專利名稱：一種干法刻蝕設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及干法刻蝕技術(shù)，特別涉及一種干法刻蝕設(shè)備。
技術(shù)背景 圖I為現(xiàn)有干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖I所示，干法刻蝕設(shè)備包括反應(yīng)腔(Chamber) 5,設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5上的墊板4、以及設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5中的擋光板I?，F(xiàn)有的干法刻蝕設(shè)備在對(duì)玻璃(Glass)基板進(jìn)行刻蝕的工藝中，由于設(shè)備的上部電極結(jié)構(gòu)復(fù)雜以及設(shè)備老化等原因，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)墊板4斷裂以及其他零部件損壞而導(dǎo)致反應(yīng)腔(Chamber) 5真空泄露(Leak)的現(xiàn)象，由此，大氣會(huì)進(jìn)入反應(yīng)腔(Chamber) 5內(nèi)部,大氣中的氮?dú)獾扰c反應(yīng)腔(Chamber) 5內(nèi)的氣體混合,混合后氣體顏色會(huì)由藍(lán)色變成紅色或黃色，出現(xiàn)顏色異?！，F(xiàn)有結(jié)構(gòu)無法對(duì)等離子體(Plasma)顏色進(jìn)行監(jiān)控，導(dǎo)致在后工序才能發(fā)現(xiàn)，這會(huì)嚴(yán)重影響良品率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型在于提供一種干法刻蝕設(shè)備，能及時(shí)檢測(cè)到干法刻蝕設(shè)備中的Chamber的真空泄露而保證產(chǎn)品良率。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種干法刻蝕設(shè)備，包括反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔中設(shè)置有顏色傳感器，所述顏色傳感器位于能與所述反應(yīng)腔隔絕的空間中，所述空間通過活動(dòng)擋板與所述反應(yīng)腔封閉或連通；所述活動(dòng)擋板連接于外部控制部件，所述控制部件控制所述活動(dòng)擋板移動(dòng)，使所述空間與所述反應(yīng)腔保持封閉或連通。優(yōu)選地，所述反應(yīng)腔中還設(shè)置有擋光板；所述擋光板上設(shè)置有槽，所述活動(dòng)擋板封閉所述槽的槽口 ；所述顏色傳感器位于所述槽與所述活動(dòng)擋板封閉的空間內(nèi)。優(yōu)選地，所述顏色傳感器為能檢測(cè)出所述反應(yīng)腔中氣體變?yōu)榧t色或黃色的傳感器。優(yōu)選地，所述顏色傳感器為對(duì)紅色或黃色氣體敏感的傳感器。優(yōu)選地，所述干法刻蝕設(shè)備還包括下部電極，所述下部電極的表面分布有表面浮點(diǎn)；所述表面浮點(diǎn)設(shè)置在玻璃基板上的面板與面板之間的區(qū)域。優(yōu)選地，所述干法刻蝕設(shè)備還包括靜電吸盤，由所述靜電吸盤支撐吸附玻璃基板。優(yōu)選地，所述干法刻蝕設(shè)備還包括背冷卻裝置，所述背冷卻裝置位于所述下部電極下方。優(yōu)選的，所述下部電極上還設(shè)置有氣孔；所述背冷卻裝置通過管路與所述下部電極上的所述氣孔連接。本實(shí)用新型中，通過在反應(yīng)腔中設(shè)置有顏色傳感器，并使所述顏色傳感器位于能與所述反應(yīng)腔隔絕的空間中，所述空間通過活動(dòng)擋板與所述反應(yīng)腔保持封閉或連通；所述活動(dòng)擋板連接于外部控制部件，所述控制部件控制所述活動(dòng)擋板移動(dòng)，使所述空間與所述反應(yīng)腔保持封閉或連通，這樣，在干法刻蝕工藝中的有源層刻蝕(Active Etch)和過孔蝕刻(Via Etch)兩個(gè)步驟中，通過所述活動(dòng)擋板移動(dòng)使顏色傳感器暴露于反應(yīng)腔中，即可對(duì)反 應(yīng)腔是否真空泄露進(jìn)行檢測(cè)，由此保證產(chǎn)品良率。另外，通過設(shè)置下部電極表面表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)的分布方式,使與顯示面板的像素區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域不設(shè)置所述表面浮點(diǎn)(Embossing Dot),這樣表面浮點(diǎn)(EmbossingDot)不會(huì)對(duì)像素區(qū)域產(chǎn)生干擾，保證了顯示面板的顯示效果。

圖I為現(xiàn)有干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有的表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)分布示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)分布示意圖。附圖中主要元件符號(hào)說明I :擋光板；2 :活動(dòng)擋板；3 :顏色傳感器；4 :墊板；5 :反應(yīng)腔；6 :控制器；7 :刻蝕設(shè)備主機(jī)；8 :報(bào)警系統(tǒng)；9 :表面浮點(diǎn)(Embossing Dot) ;10 :Glass基板；11 :下部電極He氣孔；12 :面板，13 :面板與面板之間的區(qū)域。
具體實(shí)施方式
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本示例的干法刻蝕設(shè)備包括反應(yīng)腔(Chamber) 5、設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5上的墊板4、設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5中的擋光板I和設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5中的顏色傳感器3 ;顏色傳感器3位于能與反應(yīng)腔(Chamber) 5隔絕的空間中，空間通過活動(dòng)擋板2與反應(yīng)腔(Chamber) 5保持封閉或連通；活動(dòng)擋板2連接于外部控制部件，控制部件控制所述活動(dòng)擋板2移動(dòng)，使所述空間與所述反應(yīng)腔(Chamber) 5保持封閉或連通。具體的，控制部件包括控制器6、刻蝕設(shè)備主機(jī)7和報(bào)警系統(tǒng)8等；控制器6連接于活動(dòng)擋板2，通過控制信號(hào)控制活動(dòng)擋板2移動(dòng)。例如可將活動(dòng)擋板2與步進(jìn)電機(jī)連接，通過步進(jìn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)，來實(shí)現(xiàn)所述空間與所述反應(yīng)腔(Chamber)封閉或連通；再例如，也可以通過電磁閥的開合來控制活動(dòng)擋板2的移動(dòng)，來實(shí)現(xiàn)所述空間與所述反應(yīng)腔(Chamber)封閉或連通。本實(shí)用新型的干法刻蝕設(shè)備與圖I相比，對(duì)反應(yīng)腔(Chamber)5中的擋光板I進(jìn)行了改進(jìn)，具體的，在擋光板I上開設(shè)一個(gè)小槽，將一個(gè)設(shè)置好的對(duì)黃色和紅色有感應(yīng)的顏色傳感器3如TCS230顏色傳感器放置于槽內(nèi)，并在槽口安裝活動(dòng)擋板2，可以通過刻蝕設(shè)備主機(jī)7連接控制器6來控制活動(dòng)擋板2移動(dòng)，使槽與活動(dòng)擋板2形成的空間與反應(yīng)腔(Chamber) 5封閉或連通；顏色傳感器3還通過控制器6與報(bào)警系統(tǒng)8連接，以在檢測(cè)到反應(yīng)腔(Chamber)5中的氣體顏色變化時(shí)，通過報(bào)警系統(tǒng)8提醒操作者。本實(shí)用新型的顏色傳感器3在一般情況下處于與反應(yīng)腔(Chamber) 5封閉狀態(tài)，僅在特定的工藝加工步驟才處于與反應(yīng)腔(Chamber) 5連通的狀態(tài)。只有在處于與反應(yīng)腔(Chamber) 5連通的狀態(tài)時(shí),才能對(duì)反應(yīng)腔(Chamber) 5中的氣體顏色變化進(jìn)行檢測(cè)。下面簡(jiǎn)單介紹本實(shí)用新型的干法刻蝕設(shè)備的工作過程。步驟I、在反應(yīng)腔(Chamber) 5中設(shè)置顏色傳感器；這里，所述顏色傳感器通過活動(dòng)擋板的移動(dòng)與Chamber封閉或連通。步驟2、控制顏色傳感器與反應(yīng)腔(Chamber)5連通，由顏色傳感器檢測(cè)反應(yīng)腔(Chamber) 5中的氣體是否變化為設(shè)定顏色； 具體的，由于設(shè)備老化等原因會(huì)導(dǎo)致墊板4斷裂，這種情況下，大氣會(huì)通過裂縫進(jìn)入反應(yīng)腔(Chamber) 5。而空氣中的氮?dú)馀c反應(yīng)腔(Chamber) 5中氣體混合,混合氣體在等離子(Plasma)狀態(tài)下呈紅色或黃色，這是因?yàn)椋O(shè)備進(jìn)行輝光放電時(shí)，氮?dú)獾幕旌蠚怏w被電離，這種電離氣體在等離子(Plasma)狀態(tài)下顏色呈現(xiàn)為紅色或黃色。也就是說，當(dāng)顏色傳感器檢測(cè)反應(yīng)腔(Chamber) 5中的氣體顏色為紅色或黃色時(shí),意味著反應(yīng)腔(Chamber) 5發(fā)生了真空泄露。為了避免對(duì)灰化刻蝕(Ashing Etch)步驟的影響，通過控制活動(dòng)擋板3使TCS230顏色傳感器3只在有源層刻蝕(Active Etch)和過孔蝕刻(Via Etch)這兩個(gè)步驟才處于與反應(yīng)腔(Chamber) 5連通的狀態(tài),當(dāng)刻蝕設(shè)備主機(jī)7檢測(cè)到上述兩步驟中任意一個(gè)步驟開始時(shí)，對(duì)控制器6發(fā)送開啟活動(dòng)擋板2的控制信號(hào)，控制器6對(duì)活動(dòng)擋板2發(fā)送開啟信號(hào)，活動(dòng)擋板2移動(dòng)，使槽與活動(dòng)擋板2形成的空間與反應(yīng)腔(Chamber) 5連通，顏色傳感器對(duì)反應(yīng)腔(Chamber) 5中的氣體顏色進(jìn)行檢測(cè)。步驟3、如果反應(yīng)腔(Chamber) 5發(fā)生了真空泄露，反應(yīng)腔(Chamber) 5中會(huì)進(jìn)入空氣，由于空氣中含有大量氮?dú)猓獨(dú)獾幕旌蠚怏w在等離子(Plasma)狀態(tài)下呈紅色或黃色，所以導(dǎo)致反應(yīng)腔(Chamber)5內(nèi)顏色由正常的藍(lán)色變?yōu)榧t色或黃色，TCS230顏色傳感器3通過控制器6將感應(yīng)檢測(cè)信號(hào)發(fā)送給刻蝕設(shè)備主機(jī)7以及報(bào)警系統(tǒng)8，刻蝕設(shè)備主機(jī)7發(fā)出控制信號(hào)停止當(dāng)前工藝，報(bào)警系統(tǒng)8開始報(bào)警。這樣，操作者能在第一時(shí)間停掉設(shè)備進(jìn)行維護(hù)，減少了損失。圖3為現(xiàn)有的表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)分布示意圖，如圖3所示，現(xiàn)有的干法刻蝕設(shè)備下部電極的電極表面均勻分布有表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)9,表面浮點(diǎn)(EmbossingDot)9對(duì)Glass基板10起支撐作用，干法刻蝕設(shè)備中還設(shè)置有用于導(dǎo)通玻璃基板的下部電極He氣孔11。干法刻蝕設(shè)備在進(jìn)行金屬刻蝕時(shí)會(huì)產(chǎn)生鑰(Mo)的化合物，在長(zhǎng)期使用下部電極后，由于鑰(Mo)的化合物殘留在表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)上，致使熱傳導(dǎo)性發(fā)生較大變化，表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)的溫度比正常溫度要低，都會(huì)導(dǎo)致棋盤狀灰度不均(Embossing Mura)的發(fā)生,這將嚴(yán)重影響TFT的光學(xué)特性，但是Embossing Mura并不會(huì)影響電學(xué)特性，所以可以將干法刻蝕下部電極表面結(jié)構(gòu)針對(duì)不同型號(hào)的Glass基板進(jìn)行設(shè)計(jì)，使表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)設(shè)置在Glass基板上的面板12 (Panel)與面板12之間區(qū)域13，而不再均勻分布在整個(gè)基板上，而通過調(diào)整靜電吸盤(Tel Chuck)實(shí)現(xiàn)對(duì)Glass基板的支撐與吸附，靜電吸盤(Tel Chuck)位于下部電極下方，主要作用是用來對(duì)Glass產(chǎn)生吸附作用，防止Glass發(fā)生位置偏移，通過調(diào)整背冷卻(Back Cooling)裝置的參數(shù)來使Glass溫度均勻，背冷卻裝置位于下部電極下方，下部電極上還設(shè)有若干氣孔，背冷卻裝置通過管路與下部電極連接，并通過下部電極上的若干氣孔吹入冷卻的氦氣使Glass降溫，這樣，即使在Glass基板與面板(Panel)間隔處有Embossing Mura發(fā)生,像素區(qū)也不會(huì)有Embossing Mura發(fā)生；又由于Embossing Mura對(duì)電學(xué)特性無影響,所以這樣設(shè)計(jì)完全可以解決Embossing Mura的影響。背冷卻裝置用于當(dāng)Glass基板在進(jìn)行刻蝕時(shí)溫度會(huì)升高,為了對(duì)Glass基板進(jìn)行降溫，采用從下部電極底部吹出冷卻的氦氣，在Glass基板底部循環(huán)流動(dòng)，達(dá)到對(duì)Glass基板進(jìn)行降溫的效果。圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)分布示意圖，如圖4所示，本實(shí)用新型的干法刻蝕設(shè)備下部電極結(jié)構(gòu)，是將原有的下部電極表面均勻分布的表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)根據(jù)不同型號(hào)的顯示面板而設(shè)計(jì)成在Glass基板10上的Panell2與Panel 12之間的區(qū)域13進(jìn)行均勻分布，即在像 素區(qū)不再分布表面浮點(diǎn)(Embossing Dot) 9。在干法刻蝕工藝進(jìn)行時(shí)，通過調(diào)整靜電吸盤(Tel Chuck)的靜電吸附電壓值來實(shí)現(xiàn)對(duì)Glass基板10的支撐與吸附,并通過調(diào)整背冷卻裝置(Back Cooling)的壓力值來實(shí)現(xiàn)對(duì)Glass基板溫度的均勻控制，由于這樣的設(shè)計(jì)表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)不在Panel 12內(nèi)部區(qū)域，所以不會(huì)影響的TFT的光學(xué)特性,又由于Embossing Mura對(duì)電學(xué)特性無影響,所以即使在Panel外產(chǎn)生不良，也不會(huì)影響到產(chǎn)品本身。以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種干法刻蝕設(shè)備，包括反應(yīng)腔，其特征在于，所述反映腔中設(shè)置有顏色傳感器，所述顏色傳感器位于能與所述反應(yīng)腔隔絕的空間中，所述空間通過活動(dòng)擋板與所述反應(yīng)腔封閉或連通； 所述活動(dòng)擋板連接于外部控制部件，所述控制部件控制所述活動(dòng)擋板移動(dòng)，使所述空間與所述反應(yīng)腔保持封閉或連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)腔中還設(shè)置有擋光板； 所述擋光板上設(shè)置有槽，所述活動(dòng)擋板封閉所述槽的槽口 ；所述顏色傳感器位于所述槽與所述活動(dòng)擋板封閉的空間內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述顏色傳感器為能檢測(cè)出所述反應(yīng)腔中氣體變?yōu)榧t色或黃色的傳感器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述顏色傳感器為對(duì)紅色或黃色氣體敏感的傳感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一項(xiàng)所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述干法刻蝕設(shè)備還包括下部電極，所述下部電極的表面分布有表面浮點(diǎn)； 所述表面浮點(diǎn)設(shè)置在玻璃基板上的面板與面板之間的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述干法刻蝕設(shè)備還包括靜電吸盤，所述靜電吸盤支撐吸附玻璃基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述干法刻蝕設(shè)備還包括背冷卻裝置，所述背冷卻裝置位于所述下部電極下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述下部電極上還設(shè)置有氣孔； 所述背冷卻裝置通過管路與所述下部電極上的所述氣孔連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種干法刻蝕設(shè)備，Chamber中設(shè)置有顏色傳感器，顏色傳感器位于能與Chamber隔絕的空間中，空間通過活動(dòng)擋板與Chamber保持封閉或聯(lián)通；活動(dòng)擋板連接于外部控制部件，控制部件控制所述活動(dòng)擋板移動(dòng)，使空間與所述Chamber保持封閉或聯(lián)通。在有源層刻蝕(Active Etch)和過孔蝕刻(Via Etch)兩個(gè)步驟中，通過所述活動(dòng)擋板移動(dòng)使顏色傳感器暴露于Chamber中，即可對(duì)Chamber是否真空泄露進(jìn)行檢測(cè)，由此保證產(chǎn)品良率。另外，通過設(shè)置下部電極表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)的分布方式，使與顯示面板的像素區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域不設(shè)置所述表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)，這樣表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)不會(huì)對(duì)像素區(qū)域產(chǎn)生干擾，保證了顯示面板的顯示效果。
文檔編號(hào)H01J37/244GK202796846SQ201220397628
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者蔣會(huì)剛, 劉華鋒, 劉佳, 任志強(qiáng), 謝海征 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司