專利名稱：受激準(zhǔn)分子燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種受激準(zhǔn)分子燈，其具有由二氧化硅玻璃形成的放 電容器，并設(shè)有一對(duì)電極，這對(duì)電極之間介有形成該放電容器的二氧 化硅玻璃，在所述放電容器內(nèi)部發(fā)生受激準(zhǔn)分子放電。
背景技術(shù)：
近些年，對(duì)金屬、玻璃或其他材料形成的被處理體用波長(zhǎng)200mn 以下的真空紫外線進(jìn)行照射，通過該真空紫外線以及由此產(chǎn)生的臭氧 的作用對(duì)被處理體進(jìn)行處理的技術(shù)被開發(fā)出來并且進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用，例 如除去附著在被處理體表面的有機(jī)污染物的洗凈處理技術(shù)，或者在被 處理體表面形成氧化膜的氧化膜形成處理技術(shù)。真空紫外線放射裝置可以采用如下的裝置其具有例如通過受激 準(zhǔn)分子放電形成受激準(zhǔn)分子，利用從該受激準(zhǔn)分子放射出的例如波長(zhǎng) 為170nm左右的光的受激準(zhǔn)分子燈作為光源。為了使這樣的受激準(zhǔn)分 子燈高效地放射更高強(qiáng)度的紫外線，進(jìn)行了許多嘗試。圖9為表示日本專利3580233號(hào)公報(bào)記載的現(xiàn)有的受激準(zhǔn)分子燈 的結(jié)構(gòu)的說明用剖面圖，(a)是表示沿放電容器51的長(zhǎng)邊方向的橫剖 面圖，(b)是沿(a)的A-A線剖面圖。受激準(zhǔn)分子燈50具有由透過紫外線的二氧化硅玻璃形成的放電 容器51，在該放電容器51的內(nèi)側(cè)和外側(cè)分別設(shè)置電極55、 56，其中， 放電容器51的暴露于放電空間S的表面上形成有紫外線反射膜20。實(shí) 施例中示出了紫外線反射膜20僅由二氧化硅粒子形成，以及僅由氧化 鋁粒子形成的情況(參照專利文獻(xiàn)l)。該受激準(zhǔn)分子燈50的放電容器51的一部分上形成有光射出部58， 該光射出部58由于沒有形成紫外線反射膜20因而有從放電空間S產(chǎn) 生的紫外線射出。根據(jù)如此構(gòu)成的受激準(zhǔn)分子燈50，通過在放電容器51的露出在 放電空間S中的表面上設(shè)置紫外線反射膜20，在設(shè)有紫外線反射膜20 的區(qū)域中，放電空間S內(nèi)產(chǎn)生的紫外線由紫外線反射膜20反射，因此 不會(huì)入射到二氧化硅玻璃中。另外，由于僅構(gòu)成光射出部58的區(qū)域有 紫外線透過二氧化硅玻璃向外部射出，因此能夠有效地利用放電空間S 內(nèi)產(chǎn)生的紫外線。而且，能夠?qū)?gòu)成光射出部58以外的區(qū)域的二氧化 硅玻璃的紫外線偏斜產(chǎn)生的損害抑制得較小，能夠防止產(chǎn)生裂紋。并且，受激準(zhǔn)分子燈的放電容器還可以如專利文獻(xiàn)2所示采用剖 面為矩形形狀的中空長(zhǎng)條狀構(gòu)造。圖10為日本特開2004-127710公報(bào) 所記載的表示現(xiàn)有的受激準(zhǔn)分子燈的結(jié)構(gòu)的說明用立體圖。受激準(zhǔn)分子燈60具有由透過紫外線的二氧化硅玻璃形成的剖面 為矩形形狀的中空長(zhǎng)條狀的放電容器61，該放電容器61的外表面形成 有一對(duì)電極65、 66。在該種受激準(zhǔn)分子燈60中，放電容器61的暴露 在放電空間中的表面上也能夠形成紫外線反射膜。專利文獻(xiàn)l:日本專利第3580233號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本特開2004-127710號(hào)公報(bào)然而，在如圖10所示的受激準(zhǔn)分子燈60上形成紫外線反射膜后， 經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮?xí)r，出現(xiàn)了受激準(zhǔn)分子光的均勻性降低的問題。具體 來說，受激準(zhǔn)分子燈60的中央部比點(diǎn)亮初期照度下降，端部大致維持 點(diǎn)亮初期的照度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于提供一種受激準(zhǔn)分子燈，其在放電容器的暴露在 放電空間中的表面上形成紫外線反射膜，能夠防止長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮?xí)r的受 激準(zhǔn)分子光的均勻性下降。本申請(qǐng)的第一發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈，其具有放電容器，該放電容 器由相互面對(duì)設(shè)置的長(zhǎng)邊面、以及連接該長(zhǎng)邊面的短邊面形成有剖面 為矩形形狀的管，在該放電容器的所述長(zhǎng)邊面的外表面上設(shè)有一對(duì)電 極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣，在所述放電容器的放電空間內(nèi)產(chǎn) 生受激準(zhǔn)分子放電，其特征在于，在一側(cè)的長(zhǎng)邊面的內(nèi)表面區(qū)域上形成有紫外線反射膜，在短邊面 的內(nèi)表面區(qū)域上形成有膜厚比所述一側(cè)的長(zhǎng)邊面的與電極對(duì)應(yīng)的內(nèi)表 面區(qū)域上形成的紫外線反射膜薄的紫外線反射膜，在另一側(cè)的長(zhǎng)邊面 上通過不形成所述紫外線反射膜而形成光射出窗。并且，在本申請(qǐng)的 第一發(fā)明的基礎(chǔ)上，本申請(qǐng)的第二發(fā)明的特征在于，形成于所述短邊面的內(nèi)表面區(qū)域上的紫外線反射膜的膜厚在5ym以上。并且，在本申請(qǐng)的第一發(fā)明或者第二發(fā)明的基礎(chǔ)上，本申請(qǐng)的第 三發(fā)明的特征在于形成于所述長(zhǎng)邊面的內(nèi)表面區(qū)域上的紫外線反射膜 的膜厚在100ym以下。并且，在本申請(qǐng)的第一發(fā)明至第三發(fā)明中的任一項(xiàng)發(fā)明的基礎(chǔ)上， 本申請(qǐng)的第四發(fā)明的特征在于，所述紫外線反射膜由含有二氧化硅粒 子的紫外線散亂粒子構(gòu)成。并且，在本申請(qǐng)的第四發(fā)明的基礎(chǔ)上，本申請(qǐng)的第五發(fā)明的特征 在于所述紫外線散亂粒子中包括氧化鋁粒子。根據(jù)本申請(qǐng)的第一發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈，考慮到形成于長(zhǎng)邊面的 內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜因升華而變薄，預(yù)先將膜厚形成得很厚，并且考慮到形成于短邊面的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜由于升華物堆 積而變厚，預(yù)先將膜厚形成得很薄。通過如此形成紫外線反射膜，能 夠?qū)⒛ず袷冀K保持在一定值以上的范圍內(nèi)，并且使紫外線反射膜整體 的反射性能保持一定。并且，根據(jù)本申請(qǐng)的第二發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈，即使由于紫外線 反射膜的升華和堆積使整體的膜厚不均勻，只要作為紫外線反射膜的膜厚較薄的區(qū)域的短邊面的內(nèi)表面區(qū)域的膜厚在5um以上，就能夠使 紫外線反射膜20的反射性能在整體上均勻。并且，根據(jù)本申請(qǐng)的第三發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈，雖然由于紫外線 反射膜的升華或堆積使膜厚變薄或者變厚，但是只要作為紫外線反射 膜的膜厚較厚的區(qū)域的一邊的長(zhǎng)邊面的內(nèi)表面區(qū)域的膜厚在iooum以下，就能夠通過由紫外線反射膜20與等離子體產(chǎn)生的離子和光子的 作用而抑制放出的游離氧的產(chǎn)生，能夠在防止短時(shí)間內(nèi)放射照度降低 的現(xiàn)象。并且，根據(jù)本申請(qǐng)的第四發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈，由于紫外線反射 膜由含有二氧化硅粒子的紫外線散亂粒子構(gòu)成，因此相對(duì)由合成石英 玻璃構(gòu)成的放電容器得到較高的親和性。并且，根據(jù)本申請(qǐng)的第五發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈，由于紫外線反射 膜含有氧化鋁粒子，因而能夠防止相鄰的二氧化硅粒子和氧化鋁粒子 在粒子之間結(jié)合而維持晶界，能夠抑制紫外線反射膜的反射率的降低。


圖1是表示本發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈的一個(gè)例子的結(jié)構(gòu)概要的說明 用剖面圖。圖2是本發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈的局部剖面圖。圖3是用于說明本發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈的放電空間的對(duì)流的透視圖。
圖4是表示紫外線反射膜的膜厚和其反射特性的關(guān)系的圖表。
圖5是表示紫外線反射膜的膜厚和其積算光量的變化比率的關(guān)系
的圖表。
圖6是用于說明本發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈的紫外線反射膜的形成方 法的剖面圖。
圖7是表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖表。 圖8是表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖表。
圖9是表示現(xiàn)有的受激準(zhǔn)分子燈的結(jié)構(gòu)概要的說明用剖面圖。 圖IO是表示現(xiàn)有的受激準(zhǔn)分子燈的結(jié)構(gòu)概要的透視圖。
標(biāo)號(hào)說明
10受激準(zhǔn)分子燈
11放電容器
12a、 12b長(zhǎng)邊面
13a、 13b短邊面
14a、 14b端面
15電極
16電極
17光射出部
20紫外線反射膜
21升華物
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈10的一個(gè)例子的結(jié)構(gòu)概要的說 明用剖面圖，(a)是表示沿放電容器ll的長(zhǎng)邊方向的橫剖面圖，(b) 是(a)的A-A線剖面圖。
受激準(zhǔn)分子燈IO具有兩端被氣密地封閉且內(nèi)部形成有放電空間S 的剖面為矩形形狀的中空長(zhǎng)條狀的放電容器11，在該放電容器11的內(nèi)
7部封入有作為放電用氣體的氙氣。其中，氙氣的封入量為常溫下壓力
在例如10kPa 60kPa (100mbar 600mbar)范圍內(nèi)。
放電容器11由良好地透過真空紫外光的二氧化硅玻璃，例如合成 石英玻璃形成，具有電介質(zhì)的功能。
放電容器11相互面對(duì)地配置有由長(zhǎng)條狀的板玻璃形成的長(zhǎng)邊面 12a、 12b，通過連接長(zhǎng)邊面12a和長(zhǎng)邊面12b的短邊面13a、 13b形成 剖面為矩形形狀的管。長(zhǎng)邊方向的兩端通過端面14a、 14b封閉，放電 空間S的內(nèi)部形成為氣密空間。放電容器11例如其長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度為 800 1600mm，具有320 640cm3的放電空間S。
在放電容器11的長(zhǎng)邊面12a、 12b的外表面對(duì)置地形成有沿長(zhǎng)邊 方向延伸的一對(duì)格子狀的電極15、 16。在長(zhǎng)邊面12a的外表面配置有 作為高電壓供電電極作用的一方的電極15，在長(zhǎng)邊面12b的外表面配 置有作為接地電極起作用的另一方的電極16。由此，形成為一對(duì)電極 15、 16之間介有作為電介質(zhì)起作用的放電容器11的狀態(tài)。這樣的電極 15、 16能夠通過以下方式形成例如，向金屬粉末中混合纖維系的粘 合劑，并加入溶劑攪拌成糊狀的電極材料，將該電極材料呈格子狀描 畫涂布在放電容器11上，或者能夠通過網(wǎng)版印刷的方式形成。
對(duì)該受激準(zhǔn)分子燈10的一方的電極15供給點(diǎn)亮電力后，經(jīng)由作 為電介質(zhì)發(fā)揮作用的放電容器11的壁在兩電極15、 16之間產(chǎn)生放電， 由此，形成受激準(zhǔn)分子并且產(chǎn)生由這些受激準(zhǔn)分子放射真空紫外光的 受激準(zhǔn)分子放電。
在上述受激準(zhǔn)分子燈10中，為了高效地利用通過受激準(zhǔn)分子放電 產(chǎn)生的真空紫外光，放電容器11的暴露在放電空間S中的表面上設(shè)有 由紫外線散亂粒子形成的紫外線反射膜20。紫外線反射膜20跨越放電容器11的長(zhǎng)邊面12a的與作為高電壓 供電電極發(fā)揮作用的一方的電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域、以及與該區(qū)域 連續(xù)的短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域而形成。并且，端面14a、 14b 的內(nèi)表面區(qū)域也形成有紫外線反射膜20。另一方面，通過不在放電容 器11的長(zhǎng)邊面12b的與作為接地電極發(fā)揮作用的另一方電極16對(duì)應(yīng) 的內(nèi)表面區(qū)域形成紫外線反射膜20，構(gòu)成光射出部17。另外，由于長(zhǎng) 邊面12b的沒有形成電極16的端部的內(nèi)表面區(qū)域也形成有紫外線反射 膜20，所以能夠提高反射效率。
紫外線反射膜20由作為自身具有高折射率的具有真空紫外光透 過性的微小粒子的紫外線散亂粒子，例如二氧化硅粒子和氧化鋁粒子 構(gòu)成，到達(dá)該紫外線散亂粒子的真空紫外光的一部分在粒子表面被反 射并且其他的一部分折射從而入射到粒子內(nèi)部，進(jìn)而，入射到粒子內(nèi) 部的光的大部分透過(一部分被吸收)，再次在出射時(shí)被折射。具有 產(chǎn)生這樣重復(fù)進(jìn)行反射、折射的"擴(kuò)散反射(散亂反射)"功能。
構(gòu)成紫外線反射膜20的紫外線散亂粒子可以采用例如將二氧化 硅玻璃做成粉末狀的細(xì)小粒子的二氧化硅粒子等。優(yōu)選二氧化硅粒子 的粒徑在例如0.01 2nm范圍內(nèi)，中心粒徑(多個(gè)平均粒徑的峰值) 優(yōu)選為例如0.1 2um，更為優(yōu)選的是為0.3 1.0um。并且，優(yōu)選紫 外線反射膜20中含有的二氧化硅粒子的粒徑的分布不會(huì)廣泛擴(kuò)展，優(yōu) 選采用篩選出來的粒徑為中心粒徑的值的二氧化硅粒子占半數(shù)以上的 二氧化硅粒子。
通過將二氧化硅粒子的一部分熔融等，將紫外線反射膜20附著在 放電容器ll上。 一般地，與線膨脹系數(shù)的值相等或者近似的材料具有 容易粘接的性質(zhì)。二氧化硅粒子與由二氧化硅玻璃形成的放電容器11 的線膨脹系數(shù)的值相等，因此具有提高與放電容器11的粘接力的功能。
然而，二氧化硅粒子通過受激準(zhǔn)分子燈10中發(fā)生的等離子體的熱量熔融，晶界消失，變得不能擴(kuò)散反射真空紫外光，使得反射率降低。 紫外線散亂粒子不僅含有二氧化硅粒子還含有氧化鋁粒子，因此即使 在暴露于等離子體的熱量的情況下，由于具有比二氧化硅粒子更高的 熔點(diǎn)的氧化鋁粒子不會(huì)熔融，因此防止相鄰的二氧化硅粒子和氧化鋁 粒子在粒子之間結(jié)合而維持晶界。
氧化鋁粒子的粒徑優(yōu)選在例如0.1 5um范圍內(nèi)，中心粒徑(多 個(gè)平均粒徑的峰值)為例如0.1 3.0um，更為優(yōu)選其為0.3 1.0y m。 并且，優(yōu)選紫外線反射膜20中含有的氧化鋁粒子的粒徑的分布不會(huì)廣 泛擴(kuò)展，優(yōu)選采用篩選出來的粒徑為中心粒徑的值的氧化鋁粒子占半 數(shù)以上的氧化鋁粒子。
圖2是用于說明本發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈10的紫外線反射膜20的 亮燈工作時(shí)的狀態(tài)的局部剖面圖。通過本發(fā)明所述的實(shí)驗(yàn)等，使紫外 線反射膜20自身升華并堆積，以至看到膜厚發(fā)生變動(dòng)。紫外線反射膜 20的膜厚的變動(dòng)被認(rèn)為是受激準(zhǔn)分子光的均勻性下降的原因。
一般地，在受激準(zhǔn)分子燈10的亮燈工作中，已知通過等離子體會(huì) 發(fā)熱，但是特別是在外表面形成有電極15或者電極16的放電容器11 的暴露于放電空間S的表面上，由于產(chǎn)生很多稱作流光(streamer)的 針狀的放電的起點(diǎn)的部位，因此熱負(fù)荷較大。認(rèn)為在放電容器ll的外 表面形成電極15、 16的部分，由于供給電力產(chǎn)生受激準(zhǔn)分子放電，因 此成為容易升溫的狀態(tài)。因此，認(rèn)為放電容器11的長(zhǎng)邊面12a的與電 極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反射膜20在受激準(zhǔn)分子燈10 點(diǎn)亮?xí)r受到等離子體產(chǎn)生的熱量，并且，通過放電容器ll自身的加熱 而使溫度上升。
另一方面，認(rèn)為在放電容器11的外表面沒有形成電極15、 16的 短邊面13a、 13b上，難以產(chǎn)生等離子體，并且由于也沒有電極15、 16， 因而也不供給電力，可以溫度維持在較低的狀態(tài)。認(rèn)為形成于放電容器11中的短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜20在受激準(zhǔn) 分子燈10的點(diǎn)亮中也維持比與電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫 外線反射膜20的溫度低的狀態(tài)不變。
這樣，認(rèn)為即使是一個(gè)放電容器11的暴露于放電空間S的表面上 形成的紫外線反射膜20，也會(huì)形成溫度高的部位和溫度低的部位。在 溫度高的部位，構(gòu)成紫外線反射膜20的紫外線散亂粒子升華而產(chǎn)生微 粒子狀的升華物21。由于紫外線散亂粒子是中心粒徑為0.1 2nm程 度的小粒子，因此認(rèn)為各自的熱容量小，較低的溫度也容易升華。由 于紫外線反射膜20的一部分作為升華物21而升華，因此認(rèn)為持續(xù)高 溫狀態(tài)的長(zhǎng)邊面12a的與電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反 射膜20的膜厚隨著受激準(zhǔn)分子燈10的亮燈而變薄。
升華物21在放電空間S內(nèi)被冷卻，再次堆積在放電容器11的內(nèi) 表面。由于升華物21具有冷卻堆積的特性，因此容易在溫度更低的部 位堆積。在外表面形成有電極15、 16的放電容器11中，維持在溫度 低的狀態(tài)的短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域堆積升華物21。由于升華物 21由長(zhǎng)邊面12a的與電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域產(chǎn)生，堆積在短邊面 13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域，因此認(rèn)為受激準(zhǔn)分子燈IO長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮后，長(zhǎng) 邊面12a的與電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反射膜20的膜 厚逐漸變薄，短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反射膜20 的膜厚逐漸變厚。
另外，在成為光射出部17的長(zhǎng)邊面12b的與電極16對(duì)應(yīng)的內(nèi)表 面區(qū)域的外表面形成有電極16，由于成為放電容器11的溫度高的部位， 因此難以堆積升華物21。因此，可以看出不會(huì)由于升華物21的堆積而 遮蔽光射出部17。
圖3是用于說明本發(fā)明的受激準(zhǔn)分子燈10的放電空間S的對(duì)流的 透視圖。
11在放電容器11內(nèi)部的放電空間S中產(chǎn)生有沿圖3箭頭所示方向的
對(duì)流。從長(zhǎng)邊面12a的中央部朝向短邊面13a、 13b或端面14a、 14b， 產(chǎn)生沿著放電容器11的內(nèi)表面環(huán)繞的流動(dòng)。長(zhǎng)邊面12a通過等離子體 發(fā)熱或向電極15的供電，變成溫度比其他部位高的狀態(tài)，因此長(zhǎng)邊面 12a的周邊存在的發(fā)光氣體溫度也升高。由于溫度高的發(fā)光氣體向溫度 低的方向流動(dòng)，因此發(fā)生如箭頭所示的對(duì)流。
從紫外線反射膜20升華的升華物21沿如箭頭所示的對(duì)流的流動(dòng) 傳播。由于即使在短邊面13a、 13b中，與端面14a、 14b接近的兩端部 18的溫度也低，因此長(zhǎng)邊面12a的中央部向兩端部18的對(duì)流的流動(dòng)強(qiáng)。 比起向短邊面13a、 13b的中央部19的流動(dòng)，對(duì)流向兩端部18的流動(dòng) 更強(qiáng)，因此升華物21堆積在兩端部18的也比在中央部19的多很多。
由于升華物21為微粒子狀，因此再次堆積在紫外線反射膜20上 時(shí)具有反射特性。因此，升華物21堆積的短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū) 域上形成的紫外線反射膜20的反射特性可能會(huì)提高。特別是可知升華 物21更為大量堆積的兩端部18的反射特性提高。
另一方面，在膜厚薄的范圍內(nèi)，紫外線反射膜20的反射性能根據(jù) 膜厚而變動(dòng)，因此形成于長(zhǎng)邊面12a的與電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上 的紫外線反射膜20，由于升華物21的升華使膜厚變薄，因而反射性能 降低。
由于形成于長(zhǎng)邊面12a的與電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反 射膜20的反射性能降低，并且短邊面13a、 13b上因升華物21堆積而 使紫外線反射膜20的反射性能提高，因此受激準(zhǔn)分子燈10長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn) 亮后，在沿放電容器11的短邊方向的剖面上，紫外線反射膜20的反 射性能的特性有可能變化。
12并且，在短邊面13a、 13b中，由于升華物21在兩端部18比在中 央部19堆積得多很多，因此受激準(zhǔn)分子燈10長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮后，在沿放 電容器11的長(zhǎng)邊方向的剖面上，紫外線反射膜20的反射性能的特性 發(fā)生變化。
圖4- (a)是表示紫外線反射膜的膜厚和其反射率的關(guān)系的圖表。
設(shè)縱軸為波長(zhǎng)172mn的光的反射率(％)，設(shè)橫軸為紫外線反射 膜的膜厚(nm)，表示其關(guān)系。在由合成石英形成的實(shí)驗(yàn)片的表面形 成紫外線反射膜，對(duì)該形成有紫外線反射膜的表面照射真空紫外光。 其中，對(duì)于波長(zhǎng)172nm的真空紫外光，將相對(duì)于照射到形成紫外線反 射膜的表面上的放射照度的反射出來的光的放射照度的比率作為反射 率表示。反射率使用分光光度計(jì)(ACTON RESEARCH制VM-502) 求得。另外，已知在波長(zhǎng)為150nm 200nm范圍內(nèi)的真空紫外線區(qū)域 中，反射率表示出大致相同的傾向。
紫外線反射膜的規(guī)格
二氧化硅粒子合成石英玻璃制，粒徑0.1um lum，中心粒徑 0.3 U m
氧化鋁粒子高純度a氧化鋁制，粒徑O.ly m liim，中心粒徑 0.3 u m
混合比二氧化硅粒子氧化鋁粒子=90 {%: 10wt%
測(cè)定了紫外線反射膜的膜厚在l"m 33ym范圍內(nèi)的情況下的 紫外線反射膜的波長(zhǎng)172nm的光的反射率。根據(jù)圖表，紫外線反射膜 的膜厚在5 " m以下時(shí)反射率停留在較低的狀態(tài)，紫外線反射膜的膜厚 在5um以上時(shí)波長(zhǎng)172nm的光的反射率大致恒定為80%。進(jìn)而，確 認(rèn)了作為紫外線反射膜的膜厚為33nm以上的范圍，在膜厚40um 500nm的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)172nm的光的反射率也為80%。其結(jié)果總結(jié)在 圖4- (b)所示表中。
13考慮到一方的形成于長(zhǎng)邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜20 通過升華變薄而預(yù)先將膜厚形成得較厚，考慮到在短邊面13a、 13b的 內(nèi)表面區(qū)域形成的紫外線反射膜20由于升華物的堆積而變厚而預(yù)先將 膜厚形成得較薄。即，在短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域形成有比形成 于一方的長(zhǎng)邊面12a的與電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜20 的膜厚薄的紫外線反射膜20。通過這樣形成紫外線反射膜20，能夠使 膜厚保持在5um以上，使反射性能保持一定。
因而，即使由于紫外線反射膜20的升華或堆積使得整體的膜厚不 均勻，只要在紫外線反射膜20的膜厚較薄的區(qū)域、即短邊面的內(nèi)表面 區(qū)域，其膜厚也維持在5um以上，無論膜厚為多少，都能夠使紫外線 反射膜20的反射性能在整體上均勻。
具體來說，只要對(duì)維持溫度較低狀態(tài)且容易堆積升華物21的短邊 面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域上所形成的紫外線反射膜20，在制造時(shí)使膜 厚形成為5um以上，由于在點(diǎn)亮初期膜厚為5um，由于升華物21堆 積且在點(diǎn)亮末期膜厚變成5um以上，因此紫外線反射膜20的反射性 能始終是一定的。因此，短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外 線反射膜20的膜厚形成為5 ii m以上。
并且，如果將溫度持續(xù)為較高的狀態(tài)的長(zhǎng)邊面12a的與電極15對(duì) 應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反射膜20在制造期間形成為足夠厚， 則即使由于升華物21的升華使膜厚變薄，在點(diǎn)亮末期也能夠使膜厚保 持在5um以上。通過這樣保持紫外線反射膜20的膜厚始終在5um 以上，能夠保持反射性能一定。
通過保持紫外線反射膜20的反射性能一定，即使受激準(zhǔn)分子燈 IO長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮?xí)r，也能夠維持由光射出部17射出的受激準(zhǔn)分子光的均 勻性。另一方面，紫外線反射膜20的膜厚過厚的話，由于由紫外線反射 膜20和等離子體產(chǎn)生的離子和光子的作用而放出的游離氧增加，因此 在短時(shí)間內(nèi)放射照度降低。
圖5為表示紫外線反射膜的膜厚和其積算光量的變化比率的關(guān)系 的圖表。
設(shè)縱軸為積算光量的變化比率(％)，設(shè)橫軸為紫外線反射膜的 膜厚("m)，表示其關(guān)系。測(cè)定所使用的受激準(zhǔn)分子燈，在由合成石 英玻璃形成的放電容器的內(nèi)表面區(qū)域中將紫外線反射膜的膜厚形成在 lum 1000nm范圍內(nèi)，在放電空間內(nèi)封入氙氣，并且在放電容器的 外表面形成一對(duì)電極。另外，紫外線反射膜的規(guī)格與圖4中表示的求 取紫外線反射膜的膜厚和其反射率的關(guān)系的情況相同。
此處求得的積算光量的變化比率表示放電容器的管軸方向的均勻 性的變化。具體來說，積算光量的變化比率表示為100-{(管軸方向的 積算光量的最大值-管軸方向的積算光量的最小值)/管軸方向的積算光 量的中央值)XIOO (%)。從放電容器放射出來的光保持管軸方向的均 勻性時(shí)，積算光量的變化比率變?yōu)榻咏?00%的值，從放電容器放射出 來的光在管軸方向的均勻性被破壞時(shí)，積算光量的變化比率為較低的 值。
積算光量的變化比率將積算光量的管軸方向的差作為相對(duì)值來評(píng) 價(jià)，因此能夠不受到構(gòu)成放電容器的合成石英玻璃的劣化的影響而評(píng) 價(jià)管軸方向的光的均勻性。
各曲線表示經(jīng)過預(yù)定點(diǎn)亮?xí)r間后的受激準(zhǔn)分子燈的積算光量的變 化比率。a表示點(diǎn)亮IO小時(shí)后的積算光量的變化比率，b表示點(diǎn)亮100 小時(shí)后的積算光量的變化比率，c表示點(diǎn)亮1000小時(shí)后的積算光量的變化比率，d表示點(diǎn)亮5000小時(shí)后的積算光量的變化比率。
另外，所謂"積算光量(mJ/cm2)"是指，在距離受激準(zhǔn)分子燈 的紫外線放射面預(yù)定距離(具體來說為3mm)的位置，使紫外線照度 計(jì)以預(yù)定的速度通過時(shí)的紫外線照度的積分值。在使受激準(zhǔn)分子燈點(diǎn) 亮1分鐘/熄滅1分鐘的亮滅點(diǎn)亮，總點(diǎn)亮?xí)r間經(jīng)過預(yù)定時(shí)間后的狀態(tài) 下，測(cè)定將受激準(zhǔn)分子燈的電極寬度在管軸方向上20等分后的部位各 自的積算光量。
根據(jù)圖表，在紫外線反射膜的膜厚為100nm以下，積算光量的 變化比率接近100%,在點(diǎn)亮10小時(shí)至5000小時(shí)后的積算光量都僅會(huì) 降低到2%左右。然而，紫外線反射膜的膜厚在100um以上時(shí)，積算 光量的變化比率隨膜厚的增加逐漸增大，并且隨著點(diǎn)亮?xí)r間增長(zhǎng)，積 算光量大幅降低。這是因?yàn)槭艿接傻入x子體產(chǎn)生的離子和光子的作用 的粒子變多，通過該作用產(chǎn)生的游離氧與封入放電空間中的氙氣(Xe) 發(fā)生反應(yīng)生成氧化氙(XeO)，作為放電氣體的氤氣不足因而發(fā)光效率 降低。
紫外線反射膜的升華或堆積使得膜厚變薄或者變厚，但是只要作 為紫外線反射膜的膜厚較厚的區(qū)域的一側(cè)的長(zhǎng)邊面的內(nèi)表面區(qū)域的膜 厚也在100U m以下，就能夠不產(chǎn)生由紫外線反射膜與等離子體產(chǎn)生的 離子和光子的作用而放出的游離氧地、防止放射照度在短時(shí)間內(nèi)降低 的現(xiàn)象。
具體來說，通過升華物21的升華，隨著點(diǎn)亮，膜厚逐漸變薄的長(zhǎng) 邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反射膜20優(yōu)選在制造期間膜厚 形成的較厚的，但是為了抑制由于游離氧使得照度降低，其膜厚必須 形成在100um以下。換言之，形成于長(zhǎng)邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域的紫外 線反射膜20隨著受激準(zhǔn)分子燈10的點(diǎn)亮，因升華物21的升華而膜厚 變薄，但是相反地不會(huì)變厚，因此只要在點(diǎn)亮初期將膜厚形成在lOOiim以下就能夠抑制由于游離氧使得照度降低。
形成于短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜20隨著受 激準(zhǔn)分子燈10的點(diǎn)亮因升華物21的堆積而膜厚變厚，因此優(yōu)選在制 造期間使膜厚盡量薄，具體來說形成為5um左右。點(diǎn)亮初期時(shí)紫外線 反射膜20的膜厚足夠薄的話，即使因升華物21的堆積膜厚逐漸變厚， 也能夠在點(diǎn)亮后期使膜厚保持在lOOnm以下，能夠抑制由于膜厚變厚 而產(chǎn)生的放射照度的降低。
接著，對(duì)在放電容器11的內(nèi)表面區(qū)域形成紫外線反射膜20的形 成方法進(jìn)行說明。
紫外線反射膜20能夠通過例如稱作"流下法"的方法形成。首先， 調(diào)和流入放電容器形成材料內(nèi)側(cè)的涂液。涂液由紫外線散亂粒子、粘 接劑、分散劑、以及溶劑構(gòu)成。紫外線散亂粒子為二氧化硅粒子和氧 化鋁粒子，粘接材料包括原硅酸四乙脂，分散劑為硅烷偶聯(lián)劑，溶劑 為乙醇。
由于涂液中含有分散劑，因此使涂液凝膠化并且容易附著到放電 容器形成材料上，而且能夠使均勻地分散在涂液中的紫外線散亂粒子 固定。
由于涂液中含有溶劑，因此能夠調(diào)整涂液的紫外線散亂粒子的含 有濃度。
使涂液流入放電容器形成材料的內(nèi)部，附著在內(nèi)表面的預(yù)定區(qū)域。 在該狀態(tài)下使涂液自然干燥而使溶劑蒸發(fā)。
接著，當(dāng)在氧環(huán)境中以100(TC加熱1小時(shí)燒結(jié)時(shí)，分散劑加熱消 失，僅留下紫外線散亂粒子和粘接劑。粘接劑變成二氧化硅而熔融附著在紫外線散亂粒子上，提高粒子之間、與放電容器形成材料之間的 粘接力。
通過向短邊面13a或者短邊面13b的內(nèi)表面區(qū)域涂布的情況和向 長(zhǎng)邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域涂布的情況這三次重復(fù)上述工序，能夠在短邊 面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域和長(zhǎng)邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域形成膜厚不同的 紫外線反射膜20。
并且，如圖6所示，通過在傾斜放電容器形成材料的狀態(tài)下使涂 液流入內(nèi)側(cè)，僅重復(fù)上述工序兩次，就能夠在短邊面13a、 13b的內(nèi)表 面區(qū)域和長(zhǎng)邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域形成膜厚不同的紫外線反射膜20。 首先，如圖6 (a)所示，在放電容器形成材料的短邊面13b和長(zhǎng)邊面 12a的內(nèi)表面區(qū)域形成紫外線反射膜20。接著，如圖6 (b)所示，在 放電容器形成材料的短邊面13a和長(zhǎng)邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域形成紫外線 反射膜20。由于短邊面13a、 13b的內(nèi)表面區(qū)域上僅流過一次涂液，因 此形成一層紫外線反射膜20，但長(zhǎng)邊面12a的內(nèi)表面區(qū)域上流過兩次 涂液，因此形成兩層的紫外線反射膜20。因此，能夠使形成于長(zhǎng)邊面 12a的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜20的膜厚比短邊面13a、 13b的內(nèi)表 面區(qū)域上形成的紫外線反射膜20的膜厚更厚。
接著，對(duì)與在放電容器的內(nèi)表面區(qū)域形成紫外線反射膜的受激準(zhǔn) 分子燈進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮?xí)r的受激準(zhǔn)分子光的積算光量相關(guān)的實(shí)驗(yàn)例進(jìn) 行說明。
實(shí)驗(yàn)例1
在放電容器的內(nèi)表面區(qū)域形成紫外線反射膜，沿受激準(zhǔn)分子燈的 管軸方向，測(cè)定點(diǎn)亮初期的積算光量和點(diǎn)亮末期的積算光量。使用受 激準(zhǔn)分子燈的玻璃基板的UV/臭氧清洗中，在該受激準(zhǔn)分子燈下使玻 璃基板通過，通過UV/臭氧的作用使有機(jī)物分解并清洗。由于清洗作 用依賴于積算光量，因此能夠?qū)⒎e算光量(mJ/cm2)作為受激準(zhǔn)分子燈的清洗性能的尺度利用。
實(shí)驗(yàn)中采用的受激準(zhǔn)分子燈的放電容器為合成石英玻璃制，外徑
尺寸為15mmX42mmX 1200mm，壁厚2.0mm。放電容器內(nèi)部封入30kPa 的氙氣。放電容器的長(zhǎng)邊面的外表面配置有尺寸為30mmX 1000mm的電極。
并且，放電容器的內(nèi)表面區(qū)域形成有由二氧化硅粒子和氧化鋁粒 子構(gòu)成的紫外線反射膜。由二氧化硅粒子和氧化鋁粒子形成的紫外線 散亂粒子的中心粒徑為0.3 um， 二氧化硅粒子和氧化鋁粒子的構(gòu)成比 按照重量比9: l構(gòu)成。在制造時(shí)，構(gòu)成為使形成在放電容器的一側(cè)的 長(zhǎng)邊面的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜的膜厚為40um，使形成在放電 容器的兩個(gè)短邊面的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜的膜厚為5nm。
積算光量使用USHIO電機(jī)株式會(huì)社制造的紫外線照度計(jì) UIT-150/VUV-172S測(cè)定。將上述受激準(zhǔn)分子燈配置于滾輪運(yùn)送機(jī)的上 部，使紫外線照度計(jì)在該受激準(zhǔn)分子燈下3mm的位置處按照一定速度 (5m/min)運(yùn)送。將受激準(zhǔn)分子燈的電極寬度沿管軸方向20等分，測(cè) 定各個(gè)部位的積算光量。
圖7是表示實(shí)驗(yàn)例1的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖表。
設(shè)縱軸為積算光量(mJ/cm2)，設(shè)橫軸為受激準(zhǔn)分子燈的管軸方 向的位置，將實(shí)驗(yàn)結(jié)果曲線化。橫軸以受激準(zhǔn)分子燈的長(zhǎng)邊方向的一 方的端部為Omm，表示離開該位置的距離。并且，區(qū)間H表示在放電 容器的長(zhǎng)邊面上形成電極的位置。A表示點(diǎn)亮初期的狀態(tài)，B表示點(diǎn)亮 末期的狀態(tài)。
點(diǎn)亮初期的受激準(zhǔn)分子燈，是指在經(jīng)過制造過程中的蝕刻等后作 為制品而完成的受激準(zhǔn)分子燈中，受激準(zhǔn)分子放電穩(wěn)定點(diǎn)亮一個(gè)小時(shí)后的狀態(tài)。點(diǎn)亮末期的受激準(zhǔn)分子燈，是指在使點(diǎn)亮初期的受激準(zhǔn)分 子燈點(diǎn)亮1分鐘/熄滅1分鐘的明滅點(diǎn)亮下，總點(diǎn)亮?xí)r間經(jīng)過1000個(gè)小 時(shí)后的狀態(tài)。
不論是點(diǎn)亮初期A的狀態(tài)，還是點(diǎn)亮末期B的狀態(tài)，受激準(zhǔn)分子 燈的積算光量除端部外都是均勻的。受激準(zhǔn)分子燈的端部由于發(fā)光部 位和紫外線照度計(jì)的角度特性的原因， 一般積算光量降低。并且，在
點(diǎn)亮末期B，由于長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮造成合成石英玻璃的透過率降低，因此積
算光量降低，但是可知能夠保持受激準(zhǔn)分子光的均勻性。
實(shí)驗(yàn)例2
測(cè)定改變紫外線反射膜配置于放電容器的內(nèi)表面區(qū)域的位置的情 況、以及改變了其膜厚的情況下的受激準(zhǔn)分子燈在點(diǎn)亮末期的積算光
對(duì)于與實(shí)驗(yàn)例1采用的同樣的受激準(zhǔn)分子燈，以改變了紫外線反 射膜的形成方法的四種受激準(zhǔn)分子燈作為實(shí)驗(yàn)對(duì)象。測(cè)定在點(diǎn)亮1分
鐘/熄滅1分鐘的明滅點(diǎn)亮下，總點(diǎn)亮?xí)r間經(jīng)過1000個(gè)小時(shí)后的點(diǎn)亮末 期的積算光量(mJ/cm2)。
圖8是表示實(shí)驗(yàn)例2的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖表。
設(shè)縱軸為積算光量(mJ/cm2)，設(shè)橫軸為受激準(zhǔn)分子燈的管軸方 向的位置，將實(shí)驗(yàn)結(jié)果曲線化。橫軸以受激準(zhǔn)分子燈的長(zhǎng)邊方向的一 方的端部為0mm，表示離開該位置的距離。并且，區(qū)間H表示在放電 容器的長(zhǎng)邊面上形成電極的位置。C表示僅在放電容器的長(zhǎng)邊面(12a) 內(nèi)表面設(shè)有紫外線反射膜的受激準(zhǔn)分子燈的初期積算光量分布，D表 示C的壽命末期的積算光量分布，E表示在長(zhǎng)邊面(12a)和短邊面(13a、 13b)上分別設(shè)有5um膜厚的紫外線反射膜的受激準(zhǔn)分子燈的初期積 算光量分布，F(xiàn)表示E的壽命末期的積算光量分布。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果C、 D，僅在長(zhǎng)邊面(12a)內(nèi)表面設(shè)有紫外線反射膜 的受激準(zhǔn)分子燈到壽命末期時(shí)，紫外線反射膜受到等離子體熱被加熱 升華，產(chǎn)生微粒子狀的升華物。并且，升華物堆積在維持較低溫度的 狀態(tài)的內(nèi)表面區(qū)域。然而，升華物隨放電空間內(nèi)的封入氣體的對(duì)流的 流動(dòng)而傳播，因此升華物的堆積不會(huì)在放電容器的管軸方向上均勻產(chǎn) 生。
因此，隨著到達(dá)壽命末期，形成于長(zhǎng)邊面(12a)的內(nèi)表面的紫外 線反射膜變薄，反射率降低。此外，形成放電容器的合成石英玻璃也 劣化使透過率也降低。但是，朝向受激準(zhǔn)分子燈的管軸方向的兩端， 升華物向短邊面的堆積變多，因此通過堆積的升華物反射，抑制了管 軸方向兩端的積算光量的降低。因此，壽命末期D變?yōu)椴粌H全體的積 算光量降低，管軸方向的中央部的積算光量也降低的分布。像壽命末 期D這樣的積算光量分布中，在受激準(zhǔn)分子燈下流過工件進(jìn)行處理的 清洗裝置中會(huì)產(chǎn)生清洗斑點(diǎn)。可知如果僅在長(zhǎng)邊面(12a)的內(nèi)表面形 成紫外線反射膜，則受激準(zhǔn)分子光的均勻性降低。
由實(shí)驗(yàn)結(jié)果E、 F，在長(zhǎng)邊面(12a)和短邊面(13a、 13b)的兩 方設(shè)有膜厚為5ym的紫外線反射膜的受激準(zhǔn)分子燈中，由于維持短邊 面的內(nèi)表面區(qū)域的紫外線反射膜的膜厚在5um以上，因此積算光量的 降低變小。然而，在放電容器的管軸方向的中央部，向內(nèi)表面區(qū)域的 紫外線反射膜的堆積與管軸方向兩端相比要少，此外，長(zhǎng)邊面的內(nèi)表 面區(qū)域的紫外線反射膜變薄，因此受激準(zhǔn)分子燈的管軸方向的中央部 的積算光量降低較大。因此，壽命末期F成為管軸方向的中央部的積 算光量特別降低的分布。壽命末期F這樣的積算光量分布在受激準(zhǔn)分 子燈下流過工件進(jìn)行處理的清洗裝置中成為清洗斑點(diǎn)的原因?？芍?使在長(zhǎng)邊面(12a)和短邊面U3a、 13b)兩方形成紫外線反射膜，其 膜厚在制造時(shí)為5um的情況下，受激準(zhǔn)分子光的均勻性也降低。并且，作為參考實(shí)驗(yàn)，制作了分別在長(zhǎng)邊面(12a)和短邊面(13a、 13b)設(shè)置100um膜厚的紫外線反射膜的受激準(zhǔn)分子燈，測(cè)定點(diǎn)亮初 期狀態(tài)下的積算光量、和點(diǎn)亮200小時(shí)后的狀態(tài)下的積算光量。測(cè)定 位置是與其他實(shí)驗(yàn)相同的20個(gè)部位。
在參考實(shí)驗(yàn)中，點(diǎn)亮200小時(shí)后的積算光量與點(diǎn)亮初期的積算光 量相比低至62% (降低38%)。認(rèn)為其原因在于，長(zhǎng)邊面上形成的紫 外線反射膜的膜厚較厚，因此紫外線反射膜通過等離子體產(chǎn)生的離子 和光子的作用而產(chǎn)生游離氧，使得受激準(zhǔn)分子放電氣體中的紫外線產(chǎn) 生效率降低，并且由于該原因使得積算光量降低。其中，所述等離子 體是由受激準(zhǔn)分子燈的點(diǎn)亮動(dòng)作而產(chǎn)生的。
權(quán)利要求
1.一種受激準(zhǔn)分子燈，其具有放電容器，該放電容器由相互面對(duì)設(shè)置的長(zhǎng)邊面、以及連接該長(zhǎng)邊面的短邊面形成有剖面為矩形形狀的管，在該放電容器的所述長(zhǎng)邊面的外表面上設(shè)有一對(duì)電極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣，在所述放電容器的放電空間內(nèi)產(chǎn)生受激準(zhǔn)分子放電，其特征在于，在一側(cè)的長(zhǎng)邊面的內(nèi)表面區(qū)域上形成有紫外線反射膜，在短邊面的內(nèi)表面區(qū)域上形成有膜厚比所述一側(cè)的長(zhǎng)邊面的與電極對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反射膜薄的紫外線反射膜，在另一側(cè)的長(zhǎng)邊面上通過不形成所述紫外線反射膜而形成光射出窗。
2. 如權(quán)利要求l所述的受激準(zhǔn)分子燈，其特征在于，形成于所述短邊面的內(nèi)表面區(qū)域上的紫外線反射膜的膜厚在m以上。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的受激準(zhǔn)分子燈，其特征在于，形成于所述一側(cè)的長(zhǎng)邊面的內(nèi)表面區(qū)域上的紫外線反射膜的膜厚在100ym以下。
4. 如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的受激準(zhǔn)分子燈，其特征在于，所述紫外線反射膜由含有二氧化硅粒子的紫外線散亂粒子構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求4所述的受激準(zhǔn)分子燈，其特征在于，在所述紫外線散亂粒子中包括氧化鋁粒子。
全文摘要
本發(fā)明目的在于提供一種受激準(zhǔn)分子燈，在放電容器的暴露在放電空間中的表面上形成紫外線反射膜，能夠防止長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮?xí)r受激準(zhǔn)分子光的均勻性下降。該受激準(zhǔn)分子燈的特征在于，在一側(cè)的長(zhǎng)邊面(12a)的內(nèi)表面區(qū)域形成有紫外線反射膜(20)，在短邊面(13a、13b)的內(nèi)表面區(qū)域形成有膜厚比所述一側(cè)的長(zhǎng)邊面(12a)的與電極(15)對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上形成的紫外線反射膜(20)薄的紫外線反射膜(20)，在另一側(cè)的長(zhǎng)邊面(12b)上通過不形成所述紫外線反射膜(20)而形成光射出窗(17)。
文檔編號(hào)H01J65/00GK101651080SQ200810210258
公開日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月11日
發(fā)明者藤澤繁樹, 遠(yuǎn)藤真一 申請(qǐng)人:優(yōu)志旺電機(jī)株式會(huì)社