專利名稱：一種制備場發(fā)射陰極的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種制備場發(fā)射陰極的處理方法。
背景技術(shù)：
場發(fā)射陰極，又稱為場發(fā)射體，使用場發(fā)射陰極的場致發(fā)射電子源應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，但是場發(fā)射陰極的制備エ藝是目前阻礙其應(yīng)用的關(guān)鍵，因此，場發(fā)射陰極的制備エ藝成為研究的熱點。因此，尋找ー種エ藝簡單、成本低廉、性 能良好的場發(fā)射體制備方法成為目前亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供ー種制備場發(fā)射陰極的處理方法，其中該場發(fā)射陰極為SiC薄膜，使用絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)處理的方法制備納米SiC薄膜，其特征在于，燒結(jié)處理包括升溫至355-375K保溫30-40分鐘，然后再升溫至460-500K后保溫80-100分鐘，然后再升溫至660-680K后保溫90-120分鐘，最后自然冷卻。有益效果本發(fā)明制備的場發(fā)射陰極經(jīng)過光譜分析，顯示納米結(jié)構(gòu)有序，而且該方法エ藝要求簡單，制造成本低。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例，進ー步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。實施例1該制備場發(fā)射陰極的處理方法，其中該場發(fā)射陰極為SiC薄膜，使用絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)處理的方法制備納米SiC薄膜，燒結(jié)處理包括升溫至355K保溫30分鐘，然后再升溫至460K后保溫80分鐘，然后再升溫至660K后保溫90分鐘，最后自然冷卻。實施例2該制備場發(fā)射陰極的處理方法，其中該場發(fā)射陰極為SiC薄膜，使用絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)處理的方法制備納米SiC薄膜，燒結(jié)處理包括升溫至375K保溫40分鐘，然后再升溫至500K后保溫100分鐘，然后再升溫至680K后保溫120分鐘，最后自然冷卻。實施例3該制備場發(fā)射陰極的處理方法，其中該場發(fā)射陰極為SiC薄膜，使用絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)處理的方法制備納米SiC薄膜，燒結(jié)處理包括升溫至365K保溫35分鐘，然后再升溫至480K后保溫90分鐘，然后再升溫至670K后保溫105分鐘，最后自然冷卻。
權(quán)利要求
1.一種制備場發(fā)射陰極的處理方法，其中該場發(fā)射陰極為SiC薄膜，使用絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)處理的方法制備納米SiC薄膜，其特征在于，燒結(jié)處理包括升溫至355-375K保溫30-40 分鐘，然后再升溫至460-500K后保溫80-100分鐘，然后再升溫至660-680K后保溫90-120 分鐘，最后自然冷卻。
2.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中燒結(jié)處理包括升溫至365K保溫35分鐘，然后再升溫至480K后保溫90分鐘，然后再升溫至670K后保溫105分鐘，最后自然冷卻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制備場發(fā)射陰極的處理方法，其中該場發(fā)射陰極為SiC薄膜，使用絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)處理的方法制備納米SiC薄膜，其特征在于，燒結(jié)處理包括升溫至355-375K保溫30-40分鐘，然后再升溫至460-500K后保溫80-100分鐘，然后再升溫至660-680K后保溫90-120分鐘，最后自然冷卻。
文檔編號H01J9/02GK103021764SQ201210580728
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者李崗, 國欣鑫, 張曉輝 申請人:青島艾德森能源科技有限公司