等離子體處理裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種等離子處理裝置。等離子體處理裝置，包括：在內(nèi)部形成空間的腔室；位于所述腔室內(nèi)并支承基板的基板支承單元；向所述腔室內(nèi)供給工藝氣體的氣體供給單元；位于所述腔室的上部并具有提供從所述工藝氣體產(chǎn)生等離子體的電磁波的天線的等離子體源單元；位于所述天線的上部使從所述天線向所述腔室的相反方向提供的電磁波反射到朝向所述腔室的方向的反射板；以及使所述反射板的位置移動(dòng)的反射板驅(qū)動(dòng)部。
【專利說(shuō)明】等離子體處理裝置及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種處理基板的裝置及方法，尤其涉及一種利用等離子體處理基板的裝置及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體元件的制造工藝中，蝕刻、沉積以及清洗工藝等利用等離子體對(duì)基板進(jìn)行處理。利用等離子體的工藝是向腔室內(nèi)部噴射工藝氣體，將工藝氣體產(chǎn)生等離子體提供給基板。
[0003]韓國(guó)授權(quán)專利第10-854995號(hào)中公開了利用等離子體處理基板的裝置。在所述現(xiàn)有技術(shù)中，在設(shè)置于腔室蓋上的感應(yīng)線圈(或天線)中產(chǎn)生電磁場(chǎng)，從而從工藝氣體產(chǎn)生等離子體。
[0004]在感應(yīng)線圈中，形成放射狀電磁場(chǎng)。將在感應(yīng)線圈的下部產(chǎn)生的電磁場(chǎng)提供到腔室并用于產(chǎn)生等離子體，但是在感應(yīng)線圈的上部產(chǎn)生的電磁場(chǎng)不會(huì)提供到腔室內(nèi)部。這種裝置不僅減少感應(yīng)線圈中產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的使用效率，而且降低等離子體的產(chǎn)生效率。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]韓國(guó)授權(quán)專利第10-854995號(hào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]要解決的技術(shù) 問(wèn)題
[0009]本發(fā)明提供一種能夠調(diào)節(jié)在腔室內(nèi)部產(chǎn)生的等離子體密度的等離子體處理裝置及方法。
[0010]并且，本發(fā)明提供一種能夠提高天線產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的使用效率的等離子體處理裝置及方法。
[0011]技術(shù)方案
[0012]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體處理裝置，包括:腔室，在內(nèi)部形成空間；基板支承單元，位于所述腔室內(nèi)并支承基板；氣體供給單元，向所述腔室內(nèi)供給工藝氣體；等離子體源單元，位于所述腔室的上部并具有天線，其中所述天線提供使所述工藝氣體產(chǎn)生等離子體的電磁波；反射板，位于所述天線的上部，使從所述天線向所述腔室的相反方向提供的電磁波反射到朝向所述腔室的方向；以及反射板驅(qū)動(dòng)部，使所述反射板的位置移動(dòng)。
[0013]并且，所述反射板驅(qū)動(dòng)部能夠使所述反射板在上下方向上移動(dòng)。
[0014]并且，所述反射板可以為金屬材質(zhì)。
[0015]并且，所述天線可以為螺旋形狀的線圈，所述反射板具有與所述天線對(duì)向的平坦
。
[0016]并且，所述反射板的與所述天線對(duì)向的底面為凹陷的曲面。
[0017]此外，還可以包括:傳感器，對(duì)所述腔室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體密度進(jìn)行測(cè)量；以及控制部，根據(jù)所述傳感器中測(cè)量到的等離子體密度控制所述天線驅(qū)動(dòng)部，使所述反射板和所述天線的距離變化。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體處理方法，向設(shè)有基板的腔室內(nèi)部供給工藝氣體，并將位于所述腔室上部的天線施加的電磁波提供到所述腔室內(nèi)部，使所述工藝氣體產(chǎn)生等離子體，其中設(shè)置在所述天線上部的反射板將從所述天線向所述腔室的相反方向提供的電磁波反射到所述腔室內(nèi)部。
[0019]并且，所述反射板可以在上下方向上移動(dòng)，使與天線的距離變化。
[0020]并且，所述反射板可以根據(jù)所述基板的工藝處理步驟進(jìn)行移動(dòng)。
[0021]并且，所述反射板可以在對(duì)一張基板的工藝進(jìn)行中反復(fù)移動(dòng)。
[0022]并且，可以測(cè)量所述腔室內(nèi)部的等離子體密度，并根據(jù)所述等離子體密度移動(dòng)所述反射板。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理方法，通過(guò)向腔室內(nèi)部提供工藝氣體來(lái)處理第一基板，處理所述第一基板之后處理第二基板，所述工藝氣體通過(guò)位于所述腔室上部的天線提供的電磁波而被激發(fā)為等離子態(tài)，所述第一基板的工藝處理進(jìn)行期間，設(shè)置在所述天線上部的反射板在第一位置將所述電磁波反射到所述腔室內(nèi)部，在所述第二基板的工藝處理期間，所述反射板在與所述第一位置不同的第二位置將所述電磁波反射到所述腔室內(nèi)部。
[0024]并且，所述第一位置和所述第二位置可以在上下方向上與所述天線之間的距離不同。
[0025]并且，所述反射板可以在上下方向上反復(fù)移動(dòng)。
[0026]本發(fā)明的效果
[0027]根據(jù)本發(fā)明，由于可以調(diào)節(jié)腔室內(nèi)的電磁波的密度，從而調(diào)節(jié)在腔室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體密度。
[0028]并且，根據(jù)本發(fā)明，將從天線產(chǎn)生的與腔室方向相反的電磁波反射到腔室內(nèi)，因此電磁波使用效率得到提高。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖；
[0030]圖2為示出利用圖1的基板處理裝置處理基板的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；
[0031]圖3為示出利用圖1的基板處理裝置處理基板的另一實(shí)施例的剖視圖；
[0032]圖4為示出利用圖1的基板處理裝置處理基板的再一實(shí)施例的剖視圖；
[0033]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明的實(shí)施例可以變形為各種形態(tài)，不應(yīng)解釋為本發(fā)明的范圍由下面的實(shí)施例限定。本實(shí)施例是為了對(duì)本領(lǐng)域中具有普通知識(shí)的人更完整地說(shuō)明本發(fā)明而提供的。因此，為了強(qiáng)調(diào)更明確的說(shuō)明對(duì)圖中元件的形狀進(jìn)行了夸張。
[0035]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。[0036]參照?qǐng)D1，等離子體處理裝置10包括腔室100、基板支承單元200、氣體供給單元300、等離子體源單元400以及反射單元500。腔室100提供執(zhí)行等離子體處理的空間，基板支承單元200在腔室100內(nèi)部支承基板W。氣體供給單元300向腔室100內(nèi)部提供工藝氣體，等離子體源單元400通過(guò)向腔室100內(nèi)部提供電磁波，從而從工藝氣體產(chǎn)生等離子體。反射單元500將在等離子體源單元400中產(chǎn)生的電磁波反射到腔室100內(nèi)部。下面，對(duì)各結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0037]腔室100包括腔室主體110和電介質(zhì)蓋120。腔室主體110的上表面開放，內(nèi)部形成空間。腔室主體Iio的底板壁形成有排氣孔113。排氣孔113與排氣線117連接，提供在腔室主體110內(nèi)部停留的氣體和工藝過(guò)程中產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物向外部排出的通路。排氣孔113可以在腔室主體110的底板壁邊緣區(qū)域形成多個(gè)。
[0038]電介質(zhì)蓋120密封腔室主體110的開放的上表面。電介質(zhì)蓋120具有與腔室主體110的周界對(duì)應(yīng)的半徑。電介質(zhì)蓋120可以為電介質(zhì)材質(zhì)。電介質(zhì)蓋120可以為鋁材質(zhì)。由電介質(zhì)蓋120和腔室主體110包圍的空間作為等離子體處理工藝執(zhí)行的處理空間130。
[0039]基板支承單元200位于處理空間130內(nèi)，用于支承基板W。基板支承單元200可以利用靜電力固定基板W或以機(jī)械夾持方式支承基板W。下面，以基板支承單元200利用靜電力固定基板W的方式為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0040]基板支承單元200包括電介質(zhì)板210、電極220、加熱器230、聚焦環(huán)240、絕緣板250、接地板260、外殼270以及提升銷單元280。
[0041]電介質(zhì)板210為圓盤形狀。電介質(zhì)板210的上表面可以具有與基板W對(duì)應(yīng)或比基板W小的半徑。電介質(zhì)板210的上表面可以形成突出部211?；錡由突出部211支承，并與電介質(zhì)板210的上表面相隔預(yù)定間隔。電介質(zhì)板210的側(cè)面可以具有高度差，使下部區(qū)域比上部區(qū)域具有大的半徑。
[0042]電極220埋設(shè)在電介質(zhì)板210的內(nèi)部。電極為厚度薄的導(dǎo)電性材質(zhì)的圓盤，并通過(guò)電纜221與外部電源(未圖示)連接。從外部電源施加的電力在電極220和基板W之間形成靜電力，從而將基板W固定到電介質(zhì)板210的上表面。
[0043]加熱器230設(shè)置在電介質(zhì)板210的內(nèi)部。加熱器230可以設(shè)置在電極220的下部。加熱器230通過(guò)電纜231與外部電源(未圖示)連接。加熱器230通過(guò)抵抗外部電源施加的電流而產(chǎn)生熱。產(chǎn)生的熱經(jīng)過(guò)電介質(zhì)板210傳遞到基板W，將基板W加熱到預(yù)定溫度。加熱器230為螺旋形狀的線圈，可以以均勻的間隔埋設(shè)在電介質(zhì)板210內(nèi)部。
[0044]聚焦環(huán)240為環(huán)狀，并沿著電介質(zhì)板210的上部區(qū)域周界配置。聚焦環(huán)240的上表面可以具有高度差，使得與電介質(zhì)板210鄰接的內(nèi)側(cè)部比外側(cè)部低。聚焦環(huán)240的上表面內(nèi)側(cè)部可以位于與電介質(zhì)板210的上表面相同的高度。聚焦環(huán)240擴(kuò)大電磁場(chǎng)形成區(qū)域，使基板W位于形成等離子體的區(qū)域的中心。由此，等離子體可以在基板整個(gè)區(qū)域均勻地形成。
[0045]絕緣板250位于電介質(zhì)板210的下部，并支承電介質(zhì)板210。絕緣板250為具有預(yù)定厚度的圓盤，可以具有與電介質(zhì)板210對(duì)應(yīng)的半徑。絕緣板250為絕緣材質(zhì)。絕緣板250通過(guò)電纜251與RF電源(未圖示)連接。通過(guò)電纜251施加到絕緣板250的RF電流在基板支承單元200和電介質(zhì)蓋120之間形成電磁場(chǎng)。電磁場(chǎng)作為等離子體的能量。
[0046]絕緣板250可以形成冷卻流路212。冷卻流路212形成在加熱器220的下部。冷卻流路212提供冷卻流體循環(huán)的通路。冷卻流體的熱被傳遞到電介質(zhì)板210和基板W，對(duì)加熱的電介質(zhì)板210和基板W進(jìn)行迅速冷卻。冷卻流路212可以形成為螺旋形狀。與此不同地，冷卻流路212也可以被配置為具有相互不同的半徑的環(huán)狀的流路并具有相同的中心。各個(gè)流路可以相互連通。與此不同，冷卻流路213可以形成在接地板260上。
[0047]接地板260位于絕緣板250的下部。接地板260為具有預(yù)定厚度的圓盤，可以具有與絕緣板250對(duì)應(yīng)的半徑。接地板260接地。接地板260使絕緣板250和腔室主體110電氣絕緣。
[0048]電介質(zhì)板210、絕緣板250以及接地板260上形成有銷孔201和凈化氣體供給孔202。銷孔201從電介質(zhì)板210的上表面提供到接地板260的下表面。銷孔210形成多個(gè)，內(nèi)部分別設(shè)置提升銷281。
[0049]凈化氣體供給孔202形成多個(gè)，并從電介質(zhì)板210的上表面提供到接地板260的下表面。凈化氣體供給孔202與凈化氣體供給線203連接，提供供給凈化氣體的流路。凈化氣體被供給到基板W和電介質(zhì)板210的上表面之間的空間。停留在基板W和電介質(zhì)板210之間的凈化氣體使從電介質(zhì)板210到基板W的熱傳遞效率提高。凈化氣體包括非活性氣體。凈化氣體可以為氦(He)氣。
[0050]外殼270位于接地板260的下部，并支承接地板260。外殼270為具有預(yù)定高度的圓筒，內(nèi)部形成空間。外殼270可以具有與接地板260對(duì)應(yīng)的半徑。外殼270的內(nèi)部設(shè)置各種電纜203、221、231、251和提升銷單元280。
[0051]提升銷單元280向電介質(zhì)板210加載基板W或從電介質(zhì)板210卸載基板W。提升銷單元280包括提升銷281、支承板282以及驅(qū)動(dòng)部283。提升銷281為多個(gè)，分別位于各銷孔201中。提升銷281沿著銷孔201在上下方向移動(dòng)，加載/卸載基板W。
[0052]支承板282位于外殼270的內(nèi)部，并支承提升銷281。驅(qū)動(dòng)部283升降支承板282。通過(guò)驅(qū)動(dòng)部283的驅(qū)動(dòng)，支承板282在上下方向移動(dòng)，由此銷孔281沿著銷孔201移動(dòng)。
[0053]在接地板260和支承板282之間可以提供波紋管284。波紋管284包圍位于外殼270內(nèi)的提升銷281區(qū)域。波紋管284根據(jù)支承板282的升降收縮或膨脹。
[0054]擋板290在腔室100內(nèi)控制工藝氣體的流動(dòng)。擋板290為環(huán)狀，并位于腔室110和基板支承單元200之間。擋板290上形成分配孔291。在腔室100內(nèi)停留的工藝氣體通過(guò)分配孔291流入到排氣孔113。可以根據(jù)分配孔291的形狀和排列控制流入到排氣孔113的工藝氣體的流動(dòng)。
[0055]氣體供給單元300向腔室100內(nèi)部供給工藝氣體。氣體供給單元300包括噴嘴310、氣體存儲(chǔ)部320以及氣體供給線330。
[0056]噴嘴310安裝在電介質(zhì)蓋120。噴嘴310可以位于電介質(zhì)蓋120的中心區(qū)域。噴嘴310通過(guò)氣體供給線330與氣體存儲(chǔ)部330連接。氣體供給線330設(shè)有閥340。閥340開閉氣體供給線330，調(diào)節(jié)工藝氣體的供給流量。存儲(chǔ)在氣體存儲(chǔ)部320的工藝氣體通過(guò)氣體供給線330供給到噴嘴310，從噴嘴310向腔室100內(nèi)部噴射。噴嘴310主要向處理空間130的中央?yún)^(qū)域供給工藝氣體。與此不同，氣體供給單元300還可以包括安裝在腔室主體110的側(cè)壁的噴嘴(未圖示)。噴嘴向處理空間130的邊緣區(qū)域供給工藝氣體。
[0057]等離子體源單元400從工藝氣體產(chǎn)生等離子體。等離子體源單元400包括天線410、電源420以及上部蓋430。[0058]天線410設(shè)置在腔室100的上部。天線410可以為螺旋形狀的線圈。電源420通過(guò)電纜與天線410連接,并將高頻電力施加到天線410。由于高頻電力的施加,在天線410上產(chǎn)生電磁波。電磁波以天線410為中心放射狀地產(chǎn)生。電磁波中一部分被提供到腔室100內(nèi)部，剩余部分被提供到腔室100的相反方向。提供到腔室100內(nèi)部的電磁波在腔室100內(nèi)部形成感應(yīng)電場(chǎng)。工藝氣體從感應(yīng)電場(chǎng)獲得離子化所需的能量并產(chǎn)生等離子體。等離子體被提供到基板W，從而可以執(zhí)行蝕刻工藝。
[0059]反射單元500將從天線410提供到腔室100的相反方向的電磁波反射到腔室100內(nèi)部。反射單元500包括反射板510、反射板驅(qū)動(dòng)部520、傳感器530以及控制部540。
[0060]反射板510位于天線410的上部。反射板510為具有預(yù)定厚度的金屬材質(zhì)的板，用于反射電磁波。根據(jù)實(shí)施例，反射板510可以具有平坦的下表面。反射板510的下表面將從天線410提供到腔室100的相反方向的電磁波反射到腔室100內(nèi)部。
[0061]反射板驅(qū)動(dòng)部520使反射板510的位置移動(dòng)。反射板驅(qū)動(dòng)部520使反射板510在上下方向移動(dòng)。由于反射板驅(qū)動(dòng)部520的驅(qū)動(dòng)，反射板510和天線410之間的距離變化。根據(jù)反射板510和天線410之間的距離，被反射板510反射而提供到腔室100內(nèi)部的電磁波的強(qiáng)度不同。如果反射板510和天線410之間的距離變小，則向腔室100內(nèi)部反射的電磁波的強(qiáng)度變大；如果反射板510和天線410之間的距離變大，則向腔室100內(nèi)部反射的電磁波的強(qiáng)度變?nèi)?。這種反射電磁波的強(qiáng)度變化使在腔室100內(nèi)部形成的電磁場(chǎng)的強(qiáng)度變化，使等離子體產(chǎn)生區(qū)域變化。
[0062]傳感器530對(duì)腔室100內(nèi)部產(chǎn)生的等離子體密度進(jìn)行測(cè)量。傳感器530可以位于腔室100內(nèi)部或外部測(cè)量腔室100內(nèi)的等離子體密度。
[0063]傳感器530測(cè)量的等離子體密度被控制部540接收?？刂撇?40控制反射板驅(qū)動(dòng)部420，使反射板510的位置根據(jù)腔室100內(nèi)部的等離子體密度移動(dòng)?？刂撇?40可以通過(guò)使反射板510靠近天線410來(lái)提高腔室100內(nèi)部的等離子體密度，通過(guò)移動(dòng)反射板510使其遠(yuǎn)離天線410來(lái)降低腔室100內(nèi)部的等離子體密度。
[0064]下面，對(duì)利用上述等離子體處理裝置的等離子體處理方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0065]通過(guò)提升銷281的升降，基板W被放置到電介質(zhì)板210的上表面，固定到電介質(zhì)板210上。通過(guò)噴嘴310工藝氣體被供給到腔室100內(nèi)部。從外部電源對(duì)天線410和絕緣板250分別施加高頻電力。由于高頻電力的施加,在天線410上產(chǎn)生電磁波。從天線410向腔室100側(cè)產(chǎn)生的電磁波直接傳遞到腔室100內(nèi)部，向腔室100的相反方向產(chǎn)生的電磁波被反射板510反射而傳遞到腔室100內(nèi)部。通過(guò)天線410和絕緣板250產(chǎn)生的電磁波在電介質(zhì)蓋120和基板支承單元200之間的空間形成感應(yīng)電場(chǎng)，通過(guò)感應(yīng)電場(chǎng)從工藝氣體產(chǎn)生等離子體。產(chǎn)生的等離子體被提供到基板W。
[0066]在工藝執(zhí)行期間，控制部540控制反射板驅(qū)動(dòng)部520，使反射板510的位置根據(jù)等離子體密度變化。在等離子體密度低的情況下，控制部540如圖2所示移動(dòng)反射板510使其鄰接天線410。從天線410向腔室100的相反方向產(chǎn)生的電磁波e2在短距離內(nèi)被反射板510反射到腔室100側(cè)。從天線410直接提供的電磁波el和被反射板510反射的電磁波e2重疊，使得向腔室100內(nèi)提供的電磁波密度變高。從而使從工藝氣體產(chǎn)生的等離子體密度變高。
[0067]如圖3所示，控制部540在腔室100內(nèi)的等離子體密度高的情況下，移動(dòng)反射板510使其遠(yuǎn)離天線410。從天線410向腔室100的相反方向產(chǎn)生的電磁波e3，相比于圖2在移動(dòng)相對(duì)長(zhǎng)的距離后被反射板510反射，因此向腔室100內(nèi)提供的電磁波密度相對(duì)低。由此，從工藝氣體產(chǎn)生的等離子體密度變低。
[0068]控制部540可以反復(fù)移動(dòng)反射板510，使其如圖4所示與天線410的距離變化。控制部540可以連續(xù)地在上下方向移動(dòng)反射板510，使其與天線410的距離變小變大的過(guò)程反復(fù)。由此，向腔室100內(nèi)提供的電磁波密度變高或變低進(jìn)行反復(fù)。這與對(duì)天線410施加脈沖信號(hào)的情況產(chǎn)生相同的效果。反射板510在上下方向移動(dòng)的時(shí)間間隔調(diào)節(jié)與脈沖信號(hào)施加的間隔對(duì)應(yīng)。
[0069]一張基板的處理可以通過(guò)多個(gè)工藝步驟實(shí)現(xiàn)。在各步驟中，反射板510和天線410之間的距離可以變化。反射板510和天線410之間的距離根據(jù)各步驟要求的工藝條件而變化。
[0070]根據(jù)另一實(shí)施例，反射板510和天線410之間的距離可以根據(jù)工藝處理中提供的基板而不同。在處理第一基板的情況下，反射板510如圖2所示可以位于第一位置，在處理第二基板的情況下，反射板510如圖3所示可以位于第二位置。第二位置為與第一位置不同的位置。第二位置為相對(duì)于第一位置遠(yuǎn)離天線410的位置。這樣，反射板510的位置可以根據(jù)工藝處理中提供的基板的狀態(tài)而變化。并且，反射板510可以在執(zhí)行基板工藝處理期間，在相互不同的區(qū)間上下方向反復(fù)移動(dòng)。
[0071]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的基板處理裝置的圖。參照?qǐng)D5，反射板510的底面510a可以為曲面。反射板510的底面510a可以為向內(nèi)側(cè)凹陷的曲面。曲面510a根據(jù)反射板410的區(qū)域使電磁波的反射角不同。曲面510a的曲率可以根據(jù)腔室100內(nèi)產(chǎn)生的等離子體的各區(qū)域的 密度差異決定。
[0072]以上的詳細(xì)說(shuō)明為例示本發(fā)明。并且，前述內(nèi)容為示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的，本發(fā)明可以在多種不同組合、變更及環(huán)境下使用。即，在本說(shuō)明書公開的發(fā)明的概念的范圍、與記述的公開內(nèi)容等同的范圍和/或本領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)的范圍內(nèi)可進(jìn)行變更或修改。記述的實(shí)施例說(shuō)明了用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)思想的最佳狀態(tài)，本發(fā)明的具體適用領(lǐng)域及用途中要求的多種變更也是可能的。因此，以上本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明不意圖以公開的實(shí)施方式限定本發(fā)明。并且，隨附的權(quán)利要求范圍應(yīng)解釋為包括其他實(shí)施方式。
[0073]符號(hào)的說(shuō)明
[0074]10:基板處理裝置100:腔室
[0075]110:腔室主體 120:電介質(zhì)蓋
[0076]200:基板支承單元210:電介質(zhì)板
[0077]220:電極230:加熱器
[0078]240:聚焦環(huán)250:絕緣板
[0079]260:接地板270:外殼
[0080]280:提升銷單元 300:氣體供給單元
[0081]310:噴嘴320:氣體存儲(chǔ)部
[0082]330:氣體供給線 400:等離子體源單元
[0083]410:天線420:電源
[0084]430:上部蓋500:反射單元[0085]510:反射板520:反射板驅(qū)動(dòng)部
[0086]530:傳感器·540:控制部
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理裝置，包括: 腔室，在內(nèi)部形成空間； 基板支承單元，位于所述腔室內(nèi)并支承基板； 氣體供給單元，向所述腔室內(nèi)供給工藝氣體； 等離子體源單元，位于所述腔室的上部，并具有提供使所述工藝氣體產(chǎn)生等離子體的電磁波的天線； 反射板，位于所 述天線的上部，將從所述天線向所述腔室的相反方向提供的電磁波朝向所述腔室的方向進(jìn)行反射；以及 反射板驅(qū)動(dòng)部，使所述反射板的位置移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，所述反射板驅(qū)動(dòng)部使所述反射板在上下方向上移動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，所述反射板為金屬材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，所述天線為螺旋形狀的線圈，所述反射板具有與所述天線對(duì)向的平坦底面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，所述反射板具有與所述天線對(duì)向的底面凹陷的曲面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，還包括: 傳感器，對(duì)所述腔室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體密度進(jìn)行測(cè)量；以及 控制部，根據(jù)所述傳感器中測(cè)量到的等離子體密度控制所述天線驅(qū)動(dòng)部，使所述反射板和所述天線的距離變化。
7.一種等離子體處理方法，其中， 向設(shè)有基板的腔室內(nèi)部供給工藝氣體， 將位于所述腔室上部的天線施加的電磁波提供到所述腔室內(nèi)部，使從所述工藝氣體產(chǎn)生等離子體， 設(shè)置在所述天線的上部的反射板將從所述天線向所述腔室的相反方向提供的電磁波反射到所述腔室內(nèi)部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理方法，所述反射板在上下方向上移動(dòng)，使與天線的距離變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的等離子體處理方法，所述反射板根據(jù)所述基板的工藝處理步驟移動(dòng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的等離子體處理方法，所述反射板在對(duì)一張基板的工藝進(jìn)行中反復(fù)移動(dòng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的等離子體處理方法，測(cè)量所述腔室內(nèi)部的等離子體密度，并根據(jù)所述等離子體密度移動(dòng)所述反射板。
12.—種等離子體處理方法，其中， 向腔室內(nèi)部提供工藝氣體來(lái)處理第一基板，在所述第一基板的處理后處理第二基板，所述工藝氣體通過(guò)位于所述腔室上部的天線提供的電磁波而被激發(fā)為等離子態(tài)，所述第一基板的工藝處理進(jìn)行期間，設(shè)置在在所述天線的上部的反射板在第一位置將所述電磁波反射到所述腔室內(nèi)部，在所述第二基板的工藝處理期間，所述反射板在與所述第一位置不同的第二位置將所述電磁波反射到所述腔室內(nèi)部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體處理方法，所述第一位置和所述第二位置可以在上下方向上與所述天線之間的距離不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的等離子體處理方法，所述反射板在上下方向上反復(fù)移動(dòng)。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103715051SQ201310451516
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】哈魯瓊·米利克揚(yáng), 具一教, 成曉星, 李守真, 金炫中 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司