專利名稱：等離子體處理裝置及等離子體處理方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及在大氣壓下或大氣壓附近下對被處理物照射等離子體進行表面處理的等離子體處理裝置及等離子體處理方法，涉及例如對環(huán)氧玻璃基板的金屬電極及樹脂等進行等離子體處理，進行提高金屬的接合性及樹脂粘合性的表面處理的等離子體處理裝置和等離子體處理方法。
背景技術(shù)：
已經(jīng)廣泛采用下述方法，S卩，在大氣壓附近下，將固體電介質(zhì)配置在平行平板電極的至少一方，對電極間施加交流電壓產(chǎn)生輝光放電等離子體。使用利用上述方法產(chǎn)生的等離子體對被處理物進行表面處理時采取下述方式將被處理物配置在接地電極面上，直接照射等離子體的直接等離子體方式；和將被處理物配置在平行平板電極間的開放面上，利用氣流遠程供給等離子體或自由基的遠程等離子體方式。與遠程等離子體方式相比，直接等離子體方式中從等離子體區(qū)域到被處理物的距離短，所以能夠以高密度將承擔處理反應的電子、離子及自由基供給到被處理物。此外，大氣壓附近下的輝光放電中由于電極間隔短，所以平行平板電極的面積大于開放面的面積。 由于上述2種效果，所以直接等離子體方式與遠程等離子體方式相比處理反應速度高且處理面積大。直接等離子體方式中，報道了被處理物的材質(zhì)為導體或絕緣體時均可產(chǎn)生能夠?qū)崿F(xiàn)迅速的處理的面狀等離子體的等離子體處理裝置。專利文獻1中公開了下述技術(shù)，即，在 2片平行平板電極中，在電場施加電極和與其垂直面對置的接地電極之間生成等離子體，與該等離子體連續(xù)地在電場施加電極下面生成等離子體，使用在其下面生成的等離子體照射被處理物。專利文獻2中公開了下述技術(shù)，S卩，與電場施加電極側(cè)面相鄰地配置用作輔助等離子體接地極的電極，在上述2個電極之間產(chǎn)生輔助的等離子體后，對設置于電場施加電極正下方的被處理物照射主等離子體。專利文獻2中公開了下述內(nèi)容輔助等離子體接地極的面積小，且輔助等離子體接地極與外加電力電極之間的間隔短，因此，可以以少的能量開始及維持放電。專利文獻1及2所述技術(shù)的共同之處在于，與電場施加電極對置地設置用于配置被處理物的接地電極，除此之外，在電場施加電極側(cè)面設置輔助接地電極，在電場施加電極與輔助接地電極之間生成輔助等離子體。[專利文獻1]日本特開2007-237080號公報[專利文獻2]日本特表2007-525801號公報

發(fā)明內(nèi)容
在背景技術(shù)所述的使用輔助的接地電極的技術(shù)中，電場施加電極與輔助接地電極之間的間隔為規(guī)定的固定值，因此即使對被處理物照射等離子體的過程中也會產(chǎn)生輔助等離子體。被處理物的處理主要由在被處理物上展開的等離子體承擔，所以從節(jié)省電力及節(jié)省能源的觀點考慮時，用于維持上述輔助等離子體的電力是不必要的或是過量的電力。對上述專利文獻中的輔助等離子體的消耗電力進行研究。專利文獻1中從代表圖判斷，認為由于輔助等離子體的面積為與被處理物上的面積等同至其一半左右，所以輔助等離子體占總消耗電力的1/4 1/2左右。專利文獻2中，輔助等離子體占總消耗電力的約 1/4。因此，本發(fā)明的目的在于提供等離子體表面處理裝置及等離子體處理方法，所述等離子體表面處理裝置及等離子體處理方法特別是在對被處理物的全部面狀進行等離子體處理，即，對被處理物的整個面同時進行等離子體處理時，可以以低電力開始放電而產(chǎn)生輔助等離子體，或者在被處理物的處理中無需產(chǎn)生及維持輔助等離子體，抑制不需要的電力消耗。本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的，在等離子體處理裝置中，具有第1電極、第 2電極、第3電極和間隔改變部，所述第2電極在與上述第1電極之間生成等離子體，所述第 3電極在與上述第1電極之間生成等離子體，所述間隔改變部改變上述第1電極與上述第2 電極之間的間隔、或上述第1電極與上述第3電極之間的間隔，使開始放電時和等離子體處理時的上述第1電極與上述第2電極之間的間隔不同，或開始放電時和等離子體處理時的上述第1電極與上述第3電極之間的間隔不同。根據(jù)本發(fā)明，能夠降低開始放電時所需的電力。或者，能夠抑制在等離子體處理中由輔助等離子體導致的不需要的電力消耗，對被處理物進行等離子體處理。


[圖1]為本發(fā)明的第2實施方式的等離子體處理裝置的立體圖。[圖2]為表示本發(fā)明的第2實施方式的等離子體處理裝置中被處理物交換時的方式的立體圖。[圖3]為本發(fā)明的第1實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。[圖4]為表示本發(fā)明的第1實施方式的等離子體處理裝置的氣體導入裝置的立體圖。[圖5]為本發(fā)明的第1實施方式的等離子體處理裝置的氣體導入部的截面圖。[圖6]為說明本發(fā)明的第1實施方式的等離子體處理裝置中改變電極間隔的方式的正面截面圖。[圖7]為說明本發(fā)明的第1實施方式的等離子體處理裝置中改變電極間隔的方式的正面截面圖。[圖8]為本發(fā)明的第2實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。[圖9]為本發(fā)明的第3實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。[圖10]為本發(fā)明的第4實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。[圖11]為本發(fā)明的第4實施方式的等離子體處理裝置的內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體的放大正面截面圖。[圖12]為本發(fā)明的第5實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。[圖13]為用于說明本發(fā)明的第5實施方式的接地電極的立體圖。[圖14]為用于說明本發(fā)明的第5實施方式的接地電極變形例的立體圖。
[圖15]為本發(fā)明的第6實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。[圖16]為本發(fā)明的第6實施方式的等離子體處理裝置的內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體的放大正面截面圖。[圖17]為本發(fā)明的第6實施方式的等離子體處理裝置的內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體的變形例的放大正面截面圖。符號說明1 · ·電場施加電極、2 · ·接地電極、3 · ·接地電極、3a · ·接地電極、3b · ·接地電極、3c· 接地電極、3d· 接地電極、4a· ·電介質(zhì)、4b· ·電介質(zhì)、4c · ·電介質(zhì)、 5 · ·絕緣體、6 · ·交流電源、7a · ·間隔改變部、7b · ·間隔改變部、8 · ·臺架、9 · ·等離子體區(qū)域、10· 氣體限制壁、11· 氣體限制壁、12· 移動裝置、13· 內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體、13a· 絕緣體、1北· 旋轉(zhuǎn)軸、14· 旋轉(zhuǎn)體支承體、15· 氣體導入裝置、 15a· 氣體導入部、1恥· 氣體限制壁、15c· 氣體限制壁、15d· 氣體供給管、20· 控制部、30· 被處理物。
具體實施例方式以下使用

本發(fā)明的實施方式。(第1實施方式)圖1為第2實施方式的等離子體處理裝置的立體圖，是從前面?zhèn)扔^察到的圖，如果除去圖1中的氣體限制壁10，則與第1實施方式的等離子體處理裝置相同，所以使用圖1簡要地說明第1實施方式的等離子體處理裝置。圖1中，1為電場施加電極。2為與電場施加電極1對置設置的接地電極。30為用作等離子體處理對象的被處理物，裝載在接地電極2上。3為以獨立于接地電極2的方式設置于接地電極2兩端的接地電極。在圖1的狀態(tài)下，首先使接地電極3靠近電場施加電極1，在電場施加電極1與接地電極3之間開始用于產(chǎn)生等離子體的放電(等離子體放電)。之后，使載置有被處理物 30的接地電極2上升，使其靠近電場施加電極1，在電場施加電極1與接地電極2之間產(chǎn)生等離子體，對被處理物30進行等離子體處理。被處理物30的等離子體處理結(jié)束后，如圖2 所示，通過將未處理的被處理物30a送到接地電極2上，從等離子體處理裝置中取出處理后的被處理物30。需要說明的是，在本實施方式中，為了抑制對被處理物30的損壞，使用利用輝光放電產(chǎn)生的等離子體。圖2為表示被處理物交換時的方式的立體圖，為第2實施方式的等離子體處理裝置，如果除去圖2中的氣體限制壁10，則與第1實施方式的等離子體處理裝置相同。接著，利用圖3詳細地說明第1實施方式的等離子體處理裝置。圖3中，1為第1電極，是與交流電源6的一端相連的電場施加電極。使交流電源 6的另一端接地。在本實施方式中，固定電場施加電極1的高度。2為第2電極，是與電場施加電極1對置地設置的接地電極。3為第3電極，是獨立于接地電極2且與電場施加電極1對置地設置的接地電極。在本實施方式中，接地電極3以與接地電極2的兩側(cè)相鄰的方式被設置，但也可以僅在接地電極2的單側(cè)設置接地電極3。電場施加電極1、接地電極2、及接地電極3例如為鋁(Al)或不銹鋼之類的金屬，是由通常被稱作導體的導電性高的材質(zhì)形成的板狀物體。30為用作等離子體處理對象的被處理物，裝載在接地電極2上。被處理物30為由金屬等導體、或玻璃等導電性低的通常被稱作絕緣體的材質(zhì)、或它們的復合材料形成的任意板狀物體。在本實施方式中，假定被處理物30例如為玻璃、樹脂等導電性低的物質(zhì)。4a為設置在電場施加電極1的接地電極2 —側(cè)的面、和絕緣體5的接地電極2 — 側(cè)的面上的電介質(zhì)。4b為設置在接地電極3的上面、即與接地電極3的電場施加電極1 一側(cè)對置的面上的電介質(zhì)。被處理物30為金屬等導體的情況下，電介質(zhì)4b也可以被設置于接地電極2的上面。電介質(zhì)如及電介質(zhì)4b為由氧化鋁、玻璃、或聚酰亞胺等絕緣體形成的板狀物體。 為了實現(xiàn)介質(zhì)阻擋放電，優(yōu)選使電介質(zhì)如及電介質(zhì)4b的厚度為0. 1 1mm。5為設置于不包括與接地電極2對置的面的、電場施加電極1周圍的絕緣體。絕緣體5為與電介質(zhì)4同樣地由氧化鋁、玻璃、或聚酰亞胺等絕緣體形成的物體，厚度優(yōu)選為 IOmm以上。其原因在于，通過使厚度充分地增大來提高電絕緣性，在絕緣體5周圍不產(chǎn)生高電場。結(jié)果，能夠僅在電場施加電極1與接地電極2、及電場施加電極1與接地電極3之間的空間產(chǎn)生高電場。6為能夠在電場施加電極1與接地電極2之間、及在電場施加電極1與接地電極3 之間施加IkV以上的高電壓的交流電源，是電壓施加部。交流電源6的頻率為IkHz以上，例如可以為13. 56MHz的高頻率。交流電源6的電壓波形可以為正弦波或矩形波之類脈沖波， 或者也可以為利用脈沖波對上述交流波形進行調(diào)幅得到的電壓波形，所述脈沖波具有低于所述交流波形的重復頻率。交流電源6通過電力導線與電場施加電極1連接，在交流電源 6與電場施加電極1之間存在用于阻抗匹配的匹配電路(圖中未示出)。與圖3的連接相反地也可以使電極1接地，使電極2和電極3與交流電源6連接，但使電極1與交流電源6 連接，使電極2和電極3接地時，由于與交流電源連接的電極變少，故優(yōu)選。7a為改變接地電極2的高度的第1間隔改變部。利用第1間隔改變部7a，可以改變電場施加電極1與接地電極2之間的間隔。7b為改變接地電極3的高度的第2間隔改變部。利用第2間隔改變部7b，可以改變電場施加電極1與接地電極3之間的間隔。間隔改變部7a、7b為用于使裝載于其上的部件在單軸方向(垂直方向)上升降的千斤頂之類的升降裝置。利用該裝置，能夠改變位置被固定的電場施加電極1與接地電極3 之間的間隔tl、及電場施加電極1與接地電極2之間的間隔t2。嚴格來說，在本實施方式中，如圖3所示，tl為電介質(zhì)如下面與電介質(zhì)4b上面之間的距離，t2為電介質(zhì)如下面與接地電極2上面之間的距離。用電介質(zhì)4b覆蓋接地電極2上面時，t2變?yōu)殡娊橘|(zhì)如下面與電介質(zhì)4b之間的距離。8為用于支承間隔改變部7和配置于其上的部件的臺架。9為電場施加電極1與接地電極2之間的空間、或電場施加電極1與3之間的空間，是產(chǎn)生等離子體的等離子體區(qū)域。20為控制上述第1間隔改變部及第2間隔改變部的間隔改變操作、及上述電壓施加部的施加電壓操作等構(gòu)成等離子體處理裝置的各結(jié)構(gòu)部的控制部?？刂撇?0具有接受來自操作者的指示的操作部(未作圖示)和顯示處理狀況或錯誤發(fā)生狀況等的顯示部(未作圖示)。
接著，對為了在等離子體區(qū)域9中產(chǎn)生等離子體用來導入處理氣體(process gas)的氣體導入裝置進行說明。圖4為表示將圖1的等離子體處理裝置水平旋轉(zhuǎn)180度后的狀態(tài)，是從后面一側(cè)觀察到的第1實施方式的等離子體處理裝置的圖，為表示第1實施方式的等離子體處理裝置的氣體導入裝置15的立體圖。在圖4中，1 為氣體導入部，15b、 15c為氣體限制壁，15d為氣體供給管。氣體供給管15d的一端與氣體導入部1 連接，另一端與處理氣體供給源(未作圖示)連接。圖5表示從圖4的左側(cè)觀察到的圖。圖5為第 1實施方式的等離子體處理裝置的氣體導入裝置15的截面圖。圖5(a)為電場施加電極1 與接地電極2接近的情況，圖5(b)為電場施加電極1與接地電極2遠離的情況。在圖5中，處理氣體從氣體供給管15d經(jīng)過氣體導入部1 被導入到電場施加電極1與接地電極2之間的空間。處理氣體從與一方的接地電極3、被處理物30、及另一方的接地電極3并列的方向交叉的方向、即從圖1后側(cè)面向前側(cè)被導入。處理氣體的構(gòu)成以氦 (He)、氬(Ar)等稀有氣體、或氮(N2)為主，為了對被處理物30進行氧化及還原等所期望的處理，混合氧(O2)、氫(H2)等解離后的原子可以變?yōu)榛钚苑N的反應性氣體。以下利用圖6說明第1實施方式中的等離子體處理裝置的具體處理操作。等離子體處理裝置的處理操作通過控制部20進行控制。圖6為說明在第1實施方式的等離子體處理裝置中改變電極間隔的方式的正面截面圖。首先，如圖6(a)所示，在接地電極2位于下方、接地電極3位于上方的狀態(tài)下，在接地電極2上載置被處理物30。此時，電場施加電極 1與接地電極3之間的間隔tl為足夠小的間隔，以使在電場施加電極1與接地電極3之間開始等離子體放電。另外，電場施加電極1與接地電極2之間的間隔t2為足夠大的間隔， 以使在電場施加電極1與接地電極2之間不會開始等離子體放電。因此，與間隔tl相比， 間隔t2足夠大。優(yōu)選將間隔tl設為0. 5 2mm，t2 > 10mm。之后，對電場施加電極1與接地電極2及接地電極3之間施加電場時，在電場施加電極1與接地電極3之間開始等離子體放電，開始產(chǎn)生等離子體。此時，電場施加電極1與接地電極2之間的間隔t2足夠大， 以使不會開始等離子體放電，因此，在電場施加電極1與接地電極2之間不會開始等離子體放電。對于用于產(chǎn)生等離子體的電力來說，電極間的靜電電容越小，電極間的距離越小， 施加電力時的電場變得越大，所需的電力變得越小。即，接地電極的面積越小，與電場施加電極的距離越小，能夠使用于產(chǎn)生等離子體的電力越小。但是，考慮到在接地電極上載置被處理物時，必須在一定程度上確保電極面積及電極間的間隔。因此，在本實施方式中，通過分別設置用于產(chǎn)生等離子體的接地電極3和載置被處理物的接地電極2，可以減少產(chǎn)生等離子體時的電力。在本實施方式中，開始等離子體放電時的電場施加電極與接地電極之間的靜電電容近似取決于電場施加電極1與接地電極3之間的靜電電容，與以與tl同等程度地減小間隔t2的情況(下述圖6(b)的情況)相比，由于靜電電容小，所以在對電極間施加規(guī)定的交流電的情況下產(chǎn)生的電壓變高。結(jié)果，接地電極2的面積即使較大，也能夠以較少的電力在電場施加電極1與接地電極3之間開始放電。在電場施加電極1與接地電極3之間開始放電后，例如使用氬氣或氮氣作為處理氣體時，為了不形成流光放電，減少對電場施加電極1施加的電壓，使電壓為能夠維持等離子體放電(輝光放電)的程度的電壓，如圖6(b)所示，使接地電極2靠近電場施加電極1。在本實施方式中，使接地電極2上升。此時，為了在電場施加電極1與接地電極2之間開始等離子體放電，使間隔t2為足夠小的間隔。優(yōu)選tl = t2。如上所述，縮小電場施加電極1 與接地電極2之間的間隔t2時，在電場施加電極1與第2接地電極2之間也會展開在電場施加電極1與接地電極3之間產(chǎn)生的等離子體，在能夠維持等離子體放電的程度的電壓下， 在電場施加電極1與第2接地電極2之間開始等離子體放電。在接地電極2上載置被處理物30時，對被處理物30進行利用等離子體的表面處理。需要說明的是，使用氦氣作為處理氣體時，由于形成輝光放電的電場范圍廣，所以在輝光放電的電場范圍內(nèi)開始放電并能夠維持等離子體放電，從而不需要調(diào)節(jié)對電場施加電極1施加的電壓。使用氬氣或氮氣作為處理氣體時，由于形成輝光放電的電場范圍窄，所以在流光放電的電場范圍開始放電，為了在輝光放電的電場范圍內(nèi)維持放電，如上所述地在開始放電后，減少對電場施加電極1施加的電壓。在接地電極2上展開放電后，如圖6 (c)所示，將接地電極3遠離電場施加電極1， 使電場施加電極1與接地電極3之間的間隔11增加。在本實施方式中，使接地電極3下降。 隨著增加間隔tl，電場施加電極1與接地電極3之間產(chǎn)生的電場減少。該電場下降規(guī)定的值時，電場施加電極1與接地電極3之間的放電停止。結(jié)果，僅在電場施加電極1與配置有被處理物30的接地電極2之間維持放電，上述情況下的消耗電力低于也在電場施加電極1 與接地電極3之間維持放電的情況下的電力。即，根據(jù)按照本實施方式的接地電極移動順序進行的等離子體處理，與在電場施加電極與輔助電極(本例中為接地電極幻之間維持等離子體的情況相比，能夠以較少的電力實現(xiàn)被處理物的等離子體表面處理。對被處理物30完成規(guī)定時間的等離子體處理后，保持圖6 (c)所示的狀態(tài)，開始下一個被處理物30的處理。如圖2所示，以將完成了處理的被處理物30擠出的方式，將下一個被處理物30a輸送到接地電極2上。上述情況下，由于被處理物30相對于電場施加電極 1隔著等離子體區(qū)域9不中斷地存在，所以電場施加電極1與接地電極2之間的電場沒有減少，能夠保持維持放電所需的高值。結(jié)果，在本實施方式中，即使在交換被處理物30的情況下，也能夠不停止放電地繼續(xù)等離子體處理。結(jié)束等離子體處理時，在圖6(c)的狀態(tài)下，停止導入處理氣體，另外停止對電場施加電極1與接地電極2之間施加電場，停止等離子體放電。之后，使接地電極3移動到上方，使接地電極2移動到下方，使其為圖6 (a)所示的狀態(tài)，用于下一個等離子體處理。需要說明的是，在上述說明中如圖6(a)所示，在減小電場施加電極1與接地電極 3之間的間隔tl的狀態(tài)下，在電場施加電極1與接地電極3之間開始等離子體放電后，接著如圖6 (b)所示，使接地電極2靠近電場施加電極1，在電場施加電極1與第2接地電極2 之間也產(chǎn)生等離子體，接著如圖6(c)所示，使接地電極3遠離電場施加電極1，使電場施加電極1與接地電極3之間的間隔增大，停止電場施加電極1與接地電極3之間的等離子體放電，僅在電場施加電極1與配置有被處理物30的接地電極2之間維持等離子體放電，為此也能夠省略圖6(c)所示的工序。省略圖6(c)所示的工序的情況下，無法抑制由輔助等離子體產(chǎn)生的不需要的電力消耗，但在放電開始時能夠穩(wěn)定等離子體狀態(tài)，另外，在放電開始時易于抑制電弧放電， 因此易于抑制對被處理物的損傷。另外，在圖6(a)之前，設置使接地電極2和接地電極3均位于下方的階段，在該階段中，也可以在接地電極2上載置被處理物30。上述情況下，在接地電極2上載置被處理物30后，如圖6(a)所示，使接地電極3移動到上方，減小電場施加電極1與接地電極3之間的間隔tl，在施加電場的同時導入氣體。另外，如圖7所示，也可以不改變配置有被處理物30的接地電極2的高度地進行等離子體處理。在上述情況下，固定電場施加電極1和接地電極2的高度。圖7為說明在第1實施方式的等離子體處理裝置中改變電極間隔的方式的正面截面圖。首先，如圖7(a) 所示，在電場施加電極1與接地電極3之間的間隔tl較小的狀態(tài)下，在接地電極2上載置被處理物30。此時，與間隔tl相比，電場施加電極1與接地電極2之間的間隔t2較大，但間隔tl為能夠在接地電極3與電場施加電極1之間開始等離子體放電的間隔，間隔t2為在電場施加電極1與接地電極3之間產(chǎn)生的等離子體在接地電極2與電場施加電極1之間展開時，能夠在接地電極2與電場施加電極1之間開始等離子體放電的間隔。接著，在圖7(a)的狀態(tài)下，在電場施加電極1與接地電極2及接地電極3之間施加電場時，最初在電場施加電極1與接地電極3之間開始等離子體放電。如上所述，在電場施加電極1與接地電極3之間產(chǎn)生的等離子體也在電場施加電極1與第2接地電極2之間展開，電場施加電極1與第2接地電極2之間也產(chǎn)生等離子體放電。在接地電極2上載置被處理物30的情況下，對被處理物30進行利用等離子體的表面處理。在接地電極2上展開放電后，如圖7 (b)所示，不改變間隔t2 (t2 = t0)，增加間隔 tl，停止電場施加電極1與接地電極3之間的放電。結(jié)果，僅在電場施加電極1與配置有被處理物30的接地電極2之間維持放電。因此，能夠抑制由輔助等離子體產(chǎn)生的不需要的電力消耗。如上所述，能夠省略間隔改變部7a，使裝置簡單化。(第2實施方式)接著，利用圖8說明第2實施方式的等離子體處理裝置。圖8為第2實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。在第2實施方式中，與第1實施方式的不同之處在于設置有氣體限制壁10。除此之外，與第1實施方式相同，因此省略說明。如圖8和圖1所示，氣體限制壁10包圍由電極1、2、3等形成的等離子體區(qū)域9。 氣體限制壁10與絕緣體5相同地是由氧化鋁、玻璃、或聚酰亞胺等絕緣體形成的物體。由此，在電場施加電極1與氣體限制壁10之間不會產(chǎn)生高電場，能夠抑制展開到被處理物30 以外的并不想要的放電的產(chǎn)生。氣體限制壁10限制氣體從等離子體區(qū)域9流出到處理空間外，結(jié)果，可以有效地將處理氣體導入到等離子體區(qū)域9中。以空開不妨礙接地電極3的操作的最低限度的空隙的方式，將氣體限制壁10配置在接地電極3的外側(cè)。因此，可以進行與第1實施方式相同的處理操作。(第3實施方式)接著，利用圖9說明第3實施方式的等離子體處理裝置。圖9為第3實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。在第3實施方式中，與第2實施方式的不同之處在于設置有氣體限制壁11。除此之外，與第2實施方式相同，因此省略說明。氣體限制壁11通過活動裝置12向沿著電場施加電極1的平面的方向(水平方向)移動。如上述第1實施方式所述，能夠產(chǎn)生使接地電極2靠近電場施加電極1、且接地電極3遠離的狀態(tài)。在上述狀態(tài)下，第1及第2實施方式的等離子體處理裝置導入處理氣體的情況下，處理氣體易于在由間隔更大的電場施加電極1和接地電極3夾持的空間內(nèi)流動，沒有被有效地用于被處理體30的處理的處理氣體變多。為了解決上述問題，使接地電極3遠離電場施加電極1的情況下，將限制壁11移動到覆蓋接地電極3的位置。此時，如圖9所示，優(yōu)選被處理體30的表面高度和限制壁11的表面高度相同，并且被處理體30的表面和限制壁11的表面為同一平面。結(jié)果，限制壁11發(fā)揮氣流的導向壁的作用，限制處理氣體流動到接地電極3附近，能夠?qū)⑻幚須怏w有效地導入等離子體區(qū)域9中。需要說明的是，本實施例中使氣體限制壁11活動，氣體限制壁為絕緣體的情況下也可以不活動。上述情況下，在圖9中，氣體限制壁11以插入到電場施加電極1與接地電極3之間的狀態(tài)被固定。在接地電極3上產(chǎn)生等離子體時，使接地電極3上升并靠近到在接地電極3與電場施加電極1之間夾持氣體限制壁11的位置。僅在接地電極2上產(chǎn)生等離子體時，接地電極3下降，遠離電場施加電極1。此時，由于氣體限制壁11沒有移動，所以氣體流路沒有擴大，另外由于氣體限制壁11為絕緣體，所以對產(chǎn)生等離子體的影響小，等離子體被維持在接地電極2上。(第4實施方式)在上述第3實施方式中，使物體移動的移動裝置存在多個間隔改變部7及活動裝置12。因此，等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)變得復雜，可能增大裝置費用。為了解決上述問題， 給出以1個移動裝置實現(xiàn)下述2種功能的方法及用于其的裝置作為第4實施方式，所述功能包括減少電場施加電極1與接地電極3之間的電場，停止不需要的放電的功能；及限制處理氣體流到等離子體區(qū)域外的功能。利用圖10及圖11說明第4實施方式的等離子體處理裝置。圖10為第4實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。圖11為第4實施方式的等離子體處理裝置的內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體的放大正面截面圖。在第4實施方式中，具有內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體13 及旋轉(zhuǎn)體支承體14代替第1實施方式中的接地電極3及間隔改變部7b。除此之外，與第1 實施方式相同。內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體13由圓柱狀的絕緣體13a、以偏離圓柱狀的一部分的狀態(tài)被內(nèi)含的接地電極3a、及旋轉(zhuǎn)體的軸1 構(gòu)成。絕緣體13a及旋轉(zhuǎn)體支承體14與絕緣體5同樣地由發(fā)揮作為絕緣體的功能的任意材質(zhì)構(gòu)成，進而接地電極3a與接地電極3同樣地由發(fā)揮作為導體的功能的任意材質(zhì)構(gòu)成。在圖10的例子中，接地電極3a的垂直截面為長方形，為沿著旋轉(zhuǎn)體的軸1 方向延伸的板狀。另外，將旋轉(zhuǎn)軸1 設置為與電場施加電極1或接地電極2的電極面大致平行。與第1實施方式所述的內(nèi)容同樣地分成從放電開始到被處理物30的等離子體照射的階段，對處理操作進行說明。放電開始時，使旋轉(zhuǎn)體13旋轉(zhuǎn)，使接地電極3a比接地電極2更靠近電場施加電極1。此時，設定旋轉(zhuǎn)體13的朝向(旋轉(zhuǎn)位置)，使接地電極3a靠近電場施加電極1。由于使接地電極3a靠近電場施加電極1，所以在電場施加電極1與電極3a之間產(chǎn)生高電場，開始放電。接著，使載置有被處理物30的接地電極2靠近電場施加電極1，在電場施加電極1 與接地電極2之間也產(chǎn)生等離子體，用等離子體照射被處理物30。使等離子體照射到被處理物30后，旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)體13，接地電極3a處于最遠離電場施加電極1的狀態(tài)。如上所述，通過增大電場施加電極1與接地電極3a之間的間隔，電場施加電極1與接地電極3a之間的電場減少。結(jié)果，電場施加電極1與接地電極3a之間的放電停止。通過停止放電，能夠抑制對操作處理沒有貢獻的不必要的電力消耗。除此之外，即使改變接地電極3a的位置，處理氣體流動的空間也不變化，因此，能夠有效地將處理氣體供給到等離子體區(qū)域9中。需要說明的是，在本實施方式中，絕緣體13a為圓柱狀，但只要能夠旋轉(zhuǎn)即可，可以適當改為棱柱狀等。(第5實施方式)在上述第1實施方式至第4實施方式中，通過改變裝置結(jié)構(gòu)，可以引起放電開始時的電場減少、或放電開始所需的電場增加。前者由下述2種原因引起。第1個原因在于為了低成本化所以使用最大輸出電力低的電源，結(jié)果放電開始時的施加電力減少。第2個原因在于，為了處理更廣泛的面積，例如在圖1的前后方向(接地電極3的長度方向)上增加電場施加電極1的面積，與此同時增加接地電極3的面積。另一方面，后者是通過不使用氦或氬等稀有氣體而使用氮等分子性氣體作為處理氣體而引起的。引起上述放電開始時的電場減少、或放電開始所需的電場增加時，以圖6(a)所示的電極間隔tl (tl = 0. 5 2mm)在電場施加電極1與接地電極3之間不會引起放電開始。 針對上述問題，有時使電極間隔tl小于0. 5 2. Omm的范圍的對策是有效的?？s小tl時， 電極間產(chǎn)生的電場增加。但是，另一方面，也產(chǎn)生下述不良情況，即，難以將處理氣體供給到電極間，或降低能夠放電的電極間隔下限。電極間隔為0. 05mm以下時，難以維持等離子體， 結(jié)果可能引起無法開始及維持放電。為了解決上述問題，給出下述電極結(jié)構(gòu)作為第5實施方式，所述電極結(jié)構(gòu)不依賴于上述改變裝置結(jié)構(gòu)中給出的條件(施加電力、電場施加電極1的面積、及處理氣體種類)， 且不過量地縮小電極間隔，在電場施加電極1與接地電極3之間產(chǎn)生高電場。利用圖12說明第5實施方式的等離子體處理裝置。圖12為第5實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。與第1實施方式相比，在第5實施方式中具有凸起形狀的接地電極北代替接地電極3。在與接地電極北的與電場施加電極1 一側(cè)對置的面上設置電介質(zhì)如。除此之外，與第1實施方式相同，因此省略說明。與電介質(zhì)4b同樣，電介質(zhì)如為由氧化鋁、玻璃、或聚酰亞胺等絕緣體構(gòu)成的板狀物體，為了實現(xiàn)電介質(zhì)阻擋放電，其厚度優(yōu)選為0. 1 1mm。通過覆蓋凸起電極的電介質(zhì)如， 易于引起輝光放電，即使進行放電空間的電場也不會升高，因此能夠在無損傷的情況下處理被處理物30。接地電極北為凸起形狀，所以與第1 4實施方式的接地電極3相比，與電場施加電極1 一側(cè)對置的面積小。另外，對于接地電極北來說，棒狀的接地電極北的前端形成比其他部分細的凸起形狀，與電場施加電極1 一側(cè)對置的部分比其他部分細。因此，電場集中到凸起前端附近，在與平板形狀的電場施加電極1之間，引起電場增強效果。結(jié)果，與平行平板電極的情況相比，能夠在電極間產(chǎn)生更高的電場。使凸起電極變細時能夠產(chǎn)生高電場，但使凸起電極過細時，難以控制用于維持輝光放電的電場。因此，假定凸起前端的形狀為曲面時，優(yōu)選使曲率為10 1000(l/m)左右。如圖13所示，對于接地電極北，可以將多根前端尖的棒狀、例如前端尖的圓柱狀的電極分別配置在接地電極2的兩側(cè)，也可以僅將1根配置在接地電極2的單側(cè)?；蛘撸鐖D14所示，接地電極北也可以形成削尖了長方體的上部的山脈狀。圖13為用于說明圖12 所示的本發(fā)明的第5實施方式的接地電極北的立體圖，圖14為用于說明本發(fā)明的第5實施方式的接地電極北的變形例的立體圖，均省略電介質(zhì)如的記載，另外，省略電場施加電極1等的記載。(第6實施方式)接著，利用圖15至圖17說明第6實施方式的等離子體處理裝置。圖15為第6實施方式的等離子體處理裝置的正面截面圖。圖16為第6實施方式的等離子體處理裝置的內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體的放大正面截面圖。圖17為第6實施方式的等離子體處理裝置的內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體的變形例的放大正面截面圖。在第6實施方式中，與第4實施方式的不同之處在于設置為內(nèi)含前端比其他部分細的凸起形狀的接地電極3c或3d來代替接地電極3a。除此之外，與第4實施方式相同，因此省略說明。如圖16所示，接地電極3c的垂直截面為橢圓形，如圖17所示，接地電極3d的垂直截面為三角形，均為與電場施加電極1對置一側(cè)變細的凸起形狀。如上所述使凸起形狀的接地電極3c或3d與電場施加電極1對置時，引起電場增強效果。結(jié)果，電場施加電極1 與接地電極3c或3d之間的電場增加?？梢詫⒔拥仉姌O3c或3d沿著內(nèi)含接地電極的旋轉(zhuǎn)體13的旋轉(zhuǎn)軸1 連續(xù)地進行設置，也可以如第5實施方式中的圖13的棒狀電極北那樣離散地進行設置。需要說明的是，本說明書中至少包含以下發(fā)明。S卩，第1發(fā)明是等離子體處理裝置，其特征在于，具有第1電極；第2電極，在與上述第1電極之間產(chǎn)生等離子體；第3電極，在與上述第1電極之間產(chǎn)生等離子體；氣體導入部，在上述第1電極與上述第2電極之間的空間、及上述第1電極與上述第3電極之間的空間中導入氣體；和電壓施加部，在上述第1電極與上述第2電極之間、及上述第1電極與上述第3電極之間施加電壓，在上述等離子體處理裝置中，還具有第1間隔改變部或第2間隔改變部，所述第1間隔改變部改變上述第1電極與上述第2電極之間的間隔，所述第2間隔改變部改變上述第1電極與上述第3電極之間的間隔；和控制部，控制上述第1間隔改變部或上述第2間隔改變部的間隔改變操作和上述電壓施加部的電壓施加操作。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，易于開始等離子體放電。第2發(fā)明是如上述第1發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，具有上述第1間隔改變部及上述第2間隔改變部，上述第2間隔改變部獨立于上述第1間隔改變部地進行間隔改變操作。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，能夠易于開始等離子體放電，進而，能夠抑制等離子體處理中的電力消耗。第3發(fā)明是如上述第2發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在上述第2電極上載置被處理物，上述控制部如下進行控制在上述第1電極與上述第3電極之間開始等離子體生成時，使上述第1電極與上述第3電極之間的間隔小于上述第1電極與上述第2電極之間的間隔，在上述等離子體生成開始后，使上述第1電極與上述第3電極之間的間隔大于上述第1電極與上述第2電極之間的間隔。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，能夠易于開始等離子體放電，進而，能夠抑制等離子體處理中的電力消耗。第4發(fā)明是如上述第2發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在上述第2電極上載置被處理物，上述控制部如下進行控制在上述第1電極與上述第3電極之間開始等離子體生成時，使上述第1電極與上述第3電極之間的間隔小于上述第1電極與上述第2電極之間的間隔，在上述等離子體生成開始后，使上述第1電極與上述第2電極之間的間隔，與上述第1電極與上述第3電極之間的間隔大致相同。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，能夠易于開始等離子體放電。第5發(fā)明是如上述第2發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述控制部如下進行控制使上述第3電極靠近上述第1電極，在上述第1電極與上述第3電極之間的間隔小于上述第1電極與上述第2電極之間的間隔的狀態(tài)下，在上述第1電極與上述第2電極之間、及上述第1電極與上述第3電極之間施加電壓，在上述第1 電極與上述第3電極之間生成等離子體，在生成該等離子體的狀態(tài)下，使上述第2電極靠近上述第1電極，在上述第1電極與上述第2電極之間生成等離子體。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，在第1電極與第3電極之間生成等離子體后， 利用該等離子體，能夠容易地在第1電極與第2電極之間生成等離子體。第6發(fā)明是如上述第5發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述控制部如下進行控制在上述第1電極與上述第2電極之間生成等離子體后， 使上述第3電極遠離上述第1電極，使上述第1電極與上述第3電極之間的間隔大于上述第1電極與上述第2電極之間的間隔。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，在第1電極與第3電極之間生成等離子體后， 利用該等離子體，能夠容易地在第1電極與第2電極之間生成等離子體，進而，能夠削減在第1電極與第3電極之間生成的等離子體，因此，可以抑制等離子體處理中的電力消耗。第7發(fā)明是如上述第1發(fā)明至第6發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述電壓施加部具有上述第1電極、第2電極和第3電極，第1殿宇與交流電源連接，第2電極及第3電極接地。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，由于與交流電源連接的電極變少，所以可以使裝置結(jié)構(gòu)簡單化。第8發(fā)明是如上述第1發(fā)明至第7發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述第2電極的與上述第1電極對置的面為導體，上述第3電極的與上述第1電極對置的面為電介質(zhì)。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，被處理物為絕緣體的情況下，可以有效地進行等離子體處理。第9發(fā)明是如上述第1發(fā)明至第8發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述第3電極的與上述第1電極對置的面的表面積小于上述第2電極的與上述第 1電極對置的面的表面積。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，能夠易于開始等離子體放電。
第10發(fā)明是如上述第1發(fā)明至第9發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，具有第1氣體限制壁，所述第1氣體限制壁包圍由上述第1電極和上述第2電極夾持的處理空間，限制氣體流出到該處理空間外。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，能夠?qū)⑻幚須怏w有效地供給到等離子體區(qū)域。第11發(fā)明是如上述第1發(fā)明至第10發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，具有第2氣體限制壁，所述第2氣體限制壁在上述第1電極與上述第3電極之間， 限制氣體流出到上述第3電極側(cè)。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，能夠?qū)⑻幚須怏w有效地供給到等離子體區(qū)域。第12發(fā)明是如上述第11發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，具有移動裝置，所述移動裝置移動上述第2氣體限制壁。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，可以易于將處理氣體限制在等離子體區(qū)域中。第13發(fā)明是如上述第1發(fā)明至第12發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述第3電極內(nèi)含于由絕緣體構(gòu)成的、具有水平方向的旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)體中，上述控制部通過控制上述第2間隔改變部使上述旋轉(zhuǎn)體旋轉(zhuǎn)，改變上述第1電極與上述第3電極之間的間隔。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，能夠以1個移動裝置實現(xiàn)以下2種功能減少電場施加電極1與接地電極3之間的電場、停止不需要的放電的功能；及限制處理氣體流到等離子體區(qū)域外的功能。第14發(fā)明是如上述第1發(fā)明至第13發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述第3電極的與上述第1電極對置的部分為凸起形狀。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，易于開始等離子體放電。第15發(fā)明是如上述第14發(fā)明所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述第3電極的與上述第1電極對置的面為電介質(zhì)。如上所述構(gòu)成等離子體處理裝置時，易于穩(wěn)定地進行等離子體放電。第16發(fā)明是等離子體處理方法，是在第1電極和與其對置的第2電極之間、及上述第1電極和與其對置的第3電極之間導入氣體，在上述第1電極與上述第2電極之間、及上述第1電極與上述第3電極之間施加電壓，產(chǎn)生等離子體，處理被處理物，其特征在于，所述等離子體處理方法進行下述工序第1等離子體產(chǎn)生工序，在上述第1電極與上述第3電極之間的間隔小于上述第1 電極與上述第2電極之間的間隔的狀態(tài)下，在上述第1電極與上述第2電極之間及上述第 1電極與上述第3電極之間施加電壓，在上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生等離子體；電極間隔改變工序，在上述第1等離子體產(chǎn)生工序后，使上述第1電極與上述第3 電極之間的間隔大于上述第1電極與上述第2電極之間的間隔；第2等離子體產(chǎn)生工序，在上述電極間隔改變工序后，在上述第1電極與上述第2 電極之間產(chǎn)生等離子體。如上所述構(gòu)成等離子體處理方法時，易于開始等離子體放電。
第17發(fā)明是等離子體處理方法，是在第1電極和與其對置的第2電極之間、及上述第1電極和與其對置的第3電極之間導入氣體，在上述第1電極與上述第2電極之間、及上述第1電極與上述第3電極之間施加電壓，產(chǎn)生等離子體，處理被處理物，其特征在于，所述等離子體處理方法進行下述工序第1等離子體產(chǎn)生工序，在上述第1電極與上述第3電極之間的間隔小于上述第1 電極與上述第2電極之間的間隔的狀態(tài)下，在上述第1電極與上述第2電極之間及上述第 1電極與上述第3電極之間施加電壓，在上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生等離子體； 和第2等離子體產(chǎn)生工序，在上述第1等離子體產(chǎn)生工序后，縮小上述第1電極與上述第2電極之間的間隔，在上述第1電極與上述第2電極之間產(chǎn)生等離子體。如上所述構(gòu)成等離子體處理方法時，易于開始等離子體放電。第18發(fā)明是如上述第17發(fā)明所述的等離子體處理方法，其特征在于，進行下述電極間隔改變工序在上述第2等離子體產(chǎn)生工序后，使上述第1電極與上述第3電極之間的間隔大于上述第1電極與上述第2電極之間的間隔。具有如上所述構(gòu)成的等離子體處理方法，可以抑制等離子體處理中的電力消耗。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具有 第1電極；在與所述第1電極之間生成等離子體的第2電極； 在與所述第1電極之間生成等離子體的第3電極；氣體導入部，在所述第1電極與所述第2電極之間的空間、及所述第1電極與所述第3 電極之間的空間中導入氣體；和電壓施加部，在所述第1電極與所述第2電極之間、及所述第1電極與所述第3電極之間施加電壓，在所述等離子體處理裝置中還具有第1間隔改變部或第2間隔改變部，所述第1間隔改變部改變所述第1電極與所述第 2電極之間的間隔，所述第2間隔改變部改變所述第1電極與所述第3電極之間的間隔；和控制部，控制所述第1間隔改變部或所述第2間隔改變部的間隔改變操作和所述電壓施加部的電壓施加操作。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 具有所述第1間隔改變部及所述第2間隔改變部，所述第2間隔改變部獨立于所述第1間隔改變部地進行間隔改變操作。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在所述第2電極上載置被處理物，所述控制部進行如下控制在所述第1電極與所述第3電極之間開始等離子體生成時， 使所述第1電極與所述第3電極之間的間隔小于所述第1電極與所述第2電極之間的間隔， 在所述等離子體生成開始后，使所述第1電極與所述第3電極之間的間隔大于所述第1電極與所述第2電極之間的間隔。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在所述第2電極上載置被處理物，所述控制部進行如下控制在所述第1電極與所述第3電極之間開始等離子體生成時， 使所述第1電極與所述第3電極之間的間隔小于所述第1電極與所述第2電極之間的間隔， 在所述等離子體生成開始后，使所述第1電極與所述第2電極之間的間隔與所述第1電極與所述第3電極之間的間隔大致相同。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述控制部進行如下控制使所述第3電極靠近所述第1電極，在所述第1電極與所述第3電極之間的間隔小于所述第1電極與所述第2電極之間的間隔的狀態(tài)下，在所述第1 電極與所述第2電極之間、及所述第1電極與所述第3電極之間施加電壓，在所述第1電極與所述第3電極之間生成等離子體，在生成了所述等離子體的狀態(tài)下，使所述第2電極靠近所述第1電極，在所述第1電極與所述第2電極之間生成等離子體。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述控制部進行如下控制在所述第1電極與所述第2電極之間生成等離子體后，使所述第3電極遠離所述第1電極，使所述第1電極與所述第3電極之間的間隔大于所述第1 電極與所述第2電極之間的間隔。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述電壓施加部具有所述第1電極、第2電極和第3電極，其中第1電極與交流電源連接，第2電極及第3電極接地。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第2電極的與所述第1電極對置的面為導體，所述第3電極的與所述第1電極對置的面為電介質(zhì)。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第3電極的與所述第1電極對置的面的表面積小于所述第2電極的與所述第1電極對置的面的表面積。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，具有第ι氣體限制壁，所述第1氣體限制壁包圍由所述第1電極和所述第2電極夾持的處理空間，限制氣體流出到所述處理空間外。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在所述第1電極與所述第3電極之間具有第2氣體限制壁，所述第2氣體限制壁限制氣體流出到所述第3電極側(cè)。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體處理裝置，其特征在于，具有移動裝置，所述移動裝置使所述第2氣體限制壁移動。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第3電極內(nèi)含于由絕緣體構(gòu)成的、具有水平方向的旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)體中，所述控制部通過控制所述第2間隔改變部使所述旋轉(zhuǎn)體旋轉(zhuǎn)，由此來改變所述第1電極與所述第3電極之間的間隔。
14.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第3電極的與所述第1電極對置的部分為凸起形狀。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第3電極的與所述第1電極對置的面為電介質(zhì)。
16.一種等離子體處理方法，是在第1電極和與其對置的第2電極之間、及所述第1電極和與其對置的第3電極之間導入氣體，在所述第1電極與所述第2電極之間、及所述第1 電極與所述第3電極之間施加電壓，產(chǎn)生等離子體，處理被處理物，其特征在于，進行下述工序第1等離子體產(chǎn)生工序，在所述第1電極與所述第3電極之間的間隔小于所述第1電極與所述第2電極之間的間隔的狀態(tài)下，在所述第1電極與所述第2電極之間及所述第1 電極與所述第3電極之間施加電壓，在所述第1電極與所述第3電極之間產(chǎn)生等離子體；電極間隔改變工序，在所述第1等離子體產(chǎn)生工序后，使所述第1電極與所述第3電極之間的間隔大于所述第1電極與所述第2電極之間的間隔；和第2等離子體產(chǎn)生工序，在所述電極間隔改變工序后，在所述第1電極與所述第2電極之間產(chǎn)生等離子體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，所述等離子體處理裝置易于開始等離子體放電，或者能夠抑制等離子體處理中由輔助等離子體導致的多余的電力消耗。本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，所述等離子體處理裝置具有第1電極；在與上述第1電極之間生成等離子體的第2電極；在與上述第1電極之間生成等離子體的第3電極；氣體導入部，在上述第1電極與第2電極之間的空間、及上述第1電極與第3電極之間的空間中導入氣體；電壓施加部，在上述第1電極與上述第2電極之間、及上述第1電極與上述第3電極之間施加電壓；第1間隔改變部或第2間隔改變部，所述第1間隔改變部改變上述第1電極與第2電極之間的間隔，所述第2間隔改變部改變上述第1電極與第3電極之間的間隔；控制部，控制上述第1間隔改變部或第2間隔改變部的間隔改變操作和上述電壓施加部的電壓施加操作。
文檔編號H01J37/32GK102315072SQ20111018926
公開日2012年1月11日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月2日
發(fā)明者大野茂, 深谷康太, 福田正行 申請人:株式會社日立高新技術(shù)儀器