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一種等離子反應(yīng)器的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2944728

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本發(fā)明涉及一種靜電吸盤,特別涉及一種設(shè)有埋入射頻電極的靜電吸盤。背景技術(shù)半導(dǎo)體工藝件的邊緣效應(yīng)是困擾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)問(wèn)題。所謂半導(dǎo)體工藝件的邊緣效應(yīng)是指在等離子體處理過(guò)程中,由于等離子體受電場(chǎng)控制,而上下兩極邊緣處的場(chǎng)強(qiáng)會(huì)受外界影響,總有一部分電場(chǎng)線彎曲,而導(dǎo)致電場(chǎng)邊緣部分場(chǎng)強(qiáng)不均,進(jìn)而導(dǎo)致該部分的等離子體濃度不均勻。在該種情況下,生產(chǎn)出的半導(dǎo)體工藝件周圍也存在一圈處理不均勻的區(qū)域。由于半導(dǎo)體工藝件是圓形的,因此愈外圈面積愈大,邊緣部分的各個(gè)工藝環(huán)節(jié)的均一...
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