技術(shù)編號(hào)：2944177
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及工件的離子植入，且尤其涉及使用離子植入來形成太陽能電池。背景技術(shù)離子植入為一種用以將改變導(dǎo)電率的雜質(zhì)(conductivity-alteringimpurities) 引入工件中的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。在離子源中離子化所需的雜質(zhì)材料，使這些離子加速以形成具規(guī)定能量的離子束，且將這些離子束導(dǎo)向工件的表面。離子束中的高能離子穿入工件材料的主體中，并嵌入至工件材料的晶格(crystalline lattice)中，以形成一具有所需導(dǎo)電率的區(qū)域。太陽能電池為使用硅工...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。