專(zhuān)利名稱(chēng)：光源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光源裝置，特別涉及一種具有發(fā)光二極管芯片等固態(tài)發(fā)光元件的光源裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到很多領(lǐng)域，在此， 一種新型發(fā)光二極管可參見(jiàn)Daniel A. Steigerwald等人在文獻(xiàn)IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 8， No. 2， March/April 2002中的Illumination With Solid State Lighting Technology—文。發(fā)光二極管一般可發(fā)出特定波長(zhǎng)的光，例如 可見(jiàn)光，但是發(fā)光二極管所接收能量的大部分被轉(zhuǎn)換為熱量，其余部分的能量才被真正轉(zhuǎn)換 為光能。因此，發(fā)光二極管發(fā)光所產(chǎn)生的熱量必須被疏散掉以保證發(fā)光二極管的正常運(yùn)作。
如圖1所示， 一種光源裝置IO，其包括一殼體ll， 一個(gè)光源模組12及一個(gè)燈罩13。該光 源模組12設(shè)置在該殼體11中，且該燈罩13設(shè)置在該光源模組12的上方以保護(hù)該光源模組12。 該光源模組12包括 一個(gè)印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB) 121、設(shè)置在該印刷電 路板121上的一個(gè)金屬線路層122與多個(gè)發(fā)光元件123(如，發(fā)光二極管芯片)，以及覆蓋該發(fā) 光元件123的封裝體124。該多個(gè)發(fā)光元件123與該金屬線路層122電性連接。然而，該多個(gè)發(fā) 光元件123所產(chǎn)生的熱量不能及時(shí)有效的從該殼體11中排除，進(jìn)而降低了該多個(gè)發(fā)光元件 123的發(fā)光效率。由此可見(jiàn)，有必要提供一種散熱效率較高的光源裝置。

發(fā)明內(nèi)容
以下將以實(shí)施例說(shuō)明一種散熱效率較高的光源裝置。
一種具有發(fā)光二極管芯片的光源裝置，其包括 一個(gè)絕緣體、 一個(gè)導(dǎo)熱體、 一個(gè)金屬導(dǎo) 電層、多個(gè)發(fā)光二極管芯片、金屬線以及一個(gè)透明封裝體。該絕緣體具有一個(gè)第一表面及一 個(gè)與該第一表面相對(duì)的第二表面，在第二表面上形成有多個(gè)第一通孔。該導(dǎo)熱體與該絕緣體 的第一表面緊密接合，且該導(dǎo)熱體具有暴露在該絕緣體的第一通孔的部分。該金屬導(dǎo)電層設(shè) 置在該絕緣體的第二表面上，且具有與該第一通孔相貫通的第二通孔。該多個(gè)發(fā)光二極管芯 片設(shè)置在該導(dǎo)熱體的暴露在該絕緣體的第一通孔的部分上以與該導(dǎo)熱體熱連接。該多個(gè)發(fā)光 二極管芯片分別通過(guò)該金屬線與該金屬導(dǎo)電層形成電連接。該透明封裝體設(shè)置在該絕緣體的 第二表面上，用以覆蓋該多個(gè)發(fā)光二極管芯片與該金屬線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該光源裝置中的發(fā)光二極管芯片直接設(shè)置在導(dǎo)熱體上并且與導(dǎo)熱體形 成良好的熱連接，所以發(fā)光二極管芯片發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱量可以直接傳導(dǎo)至導(dǎo)熱體，再由導(dǎo)熱 體將吸收到的熱量傳導(dǎo)至外部系統(tǒng)，從而降低了發(fā)光二極管芯片的溫度，提高了光源裝置的 散熱效率，以及發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率和使用壽命。另外，該金屬導(dǎo)電層形成在該絕緣 體上，使得與該光源裝置電性連接的外部電路位于該光源裝置的上方；發(fā)光二極管芯片與其 下方的導(dǎo)熱體熱性連接，使得該光源裝置的導(dǎo)熱方向向下，從而有效的避開(kāi)了外部電路，進(jìn) 而減小了該光源裝置的熱阻，提高了其散熱效能。


圖1為 一種現(xiàn)有光源裝置的截面示意圖。
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的光源裝置的截面示意圖。
圖3為圖2所示光源裝置的發(fā)光二極管芯片相互串并聯(lián)的示意圖。
圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的光源裝置的截面示意圖。
圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的光源裝置的截面示意圖。
圖6為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的光源裝置的截面示意圖。
圖7為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的光源裝置的截面示意圖。
圖8為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的光源裝置的截面示意圖。
圖9為本發(fā)明第七實(shí)施例提供的光源裝置的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
請(qǐng)參見(jiàn)圖2，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種光源裝置20，其包括絕緣體21，導(dǎo)熱體22， 金屬導(dǎo)電層23，多個(gè)發(fā)光二極管芯片24，金屬線25，及透明封裝體26。
該絕緣體21具有一個(gè)第一表面211以及一個(gè)與該絕緣體21的第一表面211相對(duì)的第二表面 212，在第二表面212上形成有多個(gè)第一通孔2101該絕緣體21所用材料可為塑料，例如聚對(duì)苯 二酰對(duì)苯二胺(Polyphthalamide， PPA)，液晶聚合物(Liquid crystal polymer, LCP)等。
該導(dǎo)熱體22為一長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，其具有一個(gè)上表面221、 一個(gè)與該上表面221相對(duì)的下表面 222，以及設(shè)置在該上表面221與下表面222之間的側(cè)面223。該導(dǎo)熱體22的上表面221及側(cè)面 223與該絕緣體21緊密接合。
該絕緣體21局部覆蓋該導(dǎo)熱體22的上表面221，以使該導(dǎo)熱體22的上表面221有部分暴露 在該絕緣體21的第一通孔2101，并使該導(dǎo)熱體22與該絕緣體21形成多個(gè)容置槽27。該導(dǎo)熱體 22的下表面222暴露在空氣中。該導(dǎo)熱體22所用材料可為銅、鋁等具有較好導(dǎo)熱性能的金屬，或硅、陶瓷等非金屬導(dǎo)熱 物質(zhì)。
金屬導(dǎo)電層23設(shè)置在該絕緣體21的第二表面212上，且具有與該第一通孔2101相貫通的 第二通孔2302。該金屬導(dǎo)電層23為平板狀，即不具有彎折處，從而使其在受到較大外力作用 時(shí)不會(huì)由其自身應(yīng)力變化較大導(dǎo)致斷裂等情況發(fā)生，提高了金屬導(dǎo)電層23的可靠度。
該金屬導(dǎo)電層23通過(guò)嵌入式射出成型技術(shù)(insert-molding)分別設(shè)置在該絕緣體21的第 二表面212上，且該導(dǎo)熱體22、該絕緣體21與該金屬導(dǎo)電層23通過(guò)嵌入式射出成型技術(shù)形成 一體結(jié)構(gòu)，以保證金屬導(dǎo)電層23與導(dǎo)熱體22之間具有良好的電絕緣性能，以及導(dǎo)熱體22與絕 緣體21之間具有良好的熱傳導(dǎo)性能。
多個(gè)發(fā)光二極管芯片24分別設(shè)置在該多個(gè)容置槽27中，具體的，每個(gè)發(fā)光二極管芯片 24設(shè)置在該導(dǎo)熱體22的暴露在該絕緣體21的第二表面212的部分，從而實(shí)現(xiàn)與該導(dǎo)熱體22熱 連接。在此，每個(gè)發(fā)光二極管芯片24的正負(fù)極通過(guò)兩條金屬線25與金屬導(dǎo)電層23形成電連接
發(fā)光二極管芯片24可以通過(guò)粘合方式與導(dǎo)熱體22形成熱連接，例如在發(fā)光二極管芯片 24與導(dǎo)熱體22之間設(shè)置有銀膠、導(dǎo)電膠、非導(dǎo)電膠等粘膠。當(dāng)然，發(fā)光二極管芯片24也可以 通過(guò)其他方式與導(dǎo)熱體22形成熱連接，例如共晶方式(Eutectic Bonding)。
可以理解的是，為了使該光源裝置20發(fā)出白光，該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24可包括至少一 個(gè)藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、至少一個(gè)紅光發(fā)光二極管芯片以及至少一個(gè)綠發(fā)光二極管芯片，該 三種不同顏色的發(fā)光二極管芯片24發(fā)出的光組合后可形成白光。
透明封裝體26設(shè)置在絕緣體21的第二表面212上，其用以覆蓋該發(fā)光二極管芯片24與該 金屬線25，可以避免該發(fā)光二極管芯片24用該金屬線25被外界水氣相接觸而被氧化。該透明 封裝體26的外表面260可為平面、凸曲面或凹曲面，以改變發(fā)光二極管芯片24發(fā)出的光線經(jīng) 由外表面260出射的角度，從而可以改變光源裝置20的照射范圍及光型。由于該透明封裝體 26內(nèi)具有多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)，因此，該透明封裝體26具有混光效果。
該透明封裝體26中還可設(shè)置有光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換物質(zhì)，使該光源裝置20產(chǎn)生所需要的光顏色， 例如熒光粉。若該透明封裝體26中摻雜有黃色熒光粉，發(fā)光二極管芯片24發(fā)出的藍(lán)光經(jīng)由該 透明封裝體26出射時(shí)，有部分藍(lán)光被轉(zhuǎn)換為黃光，未被轉(zhuǎn)換的藍(lán)光與轉(zhuǎn)換得到的黃光結(jié)合后 將形成白光。
若該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24包括至少一個(gè)藍(lán)光發(fā)光二極管芯片以及至少一個(gè)紅光發(fā)光二 極管芯片，且搭配黃色熒光粉則可產(chǎn)生較高演色性的白光。此外，若該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24為近紫外光發(fā)光二極管(near UV LED)芯片，搭配紅色、綠色及藍(lán)色等三種熒光粉則可產(chǎn) 生超高演色性的白光。
該透明封裝體26所用材料可為環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂或其他電絕緣的透明材料。當(dāng)然，該透 明封裝體26中也可進(jìn)一步分成有擴(kuò)散粒子，例如二氧化硅微粒，用以散射該發(fā)光二極管芯片 24發(fā)出的光線。
優(yōu)選的，該光源裝置20還包括一個(gè)反光杯28，該反光杯28設(shè)置在該絕緣體21的第二表面 212上，并將該透明封裝體26收容于該反光杯28內(nèi)，該透明封裝體26的側(cè)壁261與該反光杯 28相接觸。該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24發(fā)出的光線經(jīng)由該容置槽27的開(kāi)口射出，入射至該透明 封裝體26的側(cè)壁261上的光線可以經(jīng)由反光杯28反射并從該透明封裝體26的開(kāi)口260射出，從 而提高了發(fā)光二極管芯片24的出光效率。
可以理解的是，通過(guò)嵌入式射出成型技術(shù)可使該導(dǎo)熱體22、絕緣體21、金屬導(dǎo)電層23及 反光杯28形成一體結(jié)構(gòu)，其將大幅提升該光源裝置20之可靠度。
由于發(fā)光二極管芯片24直接設(shè)置在該導(dǎo)熱體22上并且與該導(dǎo)熱體22形成良好的熱連接， 所以該發(fā)光二極管芯片24發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱量可以直接傳導(dǎo)至該導(dǎo)熱體22，再由該導(dǎo)熱體22將 吸收到的熱量傳導(dǎo)至外部系統(tǒng)，從而降低了該發(fā)光二極管芯片24的溫度，提高了該光源裝置 20的散熱效率，以及該發(fā)光二極管芯片24的發(fā)光效率和使用壽命。
請(qǐng)參見(jiàn)圖3，在本實(shí)施例中，該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24之間的電連接可以是串聯(lián)、并聯(lián) 或混聯(lián)。該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24分別通過(guò)兩條金屬線25與金屬導(dǎo)電層23形成電連接。且將 該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24分成多個(gè)組，每?jī)蓚€(gè)發(fā)光二極管芯片24為一組。該一組中的兩個(gè)發(fā) 光二極管芯片24相互并聯(lián)，不同組之間的發(fā)光二極管芯片24通過(guò)金屬導(dǎo)電層23相互串聯(lián)。從 而形成先并聯(lián)后串聯(lián)的混聯(lián)結(jié)構(gòu)。
當(dāng)然，該多個(gè)發(fā)光二極管芯片24的電連接方式也不限于先并聯(lián)后串聯(lián)的混聯(lián)結(jié)構(gòu)，也可 以為串聯(lián)、并聯(lián)或其它混聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此發(fā)光二極管芯片24之間的電路設(shè)計(jì)更具彈性。
請(qǐng)參見(jiàn)圖4，本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種光源裝置40，本實(shí)施例與第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)基 本相同，其包括絕緣體41，導(dǎo)熱體42，金屬導(dǎo)電層43，多個(gè)發(fā)光二極管芯片44，金屬線45， 及透明封裝體46。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，該絕緣體41具有一個(gè)第一通孔411，該導(dǎo)熱體42 具有一個(gè)與該第一通孔411相對(duì)應(yīng)的第二通孔421，該第一通孔411與該第二通孔421組合成通 孔4120。
熱管(heat pipe) 424內(nèi)埋于該通孔4120中，且使熱管424的蒸發(fā)端4241內(nèi)埋于該通孔4120內(nèi)，熱管424的冷凝端4242則暴露在空氣中，這樣設(shè)置可使本發(fā)明之光源裝置40具有更 好的導(dǎo)熱性。
請(qǐng)參見(jiàn)圖5，本發(fā)明第三實(shí)施例提供的一種光源裝置50，本實(shí)施例與第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)基 本相同，其包括絕緣體51，導(dǎo)熱體52，金屬導(dǎo)電層53，多個(gè)發(fā)光二極管芯片54，金屬線55， 及透明封裝體56。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，該導(dǎo)熱體52具有多個(gè)貫穿導(dǎo)熱體52的上表面521 和下表面522的通孔590。每個(gè)該通孔590包括一個(gè)第一圓柱孔5901和一個(gè)第二圓柱孔5902， 該第一圓柱孔5901形成在該導(dǎo)熱體52的上表面521且向該導(dǎo)熱體52內(nèi)延伸，該第二圓柱孔 5902形成在該導(dǎo)熱體52的下表面522且向該導(dǎo)熱體52內(nèi)延伸，且該第二圓柱孔5902的孔徑大 于該第一圓柱形孔5901的孔徑。
該絕緣體51的部分結(jié)構(gòu)填充該多個(gè)通孔590，且由于該第二圓柱孔5902的孔徑大于該第 一圓柱形孔5901的孔徑，因此，這種設(shè)置可提高導(dǎo)熱體52與絕緣體51的接觸可靠度。
請(qǐng)參見(jiàn)圖6，本發(fā)明第四實(shí)施例提供的一種光源裝置60，本實(shí)施例與第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)基 本相同，其包括絕緣體61，導(dǎo)熱體62，金屬導(dǎo)電層63，多個(gè)發(fā)光二極管芯片64，金屬線65， 及透明封裝體66。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，該導(dǎo)熱體62包括有缺口691，該缺口691設(shè)置在該 導(dǎo)熱體62的周緣處，且與該導(dǎo)熱體62的第二表面622相接。
該絕緣體61中的部分結(jié)構(gòu)填充該缺口691 ，以提高導(dǎo)熱體62與絕緣體61的接觸可靠度。 且該導(dǎo)熱體62的底面積大于絕緣體的底面積，可藉增加導(dǎo)熱體之底面積以增加導(dǎo)熱效率。
請(qǐng)參見(jiàn)圖7，本發(fā)明第五實(shí)施例提供的一種光源裝置70，本實(shí)施例與第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)基 本相同，其包括絕緣體71，導(dǎo)熱體72，金屬導(dǎo)電層73，多個(gè)發(fā)光二極管芯片74，金屬線75， 及透明封裝體76。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，該絕緣體71具有多個(gè)收容槽710。
該導(dǎo)熱體72包括多個(gè)承載部7201和一個(gè)與該多個(gè)承載部7201相對(duì)的支撐部7202。該支撐 部7202設(shè)置在該絕緣體71中且與該收容槽710相對(duì)，該承載部7201嵌在該收容槽710中且具有 部分暴露在該絕緣體71的第二表面712。
該導(dǎo)熱體72或嵌設(shè)或通過(guò)嵌入式射出成型技術(shù)與該絕緣體71緊密接合。
該金屬導(dǎo)電層73嵌設(shè)在該絕緣體71中，且與該導(dǎo)熱體72相分離。
每個(gè)該承載部721上承載有一個(gè)發(fā)光二極管芯片74，使得該發(fā)光二極管芯片74與該導(dǎo)熱 體72熱連接。請(qǐng)參見(jiàn)圖8，本發(fā)明第六實(shí)施例提供的一種光源裝置80，本實(shí)施例與第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)基 本相同，其包括絕緣體81，導(dǎo)熱體82，金屬導(dǎo)電層83，多個(gè)發(fā)光二極管芯片84，金屬線85， 及透明封裝體86。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，該導(dǎo)熱體82由多個(gè)獨(dú)立的導(dǎo)熱體單元8201的組合 而成。
該多個(gè)發(fā)光二極管芯片84分別設(shè)置在該多個(gè)容置槽87中，具體的，每個(gè)發(fā)光二極管芯片 84設(shè)置在該導(dǎo)熱體單元8201的暴露在該絕緣體81的第二表面812的部分，從而實(shí)現(xiàn)與該導(dǎo)熱 體82熱連接。
請(qǐng)參見(jiàn)圖9，本發(fā)明第七實(shí)施例提供的一種光源裝置90，本實(shí)施例與第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)基 本相同，其包括絕緣體91，導(dǎo)熱體92，金屬導(dǎo)電層93，多個(gè)發(fā)光二極管芯片94，金屬線95， 及透明封裝體96。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，該導(dǎo)熱體92的暴露在該容置槽97底部的部分上設(shè) 置有一導(dǎo)熱貼片(Submount)99，該導(dǎo)熱貼片99與該導(dǎo)熱體92之間可通過(guò)粘合方式或共晶方式 接合，該導(dǎo)熱貼片99所用材料可為硅、氮化鋁、氧化鈹、二氧化硅、類(lèi)鉆石(Diamond like Carbon) 、 P甸瓷鋁基板(Ceramic Aluminim substrate)等。
發(fā)光二極管芯片94通過(guò)形成在發(fā)光二極管芯片94的正負(fù)電極上的金屬凸塊98(例如金 凸塊、錫球等)覆晶封裝(Flip chip)在導(dǎo)熱貼片99上，且該導(dǎo)熱貼片99上具有線路層，該導(dǎo) 熱貼片99的線路層與金屬導(dǎo)電層93打線連接。
可以理解的是，該光源裝置90的下方可以直接與散熱板或散熱鰭片相連接，減少了印刷 電路板(Printed Circuit Board, PCB)或玻璃纖維板(FR4)的使用，從而降低了該光源裝置 90的熱阻，使該光源裝置90導(dǎo)熱效果更好。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效 果，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有發(fā)光二極管芯片的光源裝置，其包括一個(gè)絕緣體，該絕緣體具有一個(gè)第一表面及一個(gè)與該第一表面相對(duì)的第二表面，在第二表面上形成有多個(gè)第一通孔；一個(gè)導(dǎo)熱體，其與該絕緣體的第一表面緊密接合，且該導(dǎo)熱體具有暴露在該絕緣體的第一通孔的部分；一個(gè)金屬導(dǎo)電層，其設(shè)置在該絕緣體的第二表面上，且具有與該第一通孔相貫通的第二通孔；多個(gè)發(fā)光二極管芯片，設(shè)置在該導(dǎo)熱體的暴露在該絕緣體的第一通孔的部分上以與該導(dǎo)熱體熱連接；金屬線，該多個(gè)發(fā)光二極管芯片分別通過(guò)該金屬線與該金屬導(dǎo)電層形成電連接；以及一個(gè)透明封裝體，該透明封裝體設(shè)置在該絕緣體的第二表面上，用以覆蓋該多個(gè)發(fā)光二極管芯片與該金屬線。
2 如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體具有一個(gè)上表面、 一個(gè)與該上表面相對(duì)的下表面，以及設(shè)置在該上表面與該下表面之間的側(cè)面，該導(dǎo)熱體的上表面及側(cè)面與該絕緣體緊密接合，該導(dǎo)熱體的上表面具有暴露在該絕緣體的第一通孔的部分。
3 如權(quán)利要求2所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體上進(jìn)一步包 括有缺口，該缺口設(shè)置在該導(dǎo)熱體的周緣處。
4 如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體、絕緣體及 金屬導(dǎo)電層通過(guò)嵌入式射出成型技術(shù)形成一體結(jié)構(gòu)。
5 如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體為一長(zhǎng)方體 或多個(gè)獨(dú)立之導(dǎo)熱體單元的組合。
6 如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體包括多個(gè)承 載部及一個(gè)與該多個(gè)承載部相對(duì)的支撐部，該多個(gè)承載部分別設(shè)置在該支撐部的暴露在該絕緣體的第二表面的部分，該多個(gè)發(fā)光二極管芯片分別承載在該多個(gè)承載部上。
7.如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體還具有通孔，使該絕緣體中的部分結(jié)構(gòu)布滿該通孔。
8.如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體中內(nèi)埋熱管
9.如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該光源裝置還包括一 個(gè)反光杯，該反光杯設(shè)置在該透明封裝體的側(cè)壁上。
10.如權(quán)利要求9所述的光源裝置，其特征在于該導(dǎo)熱體、絕緣體 、金屬導(dǎo)電層及反射杯通過(guò)嵌入式射出成型技術(shù)形成一體結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該透明封裝體內(nèi)有擴(kuò)散粒子。
12.如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該發(fā)光二極管芯片 是通過(guò)金屬凸塊覆晶封裝在導(dǎo)熱貼片上，該導(dǎo)熱貼片與該金屬導(dǎo)電層打線連接。
13.如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該多個(gè)發(fā)光二極管 芯片包括至少一個(gè)藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、至少一個(gè)紅光發(fā)光二極管芯片和至少一個(gè)綠光發(fā)光 二極管芯片。
14.如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于該多個(gè)發(fā)光二極管 芯片的電連接方式為混聯(lián)。
全文摘要
一種具有發(fā)光二極管芯片的光源裝置，其包括一個(gè)絕緣體、一個(gè)導(dǎo)熱體、一個(gè)金屬導(dǎo)電層、多個(gè)發(fā)光二極管芯片、金屬線以及一個(gè)透明封裝體。該絕緣體具有一個(gè)第一表面、一個(gè)第二表面以及多個(gè)第一通孔。該導(dǎo)熱體與該絕緣體的第一表面緊密接合，且該導(dǎo)熱體具有暴露在該絕緣體的第一通孔的部分。該金屬導(dǎo)電層設(shè)置在該絕緣體的第二表面上，且具有與該第一通孔相貫通的第二通孔。該多個(gè)發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該導(dǎo)熱體的暴露在該絕緣體的第一通孔的部分上以與該導(dǎo)熱體熱連接。該多個(gè)發(fā)光二極管芯片分別通過(guò)該金屬線與該金屬導(dǎo)電層形成電連接。該透明封裝體設(shè)置在該絕緣體的第二表面上，用以覆蓋該多個(gè)發(fā)光二極管芯片與該金屬線。
文檔編號(hào)F21Y101/02GK101586795SQ200810301758
公開(kāi)日2009年11月25日 申請(qǐng)日期2008年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月23日
發(fā)明者張忠民, 徐智鵬, 王君偉 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司;先進(jìn)開(kāi)發(fā)光電股份有限公司