包括用電池，濾波器，射頻-直流轉(zhuǎn)換器，和直流-直流轉(zhuǎn)換器中的至少一個來產(chǎn)生直流信號。
75.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括用SIA發(fā)送輸入信號，該SIA包括發(fā)射器，其中該輸入信號包括操作數(shù)據(jù)；以及接收等離子體數(shù)據(jù)，其中該SIA包括接收器，用以從至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收響應(yīng)信號。
76.權(quán)利要求75所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；以及發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收輸入信號并用操作數(shù)據(jù)來以響應(yīng)信號發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)。
77.權(quán)利要求61所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括用SIA來發(fā)送輸入信號，該SIA包括發(fā)射器，其中輸入信號包括操作數(shù)據(jù)；接收輸入信號，其中射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括接收器，用以接收該輸入信號并從輸入信號來得到操作數(shù)據(jù)；產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)，其中射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括等離子體傳感器，用以產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，其中射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括發(fā)射器，用以用響應(yīng)信號來發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)；以及接收等離子體數(shù)據(jù)，該SIA包括接收器，用以從至少一個射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收該響應(yīng)信號。
78.權(quán)利要求77所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括當(dāng)?shù)入x子體沒有正在被產(chǎn)生時用SIA來發(fā)送輸入信號；當(dāng)?shù)入x子體沒有正在被產(chǎn)生時，接收該輸入信號。
79.權(quán)利要求77所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括當(dāng)一個過程正在被進行時，產(chǎn)生等離子體數(shù)據(jù)；當(dāng)?shù)入x子體沒有正在被產(chǎn)生時，用射頻響應(yīng)等離子體傳感器來發(fā)送響應(yīng)信號；以及當(dāng)?shù)入x子體沒有正在被產(chǎn)生時，接收響應(yīng)信號。
80.權(quán)利要求77所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括存儲等離子體數(shù)據(jù)，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括存儲器用以存儲等離子體數(shù)據(jù)。
81.權(quán)利要求77所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供直流信號，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括功率源，用以產(chǎn)生直流信號并把該直流信號供給至射頻響應(yīng)等離子體傳感器接收器和射頻響應(yīng)等離子體傳感器發(fā)射器中的至少一個。
82.權(quán)利要求81所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供直流信號，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括功率源，用以通過把至少一個等離子體相關(guān)頻率轉(zhuǎn)換為直流信號來產(chǎn)生直流信號。
83.權(quán)利要求81所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供直流信號，其中該射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括功率源，用以通過把至少一個非等離子體相關(guān)頻率轉(zhuǎn)換為直流信號來產(chǎn)生直流信號。
84.權(quán)利要求81所要求的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供直流信號，其中射頻響應(yīng)等離子體傳感器包括功率源，用以通過把輸入信號的一部分轉(zhuǎn)換為直流信號來產(chǎn)生直流信號。
85.權(quán)利要求54所要求的射頻響應(yīng)等離子體傳感器，其中等離子體數(shù)據(jù)包括部件標(biāo)志，等離子體密度，等離子體均勻性，等離子體持續(xù)時間，等離子體功率和等離子體化學(xué)中的至少一個。
全文摘要
本發(fā)明提供一種改進的設(shè)備和方法以監(jiān)視材料處理系統(tǒng)，其中材料處理系統(tǒng)包括等離子體處理工具，多個耦合至等離子體處理工具的射頻響應(yīng)傳感器以產(chǎn)生和發(fā)送等離子體數(shù)據(jù)，和傳感器接口組件(SIA)以從多個射頻響應(yīng)傳感器接收等離子體數(shù)據(jù)。
文檔編號G06K7/00GK1720598SQ200380104648
公開日2006年1月11日 申請日期2003年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月31日
發(fā)明者詹姆斯·E.·克萊考特卡 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社