專利名稱：一種等離子反應(yīng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種靜電吸盤，特別涉及一種設(shè)有埋入射頻電極的靜電吸盤。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工藝件的邊緣效應(yīng)是困擾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個問題。所謂半導(dǎo)體工藝件的邊緣效應(yīng)是指在等離子體處理過程中，由于等離子體受電場控制，而上下兩極邊緣處的場強會受外界影響，總有一部分電場線彎曲，而導(dǎo)致電場邊緣部分場強不均，進(jìn)而導(dǎo)致該部分的等離子體濃度不均勻。在該種情況下，生產(chǎn)出的半導(dǎo)體工藝件周圍也存在一圈處理不均勻的區(qū)域。由于半導(dǎo)體工藝件是圓形的，因此愈外圈面積愈大，邊緣部分的各個工藝環(huán)節(jié)的均一性不佳將導(dǎo)致成品率顯著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半導(dǎo)體工藝件邊緣效·應(yīng)帶來的損失更為巨大。因此，業(yè)內(nèi)需要能夠簡單有效地改善邊緣效應(yīng)，提高制程均一性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種設(shè)有埋入射頻電極的靜電吸盤，能夠補償靜電吸盤邊緣的蝕刻/沉積率，從而保證靜電吸盤的有效性。為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的
一種等離子反應(yīng)器，包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)有一個安裝基臺，安裝基臺內(nèi)包括一個電極與第一射頻發(fā)生器相連接，所述電極上方固定有一個靜電吸盤以放置待處理基片，所述靜電吸盤包含
埋入電極，所述的埋入電極設(shè)置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，該電線從靜電吸盤下方的電極中穿過。還包含設(shè)置在靜電吸盤中心的中心電極，所述的中心電極通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，該電線從靜電吸盤下方的底座中穿過。所述的埋入電極與中心電極連接到相同的射頻發(fā)生器。還包含功率分配器，所述的功率分配器設(shè)置在第二射頻發(fā)生器與埋入電極和/或中心電極之間,調(diào)節(jié)進(jìn)入埋入電極與中心電極中的射頻電流。所述的射頻電流的頻率大于13MHz。 所述的射頻電流的頻率大于40MHz。所述的中心電極為平板電極。還包含絕緣件，所述的絕緣件設(shè)置在靜電吸盤下方的電極中，將從該電極中穿過的電線與電極電氣隔離。所述的靜電吸盤中還包括一個直流電極位于所述埋入電極上方。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點
能夠補償靜電吸盤邊緣的蝕刻/沉積率，從而保證靜電吸盤的有效性。


圖I為本發(fā)明一種設(shè)有埋入射頻電極的靜電吸盤的實施例之一的結(jié)構(gòu)示意 圖2為本發(fā)明一種設(shè)有埋入射頻電極的靜電吸盤的實施例之二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖，通過詳細(xì)說明一個較佳的具體實施例，對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。一種等離子反應(yīng)器，包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)有一個安裝基臺，安裝基臺內(nèi)包括一個電極與第一射頻發(fā)生器相連接，所述電極上方固定有一個靜電吸盤以放置待處理基片，所述靜電吸盤包含埋入電極，該埋入電極設(shè)置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，該電線從靜電吸盤下方的電極中穿過。·實施例之一
如圖I所示，埋入電極I設(shè)置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，該電線從靜電吸盤下方的底座中的下電極穿過，用來向靜電吸盤埋入電極I中引入射頻電流，射頻電流的頻率為高頻，頻率大于13MHZ，在本實施例中，射頻電流的頻率大于40MHzο由于靜電吸盤中射頻電極的添加，使得原來底座中下電極產(chǎn)生的等離子濃度不均，典型的如中間濃度高于邊緣部分的問題得到改進(jìn)。通過對流入靜電吸盤中射頻電極I功率的控制可以調(diào)節(jié)因埋入電極而產(chǎn)生的補償?shù)入x子濃度。最終調(diào)節(jié)獲得一個最佳的補償?shù)入x子濃度，使得底座中的下電極與靜電吸盤中的埋入電極產(chǎn)生的射頻電場疊加產(chǎn)生一個均一的等離子濃度分布?？杀ＷC靜電吸盤的邊緣的蝕刻/沉積率上升，補償靜電吸盤邊緣的蝕亥IJ/沉積率。如圖I所示，該靜電吸盤還包含絕緣件2，該絕緣件2設(shè)置在靜電吸盤下方的底座中的電極中，用來將電線與靜電吸盤下方的底座電氣隔離。靜電吸盤中還包括一直流電極，如圖中虛線部分所示直流電極位于埋入射頻電極I的上方。埋入電極與外部高壓直流電源(如700V)相連接，以提供對待處理基片的靜電吸力。實施例之二
如圖2所示，在實施例之一的基礎(chǔ)上，靜電吸盤的中心還設(shè)有中心電極3，在本實施例中，中心電極3為平板電極，其通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，電線從靜電吸盤下方的底座中穿過，用來向中心電極3引入射頻電流。在本實施例中，埋入電極I與中心電極3連接到同一個射頻發(fā)生器，該射頻發(fā)生器所發(fā)出的射頻電流的頻率大于40MHz。如圖2所示，在本實施例中，射頻發(fā)生器與埋入電極I和/或中心電極3之間還設(shè)有功率分配器4，功率分配器4可選用可調(diào)電容，也可選用可調(diào)電感，負(fù)責(zé)調(diào)節(jié)分配進(jìn)入埋入電極I與中心電極3中的射頻電流，以使得靜電吸盤的中心和邊緣的蝕刻/沉積率相同，從而保證靜電吸盤的有效性。綜上所述，本發(fā)明一種設(shè)有埋入射頻電極的靜電吸盤，能夠補償靜電吸盤邊緣的蝕刻/沉積率，從而保證靜電吸盤的有效性。盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的 多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種等離子反應(yīng)器，包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)有一個安裝基臺，安裝基臺內(nèi)包括一個電極與第一射頻發(fā)生器相連接，所述電極上方固定有一個靜電吸盤以放置待處理基片，其特征在于所述靜電吸盤，包含 埋入電極(1)，所述的埋入電極(I)設(shè)置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，該電線從靜電吸盤下方的電極中穿過。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，還包含設(shè)置在靜電吸盤中心的中心電極(3)，所述的中心電極(3)通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，該電線從靜電吸盤下方的底座中穿過。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，所述的埋入電極(I)與中心電極(3)連接到相同的射頻發(fā)生器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，還包含功率分配器(4)，所述的功率分配器(4)設(shè)置在第二射頻發(fā)生器與埋入電極(I)和/或中心電極(3)之間，調(diào)節(jié)進(jìn)入埋入電極(I)與中心電極(3 )中的射頻電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，所述的射頻電流的頻率大于13MHz。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，所述的射頻電流的頻率大于40MHz。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，所述的中心電極(3)為平板電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，還包含絕緣件(2)，所述的絕緣件(2)設(shè)置在靜電吸盤下方的電極中，將從該電極中穿過的電線與電極電氣隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子反應(yīng)器，其特征在于，所述的靜電吸盤中還包括一個直流電極位于所述埋入電極上方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子反應(yīng)器，包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)有一個安裝基臺，安裝基臺內(nèi)包括一個電極與第一射頻發(fā)生器相連接，所述電極上方固定有一個靜電吸盤以放置待處理基片，所述靜電吸盤包含埋入電極，所述的埋入電極設(shè)置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發(fā)生器相連，該電線從靜電吸盤下方的電極中穿過。本發(fā)明能夠補償靜電吸盤邊緣的蝕刻/沉積率，從而保證靜電吸盤的有效性。
文檔編號H01J37/20GK102789949SQ20121002229
公開日2012年11月21日 申請日期2012年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月1日
發(fā)明者倪圖強, 尹志堯, 松尾裕史, 歐陽亮, 陶錚 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司