專(zhuān)利名稱(chēng)：一種等離子體放電表面處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種等離子體放電設(shè)備，尤其是一種適用于在大氣中進(jìn)行等離子體放電的表面處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
等離子放電表面處理方法，由于其清潔高效越來(lái)越受到表面處理領(lǐng)域的重視。現(xiàn)有技術(shù)中，放電等離子體源從總體上說(shuō)有兩類(lèi)一是真空放電，低壓輝光放電是其典型的代表；二是大氣壓放電類(lèi)，電暈放電是其典型代表。其中，低壓輝光放電由于其處理后的表面均勻一致以及其放電氣氛、輸入電壓、頻率等參數(shù)的可控性而被廣泛應(yīng)用。然而，低壓輝光放電通常要在10托以下的低壓條件下進(jìn)行，在進(jìn)行表面處理時(shí)往往需要大型的真空裝置予以配合，導(dǎo)致處理成本居高不下。同時(shí)， 由于被處理物大都含有水分，在低壓氛圍中，水分氣化從處理物表面逸出而影響等離子體處理表面性能的獲得。此外，由于等離子體處理過(guò)程中很容易發(fā)熱，該方法也不適用于低熔點(diǎn)的被處理物。而與低壓輝光放電不同，電暈放電是在大氣壓條件下，在大氣或氮?dú)獾确諊羞M(jìn)行，其廉價(jià)簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)使其受到廣泛關(guān)注。然而，電暈放電由于是電子的束狀放電，在被處理物的表面經(jīng)常產(chǎn)生不均勻的現(xiàn)象。并且電暈放電的氣體溫度與低溫等離子體的氣體溫度相比較高，除了親水化表面處理外，在其他領(lǐng)域的應(yīng)用受到很大限制。為了解決上述兩種處理方法的不足，又出現(xiàn)了大氣壓輝光放電的表面處理方法。 其能夠在近大氣壓條件下進(jìn)行表面處理從而不需要大型的真空裝置，同時(shí)在處理的過(guò)程中發(fā)熱很少，從而適于處理含水分亦或低熔點(diǎn)的被處理物。并且由于等離子體放電區(qū)域在處理過(guò)程不擴(kuò)大，使得表面的局部處理更為有效準(zhǔn)確。然而，上述大氣壓輝光放電的處理方法必須要在處理室中通入氦、氖、氬、氮等不活性氣體以維持穩(wěn)定的放電，因此無(wú)法在大氣中放置被處理物以進(jìn)行表面處理。也正因此，盡管其適用于表面的局部處理，但并不能像激光表面處理那樣處理很狹小的局部。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述各處理方法的不足，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能在大氣中進(jìn)行輝光等離子體放電表面處理的設(shè)備，以適用于各種材料的涂層、蝕刻等表面處理，同時(shí)對(duì)材料表面進(jìn)行更好的局部處理。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的具體技術(shù)方案是一種在大氣中進(jìn)行等離子體放電的表面處理設(shè)備，其包括一個(gè)絕緣體容器，所述絕緣體容器具有氣體導(dǎo)入口以及與所述氣體導(dǎo)入口相對(duì)的尖端開(kāi)口作為氣體導(dǎo)出口，絕緣體容器內(nèi)部配置有電極，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源相連，當(dāng)所述電極通電后在尖端開(kāi)口處產(chǎn)生等離子體， 所述等離子體從尖端開(kāi)口處射出，在所述等離子體射出的位置配置承載被處理物的載物臺(tái)。[0008]本實(shí)用新型的有益效果是，在大氣中即能以極簡(jiǎn)單的方式實(shí)施輝光等離子體放電表面處理，適用于各種材料的各種表面處理，尤其適用于特別局部的，如點(diǎn)狀表面處理。

圖1是本實(shí)用新型中在大氣中進(jìn)行等離子體放電的表面處理設(shè)備的示意圖。1.絕緣體容器；2.氣體到入口 ；3.尖端開(kāi)口 ；4.電極；5.交流電源；6.等離子體； 7.被處理物；8.載物臺(tái)。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，一種在大氣中進(jìn)行等離子體放電的表面處理設(shè)備，其包括一個(gè)絕緣體容器1，所述絕緣體容器具有氣體導(dǎo)入口 2以及與所述氣體導(dǎo)入口相對(duì)的尖端開(kāi)口 3作為氣體導(dǎo)出口，絕緣體容器內(nèi)部配置有電極4，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源 5相連，當(dāng)所述電極通電后在尖端開(kāi)口處產(chǎn)生等離子體6，所述等離子體從尖端開(kāi)口 3處射出，在所述等離子體射出的位置配置承載被處理物7的載物臺(tái)8。
權(quán)利要求1. 一種在大氣中進(jìn)行等離子體放電的表面處理設(shè)備，其包括一個(gè)絕緣體容器，所述絕緣體容器具有氣體導(dǎo)入口以及與所述氣體導(dǎo)入口相對(duì)的尖端開(kāi)口作為氣體導(dǎo)出口，絕緣體容器內(nèi)部配置有電極，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源相連，當(dāng)所述電極通電后在尖端開(kāi)口處產(chǎn)生等離子體，所述等離子體從尖端開(kāi)口處射出，在所述等離子體射出的位置配置承載被處理物的載物臺(tái)。
專(zhuān)利摘要一種適用于在大氣中進(jìn)行等離子體放電的表面處理設(shè)備，其包括一個(gè)絕緣體容器，所述絕緣體容器具有氣體導(dǎo)入口以及與所述氣體導(dǎo)入口相對(duì)的尖端開(kāi)口作為氣體導(dǎo)出口，絕緣體容器內(nèi)部配置有電極，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源相連，當(dāng)所述電極通電后在尖端開(kāi)口處產(chǎn)生等離子體，該設(shè)備能夠在大氣中以極簡(jiǎn)單的方式實(shí)施輝光等離子體放電表面處理，適用于各種材料的各種表面處理，尤其適用于特別局部的，如點(diǎn)狀表面處理。
文檔編號(hào)H01J37/36GK202035209SQ20112006254
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者倪楊, 鄭順奇, 齊偉光 申請(qǐng)人:寧波表面工程研究中心