專利名稱：透光性電磁波屏蔽膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在CRT(陰極射線管)、PDP(等離子體顯示屏)、液晶、EL(電子熒光)、 FED(場(chǎng)致發(fā)射顯示)等顯示器的前端，對(duì)由電磁爐、電子設(shè)備和印刷電路板等發(fā)射的電磁波進(jìn)行屏蔽，而且本身為透明度的作為電磁波屏蔽材料的透光性電磁波屏蔽膜及其制造方法，還涉及用于等離子體顯示屏的透光性電磁波屏蔽膜和等離子體顯示屏。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著各種電氣設(shè)備或電子設(shè)備的使用增加，電磁波干擾(EMI)也日益增強(qiáng)。EMI除了成為造成電子、電氣設(shè)備誤動(dòng)作或干擾的原因之外，也因?yàn)閷?duì)這些設(shè)備的操作人員的健康造成損害而受到指摘。因此，對(duì)于電子電氣設(shè)備發(fā)射電磁波的強(qiáng)度要求控制在標(biāo)準(zhǔn)或法規(guī)規(guī)定的范圍內(nèi)。在應(yīng)對(duì)EMI的工作中，有必要對(duì)電磁波進(jìn)行屏蔽。為此目的，可以利用電磁波不會(huì)穿過金屬的特性是不言而喻的。比如可采用以金屬或高導(dǎo)電率的材料制造框架的方法、在電路基板和電路基板之間插入金屬板的方法或者用金屬箔覆蓋電纜的方法等。但是，由于在CRT或PDP等當(dāng)中，操作人員有必要對(duì)在畫面上顯示的文字等進(jìn)行識(shí)別，從而要求顯示器具有透明度。因此，在上述方法中，任何一種顯示器的前端經(jīng)常是不透明的，以此作為屏蔽電磁波的方法是不合適的。特別是由于與CRT等相比，PDP發(fā)射出更多的電磁波，就要求有更強(qiáng)的電磁波屏蔽性能。電磁波的屏蔽性能可簡(jiǎn)單地用表面電阻值表示。比如在CRT用透光性電磁波屏蔽材料當(dāng)中，表面電阻值要求在300 Ω/Sq以下，與此相反在PDP用透光性電磁波屏蔽材料中，則要求在2.5Q/Sq以下，在使用PDP的民用等離子體電視當(dāng)中，有使導(dǎo)電率必須在Ι.δΩ/sq 以下的高要求，更希望要求在0. 1 Ω /sq以下的極高的導(dǎo)電率。有關(guān)透明度要求的水平，作為CRT用要求全部可見光的透過率大致在70%以上， 而作為PDP用要求全部可見光的透過率大致在80%以上，特別希望有高的透明度。為了解決上述問題，如在下面所示，迄今為止提出了利用具有開口的金屬網(wǎng)使電磁波屏蔽性能和透明度都得到兼顧的各種材料和方法的技術(shù)方案。(1)銀漿印刷網(wǎng)比如公開了將用銀粉制成的漿液印成網(wǎng)狀得到銀網(wǎng)的方法(比如特開 2000-13088)。用此方法得到的銀網(wǎng)，由于用印刷法得到的線條太粗，有透過率降低的問題， 而表面電阻值高減小了屏蔽電磁波的能力。因此，為了提高電磁波的屏蔽性能，有必要對(duì)得到的銀網(wǎng)進(jìn)行電鍍處理。(2)不規(guī)則網(wǎng)狀銀網(wǎng)比如公開了不規(guī)則的細(xì)網(wǎng)狀銀網(wǎng)及其制造方法(比如特開平10-340629)。但是，在此制造方法中，具有無(wú)法得到表面電阻值大到10/sq的網(wǎng)(電磁波屏蔽能力低)的問題。 霧度大到10%以上，具有顯示出的圖像模糊的問題。(3)利用照相平板印刷法刻蝕加工銅網(wǎng)提出了利用照相平板印刷法對(duì)銅箔進(jìn)行刻蝕加工，在透明的基體上形成銅網(wǎng)的方法(比如特開平10-41682)。在此方法中，由于可進(jìn)行網(wǎng)的微細(xì)加工，能夠制造高開口率(高透過率)的網(wǎng)，具有對(duì)強(qiáng)的電磁波發(fā)射也能夠屏蔽的優(yōu)點(diǎn)。但是，其制造工序所包括的工序非常多，具有必須經(jīng)由這些工序進(jìn)行制造的問題。由于使用了銅箔，制成的網(wǎng)不是黑色而呈銅箔的顏色，使顯示設(shè)備上的影像對(duì)比度降低也成為了問題。特別是由于使用了刻蝕法，而出現(xiàn)網(wǎng)格圖樣的交點(diǎn)部分的寬度比直線部分更粗的問題，希望要改善與干擾條紋有關(guān)的問題。(4)利用銀鹽形成導(dǎo)電性銀的方法在1960年代，公開了通過在物理成像核上沉淀銀的銀鹽擴(kuò)散轉(zhuǎn)印法形成具有導(dǎo)電性的金屬銀薄膜圖案的方法(參照例如特公昭42-23746)。但是，對(duì)從用這樣的方法制造導(dǎo)電性金屬銀薄膜的CRT或PDP等顯示器的影像顯示面上發(fā)射的電磁波，進(jìn)行屏蔽而又不妨礙影像的顯示的方案還是完全未知的。按照這樣的方法，得到ΙΟΩ/sq ΙΟΟΚΩ/sq的銀薄膜，但如此的導(dǎo)電性水平，對(duì) PDP用途而言是不夠的。特別是透明度也不夠，存在有透明度和導(dǎo)電性不能兼顧的問題。從而，原封不動(dòng)地使用上述銀鹽擴(kuò)散轉(zhuǎn)印法，也還不能得到用來適當(dāng)?shù)仄帘螐碾娮语@示設(shè)備的影像顯示面發(fā)射的電磁波，而光透光性和導(dǎo)電性都優(yōu)異的透光性電磁波屏蔽材料。如上所述，對(duì)于現(xiàn)有的電磁波屏蔽材料及其制造方法，有著各式各樣的問題。其中在透明的玻璃或塑料基板面上形成由金屬薄膜構(gòu)成的網(wǎng)得到的電磁波屏蔽板，具有極高的電磁波屏蔽性，而且得到良好的光透過性，所以近年來已經(jīng)用作PDP等顯示用板等電磁波屏蔽材料。但是，由于其價(jià)格非常昂貴，強(qiáng)烈希望降低其制造成本。特別是，由于要求顯示器具有高的影像亮度，要求接近100%的光透過性，還要求網(wǎng)是黑色的，因此為了提高光透過性，為了提高開口率(構(gòu)成網(wǎng)的非細(xì)線部分)占整體的比例和導(dǎo)電性降低無(wú)損電磁波的屏蔽效果，要同時(shí)提高導(dǎo)電性(電磁波的屏蔽效果)和光透過性，迄今為止，這在技術(shù)上都是非常困難的。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種同時(shí)具有高的電磁波屏蔽性能和高的透明度， 而且網(wǎng)狀部分是黑色的透光性電磁波屏蔽膜，提供可以在很短的工序中形成細(xì)線狀的圖案，能夠廉價(jià)而大量制造透光性電磁波屏蔽膜的方法。本發(fā)明的另一個(gè)目的是利用由上述制造方法得到的透光性電磁波屏蔽膜的等離子體顯示屏當(dāng)中的透光性電磁波屏蔽膜和使用此屏蔽膜的等離子體顯示屏。本發(fā)明人從同時(shí)得到高的電磁波屏蔽性和高的透明度，使PDP的影像質(zhì)量惡化程度最小的觀點(diǎn)出發(fā)，經(jīng)過銳意研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過以下的透光性電磁波屏蔽膜及其制造方法，有效地達(dá)到了上述目的，至此就完成了本發(fā)明。
(1) 一種透光性電磁波屏蔽膜，該屏蔽膜是在載體上形成網(wǎng)狀金屬銀部分的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于，形成網(wǎng)狀的上述金屬銀部分，其線條寬度在18 μ m以下，開口率在 85%以上，含有80 IOOwt%的銀，而且表面電阻值在5 Ω/Sq以下。(2)如在(1)中所述的透光性電磁波屏蔽膜，其特征在于，其霧度在10%以下。(3)如在⑴或⑵中所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中由上述導(dǎo)電性銀薄膜的金屬銀以外部分構(gòu)成的透光部分的全可見光透過率在95%以上。(4)透光性電磁波屏蔽膜的制造方法，該方法是如在⑴ (3)中任何一項(xiàng)中所述的透光性電磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，該方法具有將設(shè)置在載體上的含有銀鹽的含銀鹽層曝光成為網(wǎng)狀的工序和通過顯影處理使曝光部分和未曝光部分分別成為金屬銀部分和透光部分的工序。(5)如在(4)中所述的透光性電磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，在上述金屬銀部分實(shí)質(zhì)上不實(shí)施物理顯影和/或電鍍處理。(6)如在(4)或(5)中所述的透光性電磁波屏蔽膜制造方法，其特征在于，上述含銀鹽層中Ag/膠粘劑的體積比在1/2以上。(7) 一種等離子體顯示屏用的透光性電磁波屏蔽膜，其特征在于，該屏蔽膜含有在 (1) (3)中任何一項(xiàng)中所述的透光性電磁波屏蔽膜。(8) 一種等離子體顯示屏，該顯示板具有在(1) C3)中任何一項(xiàng)中所述的透光性電磁波屏蔽膜。按照本發(fā)明，能夠提供具有高的電磁波屏蔽性和高的透明度，而且網(wǎng)狀部分呈黑色的透光性電磁波屏蔽膜。按照本發(fā)明，能夠提供可在很短的工序中形成細(xì)線狀圖案，可廉價(jià)和大量制造具有高電磁波屏蔽性和高透明度，而且網(wǎng)狀部分呈黑色的透光性電磁波屏蔽膜的透光性電磁波屏蔽膜制造方法。再有，按照本發(fā)明，能夠提供利用由上述制造方法得到的透光性電磁波屏蔽膜的等離子體顯示屏使用的透光性電磁波屏蔽膜，和使用此種屏蔽膜的等離子體顯示屏。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)說明本發(fā)明所提供的透光性電磁波屏蔽膜及其制造方法。在本說明書中，使用“ ”含有以其前后所示的數(shù)值作為下限值和上限值的意思?！锻腹庑噪姶挪ㄆ帘文ぁ繁景l(fā)明所提供的透光性電磁波屏蔽膜，是在載體上形成網(wǎng)狀金屬銀部分而成的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于，形成網(wǎng)狀的上述金屬銀部分，其線條寬度在18 μ m以下，以及開口率在85%以上，而且含有80 IOOwt%的Ag，其表面電阻值在5 Ω/Sq以下。[載體]在本發(fā)明中，作為上述載體，可以使用塑料薄膜、塑料板或者玻璃等。作為上述塑料薄膜和塑料板的原料，可以使用比如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET) 和聚萘二酸乙二醇酯等聚酯類；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯和EVA等聚烯烴類；聚氯乙烯和聚偏氯乙烯等乙烯基類樹脂；以及聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚苯醚(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰胺、聚酰亞胺、丙烯酸類樹脂、三乙?；w維素(TAC)等。從透明度、耐熱性、容易處置和價(jià)格等觀點(diǎn)出發(fā)，上述塑料薄膜優(yōu)選是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜。由于顯示用電磁波屏蔽材料要求有透明度，希望載體的透明度要高。在此情況下， 塑料薄膜或塑料板對(duì)全可見光的透過率優(yōu)選為70 100%，更優(yōu)選為85 100%，特別優(yōu)選為90 100 %。在本發(fā)明中，對(duì)上述塑料薄膜和塑料板，可著色到不妨礙本發(fā)明目的的程度來作為載體使用?？稍诒景l(fā)明中作為載體使用的塑料薄膜和塑料板，可以使用單層的，也可以使用兩層以上組合的多層薄膜。在本發(fā)明中使用玻璃板作為載體的情況下，其種類沒有特別的限制，在用于顯示用電磁波屏蔽的情況下，優(yōu)選使用在表面上設(shè)有強(qiáng)化層的強(qiáng)化玻璃。這種強(qiáng)化玻璃與未經(jīng)過強(qiáng)化處理的玻璃相比較，抗破損性更高。特別是通過冷風(fēng)法得到的強(qiáng)化玻璃，萬(wàn)一損壞時(shí)其破碎的碎片很小，而且沒有銳利的端面，在安全角度上是優(yōu)選的。[金屬銀部分(導(dǎo)電性金屬部分)]下面說明在本發(fā)明中的導(dǎo)電性金屬部分。在本發(fā)明中，金屬部分擔(dān)當(dāng)導(dǎo)電性金屬部分的作用。該金屬部分可通過對(duì)含銀鹽層進(jìn)行曝光和顯影處理來形成，在曝光部分形成金屬銀部分。在本發(fā)明中，導(dǎo)電性金屬部分(金屬銀部分)，從防止隨時(shí)間氧化而變色的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選對(duì)金屬銀部分實(shí)施防變色處理。作為防變色處理的手段，可以舉出利用在金屬表面上使用的腐蝕抑制劑等方法，作為該腐蝕抑制劑，可以利用比如含巰基的化合物等。在本發(fā)明中的金屬銀部分，具有良好的導(dǎo)電性。在本發(fā)明中的金屬銀部分，其表面電阻值在5 Ω /sq以下，更優(yōu)選在2. 5 Ω /sq以下，最優(yōu)選在1 Ω /sq以下。在本發(fā)明中的表面電阻值越低越好，其下限沒有特別的限制，但通常在0. ΟΙΩ/sq以上的程度。為了得到良好的導(dǎo)電性，本發(fā)明中的金屬銀部分，優(yōu)選含有80 100wt%，更優(yōu)選含有90 IOOwt %，特別優(yōu)選含有95 IOOwt %的Ag。如此，本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜就包括了 Ag含量很高的金屬銀部分，確保了良好的導(dǎo)電性，可壓低表面電阻值。由于使用銀作為在本發(fā)明中的導(dǎo)電性金屬，所以能夠使透光性電磁波屏蔽膜的網(wǎng)成為黑色。由此可防止在等離子體顯示屏等當(dāng)中使用的情況下使其對(duì)比度降低。本發(fā)明中的金屬銀部分，呈網(wǎng)狀的形態(tài)，優(yōu)選由正三角形、等邊三角形、直角三角形等三角形、正方形、長(zhǎng)方形、菱形、平行四邊形、梯形等四邊形、(正)六邊形、(正)八邊形等(正)n邊形、圓形、橢圓形、星形等組合而成的幾何圖形構(gòu)成。從電磁波屏蔽性能的觀點(diǎn)出發(fā)，三角形的形狀是最有效的，而從可見光透過性的觀點(diǎn)出發(fā)，同樣線寬的(正)n邊形， η的數(shù)越大，開口率就越大，可見光的透過性就越大是最為有利的。在透光性電磁波屏蔽膜的用途中，上述金屬銀部分線條的寬度，由于具有在目視網(wǎng)狀線條時(shí)能夠辨別出來的問題，作為PDP的用途希望線條細(xì)到不能辨別的程度。在本發(fā)明中上述金屬銀部分線條的寬度在18 μ m以下，優(yōu)選為3 14 μ m，更優(yōu)選為3 10 μ m。所謂在本發(fā)明中上述金屬銀部分的線條寬度在18 μ m以下，并非意味著所有的線條寬度都在 18 μ m以下，只是意味著全部線條有60%以上(優(yōu)選80%以上)在18 μ m以下。因此，即使有一部分線條的寬度超過18 μ m,只要全部線條有60%以上在18 μ m以下，就能夠達(dá)到本發(fā)明的效果。本發(fā)明中金屬銀部分的膜厚度，在模糊等圖像質(zhì)量的觀點(diǎn)方面優(yōu)選要比較薄，在確保導(dǎo)電性的前提下，優(yōu)選在2. 5 μ m以上，更優(yōu)選為2. 5 8 μ m，優(yōu)選在2. 5 μ m以上而不到5 μ m，更優(yōu)選為2. 5 4 μ m。本發(fā)明中金屬銀部分的間距優(yōu)選為60 450 μ m，更優(yōu)選為120 400 μ m。金屬銀部分，在接地等的目的中，可以有線條寬度大于20 μ m的部分。本發(fā)明中的金屬銀部分，從可見光透過率的觀點(diǎn)出發(fā)，開口率為85%以上，優(yōu)選為 90%以上，最優(yōu)選為93%以上。在此，在本發(fā)明中的所謂“開口率”，是構(gòu)成網(wǎng)的金屬銀部分沒有細(xì)線的部分(空間)占整體的比例，比如線條寬度是10 μ m，間距為200 μ m的正方形格子狀網(wǎng)，其開口率是90%。關(guān)于本發(fā)明中的金屬銀部分開口率沒有特別上限的限定，但從表面電阻值和線條寬度之間的關(guān)系來看，上述開口率優(yōu)選在98 %以下。本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜的霧度越小越好。霧度越大，PDP圖像就模糊。本發(fā)明中的透光性電磁波屏蔽膜，其霧度優(yōu)選在10%以下，優(yōu)選在5%以下，更優(yōu)選在3%以下， 特別優(yōu)選在2%以下，最優(yōu)選在以下。[透光部分]在本發(fā)明中，所謂“透光部分”，意味著在透光性電磁波屏蔽膜中導(dǎo)電性金屬部分 (金屬銀部分)以外的具有透明度的部分。在透光部分對(duì)全可見光的透過率在95%以下，優(yōu)選在97%以上，最優(yōu)選在99%以上。在本發(fā)明中所謂的“全可見光透過率”，如無(wú)特別說明，指的是除了載體吸收和反射以外，在380 780nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均透過率。本發(fā)明中的全可見光透過率，用(透光性電磁波屏蔽材料的全可見光透過率)/(載體的全可見光透過率)X 100 (%)表示，按照本發(fā)明的樣子，開口率幾乎是相等的。在本發(fā)明中的透光部分，從提高透過性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上沒有物理顯影核。 本發(fā)明與歷來的銀絡(luò)合物擴(kuò)散轉(zhuǎn)印法不同，由于無(wú)須在溶解未曝光的鹵化銀將其變化為可溶性的銀絡(luò)合物之后進(jìn)行擴(kuò)散，所以在透光部分實(shí)質(zhì)上沒有物理顯影核。在此，所謂“實(shí)質(zhì)上沒有物理顯影核”，指的是在透光部分物理顯影核存在的比率在0 5%的范圍內(nèi)。本發(fā)明中的透光部分，是通過對(duì)上述含銀鹽層進(jìn)行曝光和顯影處理，與金屬銀部分一起形成的。[透光性電磁波屏蔽膜的層結(jié)構(gòu)]本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜中載體的厚度，優(yōu)選為5 200μπι，特別優(yōu)選為 30 150 μ m。如果在5 200 μ m的范圍內(nèi)，就能夠得到所需的可見光透過率，而且也容易操作。金屬銀部分可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。在金屬銀部分呈花樣狀，而且是兩層以上的多層結(jié)構(gòu)時(shí)，能夠賦予不同的感色性，可對(duì)不同的波長(zhǎng)感光。由此， 當(dāng)改變曝光的波長(zhǎng)進(jìn)行曝光時(shí)，可在各層當(dāng)中形成不同的圖案。對(duì)于顯示器中電磁波屏蔽材料的用途，作為導(dǎo)電性金屬部分的金屬銀部分的厚度，越薄則顯示的視野角越廣，所以是優(yōu)選的。而作為導(dǎo)電性布線材料的用途，由于要求高密度，所以要求更薄。
在本發(fā)明中，通過控制上述含銀鹽層的涂布厚度可形成所需厚度的金屬銀部分， 可以很容易形成具有不到5 μ m,優(yōu)選不到3 μ m的厚度的透光性電磁波屏蔽膜。[電磁波屏蔽以外的功能膜]在本發(fā)明中，根據(jù)需要也可設(shè)置具有所需功能的功能層。這樣的功能層可根據(jù)不同的用途采取不同的作法。比如，作為顯示用電磁波屏蔽材料使用，可以設(shè)置調(diào)節(jié)折光率或膜厚賦予防止反射功能的防反射層、非眩光層或抗眩光層(一起具有防止眩光的功能)、由吸收近紅外線的化合物或金屬構(gòu)成的近紅外線吸收層、具有吸收特定波長(zhǎng)區(qū)域可見光的色調(diào)調(diào)節(jié)功能的層、具有容易除去指紋等污漬功能的防污層、難以損傷的硬涂層、具有吸收沖擊功能的層、在玻璃破損時(shí)具有防止玻璃飛散的層等。這樣的功能層可夾持著含銀鹽層設(shè)置在載體的反面，也可以設(shè)置在同一面上。這樣的功能性膜可以直接貼合在PDP上，也可以在等離子體顯示屏之外，貼合在玻璃板或丙烯酸樹脂板等透明基板上。這樣的功能性膜被稱為濾光膜(或簡(jiǎn)稱為過濾膜)。賦予防止反射功能的防反射層，抑制外界光線的反射以抑制對(duì)比度下降，可通過真空蒸發(fā)沉淀法、濺鍍法、離子鍍法、離子束輔助法等將金屬氧化物、氟化物、硅化物、碘化物、碳化物、氮化物、硫化物等無(wú)機(jī)物進(jìn)行單層或多層層積的方法形成，也可以通過將丙烯酸樹脂、氟樹脂等折光率不同的樹脂進(jìn)行單層或多層層積來形成?？梢詫?shí)施了防止反射處理的薄膜貼在該濾光膜上。或者根據(jù)需要設(shè)置非眩光層或抗眩光層。在形成非眩光層或抗眩光層時(shí)，可以使用將用油墨處理的二氧化硅、蜜胺樹脂、丙烯酸樹脂等微粉涂布在表面上的方法?？墒褂脽嵊不蚬庥不股婕暗降挠湍不??？梢詫⒔?jīng)過非眩光處理或抗眩光處理的薄膜貼在該濾光膜上。如有必要也可以設(shè)置硬涂層。作為上述近紅外線吸收層，可以舉出含有金屬絡(luò)合物等聚合物相吸收色素的層或者銀濺鍍層。銀濺鍍層是將電介質(zhì)層和金屬層在基材上交叉濺鍍而層積成的，能夠吸收從近紅外線、遠(yuǎn)紅外線到電磁波的IOOOnm以上的光線。作為在上述電介質(zhì)層中所含的介電物質(zhì)，可以舉出氧化銦、氧化鋅等透明金屬氧化物。作為在金屬層中所含的金屬，一般是銀或銀-鈀合金。上述濺鍍層通常具有以電介質(zhì)層開始的3層、5層、7層或11層左右的層積結(jié)構(gòu)。在PDP中具有的發(fā)出藍(lán)色的熒光體對(duì)藍(lán)色以外光線具有發(fā)出少量紅色光線的特性，因此在應(yīng)該顯示出藍(lán)色的部分有顯示出偏紫顏色的問題。具有吸收上述特定波長(zhǎng)區(qū)域可見光來調(diào)節(jié)色調(diào)功能的層，可作為對(duì)此對(duì)策進(jìn)行發(fā)色光線補(bǔ)償?shù)膶?，含有吸?95nm附近光線的色素。[PDP用電磁波屏蔽膜的制造方法]下面敘述本發(fā)明所提供的PDP用電磁波屏蔽膜的制造方法。本發(fā)明透光性電磁波屏蔽膜的制造方法，可采用如下任何一種方法。(a)通過電解電鍍得到網(wǎng)狀的金屬銀部分之后，將網(wǎng)狀金屬銀部分轉(zhuǎn)印到透明的載體上，得到本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜的方法。(b)在載體上形成無(wú)電解電鍍催化劑的網(wǎng)狀圖案，通過無(wú)電解電鍍形成網(wǎng)狀的金屬銀部分，得到本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜的方法。(c)通過用導(dǎo)電性銀漿形成網(wǎng)狀圖案得到本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜的方法。(d)在設(shè)置在載體上的含有銀鹽的含銀鹽層進(jìn)行曝光和顯影處理，在曝光部分形成金屬銀部分，在未曝光部分形成透光部分而得到本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜的方法。(e)對(duì)載體上的金屬薄膜進(jìn)行刻蝕的方法。在上述制造方法中，(a)的制造方法是在金屬板上形成抗蝕圖之后，通過電鍍?cè)诮饘侔迳闲纬删W(wǎng)狀導(dǎo)電性金屬薄膜(金屬銀部分)，再將其轉(zhuǎn)印到具有膠粘劑的粘結(jié)膜等上的方法。在上述(b)中的制造方法，是通過各種印刷的方法在載體上形成鈀催化劑等無(wú)電解電鍍催化劑的網(wǎng)狀圖案，通過無(wú)電解電鍍形成網(wǎng)狀金屬銀部分的方法。在上述(c)中的制造方法，是使用導(dǎo)電性銀漿，通過各種印刷方法在載體上形成網(wǎng)狀金屬銀部分的方法。在上述(d)中的制造方法，是涉及本發(fā)明透光性電磁波屏蔽膜的優(yōu)選制造方法， 將在下面詳細(xì)說明。在上述(e)中的制造方法，是在載體上形成含有銀的金屬薄膜，在其上面形成抗蝕圖之后，通過刻蝕得到網(wǎng)狀金屬薄膜(金屬銀部分)的方法。在刻蝕方法中，可以舉出利用含有氧化劑的刻蝕液的濕法刻蝕法(化學(xué)刻蝕法)，另外可以舉出干法刻蝕法。本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜，優(yōu)選通過在上述(d)中的制造方法(下面將此方法稱為“本發(fā)明的制造方法”)制造。下面就更詳細(xì)地說明此制造方法。本發(fā)明的制造方法是上述本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，將設(shè)置在載體上的含有銀鹽的含銀鹽層曝光，通過顯影處理，在曝光部分形成金屬銀部分，在未曝光部分形成透光部分。[含銀鹽層]在本發(fā)明的制造方法中，在載體上設(shè)置含銀鹽層作為光敏感劑。含銀鹽層除了銀鹽之外，還可以含有膠粘劑、溶劑等。< 銀鹽 >作為在本發(fā)明中使用的銀鹽，可以舉出鹵化銀等無(wú)機(jī)銀鹽和醋酸銀等有機(jī)銀鹽， 但作為光敏感劑優(yōu)選使用特性優(yōu)異的鹵化銀。下面說明在本發(fā)明中優(yōu)選使用的鹵化銀。在如上所述的本發(fā)明中，可使用功能化的鹵化銀作為光敏感劑。在涉及鹵化銀的銀鹽照相底片或相紙、印刷用底版、光掩膜用乳液掩膜等當(dāng)中使用的技術(shù)，在本發(fā)明中也是可以原封不動(dòng)地使用的。在鹵化銀中所含的鹵素，氯、溴、碘和氟當(dāng)中的任何一種都是可以的，它們的組合也是可以的。優(yōu)選使用以比如AgCl、AgBr、AgI為主體的鹵化銀，更優(yōu)選使用以AgBr為主體的鹵化銀。在此。所謂“以AgBr(溴化銀)為主體的鹵化銀”，指的是在鹵化銀的組成中溴化物離子所占的摩爾百分比在50%以上的鹵化銀。以此AgBr為主體的鹵化銀粒子，除了溴化物離子以外也可以含有碘化物離子、氯化物離子。鹵化銀是固體粒子，從曝光和顯影處理之后形成的花樣狀金屬銀層的圖像質(zhì)量的觀點(diǎn)出發(fā)，鹵化銀的平均粒度，其球當(dāng)量直徑優(yōu)選為0. 1 1000nm(l μ m)，更優(yōu)選為0. 1 lOOnm，特別優(yōu)選為1 50nm。而所謂鹵化銀粒子的球當(dāng)量直徑，是具有相同體積的球形粒子的直徑。
鹵化銀粒子的形狀沒有特別的限定，可以是比如球狀、立方體狀、平板狀(六邊形平板狀、三角形平板狀、四邊形平板狀等)、八面體狀、14面體狀等各式各樣的形狀。在本發(fā)明中使用的鹵化銀，也可以含有其它元素。比如，在照相乳劑中，為了得到高反差的乳劑，摻雜金屬離子是有用的。特別是銠或銥等過渡金屬離子，在生成金屬銀像時(shí)，容易在曝光部分和未曝光部分之間產(chǎn)生明顯的差別所以是優(yōu)選使用的。以銠離子、銥離子為代表的過渡金屬離子，也可以是具有各種配位體的化合物。作為這樣的配位體，可以舉出比如氰化物離子或鹵素離子、硫氰酸根離子、亞硝酰離子、水、氫氧化物離子等。作為具體化合物的例子，可以舉出K3Rh2Br9和K2IrCl6等。在本發(fā)明中，相對(duì)于銀的摩爾數(shù)，在鹵化銀中所含的銠化合物和/或銥化合物的含量，優(yōu)選為10, 10-2mOl/mol銀，特別優(yōu)選為10_9 1(Γ3πι01/πι01銀。此外，在本發(fā)明中，也可以優(yōu)選使用含有Pd(II)離子和/或Pd金屬的鹵化銀。 Pd可以均勻地分布在鹵化銀的粒子內(nèi)，但優(yōu)選存在于鹵化銀粒子的表層附近。在此，所謂 Pd “存在于鹵化銀粒子的表層附近”，意味著在從鹵化銀粒子的表面向深度方向的50nm以內(nèi)，其中的鈀含量要高于其它層中的含量。這樣的鹵化銀粒子，可通過在形成鹵化銀粒子的過程中添加Pd來制造，優(yōu)選在銀粒子和鹵素離子的添加量分別達(dá)到總添加量的50%以上之后添加Pd。在后期熟化時(shí)加入Pd(II)離子等方法中使其存在于鹵化銀粒子的表面上，也是優(yōu)選的。此含Pd的鹵化銀粒子，加速了物理顯影或無(wú)電解電鍍的速度，有望提高所需電磁波屏蔽材料的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。使用Pd作為無(wú)電解電鍍的催化劑是眾所周知的， 但在本發(fā)明中由于Pd偏多地存在于鹵化銀粒子的表層上，能夠節(jié)約極為昂貴的Pd。在本發(fā)明中，相對(duì)于銀的摩爾數(shù)，鹵化銀中所含的Pd離子和/或Pd金屬的含量， 優(yōu)選為IO-4 0. 5mol/mol銀，特別優(yōu)選為0. 01 0. 3mol/mol銀。作為使用的Pd化合物的例子，可以舉出PdCl4或Na2PdCl4等。在本發(fā)明中，還為了提高作為光敏感劑的敏感度，可在照相乳劑中實(shí)施化學(xué)增感。 作為化學(xué)增感可利用比如金增感等貴金屬增感、硫增感等硫族增感和還原增感等。作為可在本發(fā)明中使用的乳劑，可適當(dāng)使用在比如特開平11-305396、特開 2000-321698、特開平13481815和特開2002-7 中的實(shí)施例中所述的彩色負(fù)片用乳劑、 在特開2002-215731中所述的彩色反轉(zhuǎn)片用乳劑、特開2002-107865中所述的彩色相紙用乳劑等?！茨z粘劑〉在本發(fā)明的制造方法中，可以以有助于銀鹽粒子均勻分散而且使含銀鹽層與載體緊密粘結(jié)為目的，在含銀鹽層當(dāng)中使用膠粘劑。在本發(fā)明中可使用非水溶性聚合物和水溶性聚合物中的任何一種作為膠粘劑，但優(yōu)選使用水溶性聚合物。作為上述膠粘劑，可以舉出比如明膠、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、 淀粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環(huán)氧乙烷、多糖、聚乙烯基胺、黃原膠、聚賴氨酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質(zhì)酸、羧基纖維素等。它們根據(jù)官能團(tuán)的離子性能不同，具有中性、 陰離子性或陰離子性的性質(zhì)。在本發(fā)明的制造方法中，在含銀鹽層中所含的膠粘劑，其含量要在能夠發(fā)揮分散性和粘結(jié)性的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)貨Q定。為了使金屬粒子彼此容易互相接觸，得到高的導(dǎo)電性，在含銀鹽層中的膠粘劑含量，優(yōu)選使Ag/膠粘劑的體積比為1/2 2，更優(yōu)選為1/1 2。〈溶劑〉在本發(fā)明的制造方法中，在含銀鹽層中使用的溶劑也沒有特定的限制，但可以舉出比如水、有機(jī)溶劑(比如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲酰胺等酰胺類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體和它們的混合物。在本發(fā)明含銀鹽層中使用的溶劑的含量，相對(duì)于在上述含銀鹽層中所含的銀鹽、 膠粘劑等的總質(zhì)量在30 90%的范圍內(nèi)，優(yōu)選在50 80%的范圍內(nèi)。[曝光]在本發(fā)明的制造方法中，對(duì)設(shè)置在載體上的含銀鹽層進(jìn)行曝光。曝光可用電磁波進(jìn)行。作為電磁波，可以舉出比如可見光、紫外線等光線、X射線等放射線等。在曝光時(shí)，可利用具有波長(zhǎng)分布的光源，也可以利用特定波長(zhǎng)的光源。作為上述光源，可以舉出比如使用陰極射線(CRT)的掃描曝光。與使用激光的裝置相比，陰極射線管裝置簡(jiǎn)單而且緊湊，能夠降低成本。而且調(diào)節(jié)光軸或顏色也容易。在影像曝光時(shí)使用的陰極射線管中，根據(jù)需要使用在光譜區(qū)顯示出發(fā)光的各種發(fā)光體。作為發(fā)光體，使用了比如紅色發(fā)光體、綠色發(fā)光體、藍(lán)色發(fā)光體中的任何一種或兩種以上混合使用。光譜區(qū)并不限制在上述紅色、綠色和藍(lán)色，也使用黃色、橙色、紫色或紅外區(qū)發(fā)光的熒光體。特別是經(jīng)常使用將這些發(fā)光體混合發(fā)出白色光線的陰極射線管。紫外線燈也是優(yōu)選的， 也使用水銀燈的g線、水銀燈的i線等。在本發(fā)明的制造方法中，可使用各種激光束進(jìn)行曝光。比如在本發(fā)明中，可使用氣體激光器、發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體激光器或在激勵(lì)光源中使用半導(dǎo)體激光器的固體激光器和非線性光學(xué)結(jié)晶組合的二次諧波振蕩發(fā)光光源(SHG)等單色高密度光的掃描曝光方式，特別是可以使用KrF激元激光器、ArF激元激光器、F2激光器等。由于系統(tǒng)緊湊而且廉價(jià)，優(yōu)選用半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體激光器或固體激光器與非線性光學(xué)結(jié)晶組合的二次諧波振蕩發(fā)光光源(SHG)進(jìn)行曝光。為了設(shè)計(jì)出特別緊湊、廉價(jià)而且壽命長(zhǎng)、穩(wěn)定性高的裝置，優(yōu)選使用半導(dǎo)體激光器進(jìn)行曝光。作為激光光源，具體優(yōu)選使用波長(zhǎng)430 460nm的藍(lán)色半導(dǎo)體激光器(2001年3 月在第48屆應(yīng)用物理學(xué)相關(guān)綜合演講會(huì)上日亞化學(xué)發(fā)表)、由具有波導(dǎo)狀反轉(zhuǎn)疇結(jié)構(gòu)的 LiNbO3的SHG結(jié)晶，對(duì)半導(dǎo)體激光(振蕩波長(zhǎng)大約lOeOnm)進(jìn)行波長(zhǎng)變換得到的約530nm 的綠色激光、波長(zhǎng)約685nm的紅色半導(dǎo)體激光(日立型No. HL6738MG)、波長(zhǎng)約650nm的紅色半導(dǎo)體激光(日立型NO.HL6510MG)等。將含銀鹽層進(jìn)行花樣狀曝光的方法，可以利用光掩膜進(jìn)行面曝光，也可以由激光束進(jìn)行掃描曝光。此時(shí)，使用鏡頭的折射式曝光和使用反射鏡的反射式曝光都是可以的，可以使用接觸曝光、鄰近曝光、縮小投影曝光、反射投影曝光等曝光方式。[顯影處理]在本發(fā)明的制造方法中，在將含銀鹽層曝光之后，要實(shí)施顯影處理。上述顯影處理，可使用在銀鹽照相底片或相紙、印刷制版用底片、光掩膜用乳液掩膜等當(dāng)中使用的傳統(tǒng)顯影技術(shù)。對(duì)于顯影液沒有特定的限制，但可以使用PQ顯影液、MQ顯影液、MAA顯影液等。 作為商品，可以使用比如富士膠片株式會(huì)社制造的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、“ 卜一義 (Papitol)或KODAK公司制造的C-41、E-6、RA-4、Dsd-19、D_72等顯影液或者在套裝顯影液中含有它們的顯影液。也可以使用U ^ (Iith)顯影液，作為U ^ (Iith)顯影液，可以使用 KODAK公司制造的D85顯影液。在本發(fā)明的制造方法中，通過進(jìn)行上述曝光和顯影處理，在曝光部分形成圖案式樣的金屬銀部分的同時(shí)，在未曝光部分形成如下所述的透光部分。在本發(fā)明的制造方法中，顯影處理可包括以除去未曝光部分的銀鹽使之穩(wěn)定化為目的的定影處理，在本發(fā)明的制造方法中，定影處理可使用銀鹽照相底片或相紙、印刷制版用底片、光掩膜用乳液掩膜等當(dāng)中使用的定影處理技術(shù)。在顯影處理用的顯影液中，為了提高影像質(zhì)量，可含有影像質(zhì)量提高劑。作為上述影像質(zhì)量提高劑，可以舉出比如苯并三唑等含氮雜環(huán)化合物。在利用U ^ (Iith)顯影液的情況下，特別優(yōu)選使用聚乙二醇。在顯影處理后的曝光部分所含金屬銀的質(zhì)量，相對(duì)于曝光前的曝光部分所含的銀的質(zhì)量，優(yōu)選為50wt%以上，特別優(yōu)選在80wt%以上。在曝光部分所含的銀的質(zhì)量，相對(duì)于曝光前的曝光部分所含銀的質(zhì)量如果在50wt%以上，容易得到高的導(dǎo)電性，所以是優(yōu)選的。在本發(fā)明中顯影處理以后的灰度等級(jí)沒有特別的限定，但優(yōu)選超過4.0。當(dāng)顯影處理后的灰度等級(jí)超過4.0時(shí)，還能保持高的透光部分透明度，可以提高導(dǎo)電性金屬部分的導(dǎo)電性。作為使灰度等級(jí)在4.0以上的手段，可以舉出比如上述摻入銠離子、銥離子等。[氧化處理]在本發(fā)明的制造方法中，優(yōu)選對(duì)顯影處理后的金屬銀部分進(jìn)行氧化處理。通過進(jìn)行氧化處理，在比如透光部分沉淀有少量金屬的情況下，能夠除去該金屬，使透光部分的透過性達(dá)到幾乎100%。作為上述氧化處理，可以舉出比如Fe(III)離子處理等使用各種氧化劑的公知方法。氧化處理可以在含銀鹽層曝光和顯影處理之后進(jìn)行。在本發(fā)明中，可以用含有Pd的溶液處理曝光和顯影處理后的金屬銀部分。Pd可以是2價(jià)的鈀離子，也可以是金屬鈀。通過此處理能夠抑制金屬銀部分隨著時(shí)間而變黑。在本發(fā)明的制造方法中，由于通過曝光和顯影處理，直接在載體上形成線條寬度、 開口率和Ag含量都是特定的網(wǎng)狀金屬銀部分，具有足夠的表面電阻值，所以無(wú)須通過對(duì)金屬銀部分實(shí)施物理顯影和/或電鍍處理而賦予導(dǎo)電性。因此，能夠在簡(jiǎn)單的工序中制造透光性電磁波屏蔽膜。如上所述，本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜，可以適當(dāng)?shù)刈鳛榈入x子體顯示屏用透過性電磁波屏蔽膜使用。因此，使用包括本發(fā)明透光性電磁波屏蔽膜的等離子體顯示屏用透光性電磁波屏蔽膜的等離子體顯示屏，具有高的電磁波屏蔽能力、高的對(duì)比度和高的亮度，而且能夠以低的成本制造。下面舉出實(shí)施例來更具體地說明本發(fā)明。在下面的實(shí)施例中所顯示出的材料、用量、比例、處理內(nèi)容和處理順序等，只要不脫離本發(fā)明的主旨就能夠進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兓?。從而?本發(fā)明的范圍并不能由如下所示的具體例子進(jìn)行限定性的解釋。(實(shí)施例1 2)在含有4. 6g明膠的水介質(zhì)中配制Ag含量為60g的，含有平均球當(dāng)量直徑0. 09 μ m 溴化銀粒子的乳劑。此乳劑的Ag/明膠體積比為1/0.6。作為明膠的種類，將平均分子量2 萬(wàn)的低分子量明膠、平均分子量10萬(wàn)的高分子量明膠和平均分子量10萬(wàn)的氧化處理明膠混合使用。在此乳劑中添加K3Rh2Br9和K2IrCl6,在溴化銀粒子中摻入1 離子和Ir離子。然后在此乳劑中添加Na2PdCl4，再使用氯金酸和硫代硫酸鈉進(jìn)行金硫增感。在增感以后，將乳劑與明膠硬化劑一起涂布在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)上，使銀的涂布量為15g/m2，隨后將其干燥。對(duì)于PET，使用在涂布前預(yù)先進(jìn)行親水化處理的材料。然后，在干燥的涂布膜上，使用能夠得到線條/空間=5 μ m/195 μ m顯影銀像的格子狀光掩膜(線條/空間=195μπι/5μπι( 0]^2ΟΟμπι)的空間為格子狀的光掩膜)，用高壓水銀燈作為光源，使用平行光進(jìn)行曝光，在如下所述的顯影液中進(jìn)行顯影，再使用定影液 (商品名CN16X用N3X-R:富士膠片株式會(huì)社制造)進(jìn)行顯影處理之后，用純水漂洗，得到線條寬度和開口率不同的本發(fā)明試樣A和試樣B。[顯影液的組成]在IL顯影液中含有如下化合物。
氫醌0,.037mol/LN-甲基氨基苯酚0,016mol/L偏硼酸鈉0,140mol/L氫氧化鈉0,360mol/L溴化鈉0,031mol/L偏重亞硫酸鈉0,.187mol/L(比較例1 4)-制作比較例試樣_應(yīng)該與過去所知的導(dǎo)電性最高而且透光性也高的技術(shù)進(jìn)行比較，以如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中“利用照相法刻蝕加工銅網(wǎng)”為代表，按照在特開平10-41682中所述的金屬網(wǎng)制造方法，通過以下的順序制造比較例1的試樣。這就是說，首先在厚度50 μ m的透明PET薄膜上，經(jīng)由構(gòu)成粘結(jié)層的環(huán)氧系粘結(jié)片(Nika Flex SAF，Nilikan工業(yè)(株)制造)，在180°C 和30kgf/cm2的條件下加熱層合粘結(jié)上厚度18 μ m的電解銅箔。此時(shí)使電解銅箔的粗糙面在環(huán)氧系粘結(jié)片一側(cè)。在得到的附銅箔PET薄膜上，使用與實(shí)施例1和實(shí)施例2相同間距 200 μ m的光掩膜實(shí)施平板印刷工序(貼附遮光膜-曝光-顯影-化學(xué)刻蝕-剝離遮光膜)， 形成網(wǎng)的形狀。按照上述現(xiàn)有技術(shù)中“利用銀鹽形成導(dǎo)電性銀的方法”的在物理顯影核上沉淀銀的銀鹽擴(kuò)散轉(zhuǎn)印法為代表的特公昭42-23745的實(shí)施例3中所述的金屬網(wǎng)制造方法，通過以下的順序制造比較例2的試樣。這就是說，通過將富士膠片株式會(huì)社制造的TAC(三乙酰基纖維素)進(jìn)行易粘結(jié)化處理使之親水化。將由0. 2%的AgNO3(IOmL)、1%的KBr(ImL) ,2% 的福爾馬林(IOmL)和0.03mol/L的NaOH(IOOmL)構(gòu)成的液體和由明膠(3g)與水(IOOmL) 構(gòu)成的液體混合，通過透析除去鹽類之后，以500mL的總量，按照100g/m2的涂布量(相當(dāng)于 0.004g/m2的Ag)涂布在經(jīng)過親水化處理的TAC上，經(jīng)過干燥形成物理顯影核層。再在其上涂布氯化銀乳劑，通過干燥形成感光層。經(jīng)由間距200 μ m的網(wǎng)狀光掩膜進(jìn)行曝光，通過DTR 法進(jìn)行顯影制成試樣。
按照在上述現(xiàn)有技術(shù)的“印刷銀漿形成的網(wǎng)”為代表的特開2000-13088中所述的金屬網(wǎng)制造方法，通過如下的順序制造開口率不同的比較例3和比較例4的試樣。這就是說，首先在厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(東洋紡織株式會(huì)社制造，商品名A-4100)的表面上，使用凹版印刷法形成如在表1中所示的具有網(wǎng)狀的銀漿圖案。然后在150°C下加熱導(dǎo)電性銀漿池使之硬化，制成電磁波屏蔽膜。(評(píng)價(jià))測(cè)量如此得到的具有導(dǎo)電性金屬部分和透光部分的本發(fā)明試樣和比較例試樣導(dǎo)電性金屬部分的線條寬度，求出開口率，再測(cè)量出表面電阻值。在各項(xiàng)測(cè)量當(dāng)中，使用了光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡和低電阻儀。目視評(píng)價(jià)網(wǎng)的金屬部分，以黑色的為“〇”，褐色至灰色為“X”。再評(píng)價(jià)制造方法中的工序數(shù)，具有5項(xiàng)以下的為“〇”，超過5項(xiàng)工序的為“X”。評(píng)價(jià)的結(jié)果與比較試樣的數(shù)據(jù)一起如在下表中所示。表 權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電性銀薄膜，其是在載體上形成含有金屬銀的網(wǎng)的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于形成網(wǎng)狀的所述含有金屬銀的網(wǎng)，其線條寬度在18μπι以下，開口率在85%以上，含有水溶性聚合物，且含有90wt%以上的Ag，表面電阻值在5 Ω /Sq以下。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 其霧度在10%以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 所述載體是塑料薄膜、塑料板或玻璃。
4.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 所述載體是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。
5.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 所述載體的全可見光透過率為70 100%。
6.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 所述載體的厚度為5 200 μ m。
7.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 所述含有金屬銀的網(wǎng)的膜厚為2. 5 8 μ m。
8.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 所述含有金屬銀的網(wǎng)的間距是60 450 μ m。
9.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于由所述導(dǎo)電性銀薄膜的含有金屬銀的網(wǎng)以外的部分構(gòu)成的透光部分，其全可見光的透過率在95%以上。
10.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于由所述導(dǎo)電性銀薄膜的含有金屬銀的網(wǎng)以外的部分構(gòu)成的透光部分實(shí)質(zhì)上不含有物理顯影核。
11.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 所述含有金屬銀的網(wǎng)中含有95wt%以上的Ag。
12.一種導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，該導(dǎo)電性銀薄膜是在載體上形成含有金屬銀的網(wǎng)的導(dǎo)電性銀薄膜，所述含有金屬銀的網(wǎng)的線條寬度在18μπι以下，開口率在85%以上，含有水溶性聚合物，且含有90wt %以上的Ag，表面電阻值在5 Ω /sq以下，該制造方法的特征在于該制造方法包括對(duì)設(shè)置在載體上含有銀鹽及水溶性聚合物的含銀鹽層進(jìn)行網(wǎng)狀曝光的工序和通過顯影處理使曝光部分和未曝光部分分別形成含有金屬銀的網(wǎng)和透光部分的工序，所述含銀鹽層的Ag/水溶性聚合物體積比在1/2以上。
13.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 所述銀鹽是商化銀。
14.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 所述銀鹽是以AgBr為主體的鹵化銀。
15.如權(quán)利要求13或14所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 所述鹵化銀的平均粒徑，即球當(dāng)量直徑為0. 1 lOOOnm。
16.如權(quán)利要求12 14中任何一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 所述含銀鹽層含有銠或銥。
17.如權(quán)利要求12 14中任何一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 所述含銀鹽層含有明膠作為水溶性聚合物。
18.如權(quán)利要求12 14中任何一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 對(duì)所述含有金屬銀的網(wǎng)實(shí)質(zhì)上不實(shí)施物理顯影和/或電鍍處理。
19.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 所述含銀鹽層的Ag/水溶性聚合物體積比在1/1以上。
20.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電性銀薄膜的制造方法，其特征在于 所述含有金屬銀的網(wǎng)中含有95wt%以上的Ag。
21.一種等離子體顯示屏用導(dǎo)電性銀薄膜，其特征在于 其包括如權(quán)利要求1 11中任何一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性銀薄膜。
22.—種等離子體顯示屏，其特征在于其具有如權(quán)利要求1 11中任何一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性銀薄膜。
全文摘要
作為在載體上形成網(wǎng)狀的金屬銀部分的導(dǎo)電性銀薄膜的一種透光性電磁波屏蔽膜，其形成網(wǎng)狀的上述金屬銀部分，線條寬度在18μm以下，開口率在85％以上，含有80～100wt％的Ag，而且其表面電阻值在5Ω/sq以下。此透光性電磁波屏蔽膜在具有高的電磁波屏蔽性能和高的透明度的同時(shí)，而且具有網(wǎng)狀部分是黑色的特征。
文檔編號(hào)H01J11/44GK102548379SQ20111044191
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2005年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月23日
發(fā)明者佐佐木博友, 西櫻量 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社