專利名稱：電子發(fā)射裝置的制造方法及其存儲介質(zhì)或記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于通過使用具有低功函數(shù)物質(zhì)(low
work function substance)特別是硼鑭化合物的燒結(jié)體的耙材 (target)進(jìn)行的濺射方法來制造晶體電子發(fā)射裝置的方法、及其 計(jì)算機(jī)存儲介質(zhì)或記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
如專利文獻(xiàn)l、 2和3所公開的，作為二次電子發(fā)射膜，已知 LaB6等硼鑭化合物薄膜。此外，如專利文獻(xiàn)l、 2和3所公開的， 還已知通過使用濺射方法來沉積硼鑭化合物的晶體薄膜。此外， 如專利文獻(xiàn)4所公開的，還已知使用LaB6等硼鑭化合物的燒結(jié) 體作為濺射方法所使用的靶材。
專利文獻(xiàn)l:日本特開平l-286228號公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開平3-232959號公才艮
專利文獻(xiàn)3:日本特開平3-101033號7>才艮
專利文獻(xiàn)4:日本特開平6-248446號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，當(dāng)通過'減射設(shè)備沉積后將硼鑭化合物薄膜暴露于大 氣中時(shí)，該硼鑭化合物薄膜被氧化。當(dāng)將該氧化的硼鑭化合物 薄膜用于FED(Field Emission Display,場發(fā)射顯示器)和SED (Surface-conduction Electron-emitter,表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器顯示 器)等電子發(fā)射裝置時(shí)，作為顯示裝置難以獲得足夠的亮度。
本發(fā)明的目的是提供一種使用硼鑭化合物薄膜的具有足夠 亮度的電子發(fā)射裝置。本發(fā)明的第一個(gè)方面涉及一種電子發(fā)射裝置的制造方法，
包括如下工序第一工序，用于制備設(shè)置有熒光體的第一基板 并將所述第一基板設(shè)置在真空或減壓環(huán)境中；第二工序，用于 在第二基板上設(shè)置電子發(fā)射基體構(gòu)件；第三工序，用于在從所 述第二工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，設(shè)置用于露出包 括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第一區(qū)域并遮蔽不包括所述電子發(fā) 射基體構(gòu)件的第二區(qū)域的掩模；第四工序，用于在從所述第三 工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，通過使用具有低功函數(shù) 物質(zhì)的靶材的濺射方法，在經(jīng)過了所述第二工序的所述第二基 板上沉積濺射的粒子；以及第五工序，用于在從所述第一工序 和所述第四工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，使得經(jīng)過了 所述第一工序的所述第一基板和經(jīng)過了所述第四工序的所述第 二基板相對，并通過密封劑密封所述第一基板和所述第二基板 以制成真空室或減壓室。
本發(fā)明的第二個(gè)方面涉及一種用于電子發(fā)射裝置的制造的 存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)包括用于執(zhí)行如下工序的控制程序 第一工序，用于制備設(shè)置有熒光體的第一基板并將所述第一基 板設(shè)置在真空或減壓環(huán)境中；第二工序，用于在第二基板上設(shè) 置電子發(fā)射基體構(gòu)件；第三工序，用于在從所述第二工序起維 持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，設(shè)置用于露出包括所述電子發(fā)射 基體構(gòu)件的第一區(qū)域并遮蔽不包括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第 二區(qū)域的掩模；第四工序，用于在從所述第三工序起維持真空 或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，通過使用具有低功函數(shù)物質(zhì)的耙材的'減 射方法，在經(jīng)過了所述第二工序的所述第二基板上沉積濺射的 粒子；以及第五工序，用于在從所述第一工序和所述第四工序 起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，使得經(jīng)過了所述第一工序的 所述第一基板和經(jīng)過了所述第四工序的所述第二基板相對，并通過密封劑密封所述第 一基板和所述第二基板以制成真空室或 減壓室。
根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)aB6等硼鑭化合物的晶體薄膜密封在 真空室內(nèi)而不被氧化，由此能夠?qū)崿F(xiàn)具有高亮度的顯示裝置。


圖l是示出本發(fā)明的薄膜制造方法所使用的磁控管濺射設(shè) 備的第一個(gè)例子的示意圖2是本發(fā)明的電子發(fā)生器的示意性截面圖3是本發(fā)明的流程圖4是本發(fā)明的框圖5是本發(fā)明中使用的掩模的俯視圖；以及
圖6是通過本發(fā)明制造的電子發(fā)射裝置的示意性立體圖。
符號說明
1第一室
2第二室
3基板制備室
4取出室
5, 51， 52， 53, 54， 55閘門閥 11靶材 12基板
13， 15, 42， 43基板座(substrate holder)
14濺射氣體導(dǎo)入系統(tǒng)
16力口熱機(jī)構(gòu)
17等離子體電極
18等離子體源氣體導(dǎo)入系統(tǒng)
19濺射高頻電源系統(tǒng)191, 221, 502隔直電容器
192, 222, 503匹配電路 193， 223， 504高頻電源
l94 '踐射DC電源(第一DC偏置電源) 20 (退火)基板偏置電源(第三DC電源) 21基板偏置電源(第二DC電源) 22等離子體源高頻電源系統(tǒng)
23, 501用于截止來自HF電源193的LF分量的LF截止濾波
24 HF截止濾波器
101陰極
102磁場發(fā)生器
103 i茲場區(qū)
201, 207玻璃基板
202陰極電極
203 LaB6薄膜
204真空空間(或環(huán)境)
205陽極電極
206熒光體膜
208電子源基板
209突起
210焚光體基板
211 DC電源
401真空掩模加載設(shè)備
402磁控管濺射設(shè)備
403真空空間中的組裝裝置
404第 一力o載互鎖室(load lock chamber)410計(jì)算機(jī)
411算術(shù)運(yùn)算電路單元
413, 414, 415, 416, 417， 418， 419， 420控制總線線
路
421存儲器單元 412時(shí)間控制單元 51纟備膜開口單元 52掩膜
601顯示側(cè)基板
602三原色熒光體矩陣
603黑矩陣
604陽才及電才及
605P鬲離器(spacer)
606背面基板
607絕緣膜
608掃描線
609信號線
610其內(nèi)包含電子發(fā)射裝置的孔
具體實(shí)施例方式
圖l是示出在本發(fā)明的薄膜制造方法中使用的磁控管濺射 設(shè)備的第一個(gè)例子的示意圖。附圖標(biāo)記l表示第一室，附圖標(biāo)記
2表示真空連接到第一室1的第二室(退火單元)，附圖標(biāo)記3表示 基板制備室，附圖標(biāo)記4表示取出室，附圖標(biāo)記5表示閘門閥， 附圖標(biāo)記ll表示濺射靶材，附圖標(biāo)記12表示基板，附圖標(biāo)記13 表示用于保持基板12的基板座(第一基板座)，附圖標(biāo)記14表示濺射氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，附圖標(biāo)記15表示基板座(第二基板座)，附 圖標(biāo)記16表示加熱機(jī)構(gòu)，附圖標(biāo)記17表示等離子體電極，附圖 標(biāo)記18表示等離子體源氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，附圖標(biāo)記19表示濺射高 頻電源系統(tǒng)，附圖標(biāo)記101表示可承載靶材11的陰才及，附圖標(biāo)記 102表示；茲場發(fā)生器，附圖標(biāo)記103表示；茲場區(qū)，附圖標(biāo)記191 表示隔直電容器，附圖標(biāo)記192表示匹配電路，附圖標(biāo)記193表 示高頻電源，附圖標(biāo)記194表示濺射偏置電源，附圖標(biāo)記20表示 (退火)基板偏置電源(第三DC電源)，附圖標(biāo)記21表示基板偏置 電源(第二DC電源)，附圖標(biāo)記22表示等離子體源高頻電源系 統(tǒng)，附圖標(biāo)記221表示隔直電容器，附圖標(biāo)記222表示匹配電路， 附圖標(biāo)記223表示高頻電源，并且附圖標(biāo)記23表示用于截止來自 HF電源193的LF分量從而將電源193轉(zhuǎn)變?yōu)镠F分量電源的LF截 止濾波器(濾波器)。附圖標(biāo)記24表示用于截止來自DC電源21和 194的DC功率中所包含的HF分量(例如，1KHz以上特別是lMHz 等的HF分量)的HF截止濾波器。
在本發(fā)明中，使用LaB6等包含硼原子(B)和鑭原子(La)的靶 材ll。
基板12在第一室1內(nèi)布置在基板座13上，基板12與電極IOI 相對，并且在該室內(nèi)進(jìn)行真空排氣和加熱(升溫至之后的濺射時(shí) 的溫度)。由力口熱才幾構(gòu)16進(jìn)行加熱，接著，>^人濺射氣體導(dǎo)入系統(tǒng) 14導(dǎo)入等離子體源氣體(氦氣、氬氣、氪氣、氙氣)，并設(shè)置成 預(yù)定的氣壓(O.l Pa 50Pa,優(yōu)選O.l Pa 10 Pa)，之后，通過4吏用 濺射電源19開始沉積。
接著，通過從高頻電源193施加高頻功率(頻率為0.1 MHz~10 GHz，優(yōu)選l MHz 5 GHz,并且輸入功率為100 W 3000 W,優(yōu)選200 W 2000 W)來產(chǎn)生等離子體，并且在第一DC電源 194中，將DC功率(電壓)設(shè)置為預(yù)定電壓(-50 V -1000 V,優(yōu)選-10V -500 V),由此進(jìn)行'減射沉積。在基板12側(cè)，第二DC電源 21以預(yù)定的電壓(O V~-500 V,優(yōu)選-10 V~-100 V)向基板座13施 加DC功率(電壓)?？梢栽谑┘觼碜愿哳l電源193的高頻功率之 前輸入來自第一DC電源194的DC功率(第一DC功率)，也可以在 施加該高頻功率的同時(shí)輸入該DC功率，并且可以在完成該高頻 功率的施加之后持續(xù)輸入該DC功率。
優(yōu)選地，將來自第二 D C電源21和/或?yàn)R射高頻電源19的D C 功率和/或高頻功率對陰初UOl的輸入位置i殳置成關(guān)于陰杉UOl 的中心點(diǎn)對稱的多個(gè)點(diǎn)。例如，能夠?qū)㈥P(guān)于陰極101的中心點(diǎn)對 稱的位置設(shè)置成DC功率和/或高頻功率的多個(gè)輸入位置。
定位由永》茲體和電》茲體構(gòu)成的石茲場發(fā)生器10 2,使其位于陰 極101的背后，并且磁場發(fā)生器102可以使靶材11的表面暴露給 磁場103。盡管優(yōu)選不使磁場103達(dá)到基板12的表面，但只要是 不使硼鑭化合物的擴(kuò)展單晶域變窄的程度，磁場103可以達(dá)到基 板12的表面。
作為另一個(gè)效果，設(shè)置在本發(fā)明中所使用的第一DC電源 194側(cè)的HF截止濾波器24能夠保護(hù)第一 DC電源194 。
可以將磁場發(fā)生部件102的南極和北極i殳置成在相對于陰
的磁體在相對于陰極103的平坦表面的水平方向上極性相互相 反。此外，還可以將^茲場發(fā)生部件102的南極和北極設(shè)置成在相 對于陰極103的平坦表面的水平方向上相互相反的極性。此時(shí)， 同樣使相鄰的i茲體在相對于陰極103的平坦表面的水平方向上 才及性相互相反。
在本發(fā)明的優(yōu)選模式中，磁場發(fā)生部件102能夠進(jìn)行在相對 于陰極101或靶材11的表面的水平方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
在本發(fā)明中使用的濾波器23能夠從高頻電源193截止低頻
ii分量(O.Ol MHz以下，尤其是0.001 MHz以下的頻率分量)。
此外，本發(fā)明能夠通過從基板12側(cè)的第二DC電源21向基板 座13施加DC功率(電壓)來擴(kuò)展單晶域的平均面積。該第二DC 功率(電壓)可以是在時(shí)間平均上具有DC分量(相對于地的DC分 量)的脈沖波形功率。
在圖2中，附圖標(biāo)記208表示具有鉬膜(陰極電極)202和LaB6 膜203的電子源基板，其中，鉬膜202形成有錐形突起209(Spindt 型電子發(fā)射基體構(gòu)件)，LaB6膜203覆蓋鉬膜的突起209。附圖標(biāo) 記210表示由如下各部分制成的熒光體基板玻璃基板207、玻 璃基板207上的熒光體膜206以及由薄鋁膜制成的陽極電極204。 該電子源基板208和熒光體基板210之間的空間204是真空空間。 通過在陰極電極202和陽極電極205之間施力口100 V 3000 V的 DC電壓，從由LaB6膜203覆蓋的鉬膜202的突起209的頂端向陽 極電極205照射電子束，并且該電子束透過陽極電極205,在此， 電子束與熒光體膜碰撞，從而能夠使熒光體發(fā)光。
在本發(fā)明中，作為電子發(fā)射基體構(gòu)件并不限于上述Spindt 型電子發(fā)射基體構(gòu)件，另外，其可以是使用通過形成處理形成 納米級間隙的薄膜(PdO薄膜、結(jié)晶碳薄膜等)的SED型電子發(fā)射 基體構(gòu)件。
圖3是示出本發(fā)明的流程圖的圖。工序301是制備設(shè)置有當(dāng) 接收到電子照射時(shí)發(fā)射熒光的熒光體膜的第 一玻璃基板的工 序。熒光體層設(shè)置有用于發(fā)射紅色熒光、綠色熒光和藍(lán)色熒光 的三種熒光體。盡管將紅色熒光體、綠色熒光體和藍(lán)色熒光體 沿直線設(shè)置在由掃描線和信號線構(gòu)成的矩陣布線的信號線方向 上，但熒光體的設(shè)置不限于此。對于玻璃基板，能夠設(shè)置用作 用于對來自電子源的電子進(jìn)行加速的陽極電極的導(dǎo)電膜(鋁膜、 鈦膜、鋇膜等)、用于分割像素的黑矩陣體(例如，黑樹脂矩陣、金屬矩陣等)和隔離器等。
工序3 02是將第 一 玻璃基板轉(zhuǎn)移至形成第 一 真空或減壓環(huán)
境(下文中，將"真空"和"減壓環(huán)境"兩者都稱為"真空")的第一真 空室的工序。在轉(zhuǎn)移時(shí)，可以使用普通的加載互鎖室(未示出) 和閘門閥(未示出)。
工序303是制備設(shè)置有電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二玻璃基板 的工序。該電子發(fā)射基體構(gòu)件設(shè)置在等效電路上掃描線和信號 線的交點(diǎn)處，并且被設(shè)置為矩陣驅(qū)動(dòng)。盡管電子發(fā)射基體構(gòu)件 自身具有電子發(fā)射效果，但是通過后面工序的低功函數(shù)物質(zhì)膜 可以大幅改善其電子發(fā)射效率。
一個(gè)區(qū)段的電子發(fā)射基體構(gòu)件與一個(gè)區(qū)段的熒光體膜一同 形成一個(gè)子像素。 一個(gè)紅色子像素、 一個(gè)綠色子像素和一個(gè)藍(lán) 色子像素的三色像素形成一個(gè)像素。在本發(fā)明中，將這樣的一 個(gè)像素沿多個(gè)行設(shè)置在多個(gè)列上，由此能夠形成矩陣陣列。在 該矩陣陣列中，形成用于掃描線的金屬膜布線(鋁布線、銅布線、
銀布線等)和用于信號線的金屬膜布線(鋁布線、銅布線、銀布 線等)。
此外，對于在本發(fā)明中使用的第二玻璃基板，可以優(yōu)選地 設(shè)置用于對在制造工序或作為顯示裝置的工作期間產(chǎn)生的靜電 荷進(jìn)行充電的抗靜電膜(電荷耗散膜)。作為該抗靜電膜，可以 使用氧化鈦膜、氧化錫膜、氧化銦膜、銦/錫氧化膜(ITO膜)等。
此外，本發(fā)明中使用的第二玻璃基板還可以預(yù)先設(shè)置有隔 離器和密封劑。
在工序304中，將第二玻璃基板轉(zhuǎn)移至第二真空環(huán)境的第二 真空室內(nèi)。在轉(zhuǎn)移時(shí)，可以使用已知的加載互鎖室(未示出)和 閘門閥(未示出)。
工序305是在第二真空環(huán)境的第二真空室內(nèi)對第二玻璃基板設(shè)置圖5的掩模52的工序。掩模52露出包括電子發(fā)射基體構(gòu)件的第一區(qū)域，并且遮蔽不包括電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二區(qū)域。通過使用該掩模52,對第二玻璃基板進(jìn)行掩模。
作為掩模52,盡管優(yōu)選地使用不銹掩模和鋁掩模，但不限于這些掩模。
為了維持與第二玻璃基板的氣密性，可以對掩模52應(yīng)用真空卡盤才幾構(gòu)和靜電卡盤才幾構(gòu)。
工序306是通過利用使用第三真空環(huán)境的第三室的濺射設(shè)備(圖l中示出的磁控管濺射設(shè)備、高頻RF磁控管濺射設(shè)備等)來在第二玻璃基板上設(shè)置LaB6等硼锎化合物膜的工序。在該工序之前，在由加載互鎖室(未示出)和閘門閥(未示出)維持真空的狀態(tài)下將第二玻璃基板轉(zhuǎn)移至濺射設(shè)備中。
通過工序306，在第二玻璃基板的全部或一部分上設(shè)置LaB6等硼鑭化合物膜，結(jié)果，利用作為低功函數(shù)物質(zhì)膜的LaB6等硼鑭化合物膜覆蓋電子發(fā)射基體構(gòu)件，分離掩模并且將掩模從第二玻璃基板移除。
在不包括電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二區(qū)域上不形成LaBJ莫。結(jié)果，在顯示時(shí)，不會出現(xiàn)由于從作為像素之外的不必要電子源的第二區(qū)域的LaBJ莫中產(chǎn)生的電子而導(dǎo)致的不必要的光發(fā)
光的高顯示質(zhì)量的顯示。
此外，除此之外，本發(fā)明可以使用例如CeBj莫、BaLaB6膜、包含碳的LaB6膜等作為低功函數(shù)物質(zhì)膜。
在工序307中，在維持各玻璃基板處于真空狀態(tài)的同時(shí)將工序302的第一玻璃基板和工序306的第二玻璃基板轉(zhuǎn)移至第四真空環(huán)境的第四室內(nèi)。通過閘門閥(未示出)真空連接第一真空環(huán)境、第三真空環(huán)境和第四真空環(huán)境。地布置第一玻璃基板和第二玻璃基板，使一個(gè)區(qū)段的熒光體膜的位置與 一 個(gè)區(qū)段的電子發(fā)射基體構(gòu)件的位置準(zhǔn)確地匹配，并通過使用密封劑對其進(jìn)行密封。通過預(yù)先設(shè)置的隔離器確定預(yù)定的間隔。隔離器可以是柱狀的或板狀的，并且每隔預(yù)定的間隔布置隔離器。預(yù)先將密封劑設(shè)置在第一玻璃基板或第二玻璃基板上，并且可以密封以在第 一 玻璃基板和第二玻璃基板之間形成真空環(huán)境。作為密封劑，可以優(yōu)選地使用低熔點(diǎn)金屬(例如，銥和錫)和有機(jī)樹脂粘合劑等。
在工序308中，由已知的靜電卡盤和真空卡盤來保持第一玻璃基板和第二玻璃基板，并且在兩塊基板分開足夠距離的狀態(tài)下，可以對這兩塊基板進(jìn)行真空烘烤處理并且可以粘附鋇和鈦等吸氣材料。之后，使兩個(gè)基板接近為由隔離器材料所確定的間隔，并且之后，對其進(jìn)行密封加工處理，由此制造出真空顯示面板。
圖4是本發(fā)明的框圖。附圖標(biāo)記401表示用于進(jìn)行工序304和305的真空掩才莫加載室，附圖標(biāo)記402表示用于進(jìn)行工序306的磁控管濺射設(shè)備，附圖標(biāo)記403表示用于進(jìn)行工序307和308的真空空間中的組裝裝置，附圖標(biāo)記404和405表示第一加載互鎖室和第二加載互鎖室，附圖標(biāo)記406、 407、 408和409表示閘門閥，附圖標(biāo)記410表示計(jì)算機(jī)，附圖標(biāo)記411表示算術(shù)運(yùn)算電路單元，附圖標(biāo)記413表示存儲器單元，而附圖標(biāo)記414、 415、416、 417、 418和419表示控制總線線路。
將設(shè)置有熒光體膜的第 一 玻璃基板轉(zhuǎn)移至第二加載互鎖室405中，并且在對室405的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣之后，打開閘門閥40 9,將第 一 玻璃基板轉(zhuǎn)移至用于將熒光體基板轉(zhuǎn)移至真空環(huán)境的室設(shè)備403中。將設(shè)置有電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二玻璃基板轉(zhuǎn)移至第一加
載互鎖室404中，并且在對室401的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣之后，打 開閘門閥406,將第二玻璃基板定位在真空室401內(nèi)部。在該室 401內(nèi)，將掩模(在圖5所示)52設(shè)置在第二玻璃基板上，其中掩
在完成工序304之后，打開閘門閥407,并且在保持掩模52 的狀態(tài)下將第二玻璃基板轉(zhuǎn)移至磁控管濺射設(shè)備402中。磁控管 濺射設(shè)備402進(jìn)行工序306，并且能夠在包括電子發(fā)射基體構(gòu)件 的區(qū)域中設(shè)置LaBJ莫。
計(jì)算機(jī)410具有存儲器單元421 ，并且能夠控制工序 301 308的所有工序。作為存儲器單元421，可以使用硬盤介質(zhì)、 磁-光盤介質(zhì)和軟(floppy，注冊商標(biāo))盤介質(zhì)等記錄介質(zhì)以及閃 速存儲器和MRAM等非易失性存儲器(存儲介質(zhì))，并且存儲器 單元421能夠臨時(shí)存儲來自非易失性存儲器的數(shù)據(jù)。存儲器單元 421存儲用于控制工序301 308的所有工序的控制程序。由算術(shù) 運(yùn)算電路單元(CPU:中央運(yùn)算電路)411處理所存儲的控制程序 數(shù)據(jù)，并且如圖所示通過控制總線線路413、 414、 415、 416、 417、 418、 419和420來發(fā)送這些處理后的數(shù)據(jù)。
此外，在本發(fā)明中，時(shí)間控制單元412 (例如，通過4吏用來 自電波時(shí)鐘的時(shí)鐘生成控制信號)位于算術(shù)運(yùn)算電路單元411內(nèi) 部，因此能夠準(zhǔn)確地控制工序301 308的所有工序。
此外，在本發(fā)明中，作為在磁控管濺射中使用的磁體單元， 可以使用通常使用的永磁體。
此外，當(dāng)通過停止盤(tray)的運(yùn)動(dòng)來進(jìn)行磁控管濺射時(shí)，準(zhǔn) 備面積略大于基板12的靶材，并且在靶材的背面以適當(dāng)?shù)拈g隔 隔開布置多個(gè)磁體單元，并使該多個(gè)磁體單元沿平行于靶材表 面的方向進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)，從而能夠獲得良好的厚度均勻性和高的靶材利用率。此外，當(dāng)在移動(dòng)盤的同時(shí)進(jìn)行濺射時(shí)，關(guān)于基板的運(yùn)動(dòng)方向，能夠使用具有比基板的長度短的寬度的靶材和磁體單元。
圖6是通過本發(fā)明的制造方法獲得的 一 個(gè)例子的電子發(fā)射裝置的示意性立體圖。在圖6中，附圖標(biāo)記601表示玻璃支撐基板，并且是看見顯示的一側(cè)的顯示側(cè)基板。玻璃支撐基板601是由紅色熒光體、綠色熒光體和藍(lán)色熒光體制成的三原色熒光體矩陣。本發(fā)明不限于三原色，并且還向三原色添加其它顏色(例如，互補(bǔ)色相關(guān)顏色、橙色、黃綠色等)。附圖標(biāo)記603表示黑矩陣。附圖標(biāo)記604表示用作陽極電極的鋁、鈦、鋇等的金屬膜，并且向其施加300 V~2000 V的高壓，并設(shè)置成使電子束透過的膜厚度。附圖標(biāo)記605表示用于維持真空室的真空厚度的隔離器。隔離器605由玻璃、陶瓷、金屬氧化物、金屬等制成。此外，除圖6所示的柱狀之外，隔離器可以是板狀的。附圖標(biāo)記606表示背面基板，盡管優(yōu)選地由玻璃材料形成背面基板，但還可以由陶瓷材料、金屬氧化物材料和金屬材料形成背面基板。附圖標(biāo)記607表示由氧化硅、氧化鈦和各種絕緣有機(jī)樹脂形成的絕緣膜。附圖標(biāo)記608表示使用各種金屬(例如、鋁、銅、銀等)的掃描線。附圖標(biāo)記609表示可以由各種金屬(例如、鋁、銅、銀等)形成的信號線。通過絕緣膜607層間絕緣掃描線608和信號線609。附圖標(biāo)記610是包含電子發(fā)射裝置的孔。將圖2所示的電子發(fā)射裝置設(shè)置在孔610內(nèi)。此外，在該孔內(nèi)，不但可以設(shè)置圖2中示出的Spindt型電子發(fā)射裝置，還可以設(shè)置SCE型電子發(fā)射裝置。
分別通過掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)和信號側(cè)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)來矩陣驅(qū)動(dòng)掃描線608和信號線609。該矩陣驅(qū)動(dòng)為向掃描線608施加掃描信號，并且向信號線609施加與掃描信號同步的圖像信號，從而顯示圖像。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置的制造方法，包括如下工序第一工序，用于制備設(shè)置有熒光體的第一基板并將所述第一基板設(shè)置在真空或減壓環(huán)境中；第二工序，用于在第二基板上設(shè)置電子發(fā)射基體構(gòu)件；第三工序，用于在從所述第二工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，設(shè)置用于露出包括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第一區(qū)域并遮蔽不包括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二區(qū)域的掩模；第四工序，用于在從所述第三工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，通過使用具有低功函數(shù)物質(zhì)的靶材的濺射方法，在經(jīng)過了所述第二工序的所述第二基板上沉積濺射的粒子；以及第五工序，用于在從所述第一工序和所述第四工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，使得經(jīng)過了所述第一工序的所述第一基板和經(jīng)過了所述第四工序的所述第二基板相對，并通過密封劑密封所述第一基板和所述第二基板以制成真空室或減壓室。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射裝置的制造方法，其特征在于，所述電子發(fā)射基體構(gòu)件是Spindt型電子發(fā)射裝置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射裝置的制造方法，其特征在于，所述靶材包括含有硼原子(B)和鑭原子(La)的燒結(jié)體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射裝置的制造方法，其特征在于，所述第四工序的沉積物包括含有硼原子(B)和鑭原子(La)的晶體沉積物。
5. —種用于電子發(fā)射裝置的制造的存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)包括用于執(zhí)行如下工序的控制程序第一工序，用于制備設(shè)置有熒光體的第一基板并將所述第一基板設(shè)置在真空或減壓環(huán)境中；第二工序，用于在第二基板上設(shè)置電子發(fā)射基體構(gòu)件；第三工序，用于在從所述第二工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，設(shè)置用于露出包括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第一區(qū)域并遮蔽不包括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二區(qū)域的掩模；第四工序，用于在從所述第三工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，通過使用具有低功函數(shù)物質(zhì)的靶材的濺射方法，在經(jīng)過了所述第二工序的所述第二基板上沉積濺射的粒子；以及第五工序，用于在從所述第一工序和所述第四工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，使得經(jīng)過了所述第一工序的所述第一基板和經(jīng)過了所述第四工序的所述第二基板相對，并通過密封劑密封所述第 一 基板和所述第二基板以制成真空室或減壓室。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，所述電子發(fā)射基體構(gòu)件是Spindt型電子發(fā)射裝置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，所述靶材包括含有硼原子(B)和鑭原子(L a)的燒結(jié)體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，所述第四工序的沉積物包括含有硼原子(B)和鑭原子(L a)的晶體沉積物。
9. 一種用于電子發(fā)射裝置的制造的記錄介質(zhì)，所述記錄介質(zhì)包括用于執(zhí)行如下工序的控制程序第一工序，用于制備設(shè)置有熒光體的第一基板并將所述第一基板設(shè)置在真空或減壓環(huán)境中；第二工序，用于在第二基板上設(shè)置電子發(fā)射基體構(gòu)件；第三工序，用于在從所述第二工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，設(shè)置用于露出包括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第一區(qū)域并遮蔽不包括所述電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二區(qū)域的掩模；第四工序，用于在從所述第三工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，通過使用具有低功函數(shù)物質(zhì)的靶材的濺射方法，在經(jīng)過了所述第二工序的所述第二基板上沉積濺射的粒子；以及第五工序，用于在從所述第一工序和所述第四工序起維持真空或減壓環(huán)境的狀態(tài)下，使得經(jīng)過了所述第一工序的所述第一基板和經(jīng)過了所述第四工序的所述第二基板相對，并通過密封劑密封所述第 一 基板和所述第二基板以制成真空室或減壓< 室。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述電子發(fā)射基體構(gòu)件是Spindt型電子發(fā)射裝置。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述靶材包括含有硼原子(B)和鑭原子(La)的燒結(jié)體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第四工序的沉積物包括含有硼原子(B)和鑭原子(L a)的晶體沉積物。
全文摘要
提供一種用于制造使用硼鑭化合物薄膜的高強(qiáng)度電子發(fā)射裝置的方法和設(shè)備。在設(shè)置有電子發(fā)射基體構(gòu)件的第二基板中露出電子發(fā)射基體構(gòu)件區(qū)域，并且利用掩模遮蔽其它區(qū)域，從而濺射沉積低功函數(shù)物質(zhì)靶材的濺射粒子。利用密封劑密封濺射沉積過的第二基板和設(shè)置有熒光體的第一基板以制成真空室。在制作工序期間，始終將第一和第二基板維持在真空環(huán)境或減壓環(huán)境中。
文檔編號H01J1/304GK101689452SQ200880001000
公開日2010年3月31日 申請日期2008年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日
發(fā)明者栗林正樹 申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司