專利名稱：絕緣構(gòu)件及包括絕緣構(gòu)件的基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于將設(shè)置在基板處理裝置的處理室內(nèi)的電極和處理室的內(nèi)壁面之間電絕緣的絕緣構(gòu)件及包括該絕緣構(gòu)件的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
公知有在以液晶顯示裝置(IXD)為首的FPD(平板顯示器Flat Panel Display) 的制造工序中、對(duì)以玻璃基板為首的各種基板實(shí)施等離子體處理的基板處理裝置。在這樣的基板處理裝置中，具有在內(nèi)部為真空區(qū)域的處理室(以下稱作“腔室”) 內(nèi)支承基板的基板載置臺(tái)(基座)、隔著處理空間與該基座相對(duì)地配置的上部電極，對(duì)起到下部電極的作用的基座施加等離子體生成用的高頻電力(RF)，并且，將處理氣體導(dǎo)入到腔室內(nèi)的處理空間中而生成等離子體，使用生成的等離子體對(duì)載置在基座上的基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理。基座呈與作為處理對(duì)象的基板同樣的矩形，為了確保RF的絕緣，用于將基座和腔室的內(nèi)壁面、例如底部壁面之間電絕緣的絕緣構(gòu)件由矩形的環(huán)狀體構(gòu)成。絕緣構(gòu)件通常主要由內(nèi)側(cè)構(gòu)件、外側(cè)構(gòu)件、配置在該內(nèi)側(cè)構(gòu)件和外側(cè)構(gòu)件之間的密封構(gòu)件構(gòu)成。內(nèi)側(cè)構(gòu)件和外側(cè)構(gòu)件例如由以聚四氟乙烯(polytetrafluoroethyle ne)(商品名稱Tefl0n(注冊(cè)商標(biāo)))為首的絕緣性的材料構(gòu)成，由內(nèi)側(cè)構(gòu)件圍成的區(qū)域?yàn)殚_放于大氣的大氣區(qū)域。因而， 配置在內(nèi)側(cè)構(gòu)件和外側(cè)構(gòu)件之間的密封構(gòu)件劃分出了腔室內(nèi)的真空區(qū)域和由內(nèi)側(cè)構(gòu)件圍成的大氣區(qū)域。構(gòu)成絕緣構(gòu)件的內(nèi)側(cè)構(gòu)件和外側(cè)構(gòu)件是矩形的環(huán)狀體，由于隨著由近年來產(chǎn)業(yè)界的要求等導(dǎo)致的處理基板的大型化而大型化，因此，難以一體成形，從這個(gè)方面及對(duì)于形狀的簡化、成本降低、由構(gòu)件的膨脹引起的尺寸變化的對(duì)策的方面考慮，通常形成為利用多個(gè)構(gòu)成構(gòu)件的組合而形成的組合體。圖7的㈧ (C)是表示以往的技術(shù)中的絕緣構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的圖，圖7的(A)是整個(gè)絕緣構(gòu)件的俯視圖，圖7的(B)是絕緣構(gòu)件的角部的局部放大俯視圖，圖7的(C)是絕緣構(gòu)件的角部的局部放大側(cè)視圖。在圖7中，絕緣構(gòu)件70主要由矩形的內(nèi)側(cè)構(gòu)件71和外側(cè)構(gòu)件72、以夾持在該內(nèi)側(cè)構(gòu)件71和外側(cè)構(gòu)件72之間的方式配置的作為密封構(gòu)件的矩形的0型密封圈73構(gòu)成。內(nèi)側(cè)構(gòu)件71和外側(cè)構(gòu)件72由被分割成多個(gè)的構(gòu)成構(gòu)件構(gòu)成，各構(gòu)成構(gòu)件利用省略了圖示的螺釘固定在腔室的底部壁面上。另外，配置在矩形的角部的構(gòu)成構(gòu)件分別呈L字狀。絕緣構(gòu)件70由于來自與處理目的相應(yīng)地被加熱的下部電極的導(dǎo)熱而被加熱，發(fā)生熱膨脹。因而，在熱膨脹時(shí)，有可能在相鄰的構(gòu)成構(gòu)件的相互的抵接面中產(chǎn)生互相推擠對(duì)方的力而變形。因此，在各構(gòu)成構(gòu)件相互之間預(yù)先設(shè)有間隙74，該間隙74用于吸收作為熱膨脹量的熱膨脹部分。另外，為了防止等離子體的例如縱向的貫穿，在各構(gòu)成構(gòu)件相互的抵接部設(shè)有臺(tái)階部75，間隙74被臺(tái)階部75分割成兩個(gè)。
但是，由于間隙74被設(shè)計(jì)成足夠大的尺寸以吸收各構(gòu)成構(gòu)件的在各種處理?xiàng)l件下的熱膨脹，因此，即使在進(jìn)行基板處理時(shí)構(gòu)成構(gòu)件熱膨脹，間隙74也不會(huì)完全被封閉，大多數(shù)情況下都在間隙74中留有一些間隙。在進(jìn)行等離子體處理時(shí)，在各構(gòu)成構(gòu)件相互之間存在間隙74時(shí)，等離子體從該間隙74進(jìn)入而到達(dá)被配置在外側(cè)構(gòu)件72的內(nèi)側(cè)的0型密封圈73，產(chǎn)生接受了等離子體照射后的0型密封圈73在短時(shí)間內(nèi)劣化這樣的問題。因此，為了解決隨著以這樣的絕緣構(gòu)件、屏蔽環(huán)(shield ring)為首的腔室內(nèi)部件的熱膨脹而產(chǎn)生的問題，提出了一種這樣的技術(shù)，即，安裝以將構(gòu)成腔室內(nèi)部件的各構(gòu)成構(gòu)件互相拉近的方式施力的施力構(gòu)件、或者對(duì)各構(gòu)成構(gòu)件朝向作為該構(gòu)成構(gòu)件的組裝體的腔室內(nèi)部件的中心部施力的施力構(gòu)件，由此防止各構(gòu)成構(gòu)件相互間產(chǎn)生間隙(例如參照“專利文獻(xiàn)1”)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2008-311四8號(hào)公報(bào)但是，并不一定易于安裝施力構(gòu)件，該施力構(gòu)件用于對(duì)各構(gòu)成構(gòu)件付與向特定方向施加的作用力，該各構(gòu)成構(gòu)件用于形成腔室內(nèi)部件。另一方面，在使用于吸收熱膨脹的間隙消失的情況下，存在會(huì)導(dǎo)致構(gòu)成構(gòu)件的由熱膨脹引起的變形或破損這樣的問題，而且，在放置能夠充分吸收熱膨脹的間隙的情況下，存在等離子體從該間隙進(jìn)入而例如促進(jìn)配置在構(gòu)成構(gòu)件的內(nèi)部的其他構(gòu)成部件劣化這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于提供能夠防止密封構(gòu)件劣化的絕緣構(gòu)件及包括該絕緣構(gòu)件的
基板處理裝置。為了解決上述問題，技術(shù)方案1所述的絕緣構(gòu)件用于在對(duì)矩形的基板實(shí)施等離子體處理的基板處理裝置的處理室內(nèi)將用于載置上述基板的矩形的載置臺(tái)和上述處理室的內(nèi)壁面之間電絕緣，其特征在于，該絕緣構(gòu)件具有內(nèi)側(cè)構(gòu)件、外側(cè)構(gòu)件、環(huán)狀的密封構(gòu)件，該環(huán)狀的密封構(gòu)件配置在該內(nèi)側(cè)構(gòu)件和外側(cè)構(gòu)件之間且用于劃分出上述處理室內(nèi)的真空區(qū)域和由上述內(nèi)側(cè)構(gòu)件圍成的大氣區(qū)域；上述外側(cè)構(gòu)件由與上述矩形的載置臺(tái)的各邊相對(duì)應(yīng)地配置的絕緣性的長條狀物的組合體構(gòu)成；各長條狀物以長條狀物的長度方向的一端的端面抵接于相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的側(cè)面、長條狀物的長度方向的另一端的側(cè)面抵接于相鄰的又一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的端面的方式分別被組合，該又一個(gè)長條狀物與上述另一個(gè)長條狀物不同；上述各長條狀物以上述長條狀物的長度方向的一端借助固定用的螺紋孔固定于上述處理室的內(nèi)壁面、另一端借助至少1個(gè)支承用的螺紋孔被位移自由地支承的方式被排列。技術(shù)方案2所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1所述的絕緣構(gòu)件中，上述各長條狀物以能夠以上述被固定的一端為起點(diǎn)而沿著上述長條狀物的長度方向進(jìn)行熱膨脹或者熱收縮的方式被排列。技術(shù)方案3所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1或2所述的絕緣構(gòu)件中，上述固定用的螺紋孔在與該固定用的螺紋孔垂直的截面中是正圓形，上述支承用的螺紋孔在與該支承用的螺紋孔垂直的截面中是在上述長條狀物的長度方向上較長的橢圓形或者兩端為半圓的長圓。
技術(shù)方案4所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案3所述的絕緣構(gòu)件中，使安裝在上述固定用的螺紋孔中的固定螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩大于安裝在上述支承用的螺紋孔中的支承螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩。技術(shù)方案5所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1 4中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件中，上述外側(cè)構(gòu)件在與上述環(huán)狀的密封構(gòu)件的長度方向正交的截面中僅存在于上述環(huán)狀的密封構(gòu)件的外側(cè)面?zhèn)?。技術(shù)方案6所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1 5中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件中，上述外側(cè)構(gòu)件中的上述長條狀物相互的抵接部的內(nèi)側(cè)面呈曲面，在上述長條狀物的一端的側(cè)面設(shè)有用于形成上述曲面的突出部。技術(shù)方案7所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1 5中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件中，上述外側(cè)構(gòu)件中的上述長條狀物相互的抵接部的內(nèi)側(cè)面實(shí)質(zhì)上形成有直角的角部，上述長條狀物具有不包括突起部的矩形的外形。技術(shù)方案8所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1 7中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件中，在上述各長條狀物的長度方向的一端的端面和上述相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的側(cè)面的抵接部形成有臺(tái)階構(gòu)造的組合部。技術(shù)方案9所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案8所述的絕緣構(gòu)件中，上述臺(tái)階構(gòu)造的至少一部分由嵌入構(gòu)件構(gòu)成，該嵌入構(gòu)件由間隙配合在凹部中的絕緣材料構(gòu)成， 該凹部形成于上述各長條狀物的一端的端面和上述相鄰的另一個(gè)長條狀物的上述一端的側(cè)面的抵接部。技術(shù)方案10所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案9所述的絕緣構(gòu)件中，在上述凹部和上述嵌入構(gòu)件之間設(shè)有間隙，該間隙用于吸收上述長條狀物的沿著長度方向的由熱膨脹或者熱收縮引起的位移。技術(shù)方案11所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案10所述的絕緣構(gòu)件中，上述凹部中的供上述嵌入構(gòu)件插入的插入口利用側(cè)封堵構(gòu)件封堵。技術(shù)方案12所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1 11中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件中，上述環(huán)狀的密封構(gòu)件的一部分嵌合于設(shè)置在上述處理室的內(nèi)壁面的凹部中。技術(shù)方案13所述的絕緣構(gòu)件的特征在于，在技術(shù)方案1 12中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件中，上述內(nèi)側(cè)構(gòu)件由組合多個(gè)構(gòu)成構(gòu)件而成的組合體構(gòu)成，在各構(gòu)成構(gòu)件相互之間設(shè)有用于吸收熱膨脹的間隙。為了解決上述課題，技術(shù)方案14所述的基板處理裝置包括技術(shù)方案1 13中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件。采用本發(fā)明，由長條狀物的組合體構(gòu)成絕緣構(gòu)件中的外側(cè)構(gòu)件，該絕緣構(gòu)件具有內(nèi)側(cè)構(gòu)件、外側(cè)構(gòu)件、配置在內(nèi)側(cè)構(gòu)件和外側(cè)構(gòu)件之間的環(huán)狀的密封構(gòu)件，各長條狀物以長條狀物的長度方向的一端的端面抵接于相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的側(cè)面、 另一端的側(cè)面抵接于與相鄰的另一個(gè)長條狀物不同的相鄰的又一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的端面的方式分別被組合，固定各長條狀物的一端，并且位移自由地支承其另一端， 因此，以不會(huì)在外側(cè)構(gòu)件的構(gòu)成構(gòu)件相互之間形成間隙的方式吸收熱膨脹來阻止等離子體向配置在外側(cè)構(gòu)件的內(nèi)側(cè)的密封構(gòu)件進(jìn)入，由此，能夠防止密封構(gòu)件因照射等離子體而導(dǎo)致的劣化。


圖1是表示包括本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是表示在將圖2的絕緣構(gòu)件裝入到圖1的基板處理裝置中的狀態(tài)下的主要部分的剖視圖。圖4的㈧ (D)是絕緣構(gòu)件的角部的局部放大圖，圖4的㈧及圖4的(C)是表示熱膨脹前的狀態(tài)的圖，圖4的(B)及圖4的(D)是表示熱膨脹后的狀態(tài)的圖。圖5的(A) (B)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的變形例的主要部分的圖，圖5的(A)是表示第1變形例的主要部分的圖，圖5的(B)是表示第2變形例的主要部分的圖。圖6的(A) (B)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的變形例的主要部分的圖，圖6的(A)是表示第3變形例的主要部分的圖，圖6的(B)是表示第4變形例的主要部分的圖。圖7的㈧ (C)是表示以往技術(shù)中的絕緣構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的圖，圖7的㈧是整個(gè)絕緣構(gòu)件的俯視圖，圖7的(B)是絕緣構(gòu)件的角部的局部放大俯視圖，圖7的(C)是絕緣構(gòu)件的角部的局部放大側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示包括本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。該基板處理裝置例如是對(duì)液晶顯示裝置(LCD)制造用的玻璃基板實(shí)施等離子體蝕刻處理的裝置。在圖1中，基板處理裝置10具有用于收容例如1邊為幾m的矩形的玻璃基板G (以下簡稱作“基板”)的處理室(腔室)11，在該腔室11內(nèi)部的圖中下方配置有用于載置基板 G的載置臺(tái)(基座)12?；?2例如利用由表面被鋁陽極化處理后的鋁、不銹鋼等構(gòu)成的基材13構(gòu)成，基材13隔著絕緣構(gòu)件14支承在作為腔室11的內(nèi)壁面的底部平面上。絕緣構(gòu)件14將基座12和腔室11的底部平面之間電絕緣。基材13的截面呈凸型，其上部平面為用于載置基板G的基板載置面13a。以包圍基板載置面13a的周圍的方式設(shè)有屏蔽環(huán)(shield ring) 15?；?3的上部內(nèi)置有靜電電極板16，其起到靜電吸盤的作用。靜電電極板16與直流電源17連接，對(duì)靜電電極板16施加正的直流電壓時(shí)，在載置于基板載置面13a的基板G中的靠靜電電極板 16側(cè)的面(以下稱作“背面”)上感應(yīng)出負(fù)電荷，由此，在靜電電極板16和基板G的背面之間產(chǎn)生電場，利用由該電場引起的庫侖力或者約翰遜·拉別克(Johnson · Ranbec)力將基板G吸附保持在基板載置面13a上。在基材13的內(nèi)部設(shè)有溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(省略圖示)，該溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)用于調(diào)節(jié)基材 13和載置在基板載置面13a上的基板G的溫度。將例如冷卻水、Galden(注冊(cè)商標(biāo))等制冷劑循環(huán)供給到該溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)中，利用該制冷劑冷卻后的基材13將基板G冷卻。
在基材13的周圍配置有作為側(cè)封堵構(gòu)件的絕緣環(huán)18，該絕緣環(huán)18將包含屏蔽環(huán) 15和基材13的抵接部在內(nèi)的側(cè)面覆蓋。絕緣環(huán)18由絕緣性的陶瓷、例如氧化鋁構(gòu)成。在將腔室11的底部平面、由絕緣構(gòu)件14圍成的空間部及基材13貫穿的通孔中能夠升降地貫穿有升降銷21。升降銷21在將載置于基板載置面13a的基板G輸入及輸出時(shí)工作，在將基板G輸入到腔室11內(nèi)或者將基板G從腔室11輸出時(shí)，該升降銷21上升至基座12的上方的輸送位置，除此之外時(shí)以埋設(shè)狀態(tài)收容在基板載置面13a內(nèi)。在基板載置面13a中開口有省略了圖示的多個(gè)導(dǎo)熱氣體供給孔。多個(gè)導(dǎo)熱氣體供給孔連接于導(dǎo)熱氣體供給部，作為導(dǎo)熱氣體，自導(dǎo)熱氣體供給部將例如氦(He)氣供給到基板載置面13a和基板G的背面間隙中。被供給到基板載置面13a和基板G的背面的間隙中的氦氣能夠在基板G和基座12之間有效地進(jìn)行導(dǎo)熱，例如能夠?qū)⒒錑的熱排出到基座12 中而有效地將基板G冷卻。用于供給高頻電力的高頻電源23經(jīng)由匹配器M連接于基座12的基材13。自高頻電源23例如施加13. 56MHz的高頻電力(RF)，基座12起到下部電極的作用。匹配器M 降低來自基座12的高頻電力的反射而使對(duì)基座12施加高頻電力的效率最大。在基板處理裝置10中，由腔室11的內(nèi)部側(cè)壁和基座12的側(cè)面形成側(cè)方排氣路徑 26。該側(cè)方排氣路徑沈經(jīng)由排氣管27連接于排氣裝置觀。作為排氣裝置^WTMP(渦輪分子泵Turbo Molecular Pump)和DP(干式泵Dry Pump)或者M(jìn)BP(機(jī)械增壓泵 Mechanical Booster Pump)(均省略圖示)對(duì)腔室11內(nèi)進(jìn)行抽真空來減壓。具體地講，DP 或MBP將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓至中真空狀態(tài)(例如1.3X101^(0. ITorr)以下)，TMP 與DP或MB P協(xié)作而將腔室11內(nèi)減壓至作為比中真空狀態(tài)低的壓力的高真空狀態(tài)(例如 1.3X 10-3Pa(l· OX I(T5Torr)以下)。另夕卜，腔室11內(nèi)的壓力利用APC閥(省略圖示)來控制。在腔室11的頂部分，與基座12相對(duì)地配置有簇射頭30。簇射頭30具有內(nèi)部空間31，并具有用于將處理氣體噴出到簇射頭30與基座12之間的處理空間S中的多個(gè)氣孔 32。簇射頭30被接地，其與起到下部電極的作用的基座12 —同構(gòu)成一對(duì)平行平板電極。簇射頭30經(jīng)由氣體供給管36連接于處理氣體供給源39。在氣體供給管36上設(shè)有開閉閥37和質(zhì)量流量控制器38。另外，在腔室11的側(cè)壁上設(shè)有基板輸入-輸出口 34， 該基板輸入-輸出口 34能夠利用閘閥35開閉。于是，經(jīng)由該閘閥35將作為處理對(duì)象的基板G輸入到腔室11中或者從腔室11中輸出。在基板處理裝置10中，自處理氣體供給源39經(jīng)由處理氣體導(dǎo)入管36供給處理氣體。供給的處理氣體經(jīng)由簇射頭30的內(nèi)部空間31和氣孔32被導(dǎo)入到腔室11的處理空間 S中。導(dǎo)入的處理氣體被從高頻電源23經(jīng)由基座12向處理空間S施加的等離子體生成用的高頻電力(RF)勵(lì)起而成為等離子體。等離子體中的離子被朝向基板G引入，對(duì)基板G實(shí)施規(guī)定的等離子體蝕刻處理?；逄幚硌b置10所包括的控制部(省略圖示)的CPU根據(jù)與等離子體蝕刻處理相對(duì)應(yīng)的程序來控制基板處理裝置10的各構(gòu)成部件的動(dòng)作。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖2中，絕緣構(gòu)件14主要由內(nèi)側(cè)構(gòu)件41、外側(cè)構(gòu)件42、以夾持在該內(nèi)側(cè)構(gòu)件41 和外側(cè)構(gòu)件42之間的方式配置的環(huán)狀的密封構(gòu)件(以下稱作“0型密封圈”)43構(gòu)成。
外側(cè)構(gòu)件42呈由與矩形的基座12的各邊相對(duì)應(yīng)地配置的4個(gè)長條狀物構(gòu)成的矩形，其利用形成相對(duì)的兩個(gè)短邊的長條狀物44、45與形成相對(duì)的兩個(gè)長邊的長條狀物46、 47的組合體構(gòu)成。長條狀物44以如下述的方式配置長條狀物44的固定端4 的端面抵接于相鄰的另一個(gè)長條狀物46的長度方向的端部(自由端)46b的側(cè)面，作為另一端的移動(dòng)端44b的側(cè)面抵接于相鄰的又一個(gè)長條狀物47的端部(固定端)47a的端面，該又一個(gè)長條狀物47與相鄰的另一個(gè)長條狀物46不同。長條狀物45及長條狀物47以相對(duì)于大氣區(qū)域50的中心點(diǎn)C分別與長條狀物44和長條狀物46呈點(diǎn)對(duì)稱的方式組合，該大氣區(qū)域50 是由內(nèi)側(cè)構(gòu)件41圍成的空間部。長條狀物44 47具有設(shè)置在作為其長度方向一端的固定端的固定用的螺紋孔 48、與該固定用的螺紋孔48在長條狀物的長度方向上分開地設(shè)置的支承用的螺紋孔49。固定端4 47a分別利用安裝在固定用的螺紋孔48中的固定螺釘(省略圖示)固定在腔室11的底部平面上。另一方面，自由端44b 47b利用貫穿支承用的螺紋孔49的支承螺釘(省略圖示)支承為相對(duì)于腔室11的底部平面沿著長條狀物的長度方向位移自由。由此，各長條狀物44 47以能夠以固定端4 47a為起點(diǎn)而沿著長條狀物的長度方向進(jìn)行熱膨脹或者熱收縮的方式支承。固定用的螺紋孔48用于將長條狀物的固定端4 47a固定在腔室11的底部平面上，其在與螺紋孔垂直的截面中形成為間隙較少的正圓形。另一方面，支承用的螺紋孔49 用于將作為與固定端4 47a相對(duì)的另一端的自由端44b 47b支承成以固定端為起點(diǎn)地位移自由，其在與螺紋孔垂直的截面中形成為在長條狀物的長度方向上較長的橢圓形或者兩端為半圓的長圓。支承用的螺紋孔49設(shè)有至少1個(gè)，但也可以與長條狀物44 47的長度相應(yīng)地設(shè)有兩個(gè)或者兩個(gè)以上。此時(shí)，各支承用的螺紋孔49例如優(yōu)選等間隔地設(shè)置。支承用的螺紋孔49的長徑具有即使各長條狀物44 47熱膨脹、安裝在支承用的螺紋孔49中的支承螺釘也不會(huì)限制長條狀物的熱膨脹那樣程度的長度，長徑的長度例如優(yōu)選在處理被稱作第8 代的FPD用玻璃基板時(shí)是16mm 20mm，其與處理的玻璃基板的規(guī)格相應(yīng)地設(shè)定。優(yōu)選使安裝在固定用的螺紋孔48中的固定螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩大于安裝在支承用的螺紋孔49中的支承螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩。由此，能夠可靠地固定長條狀物44 47的固定端 44a 47a，而且，能夠松弛地支承自由端44b 47b來確保長條狀物44 47的熱膨脹時(shí)或者熱收縮時(shí)的位移。固定螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩例如為15kgf · cm 20kgf · cm (1· 5N · m 2. ON · m) 左右，支承螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩比固定螺栓的緊固轉(zhuǎn)矩小一些，例如為IOkgf · cm Mkgf.Cm(L0N.m L5N.m)左右。但是，在需要限制由膨脹引起的伸長量等的情況下， 也能夠在長條狀物不破損的程度的范圍內(nèi)更強(qiáng)有力地加大它們的轉(zhuǎn)矩，制約長條狀物的位移。長條狀物44 47相互的抵接部的內(nèi)側(cè)面呈曲面，在各長條狀物44 47的一端的側(cè)面設(shè)有用于形成曲面的突出部Mc 47c。由此，能夠利用外側(cè)構(gòu)件42和下述的內(nèi)側(cè)構(gòu)件41可靠地支承0型密封圈43的整周，從而能夠可靠地將利用0型密封圈43形成的腔室11內(nèi)部的真空區(qū)域和由內(nèi)側(cè)構(gòu)件41圍成的大氣區(qū)域50劃分開。另外，長條狀物44 47相互的抵接部的內(nèi)側(cè)面實(shí)質(zhì)上也可以是直角的角部，在這種情況下，作為長條狀物44 47，可應(yīng)用具有不包括突起部的矩形的外形的長條狀物。外側(cè)構(gòu)件42在與0型密封圈43的長度方向正交的截面中僅存在于0型密封圈43 的外側(cè)面?zhèn)?參照?qǐng)D2及圖3)。即，各長條狀物44 47不會(huì)夾著或者收容0型密封圈43， 不束縛0型密封圈43。由此，如后述的圖4所示，即使構(gòu)成外側(cè)構(gòu)件的各長條狀物44 47 被加熱，其自由端44b 47b沿著其長度方向位移，長條狀物44 47也不會(huì)扭轉(zhuǎn)0型密封圈43，穩(wěn)定地劃分出腔室內(nèi)的真空區(qū)域和大氣區(qū)域50。另外，由于0型密封圈43沒有被扭轉(zhuǎn)，因此，能夠防止0型密封圈43的損傷、磨損、劣化等。圖3是表示將圖2的絕緣構(gòu)件裝入到圖1的基板處理裝置中后的狀態(tài)的主要部分的剖視圖。在圖3中，0型密封圈43的與其長度方向正交的截面形狀(以下簡稱作“截面形狀”)的高度比外側(cè)構(gòu)件42和內(nèi)側(cè)構(gòu)件41的高度尺寸大一些。0型密封圈43的截面形狀中的上下端分別比除上下端之外的部分更粗，且作為其一部分的下端嵌合于設(shè)置在腔室11 的底部平面51中的凹部中，由此，被穩(wěn)定地支承、固定。0型密封圈43的截面形狀中的上端抵接于用于形成基座12的基材13的下側(cè)面，由此可靠地劃分出腔室11內(nèi)的作為處理空間 S的真空區(qū)域和由內(nèi)側(cè)構(gòu)件41圍成的大氣區(qū)域50來維持真空區(qū)域的真空度。內(nèi)側(cè)構(gòu)件41由分割成多個(gè)的構(gòu)成構(gòu)件的組合體構(gòu)成，在各構(gòu)成構(gòu)件相互之間形成有用于吸收由熱膨脹引起的位移的間隙41a。俯視內(nèi)側(cè)構(gòu)件41時(shí)，相當(dāng)于內(nèi)側(cè)構(gòu)件41的矩形的角部的構(gòu)成構(gòu)件由L字狀的分割構(gòu)件構(gòu)成，該L字狀的分割構(gòu)件具有其外側(cè)面能夠均等地支承0型密封圈43的內(nèi)側(cè)面這樣的曲面。使用已裝入有這樣的結(jié)構(gòu)的絕緣構(gòu)件14的圖1的基板處理裝置10，對(duì)基板G實(shí)施等離子體蝕刻處理時(shí)，利用來自與處理目的相應(yīng)地被加熱的下部電極的導(dǎo)熱等將絕緣構(gòu)件 14加熱，使其熱膨脹。圖4是絕緣構(gòu)件的角部的局部放大圖，圖4的(A)及圖4的(C)是表示熱膨脹前的狀態(tài)的圖，圖4的(B)及圖4的(D)是表示熱膨脹后的狀態(tài)的圖。在圖4的㈧中，長條狀物44的自由端44b相對(duì)于相鄰的長條狀物47的固定端 47a的側(cè)面縮回規(guī)定寬度。另一方面，在表示熱膨脹后的狀態(tài)的圖4的(B)中，長條狀物44 以固定端44a(省略圖示)為起點(diǎn)向其長度方向伸長，由此，自由端44b位移，自由端44b的端面與相鄰的長條狀物47的固定端47a的側(cè)面成為所謂的一個(gè)面。采用本實(shí)施方式，用于構(gòu)成外側(cè)構(gòu)件42的各長條狀物44 47分別以如下述的方式無間隙地組合作為各長條狀物44 47長度方向的一端的固定端的端面抵接于相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向自由端的側(cè)面，作為另一端的自由端的側(cè)面抵接于作為相鄰的又一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的固定端的端面，該相鄰的又一個(gè)長條狀物與該相鄰的另一個(gè)長條狀物不同，而且，利用安裝在固定用的螺紋孔48中的固定螺釘可靠地固定各長條狀物44 47的固定端4 47a，利用安裝在支承用的螺紋孔49中的支承螺釘將作為另一端的自由端44b 47b支承為能夠在熱膨脹方向或者熱收縮方向上位移，因此，在自由端44b 47b的移動(dòng)方向上不存在其他的長條狀物，由此，即使長條狀物44 47熱膨脹， 也不會(huì)在長條狀物相互之間產(chǎn)生間隙和推壓對(duì)方的力。因而，能夠阻止等離子體向配置在外側(cè)構(gòu)件42的內(nèi)部的0型密封圈43進(jìn)入，能夠防止因照射等離子體而導(dǎo)致的0型密封圈 43的劣化。
另外，采用本實(shí)施方式，由于利用長條狀物44 47的組合體構(gòu)成外側(cè)構(gòu)件42，因此，能夠?qū)⒏鏖L條狀物44 47的形狀做成例如大致長方形狀的簡單形狀，由此，能夠削減長條狀物44 47和外側(cè)構(gòu)件42以及絕緣構(gòu)件14的制作成本。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選選定長條狀物44的長度，使得長條狀物44的自由端44b處于相對(duì)于相鄰的長條狀物47的固定端47a的外側(cè)面縮回與該長條狀物44的由熱膨脹引起的伸長寬度相當(dāng)?shù)拈L度的量的狀態(tài)。由此，即使長條狀物44因熱膨脹而沿著其長度方向伸長，其自由端44b也不會(huì)自相鄰的長條狀物47的固定端47a的外側(cè)面突出，能夠避免與其他的腔室內(nèi)構(gòu)成部件碰撞。另外，也可以如圖4的(C)所示那樣預(yù)先使長條狀物44的自由端44b的端部與相鄰的長條狀物47的固定端4 的外側(cè)面平齊，在熱膨脹時(shí)如圖4的⑶所示那樣自固定端 47a的側(cè)面突出，在相鄰的又一個(gè)腔室內(nèi)部件上設(shè)置凹部，該凹部具有與長條狀物44的由熱膨脹引起的伸長寬度相當(dāng)?shù)膶挾龋纱?，避免該相鄰的又一個(gè)腔室內(nèi)部件和長條狀物44碰撞。在本實(shí)施方式中，如圖4的(B)所示，由于長條狀物44的熱膨脹而在該長條狀物 44和0型密封圈43之間產(chǎn)生間隙52，但由于能夠確保長條狀物44的自由端44b的側(cè)面和長條狀物47的固定端47a的端面的抵接狀態(tài)，因此，不會(huì)因等離子體進(jìn)入而導(dǎo)致0型密封圈43發(fā)生劣化。在本實(shí)施方式中，用于構(gòu)成外側(cè)構(gòu)件42的長條狀物44 47由絕緣性材料、例如聚四氟乙烯(商品名稱Teflon(注冊(cè)商標(biāo)))等構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，長條狀物44 47中的固定用的螺紋孔48優(yōu)選位于極靠近該長條狀物44 47的固定端4 47a的端面的位置，設(shè)置在距固定端的端部例如30mm 40mm的位置。在固定用的螺紋孔48和固定端的端面之間的間隔為幾百mm以上時(shí)，固定用的螺紋孔48和固定端的端面之間那部分的熱膨脹無法忽視，有可能在各長條狀物的固定端與抵接于該固定端的另一個(gè)環(huán)構(gòu)成部件的接合面中產(chǎn)生變形。在本實(shí)施方式中，0型密封圈43由耐熱性的彈性構(gòu)件、例如氟化橡膠(Viton)等構(gòu)成。接著，說明本實(shí)施方式的變形例。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的變形例的主要部分的圖，圖5的(A) 是表示第1變形例的主要部分的圖，圖5(B)的是表示第2變形例的主要部分的圖。在圖5的㈧及圖5的⑶中，該絕緣構(gòu)件14a及絕緣構(gòu)件14b在長條狀物的長度方向的一端的端面以及與該長條狀物相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的側(cè)面的抵接部設(shè)有用于阻止等離子體進(jìn)入的臺(tái)階構(gòu)造的組合部。在圖5的(A)中，在作為長條狀物57的長度方向的一端的固定端57a的端面和作為與該長條狀物57相鄰的另一個(gè)長條狀物M的長度方向一端的自由端54b的側(cè)面的抵接部，設(shè)有用于阻止等離子體進(jìn)入的迷宮狀的臺(tái)階構(gòu)造。長條狀物M的自由端54b被調(diào)整為相對(duì)于長條狀物57的固定端57a的側(cè)面縮回與長條狀物M的由熱膨脹引起的伸長寬度相當(dāng)?shù)拈L度、例如IOmm 20mm的狀態(tài)的長度。另外，與上述本實(shí)施方式的情況同樣，如圖5的(B)所示，也可以使長條狀物M的自由端54b的端面和長條狀物57的固定端57a的側(cè)面平齊，在相鄰的又一個(gè)腔室內(nèi)部件上設(shè)置凹部，該凹部具有與長條狀物M的由熱膨脹引起的伸長寬度相當(dāng)?shù)膶挾?，由此，避免該相鄰的又一個(gè)腔室內(nèi)部件和長條狀物M碰撞。采用本實(shí)施方式的第1變形例，由于在長條狀物57的固定端57a的端面以及與該長條狀物57相鄰的另一個(gè)長條狀物M的自由端54b的側(cè)面的抵接部設(shè)有臺(tái)階構(gòu)造的組合部，因此，能夠充分確保從配置在絕緣構(gòu)件14的上部的下部電極(省略圖示)到配置在絕緣構(gòu)件14的下部且腔室11的被接地的底部平面(省略圖示)的路徑的長度，由此，能夠避免在下部電極和腔室11的底部平面之間的短路性放電而抑制在抵接部產(chǎn)生等離子體，而且，能夠防止0型密封圈43劣化及附近的腔室內(nèi)部件磨損。另外，采用本實(shí)施方式的第1變形例，由于在各長條狀物的抵接部設(shè)有臺(tái)階構(gòu)造的組合部，因此，能夠更有效地阻止等離子體從各長條狀物的抵接部進(jìn)入，從而能夠更可靠地防止配置在長條狀物的內(nèi)部的0型密封圈劣化。另外，在本實(shí)施方式的第1變形例中，在外側(cè)構(gòu)件42的外側(cè)面配設(shè)有側(cè)封堵構(gòu)件18 (參照?qǐng)D1)，由此，能夠阻止等離子體從絕緣構(gòu)件14的側(cè)面進(jìn)入。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣構(gòu)件的變形例的主要部分的圖，圖6的(A) 是表示第3變形例的主要部分的圖，圖6的(B)是表示第4變形例的主要部分的圖。如圖6的㈧及圖6的⑶所示，該絕緣構(gòu)件14c及絕緣構(gòu)件14d與圖5中的絕緣構(gòu)件Ha及絕緣構(gòu)件14b的不同點(diǎn)在于，設(shè)置在長條狀物的長度方向的一端的端面以及與該長條狀物相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的側(cè)面的抵接部的臺(tái)階構(gòu)造的一部分由嵌入構(gòu)件60構(gòu)成，該嵌入構(gòu)件60間隙配合在形成于長條狀物的一端的端面以及與該長條狀物相鄰的另一個(gè)長條狀物的一端的側(cè)面的抵接部的凹部中。在圖6的(A)中，在長條狀物67的固定端67a的端面和長條狀物64的自由端64b 的側(cè)面分別設(shè)有圖中下方被切削成四棱柱狀的臺(tái)階部。由此，在長條狀物67的固定端67a 的端面和長條狀物64的自由端64b的側(cè)面的抵接部形成由臺(tái)階部和臺(tái)階部形成的凹部。并且，嵌入構(gòu)件60間隙配合狀地插入到該凹部中，形成臺(tái)階構(gòu)造的一部分。在嵌入構(gòu)件60和凹部之間設(shè)有間隙68，該間隙68用于吸收因熱膨脹而伸長的長條狀物64的位移。在間隙配合狀地插入有嵌入構(gòu)件60的外側(cè)構(gòu)件42的側(cè)面配置有省略圖示的側(cè)封堵構(gòu)件18(參照?qǐng)D1)，不僅能夠阻止等離子體從垂直方向進(jìn)入，也能夠阻止等離子體從水平方向進(jìn)入。在本實(shí)施方式的第3變形例中，也與第1及第2變形例同樣能夠充分確保從配置在絕緣構(gòu)件14的上部的下部電極(省略圖示)到配置在絕緣構(gòu)件14的下部且腔室的被接地的底部平面的路徑的長度，由此，能夠避免在下部電極和腔室的底部平面之間的短路性放電而抑制在抵接部產(chǎn)生等離子體，而且，能夠防止0型密封圈43劣化及附近的腔室內(nèi)部件磨損。另外，采用本實(shí)施方式的第3變形例，通過由嵌入構(gòu)件60構(gòu)成臺(tái)階構(gòu)造的一部分， 能夠由比較簡單的形狀的構(gòu)件構(gòu)成長條狀物相互的抵接部的構(gòu)造。因而，各構(gòu)件易于制作， 處理時(shí)的破損的可能性也很小。在本實(shí)施方式的第3變形例中，優(yōu)選嵌入構(gòu)件60并不固定在長條狀物64、67和腔室11的底部平面上，而以間隙配合于形成在該長條狀物相互之間的凹部中的狀態(tài)載置在腔室11的底部平面上。
另外，與上述本實(shí)施方式的情況同樣，如圖6的(B)所示，也可以使長條狀物64的自由端64b的端面和長條狀物67的固定端67a的側(cè)面平齊，在相鄰的又一個(gè)腔室內(nèi)部件上設(shè)置凹部，該凹部具有與長條狀物64的由熱膨脹引起的伸長寬度相當(dāng)?shù)膶挾?，由此，避免該相鄰的又一個(gè)腔室內(nèi)部件和長條狀物64碰撞。以上，利用實(shí)施方式詳細(xì)說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。在上述各實(shí)施方式中，被實(shí)施等離子體處理的基板不僅是液晶顯示器(LCD)用的玻璃基板，也可以是以電致發(fā)光(Electro Luminescence :EL)顯示器、等離子體顯示面板 (PDP)等為首的FPD (平板顯示器Flat Panel Display)所采用的各種基板。另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)采用以平行平板電極進(jìn)行的電容耦合型的等離子體產(chǎn)生方式的裝置進(jìn)行了說明，但不言而喻，即使是采用電感耦合型的等離子體產(chǎn)生方式等其他的等離子體產(chǎn)生方式的裝置，只要是具有基板的載置臺(tái)和屏蔽環(huán)或者與屏蔽環(huán)相當(dāng)?shù)臉?gòu)件的裝置，就能夠應(yīng)用本發(fā)明。附圖標(biāo)記說明10、基板處理裝置；11、處理室(腔室)；12、載置臺(tái)(基座)；13、基材；14、絕緣構(gòu)件；41、內(nèi)側(cè)構(gòu)件；42、外側(cè)構(gòu)件；43、0型密封圈；44 47、長條狀物；44a 47a、固定端； 44b 47b、自由端；48、固定用螺紋孔；49、支承用螺紋孔；50、大氣區(qū)域；51、底部平面；G、基板。
權(quán)利要求
1.一種絕緣構(gòu)件，其用于在對(duì)矩形的基板實(shí)施等離子體處理的基板處理裝置的處理室內(nèi)將用于載置上述基板的矩形的載置臺(tái)和上述處理室的內(nèi)壁面之間電絕緣，其特征在于，該絕緣構(gòu)件具有內(nèi)側(cè)構(gòu)件、外側(cè)構(gòu)件、環(huán)狀的密封構(gòu)件，該環(huán)狀的密封構(gòu)件配置在該內(nèi)側(cè)構(gòu)件和外側(cè)構(gòu)件之間且用于劃分出上述處理室內(nèi)的真空區(qū)域和由上述內(nèi)側(cè)構(gòu)件圍成的大氣區(qū)域；上述外側(cè)構(gòu)件由與上述矩形的載置臺(tái)的各邊相對(duì)應(yīng)地配置的絕緣性的長條狀物的組合體構(gòu)成；各長條狀物以長條狀物的長度方向的一端的端面抵接于相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的側(cè)面、長條狀物的長度方向的另一端的側(cè)面抵接于相鄰的又一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的端面的方式分別被組合，該又一個(gè)長條狀物與上述另一個(gè)長條狀物不同；上述各長條狀物以上述長條狀物的長度方向的一端借助固定用的螺紋孔固定于上述處理室的內(nèi)壁面、另一端借助至少1個(gè)支承用的螺紋孔被位移自由地支承的方式被排列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述各長條狀物以能夠以上述被固定的一端為起點(diǎn)而沿著上述長條狀物的長度方向進(jìn)行熱膨脹或者熱收縮的方式被排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述固定用的螺紋孔在與該固定用的螺紋孔垂直的截面中是正圓形，上述支承用的螺紋孔在與該支承用的螺紋孔垂直的截面中是在上述長條狀物的長度方向上較長的橢圓形或者兩端為半圓的長圓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，使安裝在上述固定用的螺紋孔中的固定螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩大于安裝在上述支承用的螺紋孔中的支承螺釘?shù)木o固轉(zhuǎn)矩。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述外側(cè)構(gòu)件在與上述環(huán)狀的密封構(gòu)件的長度方向正交的截面中僅存在于上述環(huán)狀的密封構(gòu)件的外側(cè)面?zhèn)取?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述外側(cè)構(gòu)件中的上述長條狀物相互的抵接部的內(nèi)側(cè)面呈曲面，在上述長條狀物的一端的側(cè)面設(shè)有用于形成上述曲面的突出部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述外側(cè)構(gòu)件中的上述長條狀物相互的抵接部的內(nèi)側(cè)面實(shí)質(zhì)上形成有直角的角部，上述長條狀物具有不包括突起部的矩形的外形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，在上述各長條狀物的長度方向的一端的端面和上述相鄰的另一個(gè)長條狀物的長度方向的一端的側(cè)面的抵接部形成有臺(tái)階構(gòu)造的組合部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述臺(tái)階構(gòu)造的至少一部分由嵌入構(gòu)件構(gòu)成，該嵌入構(gòu)件由間隙配合在凹部中的絕緣材料構(gòu)成，該凹部形成于上述各長條狀物的一端的端面和上述相鄰的另一個(gè)長條狀物的上述一端的側(cè)面的抵接部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，在上述凹部和上述嵌入構(gòu)件之間設(shè)有間隙，該間隙用于吸收上述長條狀物的由沿著長度方向的熱膨脹或者熱收縮引起的位移。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述凹部中的供上述嵌入構(gòu)件插入的插入口利用側(cè)封堵構(gòu)件封堵。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于， 上述環(huán)狀的密封構(gòu)件的一部分嵌合于設(shè)置在上述處理室的內(nèi)壁面的凹部中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1 12中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件，其特征在于，上述內(nèi)側(cè)構(gòu)件由組合多個(gè)構(gòu)成構(gòu)件而成的組合體構(gòu)成，在各構(gòu)成構(gòu)件相互之間設(shè)有用于吸收熱膨脹的間隙。
14.一種基板處理裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1 13中任一項(xiàng)所述的絕緣構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明提供絕緣構(gòu)件及包括絕緣構(gòu)件的基板處理裝置。該絕緣構(gòu)件能夠防止密封構(gòu)件因等離子體而劣化。在基板處理裝置(10)的腔室(11)內(nèi)將基座(12)和腔室的底部平面(51)絕緣的絕緣構(gòu)件(14)具有內(nèi)側(cè)構(gòu)件(41)、外側(cè)構(gòu)件(42)、配置在兩者之間的O型密封圈(43)，外側(cè)構(gòu)件由與矩形的基座的各邊相對(duì)應(yīng)的長條狀物(44～47)的組合體構(gòu)成，各長條狀物以各長條狀物的一端的端面抵接于相鄰的另一個(gè)長條狀物的一端的側(cè)面、另一端的側(cè)面抵接于又一個(gè)長條狀物的一端的端面的方式組合，各長條狀物排列為各長條狀物的一端借助固定用的螺紋孔(48)固定于腔室的底部平面、另一端借助支承用的螺紋孔(49)位移自由地支承。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102468107SQ20111036873
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月18日
發(fā)明者佐佐木芳彥, 田中誠治 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社