專利名稱：等離子體工藝設(shè)備中用于至射頻驅(qū)動電極的氣體傳遞的射頻扼流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例一般涉及一種射頻(RF)扼流器及氣體供應(yīng)管，所述射頻扼流器及氣體供應(yīng)管用于在等離子體工藝設(shè)備中匹配阻抗。
背景技術(shù)：
隨著對較大型平板顯示器的需求持續(xù)增加，基板及工藝室的尺寸也要隨之增加。當(dāng)太陽能面板的需求增加時，有時需要較高的RF場。一種在平板顯示器或太陽能面板的基板上沉積材料的方法為等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)。在PECVD過程中，工藝氣體經(jīng)過噴氣頭而導(dǎo)入工藝室中，并且所述工藝氣體被RF場點燃成為等離子體，所述RF場被施加至噴氣頭。隨著基板尺寸增加，施加至噴氣頭的RF場也隨之增加。隨著RF場的增加，早期氣體(premature gas)在氣體通過噴氣頭之前分解的可能性增加,則在噴氣頭上方形成寄生等離子體(parasitic plasma)的可能性也會增加。因此，本領(lǐng)域中需要一種減少早期氣體分解及寄生等離子體形成的RF扼流器及氣體供應(yīng)管。

發(fā)明內(nèi)容
在大面積等離子體工藝系統(tǒng)中，工藝氣體經(jīng)由噴氣頭組件而導(dǎo)入腔室中，噴氣頭組件可作為RF電極驅(qū)動。接地的氣體供應(yīng)管與噴氣頭為電性隔離。氣體供應(yīng)管不但提供工藝氣體，還提供來自遠(yuǎn)程等離子體源的清潔氣體至工藝室。氣體供應(yīng)管的內(nèi)側(cè)可以維持在低RF場或是零RF場，以避免早期氣體在氣體供應(yīng)管中分解，而早期氣體在氣體供應(yīng)管中分解可能導(dǎo)致在氣體源及噴氣頭之間形成寄生等離子體。將氣體供應(yīng)通過RF扼流器，則RF場及工藝氣體可經(jīng)過共同位置而導(dǎo)入工藝室中，并因而簡化腔室設(shè)計。在一實施例中，RF扼流器組件包括氣體供應(yīng)管，該氣體供應(yīng)管包括金屬及一或多個亞鐵鹽組件，所述一或多個亞鐵鹽組件圍繞氣體供應(yīng)管。在另一實施例中，公開一種設(shè)備。該設(shè)備包括RF功率源；氣體源；以及RF扼流器組件，所述RF扼流器組件耦接于RF功率源與氣體源之間。該組件包括氣體供應(yīng)管，所述氣體供應(yīng)管包括金屬。氣體供應(yīng)管可包括第一端和第二端，所述第一端與氣體源耦接，所述第二端與RF功率源耦接。氣體供應(yīng)管還包括一或多個亞鐵鹽組件，所述一或多個亞鐵鹽組件圍繞該氣體供應(yīng)管。在另一實施例中，公開一種氣體輸送方法，該方法包括將氣體流經(jīng)金屬管的內(nèi)偵U。該金屬管包括第一端和第二端，所述第一端耦接至氣體源及耦接至地，所述第二端耦接至RF功率源。該方法還包括將RF電流沿著金屬管的外側(cè)流動，由此，在金屬管內(nèi)側(cè)流動的氣體不會暴露于RF電流。


為讓本發(fā)明的上述特征更明顯易懂，可配合參考實施例說明，實施例的部分表示如附圖所示。需注意的是，雖然所附圖揭露本發(fā)明特定實施例，但附圖并非用以限定本發(fā)明的精神與范圍，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，可作各種的更動與潤飾而得等效實施例。圖1A,表不根據(jù)本發(fā)明的一實施例的PECVD設(shè)備的概要剖面視圖。圖1B，表示部分的圖IA的概要放大視圖。圖2A，表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的RF扼流器及氣體供應(yīng)組件的概要視圖。

圖2B，表示圖2A的端視圖。圖3，表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器及氣體供應(yīng)組件的概要視圖。圖4，表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器的概要剖面視圖。圖5，表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器的概要剖面視圖。圖6，表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的氣體供應(yīng)管的概要剖面視圖。圖7A，表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的與等離子體工藝室耦接的RF扼流器的概要剖面視圖。圖7B，表示圖7A的電路圖式。圖8A，表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的與等離子體工藝室耦接的RF扼流器的概要剖面視圖。圖8B，表示圖8A的電路圖式。圖9A，表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的與等離子體工藝室耦接的RF扼流器的概要剖面視圖。圖9B，表示圖9A的電路圖式。圖10A，表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的與等離子體工藝室耦接的RF扼流器的概要剖面視圖。圖10B，表示圖IOA的電路圖式。圖11A，表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器1100的概要視圖。圖11B，表示圖IlA的RF扼流器1100的概要剖面視圖。為便于了解，圖式中相同的組件符號表示相同的組件。某一實施例采用的組件不需特別詳述而可應(yīng)用到其它實施例。
具體實施例方式在大面積等離子體工藝系統(tǒng)中，工藝氣體可透過噴氣頭組件而導(dǎo)入腔室中，且噴氣頭組件被作為RF電極驅(qū)動。氣體供應(yīng)管為接地的，且氣體供應(yīng)管與噴氣頭電性隔離。氣體供應(yīng)管不但可以提供工藝氣體，還可提供來自遠(yuǎn)程等離子體源的清潔氣體至工藝室。氣體供應(yīng)管的內(nèi)側(cè)可以維持在低RF場或零RF場，以避免早期氣體在氣體供應(yīng)管中分解，而導(dǎo)致在氣體源及噴氣頭之間形成寄生等離子體。通過將氣體供應(yīng)通過RF扼流器，則RF場及工藝氣體可經(jīng)過共同位置而導(dǎo)入工藝室中，因而簡化工藝室設(shè)計。
本發(fā)明將參照購自加州圣克拉拉的應(yīng)用材料的子公司AKT的PECVD室而描述如下。應(yīng)了解本發(fā)明也可等效應(yīng)用至需要使用RF電流而將氣體激發(fā)成為等離子體的任何腔室，所述腔室包括物理氣相沉積(PVD)室。也應(yīng)了解描述于下的本發(fā)明可等效應(yīng)用至PECVD室、蝕刻室、物理氣相 沉積室、等離子體工藝室及由其它制造商所制成的其它腔室。圖IA表不根據(jù)本發(fā)明的一實施例的PECVD設(shè)備100的概要剖面視圖。設(shè)備100包括上蓋組件102，所述上蓋組件102與腔室壁108耦接。在設(shè)備100里面，噴氣頭110與基座104相對設(shè)置，而基板106設(shè)置在基座104上以進行處理。噴氣頭110可以由托架140所支撐?；?06可以透過狹縫閥122而進出設(shè)備100，所述狹縫閥122設(shè)置在腔室壁108中?；?06包括平板顯示器基板、太陽能基板、半導(dǎo)體基板及有機發(fā)光顯示器(OLED)基板或任何其它基板。噴氣頭110可包括一或多個氣體通道112，所述一或多個氣體通道112延伸于噴氣頭110的頂面118及底面120之間。充氣部114可以存在于上蓋組件102與噴氣頭110之間。導(dǎo)入充氣部114的氣體可均勻地散布在噴氣頭110后方，以通過氣體通道112而導(dǎo)入工藝空間116。氣體經(jīng)過氣體輸入138而導(dǎo)入充氣部114。氣體可由氣體源126所提供。在一實施例中，氣體源126可包括工藝氣體源。在另一實施例中，氣體源126可包括清潔氣體源。氣體可以由氣體源126經(jīng)過遠(yuǎn)程等離子體源128以及冷卻耦接件130而轉(zhuǎn)移至RF扼流器132。RF扼流器132可耦接至轉(zhuǎn)向連接件136，轉(zhuǎn)向連接件136供應(yīng)氣體至氣體輸入138中。RF功率源124也可通過RF供應(yīng)器134而與轉(zhuǎn)向連接件136耦接。表面上看來，將氣體及RF功率透過共同位置而耦接是不安全的。然而，RF電流在導(dǎo)電表面上通過時會具有趨膚效應(yīng)(skin effect)。RF電流會盡可能靠近驅(qū)動其本身的來源而移動。因此，RF電流在導(dǎo)電組件的表面上移動，并且RF電流僅滲入導(dǎo)電組件的特定的預(yù)定深度(即，表層skin)。該預(yù)定深度可經(jīng)計算而為RF電流頻率、導(dǎo)電組件的材料的滲透性及導(dǎo)電材料的導(dǎo)電率的函數(shù)。因此，當(dāng)導(dǎo)電組件較RF電流滲入的預(yù)定深度厚時，RF電流則不會直接與在該導(dǎo)電組件中流動的氣體反應(yīng)。圖IB為部分的圖IA的概要剖面視圖。圖IB顯示RF電流移動至噴氣頭的路徑(以箭頭A表示)，以及通過RF扼流器的路徑(以箭頭B表示)。如圖IB所示，RF電流在RF供應(yīng)器的表面上、氣體輸入138的外側(cè)、上蓋組件102的頂部、上蓋組件102的外側(cè)邊緣、托架140相對于充氣部114的表面流動，并最終遍及噴氣頭110的底表面120。一旦RF電流到達(dá)噴氣頭110的底表面120，氣體可以在空陰極腔中或是工藝空間116中點燃成為等離子體，所述空陰極腔存在于氣體通道112中。RF電流還可以沿著轉(zhuǎn)向連接件136的頂端及RF扼流器132的外側(cè)移動。RF電流移動的路徑愈長，阻抗則愈大。因此，對于中央供應(yīng)的RF電流，隨著腔室的尺寸變大，則噴氣頭的阻抗增加?？梢栽赗F功率源與氣體源之間使用RF扼流器，以確保RF功率源與氣體輸送系統(tǒng)之間的電壓差呈現(xiàn)大致均一的減弱。橫跨RF扼流器的壓降可約略等于氣體分配噴氣頭的電壓電平。另外，沿著RF扼流器的壓降可為基本均一。因此，來自RF功率源的RF功率輸出則為已知且可重復(fù)的，所述RF功率用于維持并點燃工藝室內(nèi)的等離子體。RF扼流器可以使得傳輸至噴氣頭的電壓最大化，并因此使得RF源的阻抗基本等于負(fù)載的阻抗。圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的RF扼流器200的概要視圖。圖2B為圖2A的剖面視圖。RF扼流器200包括線圈202，所述線圈202纏繞于亞鐵鹽材料204周圍。在亞鐵鹽材料204里面設(shè)置有冷卻管206。在一實施例中，冷卻管206包括銅。一或多個散熱片208由冷卻管206徑向伸展出，以更進一步將冷卻表面往外延伸進入亞鐵鹽材料204中，并將來自線圈202的熱散出。線圈202可以沿著亞鐵鹽材料204周圍纏繞多次。線圈202可為足夠厚，以預(yù)防RF電流滲入線圈202內(nèi)側(cè)。線圈202的一端210與氣體輸入耦接而連接至工藝室，另一端212則耦接至地及氣體源。因此，RF電流由氣體輸入而沿著線圈202的外側(cè)或表面而流動至接地。隨著RF電流移動，則電感(inductance)增加。在足夠距離之后，沿著RF扼流器的電感可基本等于噴氣頭的電感。通過增加線圈202的半徑、長度或是匝數(shù)，則可增加電感。另外，隨著RF電流沿著線圈202的外側(cè)移動，則該RF電流與亞鐵鹽材料204接觸并造成高阻抗。線圈202的長度應(yīng)足夠短，以確保RF扼流器的阻抗不會大于噴氣頭的負(fù)載的阻抗。若RF扼流器的阻抗大于負(fù)載的阻抗，則RF扼流器200會失效。亞鐵鹽材料204可以包括高頻低損耗的亞鐵鹽材料。在一實施例中，亞鐵鹽材料 204可包括半圓柱塊，所述半圓柱塊形成密實的圓柱狀亞鐵鹽芯。在另一實施例中，亞鐵鹽材料204可包括四分之一圓柱塊，所述四分之一圓柱塊形成密實的圓柱狀亞鐵鹽芯。亞鐵鹽材料204使?jié)B透性升高，因而使電感升高。由于RF扼流器200所造成的電容，亞鐵鹽材料204使得RF電流的共振降低，所述亞鐵鹽材料204與線圈202所提供的增加的RF路徑耦接。RF扼流器200具有高RF阻抗，以產(chǎn)生RF至接地的隔離。亞鐵鹽材料204增加滲透性，也增加電感。亞鐵鹽材料204另外提供RF源與接地之間的額外壓降。亞鐵鹽材料204可作為熱絕緣器，因而減少線圈202的熱損失。線圈202可包括鋁，并且線圈202足夠厚以預(yù)防RF電流滲入線圈內(nèi)側(cè)(即氣體流動的地方)。在一實施例中，線圈202可包括硬陽極氧化招(hard anodized aluminum)。在另一實施例中，線圈202包括不銹鋼。線圈202的內(nèi)表面可以抵抗來自遠(yuǎn)程等離子體源(RPS)的清潔氣體，例如氟及氟自由基。線圈202可具有大截面積以允許高氣導(dǎo)(gasconductance),因而允許安全的氣壓刻度窗(pressure window)以供穩(wěn)定的RPS操作。由于RF場不會滲入線圈202的內(nèi)側(cè)，則通過線圈202的氣體不會遇見RF場，且因此該氣體不會被點燃成為等離子體。換句話說，線圈202的內(nèi)側(cè)可包括無場區(qū)(field free region)。相較于進入噴氣頭的RF電流，本發(fā)明任何滲入線圈202或是不由線圈端所發(fā)散因而遇見氣體的電流十分的慢，從而不會形成等離子體。若在RF扼流器200中形成等離子體，流至RF扼流器200的RF電流量會增加，因而導(dǎo)致流至噴氣頭的RF電流減少。在一實施例中，可不設(shè)置有亞鐵鹽組件。圖3為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器300的概要剖面視圖。RF扼流器300包括氣體管302，所述氣體管302具有一或多個散熱片304，所述一或多個散熱片304由氣體管302徑向往外延伸。在一實施例中，散熱片304包括鋁。一或多個亞鐵鹽盤306可包圍氣體管302，并設(shè)置在散熱片304之間。在一實施例中，亞鐵鹽盤306可包括低損耗(Iow-Ioss)的亞鐵鹽,所述低損耗的亞鐵鹽具有稱接在一起的半環(huán)形對，以形成電磁連續(xù)環(huán)形線圈(toroid)。在另一實施例中，亞鐵鹽盤306可包括低損耗的亞鐵鹽，所述低損耗的亞鐵鹽為環(huán)形并各自完全包圍氣體管302。應(yīng)了解也可使用其它形狀的亞鐵鹽盤306。RF扼流器300的第一端308可以耦接至工藝室的氣體輸入，而RF扼流器300的第二端310可耦接至地。RF電流可沿著氣體管302的外側(cè)的RF路徑C及沿著散熱片304而移動。在一實施例中，散熱片304可以由氣體管302而徑向延伸一距離，且此距離大于亞鐵鹽盤306自氣體管302徑向延伸的距離。為了容納高RF電流，可以將氣體管302加長，并增設(shè)更多的亞鐵鹽盤306及散熱片304。在一實施例中，可增加散熱片304自氣體管302延伸的距離。在一實施例中，可以通過在氣體管302中鉆設(shè)冷卻通道來冷卻RF扼流器300。在一實施例中，可不設(shè)置有亞鐵鹽盤306。 圖4為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器400的概要剖面視圖。RF扼流器400包括氣體管402，所述氣體管402由一或多個O形環(huán)404而彼此分隔開，所述一或多個O形環(huán)404自氣體管402徑向往外延伸。在一實施例中，O形環(huán)404可包括娃橡膠。一或多個
O形環(huán)404可允許空氣圍繞亞鐵鹽盤406循環(huán)，且緩和亞鐵鹽盤406彼此摩擦產(chǎn)生的沖擊。
O形環(huán)404可使相鄰亞鐵鹽盤406相隔一預(yù)定距離。一或多個亞鐵鹽盤406也可圍繞氣體管402并設(shè)置于O形環(huán)404之間。在一實施例中，可用間隔組件來取代O形環(huán)404，而該間隔組件可以在相鄰的亞鐵鹽盤406之間產(chǎn)生一小距離。在一實施例中，相鄰的亞鐵鹽盤406之間會產(chǎn)生氣隙。在一實施例中，亞鐵鹽盤406可包括單一材料，所述單一材料圍繞氣體管402并跨越氣體管402的預(yù)定長度。在一實施例中，亞鐵鹽盤406包括低損耗的亞鐵鹽，所述低損耗的亞鐵鹽具有耦接在一起的半環(huán)形對，以形成電磁連續(xù)環(huán)形線圈。在另一實施例中，亞鐵鹽盤406可包括低損耗的亞鐵鹽，所述低損耗的亞鐵鹽為環(huán)形并各自完全包圍氣體管402。RF扼流器400的第一端408可以耦接至工藝室的氣體輸入，而RF扼流器400的第二端410可耦接至地。RF電流可沿著氣體管402的外側(cè)的RF路徑D移動。為了容納高RF電流，可以將氣體管402加長，并增設(shè)更多的亞鐵鹽盤406。在一實施例中，可以通過在氣體管402中鉆設(shè)冷卻通道來冷卻RF扼流器400。在一實施例中，可不設(shè)置有亞鐵鹽盤406。圖5為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器500的概要剖面視圖。RF扼流器500包括氣體供應(yīng)管502，而工藝氣體可流經(jīng)該氣體(供應(yīng))管502。圓柱狀部分504可圍繞氣體管502。在一實施例中，圓柱狀部分504可包括導(dǎo)電材料。在另一實施例中，圓柱狀部分504可包括金屬。圓柱狀部分504可包括第一端510及第二端512。第一端510可具有實質(zhì)封閉端，第二端512可包括實質(zhì)開啟端，且具有一或多個自第一端510延伸的延伸部514。在延伸部514之間，可設(shè)置有亞鐵鹽材料506。額外地及/或可選擇地，延伸部514之間設(shè)置有氣袋(air pocket) 508。RF電流沿著氣體管502外側(cè)(箭頭E)及沿著包括延伸部514的圓柱510的表面移動。這樣，由于增加的RF路徑長度及亞鐵鹽材料506的暴露的原因，則阻抗會增加。圖6表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的氣體供應(yīng)管600的概要剖面視圖。氣體供應(yīng)管600包括內(nèi)管602,且內(nèi)管602實質(zhì)由外管604所包圍。內(nèi)管602通過外部通道608而與外管604分隔開。冷卻流體可移動穿過外部通道608，如箭頭G所示。為了使冷卻流體更加呈非線性路徑，因此增加在外部通道的停留時間，冷卻流體可遇到數(shù)個擾動件606以改變自身的流動路徑。在一實施例中，擾動件606可以為金屬線,所述金屬線旋繞于內(nèi)管602周圍。在另一實施例中，擾動件606可包括一或多個凸緣,所述一或多個凸緣延伸于內(nèi)管602及外管604之間。工藝氣體可沿著內(nèi)管602中的內(nèi)部通道610而流動，如箭頭F所示。圖7A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的耦接至等離子體工藝室的RF扼流器的概要剖面視圖。圖7B為圖7A的電路圖式。工藝氣體經(jīng)過RF扼流器706及背板702而進入系統(tǒng)700。RF功率由RF功率源704所供應(yīng)。在氣體入口處(S卩，RF扼流器706的接地側(cè))的RF電壓為零。RF扼流器706與負(fù)載并聯(lián)。RF扼流器706設(shè)計為具有高RF阻抗，并可以為電感式(inductive)或電容式(capacitive)。在包括或不包括外部及/或雜散電容(straycapacitance)的協(xié)助的情況下，RF扼流器706可以在共振下操作或在接近共振下操作。就等效電路(equivalent electrical circuit)而論，Pi網(wǎng)絡(luò)708可包括負(fù)載電容器CL、調(diào)諧電容器Ct及RF扼流器的阻抗ZFT。負(fù)載阻抗\可包括RF扼流器的阻抗Zft以及腔室的阻抗Zch。圖8A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的耦接至等離子體工藝室的RF扼流器的概要剖面視圖。圖8B為圖8A的電路圖式。工藝氣體經(jīng)過RF扼流器806及背板802而進入系統(tǒng)800。RF功率由RF功率源804所供應(yīng)。在氣體入口處(S卩，RF扼流器806的接地側(cè))的RF電壓為零。RF扼流器806與負(fù)載并聯(lián)。RF扼流器806設(shè)計為電容式，其中包括或不包括外部電容負(fù)載Q，、Cp所述外部電容負(fù)載Q，、Q在反向L型匹配網(wǎng)絡(luò)808中形成負(fù)載電容器Cl。就等效電路而論，反向L型匹配網(wǎng)絡(luò)808可包括負(fù)載電容器Cl、調(diào)諧電容器Ct及RF扼 流器的阻抗ZFT。負(fù)載電容器Q可包括RF扼流器的阻抗Zft以及外部電容負(fù)載Q，。RF扼流器806可認(rèn)為是在反向L型匹配網(wǎng)絡(luò)808中的負(fù)載電容器的一部分。圖9A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的耦接至等離子體工藝室的RF扼流器的概要剖面視圖。圖9B為圖9A的電路圖式。工藝氣體經(jīng)過RF扼流器906及背板902而進入系統(tǒng)900。RF功率由RF功率源904所供應(yīng)。RF扼流器906可視為L型或Pi匹配網(wǎng)絡(luò)908中的調(diào)諧電容器Ct的一部分。RF扼流器906與負(fù)載串聯(lián)。RF扼流器906設(shè)計為電容式，其中包括或不包括外部調(diào)諧電容器Ct，，所述外部調(diào)諧電容器CT，形成L型匹配網(wǎng)絡(luò)中的調(diào)諧電容器。就等效電路而論，L型匹配網(wǎng)絡(luò)可包括負(fù)載電容器Q及調(diào)諧電容器CT。調(diào)諧電容器Ct可包括RF扼流器的阻抗Zft以及外部調(diào)諧電容器C/。圖IOA為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的耦接至等離子體工藝室的RF扼流器的概要剖面視圖。圖IOB為圖IOA的電路圖式。工藝氣體經(jīng)過RF扼流器1006及背板1002而進入系統(tǒng)1000。RF功率由RF功率源1004所供應(yīng)。在氣體入口處(S卩，RF扼流器1006的接地側(cè))的RF電壓為零。兩個RF扼流器1006或是一個RF扼流器1006的兩段放在一起，以成為L型或Pi型匹配網(wǎng)絡(luò)1008中的負(fù)載及調(diào)諧組件。RF扼流器1006設(shè)計為電容式，其中包括或不包括外部負(fù)載及調(diào)諧電容器Q，及CT，。就等效電路而論，網(wǎng)絡(luò)可包括負(fù)載電容器Q及調(diào)諧電容器CT。負(fù)載電容器Q可包括外部負(fù)載電容器Q，以及第一 RF扼流器的阻抗ZFT1。調(diào)諧電容器可包括第二 RF扼流器的阻抗Zft2以及外部調(diào)諧電容器Ct，。圖IlA為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的RF扼流器1100的概要視圖。圖IlB為圖IlA的RF扼流器1100沿著H-H的剖面線所得的概要剖面視圖。如圖IlA及IlB所示，亞鐵鹽組件1104沿著氣體管1102而縱長地延伸。一或多個亞鐵鹽組件1104可設(shè)置并基本覆蓋在氣體管1102的外表面上。通過在氣體源及工藝室之間設(shè)置扼流器，則可減少寄生等離子體。RF扼流器可包括氣體管，且氣體管的壁厚度大于RF電流的最大期望滲透厚度。另外，RF扼流器可具有足夠長的RF路徑，以使得RF扼流器的阻抗基本等于負(fù)載至噴氣頭的阻抗。本發(fā)明雖以較佳實施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)所作的更動與潤飾，仍應(yīng)屬本發(fā)明的技術(shù)范疇。
權(quán)利要求
1.一種RF扼流器組件，包括 氣體供應(yīng)管，所述氣體供應(yīng)管包括金屬；以及 多個亞鐵鹽組件，所述多個亞鐵鹽組件直接耦接至所述氣體供應(yīng)管，并且至少部分地圍繞所述氣體供應(yīng)管，其中所述多個亞鐵鹽組件跨越所述氣體供應(yīng)管的預(yù)定長度。
2.如權(quán)利要求I所述的RF扼流器組件，其中一或多個亞鐵鹽組件包括多個亞鐵鹽盤。
3.如權(quán)利要求2所述的RF扼流器，其中相鄰的亞鐵鹽盤由一或多個O形環(huán)而分隔開。
4.如權(quán)利要求3所述的RF扼流器，其中所述氣體供應(yīng)管包括鋁。
5.如權(quán)利要求I所述的RF扼流器，其中相鄰的亞鐵鹽組件由一或多個O形環(huán)而分隔開。
6.如權(quán)利要求5所述的RF扼流器，其中所述氣體供應(yīng)管包括鋁。
7.如權(quán)利要求I所述的RF扼流器，其中所述氣體供應(yīng)管包括鋁。
8.一種等離子體工藝設(shè)備，包括 RF功率源； 氣體源；以及 RF扼流器組件，所述RF扼流器組件耦接于所述RF功率源與所述氣體源之間，所述組件包括 氣體供應(yīng)管，所述氣體供應(yīng)管包括金屬、第一端和第二端，所述第一 端與所述氣體源耦接，所述第二端與所述RF功率源耦接；以及 多個亞鐵鹽組件，所述多個亞鐵鹽組件直接耦接至所述氣體供應(yīng)管， 并且至少部分地圍繞所述氣體供應(yīng)管，其中所述多個亞鐵鹽組件跨越所述 氣體供應(yīng)管的預(yù)定長度。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述氣體供應(yīng)管的所述第二端接地。
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中一或多個亞鐵鹽組件包括多個亞鐵鹽盤。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中相鄰的亞鐵鹽盤由一或多個O形環(huán)而分隔開。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述氣體供應(yīng)管包括鋁。
13.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中相鄰的亞鐵鹽組件由一或多個O形環(huán)而分隔開。
14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述氣體供應(yīng)管包括鋁。
15.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述氣體供應(yīng)管包括鋁。
16.—種氣體輸送方法,包括 使氣體流經(jīng)金屬管的內(nèi)側(cè)而至工藝室，所述金屬管包括第一端和第二端，所述第一端耦接至氣體源及耦接至地，所述第二端耦接至RF功率源；以及 當(dāng)所述氣體流經(jīng)所述金屬管時，使RF電流沿著所述金屬管的外側(cè)流動，由此，在所述金屬管內(nèi)側(cè)流動的所述氣體不會暴露于RF電流，其中所述金屬管具有多個亞鐵鹽組件，所述多個亞鐵鹽組件直接耦接至所述金屬管，并且至少部分地圍繞所述金屬管，其中所述多個亞鐵鹽組件跨越所述金屬管的預(yù)定長度。
全文摘要
在大面積等離子體工藝系統(tǒng)中，工藝氣體經(jīng)由噴氣頭組件而導(dǎo)入腔室中，而噴氣頭組件可作為RF電極驅(qū)動。接地的氣體供應(yīng)管與噴氣頭為電性隔離。氣體供應(yīng)管不但提供工藝氣體，還提供來自遠(yuǎn)程等離子體源的清潔氣體至工藝室。氣體供應(yīng)管的內(nèi)側(cè)可以維持在低RF場或是零RF場，以避免早期氣體在氣體供應(yīng)管中分解，而早期氣體在氣體供應(yīng)管中分解可能導(dǎo)致在氣體源及噴氣頭之間形成寄生等離子體。將氣體供應(yīng)通過RF扼流器，則RF場及工藝氣體可經(jīng)過共同位置而導(dǎo)入工藝室中，并因而簡化腔室設(shè)計。
文檔編號H01J37/32GK102737949SQ20121020626
公開日2012年10月17日 申請日期2008年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月20日
發(fā)明者喬瑟夫·庫德拉, 卡爾·A·索倫森, 約翰·M·懷特 申請人:應(yīng)用材料公司