一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，包括外殼、傳動(dòng)裝置、沿進(jìn)料方向設(shè)置的至少一個(gè)金屬電極組和與所述金屬電極組連接的電源，所述外殼下方開口，所述傳動(dòng)裝置設(shè)置于所述外殼內(nèi)，所述金屬電極組為一對(duì)豎直設(shè)置于所述外殼內(nèi)的平板電極并且所述金屬電極組設(shè)置于所述傳動(dòng)裝置之間，所述外殼壁體上開設(shè)有用于反應(yīng)氣體進(jìn)入外殼內(nèi)的氣體入口。本發(fā)明中反應(yīng)氣體從氣體入口進(jìn)入外殼內(nèi)，金屬電極組通電將反應(yīng)氣體電離，連續(xù)材料通過(guò)傳動(dòng)裝置沿進(jìn)料方向穿過(guò)金屬電極組之間進(jìn)行表面處理，實(shí)現(xiàn)了連續(xù)材料無(wú)間斷的表面處理，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。
【專利說(shuō)明】一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及等離子體處理裝置，尤其涉及一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫等離子體技術(shù)作為一種新的表面改性手段，能快速、高效、無(wú)污染地改善材料的表面性能，賦予新的特征，同時(shí)又不改變材料的本體特點(diǎn)，已經(jīng)越來(lái)越被世界各國(guó)的研究人員所重視，等離子體表面處理是利用氣體放電產(chǎn)生的等離子體對(duì)材料表面進(jìn)行物理和化學(xué)反應(yīng)。參與反應(yīng)的有激發(fā)態(tài)粒子、自由基和離子，也包括等離子體輻射紫外線的作用。通過(guò)表面反應(yīng)有可能在表面引入特定官能團(tuán)，產(chǎn)生表面活化和刻蝕，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)或生成表面自由基。這些作用一般不是單一的，往往某種作用為主，幾種作用并存。正是這些作用決定了等離子體表面處理的有效性。
[0003]目前，絕大部分等離子體表面處理都是在低氣壓環(huán)境下進(jìn)行的。由于低氣壓的真空設(shè)備成本高，并且現(xiàn)有技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)連續(xù)材料的表面處理。
[0004]因此，亟需一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種連續(xù)材料表面常壓等離子體
處理裝置。
[0006]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，包括外殼、傳動(dòng)裝置、沿進(jìn)料方向設(shè)置的至少一個(gè)金屬電極組和與所述金屬電極組連接的電源，所述外殼下方開口，所述外殼內(nèi)設(shè)置有反應(yīng)腔室，所述傳動(dòng)裝置設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)，所述金屬電極組為一對(duì)豎直設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)的平板電極并且所述金屬電極組設(shè)置于所述傳動(dòng)裝置之間，所述金屬電極組的平板電極外側(cè)設(shè)置有絕緣板，所述外殼壁體上開設(shè)有用于反應(yīng)氣體進(jìn)入反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體入口。
[0007]進(jìn)一步的，所述外殼為防水外殼。
[0008]進(jìn)一步的，所述傳動(dòng)裝置包括設(shè)置于所述金屬電極組上端的第一導(dǎo)輥和設(shè)置于所述金屬電極組下端的第二導(dǎo)輥，所述第一導(dǎo)輥與所述第二導(dǎo)輥沿進(jìn)料方向相交叉設(shè)置。
[0009]進(jìn)一步的，還包括與所述外殼連通設(shè)置的霧化裝置。
[0010]進(jìn)一步的，所述霧化裝置為超聲波霧化器。
[0011]本發(fā)明具有積極的效果:本發(fā)明中反應(yīng)氣體從氣體入口進(jìn)入外殼內(nèi)，金屬電極組通電將反應(yīng)氣體電離，連續(xù)材料通過(guò)傳動(dòng)裝置沿進(jìn)料方向穿過(guò)金屬電極組之間進(jìn)行表面處理，實(shí)現(xiàn)了連續(xù)材料無(wú)間斷的表面處理，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中:
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]其中:1、第二導(dǎo)棍,2、平板電極,3、氣體入口，4、第一導(dǎo)棍,5、夕卜殼,6、霧化裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0014]實(shí)施例1
如圖1所示，本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例提供一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，包括外殼5、傳動(dòng)裝置、沿進(jìn)料方向設(shè)置的二個(gè)金屬電極組和與金屬電極組連接的電源(圖中未不出)，外殼5下方開口，傳動(dòng)裝置包括設(shè)置于金屬電極組上端的第一導(dǎo)棍4和設(shè)置于金屬電極組下端的第二導(dǎo)輥1，第一導(dǎo)輥I與第二導(dǎo)輥4沿進(jìn)料方向相交叉設(shè)置，金屬電極組為一對(duì)豎直設(shè)置于外殼內(nèi)的平板電極3并且金屬電極組設(shè)置于第一導(dǎo)輥4和第二導(dǎo)輥I之間，金屬電極組的平板電極2外側(cè)設(shè)置有絕緣板，外殼5壁體上開設(shè)有用于反應(yīng)氣體進(jìn)入外殼內(nèi)的氣體入口 3。
[0015]本實(shí)施例反應(yīng)氣體從氣體入口 3進(jìn)入外殼5內(nèi)，金屬電極通電將反應(yīng)氣體電離,連續(xù)材料相交叉的纏繞在第二導(dǎo)輥I和第一導(dǎo)輥4上并且沿進(jìn)料方向設(shè)置于金屬電極組之間，實(shí)現(xiàn)了連續(xù)材料無(wú)間斷的進(jìn)行表面處理；設(shè)置二個(gè)金屬電極組，可實(shí)現(xiàn)二級(jí)處理，處理效果更好，本實(shí)施例中連續(xù)材料可為薄膜、織物等，具體不作限定。
[0016]實(shí)施例2
如圖2所示，作為第二優(yōu)選實(shí)施例，其余與實(shí)施例1相同，不同之處在于，本實(shí)施例還包括與外殼5連通設(shè)置的霧化裝置6，該霧化裝置6可選用超聲波霧化器，具體不作限定，外殼5為防水外殼。
[0017]本實(shí)施例中外殼5為防水外殼在工作過(guò)程中保證人身安全，增加霧化裝置6向反應(yīng)腔室，與氣體入口 3分別通入不同的反應(yīng)氣體，實(shí)現(xiàn)材料表面多種氣體處理，提高工作效率。
[0018]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，其特征在于，包括外殼、傳動(dòng)裝置、沿進(jìn)料方向設(shè)置的至少一個(gè)金屬電極組和與所述金屬電極組連接的電源，所述外殼下方開口，所述外殼內(nèi)設(shè)置反應(yīng)腔室，所述傳動(dòng)裝置設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)，所述金屬電極組為一對(duì)豎直設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)的平板電極并且所述金屬電極組設(shè)置于所述傳動(dòng)裝置之間，所述金屬電極組的平板電極外側(cè)設(shè)置有絕緣板，所述外殼壁體上開設(shè)有用于反應(yīng)氣體進(jìn)入反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體入口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，其特征在于，所述外殼為防水外殼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，其特征在于，所述傳動(dòng)裝置包括設(shè)置于所述金屬電極組上端的第一導(dǎo)輥和設(shè)置于所述金屬電極組下端的第二導(dǎo)輥，所述第一導(dǎo)輥與所述第二導(dǎo)輥沿進(jìn)料方向相交叉設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，其特征在于，還包括與所述外殼連通設(shè)置的霧化裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的連續(xù)材料表面常壓等離子體處理裝置，其特征在于，所述霧化裝置為超聲波霧化器。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103632917SQ201310608304
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月27日
【發(fā)明者】沈文凱, 王紅衛(wèi) 申請(qǐng)人:蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司