專利名稱：一種透鏡和多晶片封裝的led光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種照明結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種用于多晶片封裝LED光源的透鏡以及多晶片封裝的LED光源。
背景技術(shù)：
單一 LED作成的大功率照明，必須是很多數(shù)量的單一 LED組裝成為光源。其形成的照明產(chǎn)品，由于單一 LED要根據(jù)不同的產(chǎn)品所要求的發(fā)光效果，作成相對應(yīng)的散熱體積和外觀，因此存在很大的局限性。多晶片封裝的LED光源，整體作為一個(gè)光源，相對應(yīng)的使用范圍更大，使用的體積也會更小，提高了使用效果。多晶片封裝的LED光源，是全世界在大力推廣和改善使用狀況的一種光源。但是，多晶片封裝的LED光源由于是大角度發(fā)光，所以在使用中，作成的燈具的發(fā)光角度難以控制。當(dāng)前對于多晶片封裝的LED光源，作成的燈具，如果要讓發(fā)光角度縮小， 就必須要損失很多光，如果要大角度發(fā)光，使用范圍又受到很大的限制，如果只是采用透鏡來發(fā)光，發(fā)光圖形會有晶片封裝圖案的花紋。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種有效提高光源發(fā)光效率的透鏡及使用該透鏡的多晶片封裝的LED光源。本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案加以解決—種透鏡，用于多晶片封裝的LED光源，包括透鏡體和反射體，所述透鏡體包括入射面、發(fā)射面和側(cè)面，所述反射體設(shè)置在所述側(cè)面上，光源的光線由所述入射面進(jìn)入所述透鏡體，經(jīng)所述反射體反射后從所述發(fā)射面發(fā)射出去。所述反射體為反射鍍層。所述發(fā)射面的上表面為粗糙面。一種多晶片封裝的LED光源，包括多晶片封裝的LED晶片和透鏡，所述透鏡包括透鏡體和反射體，所述透鏡體包括入射面、發(fā)射面和側(cè)面，所述反射體設(shè)置在所述側(cè)面上，所述LED晶片設(shè)置在所述入射面上，所述LED晶片發(fā)出的光線由所述入射面進(jìn)入所述透鏡體， 經(jīng)所述反射體的反射從所述發(fā)射面發(fā)射出去。 所述反射體為反射鍍層。所述發(fā)射面的上表面為粗糙面。由于采用了以上技術(shù)方案，使本實(shí)用新型具備的有益效果在于(1)本實(shí)用新型采用反射體將入射的光線反射通過發(fā)射面發(fā)射出去，減少了光源的損失，提高了多晶片封裝的LED光源的亮度；(2)本實(shí)用新型的發(fā)射面的上表面采用經(jīng)表面處理的粗糙面，可以消除多晶片的圖案花紋，提高了光源品質(zhì)；
3[0016](3)本實(shí)用新型還可以替代反射罩，降低了成本，提高了亮度效果。
圖1示出根據(jù)本實(shí)用新型透鏡的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型多晶片封裝的LED光源的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3示出根據(jù)本實(shí)用新型多晶片封裝的LED光源的多晶片的分布示意圖；圖4示出根據(jù)本實(shí)用新型多晶片封裝的LED光源的一個(gè)實(shí)施例的工作原理圖。
具體實(shí)施方式
下面通過具體實(shí)施方式
結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖1示出根據(jù)本實(shí)用新型透鏡的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，用于多晶片封裝的 LED光源，包括透鏡體10和反射體20，透鏡體10包括入射面11、發(fā)射面12和側(cè)面13，反射體20緊密圍繞在側(cè)面上13，光源的光線經(jīng)由入射面11進(jìn)入透鏡體10，再經(jīng)反射體20反射后從發(fā)射面12發(fā)射出去。在一種實(shí)施方式中，反射體20為在側(cè)面13上的反射鍍層。在一種實(shí)施方式中，發(fā)射上表面12為經(jīng)表面處理的粗糙面，其形狀可以為不同的內(nèi)凹弧度或凸出弧度，這樣可以達(dá)到不同燈具所要求的不同的出光角度，本實(shí)施例為內(nèi)凹面或凸出面。圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型多晶片封裝的LED光源的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，包括多晶片封裝的LED晶片30和透鏡，透鏡包括透鏡體10和反射體20，透鏡體10包括入射面11、發(fā)射面12和側(cè)面13，反射體20緊密圍繞在側(cè)面13，LED晶片30設(shè)置在入射面11 上，LED晶片40發(fā)出的光線經(jīng)由入射面11進(jìn)入透鏡體10，再經(jīng)反射體20反射后從發(fā)射面 12發(fā)射出去。一種實(shí)施方式，反射體20為在側(cè)面13上的反射鍍層。一種實(shí)施方式，發(fā)射上表面12為經(jīng)表面處理的粗糙面，本實(shí)施例中該表面為凸出面或內(nèi)凹面。使用時(shí)，把帶有本實(shí)施例的透鏡直接與多晶片封裝的LED光源一起配合即可，配合時(shí)的定位結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，去給透鏡增加各種定位，比如卡位、螺絲孔位等定位部分。圖3示出根據(jù)本實(shí)用新型多晶片封裝的LED光源的多晶片的分布示意圖，其中晶片30可根據(jù)需要進(jìn)行排列。圖4示出根據(jù)本實(shí)用新型多晶片封裝的LED光源的一個(gè)實(shí)施例的工作原理圖。圖中光線40的箭頭為光線反射方向。多晶片封裝的LED光源，發(fā)射光線是平面發(fā)光，發(fā)出的光線不受約束，在使用了本實(shí)用新型實(shí)施例的透鏡之后，發(fā)出的光線受到透鏡邊緣的反射鍍層的反射，能夠讓光線更多的從照明所需要的方向射出來，同時(shí)，在光線射出來的時(shí)候， 受到透鏡的不同凹面和不同凸面的約束，能夠按照一定的角度射出來，同時(shí)，透鏡表面處理面能夠消除圖案的花紋。本實(shí)用新型實(shí)施例是綜合反射效果與透鏡效果，采取了光線彌補(bǔ)和透鏡控制的方案，提高了多晶片封裝的LED光源的亮度，同時(shí)也能夠消除原有透鏡造成的多晶片的圖案花紋，也可以達(dá)到不同產(chǎn)品要求的發(fā)光角度，減少了能量損失。甚至在以前帶有反光罩的照明產(chǎn)品上，能夠去掉原有產(chǎn)品上的反射罩，不需要額外增加反射罩來彌補(bǔ)，降低了成本，提高了亮度效果。 以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種透鏡，用于多晶片封裝的LED光源，其特征在于，包括透鏡體(10)和反射體 (20)，所述透鏡體(10)包括入射面(11)、發(fā)射面(12)和側(cè)面(13)，所述反射體(20)設(shè)置在所述側(cè)面上(13)，光源的光線由所述入射面(11)進(jìn)入所述透鏡體(10)，經(jīng)所述反射體00) 反射后從所述發(fā)射面(12)發(fā)射出去。
2.如權(quán)利要求1所述的透鏡，其特征在于，所述反射體00)為反射鍍層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的透鏡，其特征在于，所述發(fā)射面(12)的上表面為粗糙面。
4.一種多晶片封裝的LED光源，包括多晶片封裝的LED晶片(30)和透鏡，其特征在于， 所述透鏡包括透鏡體(10)和反射體(20)，所述透鏡體(10)包括入射面(11)、發(fā)射面(12) 和側(cè)面(13)，所述反射體00)設(shè)置在所述側(cè)面上(13)，所述LED晶片00)設(shè)置在所述入射面(11)上，所述LED晶片(30)發(fā)出的光線由所述入射面(11)進(jìn)入所述透鏡體(10)，經(jīng)所述反射體O0)反射后從所述發(fā)射面(12)發(fā)射出去。
5.如權(quán)利要求4所述的LED光源，其特征在于，所述反射體O0)為反射鍍層。
6.如權(quán)利要求4或5所述的LED光源，其特征在于，所述發(fā)射面(1 的上表面為粗糙
專利摘要本實(shí)用新型公布了一種透鏡，用于多晶片封裝的LED光源，包括透鏡體和反射體，所述透鏡體包括入射面、發(fā)射面和側(cè)面，所述反射體設(shè)置在所述側(cè)面上，光源的光線由所述入射面進(jìn)入所述透鏡體，經(jīng)所述反射體的反射從所述發(fā)射面發(fā)射出去。本實(shí)用新型還公布了一種多晶片封裝的LED光源。本實(shí)用新型采用反射體將入射的光線反射通過發(fā)射面發(fā)射出去，減少了光源的損失，提高了多晶片封裝的LED光源的亮度。
文檔編號F21V5/04GK201992567SQ201120058450
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月8日
發(fā)明者蔣澤全 申請人:深圳市普耐光電科技有限公司