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一種led封裝方法、封裝結(jié)構(gòu)、led燈及照明設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):2896973閱讀:135來源:國(guó)知局
專利名稱:一種led封裝方法、封裝結(jié)構(gòu)、led燈及照明設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于LED封裝領(lǐng)域,尤其涉及一種LED封裝方法、封裝結(jié)構(gòu)、LED燈及照明 設(shè)備。
背景技術(shù)
隨著LED在照明領(lǐng)域的不斷發(fā)展,人們對(duì)其出光效率的要求越來越高,LED的封裝 材料和封裝結(jié)構(gòu)是影響出光效率的主要因素。目前采用的封裝材料主要是硅膠,包括折射 率為1. 41的甲基型硅膠(簡(jiǎn)稱“1. 41型硅膠”)和折射率為1. 5的甲基苯基型硅膠(簡(jiǎn)稱 “1.5型硅膠”)。對(duì)于1.41型硅膠,其信賴性(耐高溫、耐紫外光(UV)的性能)比1.5型 硅膠好得多,但是其透氧透濕性能比較高,對(duì)芯片的保護(hù)效果反而不及1. 5型硅膠好。另 外,1. 41型硅膠折射率和透光率較低,其出光效果也不及1. 5型硅膠的出光效果好。總之, 出光效果好的硅膠信賴性相對(duì)較差,信賴性好的硅膠反而出光效果較差,因此,硅膠封裝的 LED產(chǎn)品不能同時(shí)達(dá)到出光效率高和耐高溫、耐UV性能好的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種LED封裝方法,旨在解決傳統(tǒng)LED封裝方法封 裝成的LED產(chǎn)品出光效率低,耐高溫、耐UV性能差的問題。本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種LED封裝方法,所述方法包括下述步驟將LED芯片固定在基板上;其中,所述基板設(shè)有合金層,所述LED芯片與所述合金 層接觸;將所述LED芯片與固定在所述基板上的引線框架進(jìn)行電連接;采用熔融玻璃封裝所述LED芯片,形成玻璃封裝層,所述熔融玻璃的熱量熔化所 述合金層,熔化后的合金層與所述LED芯片相粘結(jié)形成共晶。本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu),所述LED封裝結(jié)構(gòu)包括基 板、固定在所述基板上的引線框架,以及與所述引線框架進(jìn)行電連接的LED芯片,所述LED 封裝結(jié)構(gòu)還包括封裝于所述LED芯片外部的玻璃封裝層;所述LED芯片與所述基板之間通過合金粘結(jié)。本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種LED燈,所述LED燈包括上述的LED封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種照明設(shè)備,所述照明設(shè)備包括上述的LED 燈。本發(fā)明實(shí)施例采用玻璃封裝LED,玻璃的透光率和信賴性均較高,玻璃封裝LED可 以獲得高出光效率、耐高溫、耐UV性能優(yōu)良的LED產(chǎn)品;并且,玻璃的透氧透濕率較低,并具 有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,對(duì)芯片的保護(hù)效果更好;封裝過程中,合金吸收大部分熱量迅速熔化, 粘結(jié)芯片形成共晶,避免了熔融玻璃的高溫對(duì)LED芯片的損傷。


圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的LED封裝方法的流程圖;圖2和圖3示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;圖4示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖5示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的LED芯片固定狀態(tài)剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖6示出了本發(fā)明第三實(shí)施例提供的引線框架的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖7示出了本發(fā)明第三實(shí)施例提供的引線框架的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;圖8示出了本發(fā)明第四實(shí)施例提供的玻璃封裝層的結(jié)構(gòu)示意圖,以及第七、八實(shí) 施例提供的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖;圖9示出了本發(fā)明第四實(shí)施例提供的玻璃封裝層的結(jié)構(gòu)示意圖,以及第九實(shí)施例 提供的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本 發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不 用于限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例采用玻璃封裝LED,以提高LED產(chǎn)品的出光效率;通過合金的熔化過 程吸收熔融玻璃的熱量,避免高溫玻璃對(duì)芯片的損傷。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED封裝方法,該方法包括下述步驟將LED芯片固定在基板上;其中,基板設(shè)有合金層,LED芯片固定在基板上的同時(shí) 與合金層接觸;將LED芯片與固定在基板上的引線框架進(jìn)行電連接;采用熔融玻璃封裝LED芯片,形成玻璃封裝層,熔融玻璃的熱量熔化合金層,熔化 后的合金層與LED芯片相粘結(jié)形成共晶。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu),該LED封裝結(jié)構(gòu)包括基板、固定在基板 上的引線框架,以及與引線框架進(jìn)行電連接的LED芯片,該LED封裝結(jié)構(gòu)還包括封裝于LED 芯片外部的玻璃封裝層;該LED芯片與基板之間通過合金粘結(jié)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種LED燈,該LED燈包括上述的LED封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種照明設(shè)備,該照明設(shè)備包括上述的LED燈。本發(fā)明實(shí)施例采用玻璃封裝LED,玻璃的透光率和信賴性均較高,玻璃封裝LED可 以獲得高出光效率、耐高溫、耐UV性能優(yōu)良的LED產(chǎn)品;并且,玻璃的透氧透濕率較低,并具 有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,對(duì)芯片的保護(hù)效果更好;封裝過程中,合金吸收大部分熱量迅速熔化, 粘結(jié)芯片形成共晶,避免了熔融玻璃的高溫對(duì)LED芯片的損傷。以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述實(shí)施例一圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的LED封裝方法的流程圖,詳述如下在步驟SlOl中,將LED芯片固定在基板上。其中,基板設(shè)有合金層;LED芯片固定在基板上的同時(shí)與合金層接觸。該合金層通
4常為合金鍍層。在步驟S102中,將LED芯片與固定在基板上的引線框架進(jìn)行電連接。在步驟S103中,采用熔融玻璃封裝LED芯片,形成玻璃封裝層,熔融玻璃的熱量可 熔化合金層,熔化后的合金層與LED芯片相粘結(jié)形成共晶。在上述步驟S103中,合金材料熔化(發(fā)生相變)吸收大量的熱量,進(jìn)而避免了高 溫玻璃對(duì)LED芯片的損傷。玻璃的折射率和透光率相對(duì)較高,有利于LED產(chǎn)品出光,并且信賴性好,可提高 LED產(chǎn)品耐高溫、耐UV的性能;并且,玻璃是無機(jī)物,相對(duì)其他封裝材料(如環(huán)氧樹脂、硅膠 等)比較穩(wěn)定;玻璃的透氧透濕率低,可以降低氧氣和濕氣對(duì)芯片的影響,且具有優(yōu)良的導(dǎo) 熱性能,對(duì)芯片的保護(hù)效果好,有利于延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝 方法,在保護(hù)LED芯片不受損傷的情況下獲得了出光效率高及耐溫耐UV性能優(yōu)良的LED封 裝結(jié)構(gòu)。實(shí)施例二 圖2和圖3示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的基板結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖,圖4示 出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的基板結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,為了便于說明,僅示出了與本 發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分。在本發(fā)明實(shí)施例中,將LED芯片2固定在基板1上可以通過下述方法實(shí)現(xiàn)在基板 1上設(shè)置帶有卡槽7的凹槽6,凹槽6的大小和形狀與LED芯片2的大小和形狀相適應(yīng),用于 放置LED芯片2,凹槽6內(nèi)壁設(shè)有合金層3,當(dāng)LED芯片2置于凹槽6中時(shí),合金層3與LED 芯片2相互接觸??ú?位于凹槽6的邊緣,二者的剖面結(jié)構(gòu)近似階梯形(如圖4所示), 卡槽7的外邊緣形狀可以是圓形、矩形,或其他規(guī)則或不規(guī)則形狀,卡槽的作用是當(dāng)LED芯 片2置于凹槽6中時(shí),取帶有彈性的卡扣8塞入卡槽7中,利用卡扣8與LED芯片2之間的 壓力來固定LED芯片2 (如圖5所示)??梢岳斫?,卡槽7的結(jié)構(gòu)有多種,還可以是在凹槽6 邊緣的某個(gè)或多個(gè)位置開設(shè)的相互獨(dú)立的槽,其具體位置和結(jié)構(gòu)以能夠起到固定LED芯片 的作用為準(zhǔn)。實(shí)施例三圖6和圖7示出了本發(fā)明第三實(shí)施例提供的引線框架結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及俯 視結(jié)構(gòu)示意圖,為了便于說明,僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分。在本發(fā)明實(shí)施例中,引線框架4的一電極端設(shè)置在基板1上表面,通過鍵合線9與 LED芯片2進(jìn)行電連接;引線框架4的另一電極端伸入凹槽6底部,通過與LED芯片2底部 接觸實(shí)現(xiàn)二者的電連接。引線框架4的材料優(yōu)選銀。實(shí)施例四圖8示出了本發(fā)明第四實(shí)施例提供的玻璃封裝結(jié)構(gòu)示意圖,為了便于說明,僅示 出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分。在本發(fā)明實(shí)施例中,采用熔融玻璃封裝LED芯片2可以通過下述方法實(shí)現(xiàn)取一模 具罩在LED芯片2上方,該模具根據(jù)所要獲得的玻璃封裝層的結(jié)構(gòu)確定,然后,向模具內(nèi)澆 注熔融玻璃,在LED芯片2外部形成玻璃封裝層5。也可以通過其他方式將熔融玻璃封裝在 LED芯片2的外部。玻璃封裝層5可以為凸透鏡結(jié)構(gòu),也可以是平面透鏡結(jié)構(gòu),即玻璃封裝層的外表
5面可以是曲面,也可以是平面。由于凸透鏡結(jié)構(gòu)可以減少光線在玻璃透鏡與空氣界面的全 反射,更有利于光線的導(dǎo)出,因此優(yōu)選凸透鏡結(jié)構(gòu)。如圖9所示,對(duì)玻璃封裝層5的外部進(jìn)行粗化處理,其出射的光通量會(huì)進(jìn)一步提 高,且出光更均勻。實(shí)施例五為了進(jìn)一步減小熔融玻璃的高溫對(duì)LED芯片2的損傷,本發(fā)明實(shí)施例中采用的玻 璃優(yōu)選低溫玻璃,其熔化溫度為300°C 1200°C。采用的合金材料的熔點(diǎn)優(yōu)選為260°C 320°C,合金材料優(yōu)選金錫(Au/Sn)合金。實(shí)施例六在本發(fā)明實(shí)施例中,為了更利于LED芯片2散熱,延長(zhǎng)使用壽命,基板1優(yōu)選陶瓷 基板。陶瓷的主要成分可以為氧化鋁或氮化鋁。實(shí)施例七圖8示出了本發(fā)明第七實(shí)施例提供的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖,為了便于說明,僅示出 了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分。該LED封裝結(jié)構(gòu)包括基板1、固定于基板1上的引線框架4,以及與引線框架4進(jìn) 行電連接的LED芯片2,封裝于LED芯片2外部的玻璃封裝層5,LED芯片2與基板1之間 通過合金層3粘結(jié)。玻璃的折射率和透光率較高,信賴性好,并且透濕透氧率低,對(duì)LED芯片的保護(hù)效 果好,是極佳的封裝材料,因此,采用玻璃封裝的LED產(chǎn)品的出光效率高,耐高溫、耐UV的性 能優(yōu)良,并且使用壽命更長(zhǎng)。實(shí)施例八在本發(fā)明實(shí)施例中,基板1上設(shè)有帶有卡槽7的凹槽6,凹槽6的大小和形狀與LED 芯片2的大小和形狀相適應(yīng),用于放置LED芯片2,LED芯片2與凹槽6之間通過合金層3 粘結(jié)??ú?位于凹槽6的邊緣,二者的剖面結(jié)構(gòu)近似階梯形(如圖4所示),卡槽7的外 邊緣形狀可以是圓形、矩形,或其他規(guī)則或不規(guī)則形狀,卡槽7用于在封裝玻璃之前將固定 LED芯片2固定,卡槽內(nèi)部塞有帶彈性的卡扣8,利用卡扣8與LED芯片2之間的壓力來固 定LED芯片2 (如圖5所示)??梢岳斫?,卡扣8不屬于基板的一部分,而是獨(dú)立的塞件???槽7還可以是在凹槽6邊緣的某個(gè)或多個(gè)位置開設(shè)的相互獨(dú)立的槽。實(shí)施例九在本發(fā)明實(shí)施例中,玻璃封裝層5可以是凸透鏡結(jié)構(gòu),也可以是平面透鏡結(jié)構(gòu)。由 于凸透鏡結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步減少光的全反射,更有利于出光,因此優(yōu)選凸透鏡結(jié)構(gòu)。實(shí)施例十在本發(fā)明實(shí)施例中,可以對(duì)玻璃封裝層5的外部做粗化處理,使出射的光通量進(jìn) 一步提高,且出光更均勻,如圖9所示,該粗化結(jié)構(gòu)51可以是鋸齒型結(jié)構(gòu)。實(shí)施例H在本發(fā)明實(shí)施例中,玻璃封裝層5采用的玻璃的熔化溫度為300°C 1200°C。實(shí)施例十二 在本發(fā)明實(shí)施例中,合金層材料的熔點(diǎn)優(yōu)選為260°C 320°C。合金材料優(yōu)選Au/ Sn合金ο
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本發(fā)明實(shí)施例采用玻璃封裝LED,玻璃的透光率和信賴性均較高,玻璃封裝LED可 以獲得高出光效率、耐高溫、耐UV性能優(yōu)良的LED產(chǎn)品;并且,玻璃的透氧透濕率較低,并具 有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,對(duì)芯片的保護(hù)效果更好;合金吸收熔融玻璃的大部分熱量迅速熔化,粘 結(jié)芯片形成共晶,避免了封裝過程中玻璃的高溫對(duì)LED芯片的損傷。采用熔化溫度較低的 玻璃進(jìn)行封裝,可以進(jìn)一步減小高溫對(duì)芯片的損傷;玻璃封裝使LED芯片處于立體散熱結(jié) 構(gòu)中,有利于降低工作溫度,從而提升LED的發(fā)光效率;玻璃是無機(jī)物,相對(duì)其他封裝材料 (如環(huán)氧樹脂、硅膠等)比較穩(wěn)定;將玻璃封裝層設(shè)置為凸透鏡結(jié)構(gòu),并對(duì)表面進(jìn)行粗化處 理,更有利于出光,進(jìn)而提高產(chǎn)品的出光效率。本發(fā)明實(shí)施例提供的LED封裝結(jié)構(gòu)多用作LED燈的組成部分。該LED燈可以作為 照明設(shè)備,也可以作為單獨(dú)的照明組件置于照明設(shè)備中。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種LED封裝方法,其特征在于,所述方法包括下述步驟將LED芯片固定在基板上;其中,所述基板設(shè)有合金層,所述LED芯片與所述合金層接觸;將所述LED芯片與固定在所述基板上的引線框架進(jìn)行電連接;采用熔融玻璃封裝所述LED芯片,形成玻璃封裝層,所述熔融玻璃的熱量熔化所述合金層,熔化后的合金層與所述LED芯片相粘結(jié)形成共晶。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述將LED芯片固定在基板上的步驟具體為在所述基板上設(shè)置凹槽,并在所述凹槽邊緣設(shè)置卡槽; 所述凹槽的內(nèi)壁設(shè)有合金層;將所述LED芯片置于所述凹槽中,并使所述LED芯片與所述合金層接觸; 取卡扣塞入所述卡槽內(nèi),使所述卡扣與所述LED芯片相互擠壓,以固定LED芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用熔融玻璃封裝所述LED芯片,形成 玻璃封裝層的步驟具體為取一模具罩于所述LED芯片外部; 向所述模具內(nèi)澆鑄所述熔融玻璃,形成所述玻璃封裝層。
4.如權(quán)利要求1或3所述的方法,其特征在于,所述玻璃封裝層為凸透鏡結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述熔融玻璃的溫度為300°C 1200°C。
6.一種LED封裝結(jié)構(gòu),包括基板、固定在所述基板上的引線框架,以及與所述引線框架 進(jìn)行電連接的LED芯片,其特征在于,所述LED封裝結(jié)構(gòu)還包括封裝于所述LED芯片外部的 玻璃封裝層;所述LED芯片與所述基板之間通過合金粘結(jié)。
7.如權(quán)利要求6所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述玻璃封裝層為凸透鏡結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述玻璃封裝層外部設(shè)有粗化結(jié)構(gòu)。
9.一種LED燈,其特征在于,所述LED燈包括權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的LED封裝結(jié)構(gòu)。
10.一種照明設(shè)備,其特征在于,所述照明設(shè)備包括權(quán)利要求9所述的LED燈。
全文摘要
本發(fā)明適用于LED封裝領(lǐng)域,提供了一種LED封裝方法、封裝結(jié)構(gòu)、LED燈及照明設(shè)備。該方法包括下述步驟將LED芯片固定在基板上;其中,所述基板設(shè)有合金層,所述LED芯片與所述合金層接觸;將所述LED芯片與固定在所述基板上的引線框架進(jìn)行電連接;采用熔融玻璃封裝所述LED芯片,形成玻璃封裝層,所述熔融玻璃的熱量可熔化所述合金層,熔化后的合金層與所述LED芯片相粘結(jié)形成共晶。本發(fā)明采用玻璃封裝LED,獲得了高出光效率,以及耐高溫、耐紫外光(UV)性能優(yōu)良的LED封裝結(jié)構(gòu);封裝玻璃的同時(shí),合金熔化吸收熔融玻璃的大部分熱量,避免了封裝過程中玻璃的高溫對(duì)LED芯片的損傷。
文檔編號(hào)F21S2/00GK101980392SQ20101022939
公開日2011年2月23日 申請(qǐng)日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
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