專利名稱：在工件的離子植入期間處理束流異常的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及工件的離子植入，且尤其涉及使用離子植入來形成太陽能電池。
背景技術(shù)：
離子植入為一種用以將改變導(dǎo)電率的雜質(zhì)(conductivity-alteringimpurities) 引入工件中的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。在離子源中離子化所需的雜質(zhì)材料，使這些離子加速以形成具規(guī)定能量的離子束，且將這些離子束導(dǎo)向工件的表面。離子束中的高能離子穿入工件材料的主體中，并嵌入至工件材料的晶格(crystalline lattice)中，以形成一具有所需導(dǎo)電率的區(qū)域。
太陽能電池為使用硅工件的裝置的一實例。任何對于高效能太陽能電池制造或生產(chǎn)的成本減少、或是任何對高效能太陽能電池的效率改良，對于太陽能電池的制作會有全球性的正面影響。這將使?jié)崈裟茉醇夹g(shù)(clean energy technology)能有更廣的可用性 (availability)。
有許多不同的太陽能電池架構(gòu)。兩種特殊的設(shè)計為選擇性射極(selective emitter, SE)以及指叉背接觸(interdigitated backside contact, IBC)。SE 太陽能電池具有遍及(across)淺摻雜表面的高劑量區(qū)，而能使淺摻雜區(qū)中能有更佳的電流產(chǎn)生(current generation),同時使高劑量區(qū)中能有用于電流收集的低電阻接觸 (low-resistance contact)。IBC太陽能電池具有遍及不被陽光照射的表面的交替的p型及η型區(qū)。SE及IBC太陽能電池均可被植入以摻雜各種η型或P型區(qū)。
在植入期間可能出現(xiàn)“異?！?glitches)。異常為當(dāng)束流品質(zhì)在植入操作中途突然降低，可能使得工件不能使用。此種異?？赡茉谘刂髀窂降母鞣N位置處出現(xiàn)。離子植入器一般沿著束流路徑而使用多個電極，這些電極使束流加速、使束流減速，或者抑制在操作期間所產(chǎn)生的亂真電子流(spurious streams of electrons)。一般而言,異常出現(xiàn)在加速間隙(acceleration gap)、減速間隙(deceleration gap)或抑制間隙(suppression gap),然而異常亦可于別處出現(xiàn)。這些異?？梢杂蓙碜噪姌O的電力供應(yīng)單元(power supply unit)其中之一的電流的急劇改變而被檢測。這造成傳送至工件表面的離子劑量的改變。 由于有對于被植入的工件的效能造成可能影響的威脅，異常的代價可能相當(dāng)高。因此，通常采取措施以將此種異常的出現(xiàn)最小化，并且若有可能，由異常中恢復(fù)。
當(dāng)檢測到異常時，一種解決方案為立即將離子束電流減少至零，藉此終止在工件上于定義位置(defined location)的植入。一旦異常情況被排除，以理想地相同的束流特征(其為在異常被檢測到時所存在的束流特征)精確地在該工件上的相同位置而理想地重新開始植入。目標(biāo)為達(dá)到均勻的摻雜輪廓，而這可藉由控制束流電流、工件掃描速度或工件暴露時間(exposure time)來達(dá)成。以此種方式修復(fù)由異常所造成的劑量損失(dose loss) 可能耗費超過30秒，對于某些工件制造工業(yè)(例如太陽能電池工業(yè))的產(chǎn)能需求而言可能太過耗時。因此，在此技術(shù)領(lǐng)域中，對于例如太陽能電池的工件植入的異?；謴?fù)需要改良的方法。發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種離子植入的方法。此方法包括在第一動作 (pass)期間以第一速度植入第一工件。第一動作在第一工件中造成不均勻劑量區(qū)。在第二動作期間以第二速度植入第一工件。第二速度與第一速度不同。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種制造工件的方法。此方法包括植入工件。此植入在工件中造成不均勻劑量區(qū)。施加金屬接點(metalcontact)至工件,且正交于不均勻劑量區(qū)而施加所述金屬接點。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種離子植入的方法。此方法包括植入至少一工件、 檢測由植入所造成在工件中的不均勻劑量區(qū)、進(jìn)行額外植入(additional implantation) 至工件中，藉此工件整體在額外植入后比在前述植入后具有較大的劑量。


為更佳理解本揭示內(nèi)容，參照附圖，其以引用方式并入于此，其中
圖I為束線離子植入器的簡化方塊圖2為比較劑量對工件y_位置的圖3為在第一實施例中比較掃描速度對平臺位置的圖4為對應(yīng)圖3的實施例所顯示的劑量對平臺位置的圖5為在第二實施例中比較掃描速度對平臺位置的圖6為對應(yīng)圖5的實施例所顯示的劑量對平臺位置的圖7為在第三實施例中比較掃描速度對平臺位置的圖8為對應(yīng)圖7的實施例所顯示的劑量對平臺位置的圖9A 圖9B為旋轉(zhuǎn)工件以減少異常影響的上視圖；以及
圖10為在平臺上工件的布置(arrangement)的前視圖的一實施例。
具體實施方式
于此說明關(guān)于一種離子植入器的本方法的實施例。可使用束線離子植入器(beam line ion implanter)、電衆(zhòng)慘雜離子植入器(plasma dopingion implanter)或泛射式離子植入器(flood ion implanter)?？墒褂萌魏桅切突騪型摻質(zhì),但于此的實施例并不僅限于摻質(zhì)。此外，可將本制程的實施例實施于許多太陽能電池架構(gòu)，或甚至如半導(dǎo)體晶圓、發(fā)光二極體(light-emitting diodes,LEDs)或平板(flat panel)的其他工件。而將各種動作或速度歸類為“第一”或“第二”，是為了簡明而使用此種命名。當(dāng)異常出現(xiàn)時，“第一”動作實際上可為例如在工件植入期間的第四全部動作。因此，本發(fā)明并不限于下述這些特定的實施例。
圖I為束線離子植入器的簡化方塊圖。所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員將理解束線離子植入器500僅是不同束線離子植入器的許多實例中的一個。一般而言，束線離子植入器500包括產(chǎn)生離子的離子源501，所述離子經(jīng)萃取以形成離子束502，離子束502可為例如帶狀束(ribbonbeam)或點狀束(spot beam)。圖I的離子束502可對應(yīng)于此揭示的實施例中的植入所使用的離子。
在一例中，可對離子束502進(jìn)行質(zhì)量分析，并將所述離子束從分散的離子束轉(zhuǎn)換為帶狀離子束，所述帶狀離子束具有實質(zhì)上平行的離子軌道(ion trajectory) 0在另一例中，于植入前可不對離子束502進(jìn)行質(zhì)量分析。在一些實施例中，束線離子植入器500可還包括加速或減速單元503。
終端站(end station) 504于離子束502的路徑中支撐一或多個工件(例如工件 506)，使得所需種類的離子被植入工件506中。終端站504可包括工件夾具(例如平臺505) 以支撐工件506。工件夾具亦可為例如輸送帶(conveyor belt)的其他機(jī)構(gòu)。此特殊的終端站504亦可包括掃描器(未顯不)，以用于垂直于離子束502剖面的縱向(long dimension) 而移動工件506，藉此分布離子至工件506的整個表面上。
束線離子植入器500可包括所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知的額外組件， 例如自動化工件搬運設(shè)備(automated workpiece handlingequipment)、法拉第感應(yīng)器 (Faraday sensors)、或是電子流槍(electronf Iood gun)。所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員將理解，在離子植入期間，離子束所橫跨的整個路徑為真空(evacuated)。在一些實施例中， 束線離子植入器500可并有離子的熱植入 或冷植入。
在例如束線離子植入器500的離子植入器中可能出現(xiàn)異常。若此異常夠短且在工件上的動作數(shù)目夠大，由于對工件可能不會造成影響，故可忽視異常。然而，在某些時候異常夠大或是異?；謴?fù)時間可能夠長以致于因造成顯著的劑量損失而無法忽視異常，且若工件為一太陽能電池，此太陽能電池效率可能受到影響。若出現(xiàn)此種伴隨顯著劑量損失的異常，則可修復(fù)由此異常所造成的損害以避免產(chǎn)量損失。
圖2為比較劑量對工件y位置的圖。此顯示工件(在此例中為太陽能電池)于劑量均勻度(dose uniformity)上的單一異常。此實例是基于具有八次掃描或動作的植入。 于一例中，總劑量可在大約lE15cm_2與lE16cm_2之間。于各種異常持續(xù)期間顯示線掃描。 對于劑量的影響以局部劑量損失與整個工件劑量不均勻度記述。如同所見，50毫秒(ms)的異常對劑量的影響大于IOms的異常對劑量的影響。
已經(jīng)實驗確認(rèn)SE太陽能電池的場區(qū)(field region)對于絕對劑量并不如半導(dǎo)體晶圓靈敏。相對于半導(dǎo)體晶圓，其它太陽能電池架構(gòu)或工件可具有類似的靈敏度。因此，半導(dǎo)體晶圓可能需要近乎完美的(near-perfect)劑量修復(fù)，然而太陽能電池或其他工件可能需要遠(yuǎn)不及精確(far less precise)的修復(fù)。短路電流密度(short circuit current density) Jsc以及開路電壓(open circuit voltage) V。。并不隨劑量而快速改變。對于在劑量上具有±15%改變的植入，Jsc或V。?？赡艽笾聸]有出現(xiàn)改變。
此外，用于接觸或添加金屬接點至太陽能電池所需的劑量可能僅需要某程度的劑量以適當(dāng)?shù)剡\作。劑量上的增加可能對于形成改良的金屬接點有利。填充系數(shù)(Fill factor) FF以及串聯(lián)電阻(series resistance) Rseries可作為接觸品質(zhì)的代理(proxy)。已顯示隨劑量增加，F(xiàn)F增加且Rswies減少。
可以多重的方式進(jìn)行異常檢測。舉例而言，法拉第杯(faraday cup)或其他檢測裝置可于植入器中監(jiān)測束流電流。在另一實例中，監(jiān)測電力供應(yīng)單元。其中一個電力供應(yīng)單元的電流下降可能表示已出現(xiàn)或正出現(xiàn)異常。其它對于植入器中束流電流的測量亦可檢測異常?？刂破骺蔀殡娔X或其他處理器(processor)，其可接收訊號及補(bǔ)償任何所檢測到的異常?？刂破骺纱_認(rèn)工件或工件上的何處出現(xiàn)異常，并使用此資訊來補(bǔ)償該異常。
異常可能具有不同的持續(xù)時間。一些異?？赡艽笥?0ms，然而其他時間長度當(dāng)然亦有可能。在一例中，使用帶狀束，而異常為遍及工件整個表面的線。在另一例中使用點狀束，異?？蔀樵诠ぜ砻嫔系狞c。假定在這些實施例中是于植入期間以多重的動作或掃描而在平臺上以2X3的布置來配置太陽能電池或其他工件。此種布置顯示于圖10中?？偣擦鶄€工件506配置在平臺505上。這些工件506以第一工件對103、第二工件對104及第三工件對105而配置，其于水平方向參照工件506。工件506于方向507上掃描。當(dāng)然，其他組態(tài)(configuration)或植入方法亦為可能的。舉例而言，可植入單一工件、兩個工件、 以1X3布置的三個工件或者以2X2布置的四個工件。全都可受益于在此揭示的實施例。 雖特別提及掃描工件，但亦可進(jìn)行掃描離子束或掃描離子束與工件的組合。若異常出現(xiàn)在工件的全面性離子布植(blanket implant)期間或工件整個表面上的均勻植入(uniform implant)期間，則至少有五種反應(yīng)。
在異常后的動作與先前的動作相比可刻意地放慢，以使于2X3組態(tài)中的全部六個工件過劑量(over-dose)。圖3為在第一實施例中比較掃描速度對平臺位置的圖。x軸位置包括三個以2X3配置的工件，其分為第一工件對103 、第二工件對104以及第三工件對105。在第一植入動作100期間，異常以第一速度出現(xiàn)在第一工件對103的位置102。因此，僅第一工件對103受到異常的影響，且在此第一工件對103中出現(xiàn)不均勻劑量區(qū)。進(jìn)行或添加第二植入動作101以增加每個工件上的劑量。第二植入動作101以第二速度出現(xiàn)， 且第二速度與第一植入動作100的第一速度相較為放慢的。因此，大部份或全部的工件將為過劑量的，且位置102將具有若未高于則至少等于所需值的植入劑量。
圖4為對應(yīng)圖3的實施例所顯示劑量對平臺位置的圖。于圖4中，顯示第一工件對103、第二工件對104以及第三工件對105并對應(yīng)至圖3。異常出現(xiàn)的位置102亦對應(yīng)至圖3。顯示所需劑量水平600 (以水平虛線表示)。由于由圖3的第二植入動作與第一植入動作相較為放慢的，故對全部工件而言，實際劑量水平601大于所需劑量水平600。即使在異常出現(xiàn)的位置102附近的區(qū)域亦具有比所需劑量水平600較高的劑量。
在異常后的動作可為了受異常影響的工件列或?qū)Χ怕钥桃獾厥乖撔┕ぜ^劑量。圖5為在第二實施例中比較掃描速度對平臺位置的圖。如同圖3的實施例，圖5中異常于第一植入動作100期間以第一速度出現(xiàn)在第一工件對103的位置102。因此,僅第一工件對103受到異常的影響，且在此第一工件對103中出現(xiàn)不均勻劑量區(qū)。進(jìn)行或添加第二植入動作200。對于受異常影響的第一工件對103，第二植入動作200為在比第一速度慢的第二速度，而對于不受異常影響的其他工件則是在較第二速度快的第三速度。在一例中， 在第二植入動作200期間的第三速度可能快于、慢于或大約等于第一植入動作100的第一速度。為簡明起見，圖5僅顯示第一植入動作100的速度不同于第二植入動作200的速度。 這將主要增加受異常影響的工件上的劑量，且就圖3的實施例而言可增加產(chǎn)能。
圖6為對應(yīng)圖5的實施例所顯不劑量對平臺位置的圖。于圖6中，顯不第一工件對103、第二工件對104以及第三工件對105并對應(yīng)至圖5。出現(xiàn)異常的位置102亦對應(yīng)至圖5。顯示所需劑量水平600。因為圖5的第二植入動作與第一工件對103的第一植入動作相比為放慢的，故對于第一工件對103，實際劑量水平601大于所需劑量水平。對于第二工件對104與第三工件對105，實際劑量水平601可大約與所需劑量水平600相同。
在異常后的動作可僅在異常出現(xiàn)的工件的特定區(qū)塊上放慢，以于工件上再填充(refill)損失的劑量。此作法對于不受異常影響的任何工件上的影響可減到最小。圖7為在第三實施例中比較掃描速度對平臺位置的圖。如同圖3與圖5的實施例，在圖7中異常于第一植入動作100期間以第一速度出現(xiàn)在第一工件對103的位置102。因此，僅第一工件對103受到異常的影響，且在此第一工件對103中出現(xiàn)不均勻劑量區(qū)。進(jìn)行或添加第二植入動作300。第二植入動作300僅在位置102的異常附近的區(qū)域放慢。因此，在位置102的異常附近的區(qū)域，出現(xiàn)較第一速度慢的第二速度。對于工件剩余的區(qū)塊，第二植入動作300 以第三速度出現(xiàn)，第三速度比第二速度快。在一例中，第二植入動作300的第三速度可為在慢于、快于或大約等于第一植入動作100的第一速度的速度。為簡明起見，圖7僅顯示第一植入動作100的速度不同于第二植入動作300的速度。這僅會增加受異常影響的區(qū)塊上的劑量，且與圖3及圖5的實施例相比可減少產(chǎn)能損失。
圖8為對應(yīng)圖7的實施例所顯示的劑量對平臺位置的圖。于圖8中，顯示第一工件對103、第二工件對104以及第三工件對105，并對應(yīng)至圖7。異常出現(xiàn)的位置102亦對應(yīng)至圖7。顯示所需劑量水平600。因為圖7的第二植入動作與在異常位置102附近的區(qū)域的第一植入動作相比為放慢的，故對于異常位置102附近的區(qū)域，實際劑量水平601大于所需劑量水平600。對于剩余的第一工件對103以及所有的第二工件對104與第三工件對 105，實際劑量水平601可大約與所需劑量水平600相同。
雖然已于圖3、圖5及圖7中揭示放慢第二植入動作，這些第二植入動作于速度上亦可快于或等于第一植入動作。在這樣的例子中，可能需要較高的產(chǎn)能或僅需要小量的額外劑量以補(bǔ)償異常。舉例而言，對于小的異常，第二植入動作可比第一植入動作快來進(jìn)行補(bǔ)償。在此實例中，來自第一植入動作與第二植入動作的聯(lián)合劑量(combined dose)大約等于或大于所需劑量水平。
亦可添加一或多個額外動作以使所有工件過劑量?？梢耘c標(biāo)準(zhǔn)植入動作相同的速度或不同的速度進(jìn)行額外一個動作或多個動作。舉例而言，額外動作可在比最初植入動作快的速度。當(dāng)可添加一個額外動作，可添加兩個或兩個以上的額外動作。在一特定例中，添加奇數(shù)個動作，而回復(fù)動作為「消隱的」(blanked)，以致于無束流植入工件。舉例而言，在遮沒(blanking)期間可抑制電弧(arc)，導(dǎo)引離子束遠(yuǎn)離工件，可阻擋束流，或旋轉(zhuǎn)平臺以遮蔽工件免于束流。為了工件搬運的目的，較簡單為可添加偶數(shù)個動作。舉例而言，以比最初植入動作快的速度添加兩個動作。在一例中，此可與圖3、圖5或圖7的實施例結(jié)合，或可為一種與圖3、圖5或圖7的實施例區(qū)別的補(bǔ)償異常的方法。
雖然圖3、圖5以及圖7的實施例顯示在第一工件對103中位置102上的單一異常，亦可能出現(xiàn)多重異常。這些多重異?？沙霈F(xiàn)在相同工件或工件對上。這些多重異常亦可能出現(xiàn)在多重工件或不同工件對上。假若出現(xiàn)多重異常，可實施圖3、圖5以及圖7的實施例。舉例而言，對于多重工件動作或出現(xiàn)異常的多重位置附近可放慢植入動作。
受異常影響的工件亦可在印制金屬接點至其表面之前旋轉(zhuǎn)90°。這將允許金屬線與缺漏劑量區(qū)域(missing dose region)為正交的。這將優(yōu)于使少量金屬線缺漏正確摻雜區(qū)域的替代方案。圖9A 圖9B為旋轉(zhuǎn)工件以減少異常影響的上視圖。如圖9A中所顯示， 工件400包括由于在植入期間出現(xiàn)的異常而帶有不同劑量的區(qū)域401。于圖9B中，工件400 已旋轉(zhuǎn)90°。金屬線402配置在垂直于區(qū)域401的工件400上，以減少在區(qū)域401中較低劑量的負(fù)面影響。當(dāng)然，金屬線402的圖案亦可略過區(qū)域401而與區(qū)域401平行，但這會限制或減少由工件400所收集的能量。于一例中，工件搬運系統(tǒng)可在產(chǎn)生金屬線402的金屬化(metallization)步驟前旋轉(zhuǎn)工件400。在一特殊實施例中，具有區(qū)域401的工件400或其他具有區(qū)域401的工件在金屬化步驟前旋轉(zhuǎn)，但其他工件不于金屬化前旋轉(zhuǎn)。在另一特殊實施例中，包含工件400的所有工件于金屬化之前旋轉(zhuǎn)。
關(guān)于選擇性植入的異?？赡芨鼮閺?fù)雜。選擇性植入僅植入工件的一部分。舉例而言，在選擇性植入期間可植入一系列的較高劑量線(doselines)。可使用光阻、氧化物、模板遮罩(stencil mask)或屏蔽遮罩(shadowmask)使選擇性植入成為可能。假若異常出現(xiàn)于選擇性植入期間，除了其中工件在印制金屬接點之前旋轉(zhuǎn)90°的圖9的實施例以外，可使用任何列舉用于全面性離子植入的實施例。然后，金屬接點將與任何重?fù)诫s區(qū)域失對準(zhǔn) (misaligned)或不對準(zhǔn)(not aligned)。對于圖3、圖5或圖7的實施例,或額外動作的使用而言，在包含不同速度的植入或在額外動作期間，遮罩可留在原位。這會對全部或一些選擇性植入造成額外劑量。
將掃描速度放慢最少量的時間對于要求高產(chǎn)能的太陽能電池或其他工件所需要的產(chǎn)能具有最少的影響。無論如何，所有的解決方案改善了太陽能電池植入的產(chǎn)量。為了使用于此的實施例，植入器可使用測量系統(tǒng)來監(jiān)測可能的異常，以及可使用連接至用于離子束或平臺的掃描系統(tǒng)的控制器。此控制器可修正掃描或植入以補(bǔ)償異常。此種修正可考慮全部產(chǎn)能的影響，并可對于異常選擇最佳解決方案?？煽紤]因素例如異常于工件上的位置、 異常于工件上的尺寸、異常的持續(xù)期間、對于所需劑量水平的動作數(shù)目、被植入的工件的特殊層或區(qū)域，或被植入的工件或太陽能電池架構(gòu)的類型以決定最佳的異常解決方案。舉例而言，此最佳解決方案可基于所需產(chǎn)能或太陽能電池架構(gòu)。而由于在此揭示的實施例均有關(guān)于修復(fù)異常，在一些例中，解決方案可為全然忽視一個異常。舉例而言，假若異常出現(xiàn)在多重不同工件上，一種解決方案可為于修復(fù)一工件上的異常時，忽視在另一工件上的異常。 此被忽視的異常可能對工件不具有足夠的影響以使借著修復(fù)此特殊異常所造成的較低產(chǎn)能合理化。
對于考慮到工件上所需最小劑量的異常(例如，舉例而言，所需劑量水平600)，控制器亦可添加動作亦或選擇最佳解決方案。只要植入最小的劑量，則可忽視遍及工件或個別工件的均勻度。舉例而言，可基于形成接觸(contact formation)或形成射極(emitter formation)的需求計算此種最小劑量。在一實施例中，個別動作的動作數(shù)目或速度被設(shè)置為用以植入此最小劑量。
本揭示內(nèi)容并不限于本文中所述特定實施例的范疇。確切而言，由先前敘述及附圖而來的其他各種實施例及對本揭示內(nèi)容的修正，除已揭示于此者，對于所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員而言將為顯而易見的。因此，這些其他實施例與修正意欲落入本揭示內(nèi)容的范疇。此外，雖然本揭示內(nèi)容已于上下文中為特定目的、于特定環(huán)境下的特定實施而于此說明，所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員將理解其實用性并不限于此，且可在任何數(shù)目環(huán)境中為任何數(shù)目的目的而受益地實施本揭示內(nèi)容。因此，所提出的權(quán)利要求應(yīng)以如敘述于此的本揭示內(nèi)容的完整廣度及精神理解之。
權(quán)利要求
1.一種離子植入的方法，包括在第一動作期間以第一速度植入第一工件，其中所述第一動作在所述第一工件中造成不均勻劑量區(qū)；以及在第二動作期間以第二速度植入所述第一工件，其中所述第二速度與所述第一速度不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子植入的方法，還包括檢測所述不均勻劑量區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子植入的方法，其中所述不均勻劑量區(qū)為遍及所述工件寬度的線或所述工件上的點。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子植入的方法，其中所述第二速度對應(yīng)所述第一工件。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子植入的方法，其中所述第二速度對應(yīng)所述工件中的所述不均勻劑量區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子植入的方法，其中所述第一動作在所述工件中造成第一劑量，且所述第二動作在所述工件中造成第二劑量，其中所述第二劑量大于所述第一劑量。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子植入的方法，還包括偕同所述第一工件而植入至少一第二工件，其中所述不均勻劑量區(qū)未出現(xiàn)在所述第二工件中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入的方法，其中在所述第二動作期間以所述第二速度植入所述第一工件及所述第二工件。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入的方法，其中在所述第二動作期間以所述第二速度植入所述第一工件，且其中在所述第二動作期間以第三速度植入所述第二工件，其中所述第三速度大于所述第二速度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子植入的方法，其中所述第三速度等于所述第一速度。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入的方法，其中所述第二速度對應(yīng)所述工件中的所述不均勻劑量區(qū)，且其中在所述第二動作期間以第三速度植入所述第二工件及部分的所述第一工件，其中所述第三速度大于所述第二速度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的離子植入的方法，其中所述第三速度等于所述第一速度。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入的方法，還包括在2X2布置中偕同所述第一工件及所述第二工件而植入第三工件及第四工件，其中所述不均勻劑量區(qū)僅出現(xiàn)在所述第一工件及所述第三工件中。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入的方法，還包括在2X3布置中偕同所述第一工件及所述第二工件而植入第三工件、第四工件、第五工件以及第六工件，其中所述不均勻劑量區(qū)僅出現(xiàn)在所述第一工件及所述第四工件中。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子植入的方法，其中所述工件包括太陽能電池。
16.一種制造工件的方法，包括植入工件，其中所述植入在所述工件中造成不均勻劑量區(qū)；以及施加金屬接點至所述工件，其中正交于所述不均勻劑量區(qū)而施加所述金屬接點。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造工件的方法，還包括檢測所述不均勻劑量區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造工件的方法，其中所述不均勻劑量區(qū)為遍及所述工件寬度的線。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造工件的方法，其中所述工件包括太陽能電池。
20.—種離子植入的方法，包括植入至少一個工件；檢測由所述植入所造成在所述工件中的不均勻劑量區(qū)；以及進(jìn)行額外植入至所述工件中，藉此所述工件整體在所述額外植入后比在所述植入后具有較大的劑量。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的離子植入的方法，其中所述額外植入包括偶數(shù)個植入動作。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的離子植入的方法，其中所述額外植入包括奇數(shù)個植入動作，且其中在至少一個動作期間不植入所述工件。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的離子植入的方法，其中所述工件包括太陽能電池。
全文摘要
在例如太陽能電池的工件的離子植入期間可被補(bǔ)償?shù)漠惓！Ｔ谝焕?，在第一動作期間以第一速度植入工件。此第一動作在工件中造成不均勻劑量區(qū)。然后在第二動作期間以第二速度植入工件。此第二速度與第一速度不同。此第二速度可對應(yīng)整個工件或僅對應(yīng)工件中的不均勻劑量區(qū)。
文檔編號H01J37/20GK102985995SQ201180032055
公開日2013年3月20日 申請日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月29日
發(fā)明者拉塞爾·J·羅, 阿塔爾·古普塔, 威廉·T·維弗 申請人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司