專利名稱：一種蔭罩式等離子體顯示板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板，尤其涉及一種蔭罩式等離子體顯示 板，具體地說是一種后板表面制備反射膜層的蔭罩式等離子體顯示板。
背景技術：
目前采用的蔭罩式等離子體顯示板主要包括前基板、后基板和蔭罩。 前基板從玻璃基板起，分別是掃描電極、介質層以及在介質層表面形成的
保護層；后基板從玻璃基板起，分別是與掃描電極垂直的尋址電極，介質 層以及在介質層上形成的保護層；夾在前、后基板中間的蔭罩是由導電材 料(例如鐵或其合金)加工而成的包含網(wǎng)孔陣尋址的金屬薄網(wǎng)板。將上述 前基板、蔭罩和后基板組裝封接后充入預定的工作氣體，譬如各種惰性氣 體，即形成了蔭罩式等離子體顯示板。目前蔭罩式等離子體顯示板釆用對 向放電的工作原理，其工作原理如下首先，在尋址電極組和掃描電極之間 加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號，擦除上次放電積累的壁電荷；然后 在掃描電極上加一高脈沖尋址電壓選中該行，同時在尋址電極上施加該行 的數(shù)據(jù)脈沖，該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電極與尋址電 極之間的著火電壓，控制觸發(fā)放電，從而在該行形成與所需顯示信息對應 的壁電荷分布；在逐行完成整屏圖象初始放電之后，在掃描電極組和尋址 電極之間施加維持》i:電脈沖，以顯示該幀圖象。如此循環(huán)即可逐幀顯示圖 象。對彩色蔭罩式等離子體顯示板而言，蔭罩的面孔為大孔，與前基板面 對放置，內壁涂敷三基色熒光粉，蔭罩的底孔為小孔，小孔間由通槽聯(lián)通， 底孔與后基板面對放置，每一放電單元中氣體放電產生的真空紫外光，激 發(fā)不同熒光材料發(fā)出相應的三基色光。然而，上述蔭罩式等離子體顯示板 中存在如下問題由于采用對向型放電結構，放電空間集中在上下基板的
電極之間，而熒光粉只涂敷在蔭罩大孔的內壁表面，使在底孔放電空間產 生的深紫外光損失^f艮大，無法激發(fā)大孔內壁的熒光粉發(fā)光，使蔭罩式等離 子體顯示板的亮度較低，發(fā)光效率較低。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的蔭罩式等離子體顯示板采用對向型放電產 生的問題，發(fā)明一種具有改善亮度和發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板， 在后基板的表面制備一層反射膜層。
本發(fā)明的技術方案是
一種蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板、后基板、蔭罩，其中蔭罩 封裝在前基板、后基板之間，所述的前基板包括前襯底玻璃基板、掃描電 極、前基板介質層、前基板保護膜，掃描電極平行設置在前襯底玻璃基板 上，前基板介質層覆蓋在掃描電極上，前基板保護膜覆蓋在前基板介質層 上；所述的后基板包括后襯底玻璃基板、尋址電極后基板介質層和后基板 保護膜，尋址電極平行設置在后襯底玻璃基板上，后基板介質層覆蓋在尋 址電極上，后基板保護膜則覆蓋在后基板介質層上；尋址電極與掃描電極 成空間垂直正交；蔭罩為包含面孔陣列和底孔陣列的導電板，面孔與底孔 屬于同一個放電單元的上下表面，前基板相對的面孔的面積是其與后基板 相對的底孔面積的10~20倍，每一個面孔的上開口寬度為底孔下開口寬度 的2~4倍；掃描電極與蔭罩上的面孔的上開口面對放置并置于中間位置， 尋址電極與蔭罩上的底孔的下開口相對放置并置于中間位置，所述蔭罩、 掃描電極、尋址電極組成介質阻擋型交流放電型的基本單元；在面孔內壁 涂覆熒光粉層，使放電的基本單元中面孔對應的空間是可見光發(fā)光區(qū)域， 一部分可見光直接或射到內壁反射后射出前基板，為人眼所接收，另一部 分直接或經過內壁反射到后基板出射，不能為人眼所接收，其特征在于在 后基板保護膜表面制備一層漫反射膜，對深紫外光吸收較小，將面孔空間 中通過底孔射到后基板表面的可見光反射到面孔中，部分射出前基板，為 人眼所接收。
比較好的是，本發(fā)明的漫反射膜通過連續(xù)蒸鍍成膜的方法，厚度為
50nm ~lum。
比較好的是,本發(fā)明的漫反射膜的材料為納米SiO廠X粉末或Si02薄膜。 本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有如下的有益效果
1、 本發(fā)明的等離子體顯示板在后j^反內表面制備一層:;i^射層，將出
射到后基板的可見光反射到前基板，并部分出射，改善了現(xiàn)有對向型放電 蔭罩式等離子體顯示板的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。
2、 本發(fā)明制備反射膜的方法工藝簡單，不改變現(xiàn)有蔭罩式等離子體顯 示板工藝流程。
圖1是為本發(fā)明的顯示板的結構示意圖。 圖2為本發(fā)明的;版射膜作用示意圖。 圖3本發(fā)明的納米粉末漫反射膜的制備步驟。 圖4本發(fā)明的顯示板的封裝結構示意圖。
圖中1、前基板；2、后基板；3、蔭罩；4、前襯底玻璃基板；5、掃 描電極；6、前基板介質層；7、前基板保護膜；8、后襯底玻璃基板；9、 尋址電極；10、后基板介質層；11、后基板保護膜；12、面孔；13、底孑L; 14、上開口； 15、下開口； 16、漫反射膜；17、封接框；18、排氣管。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的說明。 實施例一。 如圖1-4所示
一種蔭罩式等離子體顯示板，如圖1所示，包括前基板l、后基板2、 蔭罩3,其中蔭罩3封裝在前基板1 、后基板2之間，所述的前基板1包括 前襯底玻璃基板4、掃描電極5、前基板介質層6、前基板保護膜7，掃描 電極5平行設置在前襯底玻璃基板4上，前基板介質層6覆蓋在掃描電極5
上，前基板保護膜7覆蓋在前基板介質層6上；所述的后基板2包括后襯 底玻璃基板8、尋址電極9、后基板介質層10和后基板保護膜11,尋址電 極9平行設置在后村底玻璃基板8上，后基板介質層10覆蓋在尋址電極9 上，后基板保護膜ll則覆蓋在后基板介質層IO上；尋址電極9與掃描電 極5成空間垂直正交；蔭罩3為包含面孔12陣列和底孔13陣列的導電板， 面孔12與底孔13屬于同一個放電單元的上下表面，前基板1相對的面孔 12的面積是其與后基板2相對的底孔13面積的10~20倍，每一個面孔12 的上開口 14寬度為底孔13下開口 15寬度的2 4倍；掃描電極5與蔭罩3 上的面孔12的上開口 14面對放置并置于中間位置，尋址電極10與蔭罩3 上的底孔13的下開口 15相對放置并置于中間位置，所述蔭罩3、掃描電極 5、尋址電極9組成介質阻擋型交濟ui文電型的基本單元；在面孔12內壁涂 覆熒光粉層，使放電的基本單元中面孔12對應的空間是可見光發(fā)光區(qū)域， 一部分可見光直接或射到內壁反射后射出前基板l，為人眼所接收，另一部 分直接或經過內壁反射到后基板出射，不能為人眼所接收，其特征在于在 后基板保護膜11表面制備一層漫反射膜16,對深紫外光吸收較小，將面孔 12空間中通過底孔13射到后基板表面的可見光反射到面孔12中，部分射 出前基板l,為人眼所接收。
漫反射膜的作用示意如圖2所示。
漫反射膜16由納米SiO廣X粉末通過噴涂構成反射膜層，在后基板2 的保護膜11表面附著良好，所有制備過程不影響保護膜11的性能，漫反 射膜16制備步驟如圖3所示。
將前基板1、蔭罩3、后基板2的四周用低熔點玻璃制作的封接框17 進行氣密封接，在顯示區(qū)域外、封接框17內設置排氣管18,通過該排氣管 與真空系統(tǒng)相連，可以對上述器件進^f亍真空除氣，并充以一定氣壓的所需 工作氣體后與真空系統(tǒng)封離，這就形成了本發(fā)明所提供的等離子體顯示板， 封接解構如圖4所示。
該等離子體顯示板的工作原理如下在尋址電極9和掃描電極5之間 加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號，擦除上次放電積累的壁電荷；然后
在掃描電極5上加一高脈沖選中該行，同時在尋址電極上施加該行的數(shù)據(jù) 脈沖，該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電極與尋址電極之間 的著火電壓，控制觸發(fā)》文電，從而在該行形成與所需顯示信息對應的壁電 荷分布；在逐行完成整屏圖象初始放電之后，在掃描電極5組和尋址電極9 之間施加維持放電脈沖，使壁電壓與維持電壓之和高于被尋址像素的著火 電壓，產生放電，放電產生的深紫外光激發(fā)面孔12內壁涂覆的熒光粉發(fā)出 可見光，漫反射膜16將射到后基板的部分可見光反射出前板，這樣就實現(xiàn) 了該幀圖象的顯示，如此循環(huán)即可逐幀顯示圖象。
本發(fā)明的等離子體顯示板可采用尋址與顯示分離(ADS)的子場驅動法， 也可釆用表面交替發(fā)光(ALIS)驅動法。
實施例二。
在上述實施例一中，漫反射膜16也可由在形成膜11的同時，通過連 續(xù)蒸鍍成膜的方式，形成厚度為50nm lum的Si02反射膜。本實施例構成 的蔭罩式等離子體顯示板的工作原理如實施例一。
本實施例僅給出了部分具體的應用例子，但對于從事平板顯示器的專 利人員而言，還可根據(jù)以上啟示設計出多種變形產品，這仍被認為涵蓋于 本發(fā)明之中。
權利要求
1.一種蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板(1)、后基板(2)、蔭罩(3)，其中蔭罩(3)封裝在前基板(1)、后基板(2)之間，所述的前基板(1)包括前襯底玻璃基板(4)、掃描電極(5)、前基板介質層(6)、前基板保護膜(7)，掃描電極(5)平行設置在前襯底玻璃基板(4)上，前基板介質層(6)覆蓋在掃描電極(5)上，前基板保護膜(7)覆蓋在前基板介質層(6)上；所述的后基板(2)包括后襯底玻璃基板(8)、尋址電極(9)、后基板介質層(10)和后基板保護膜(11)，尋址電極(9)平行設置在后襯底玻璃基板(8)上，后基板介質層(10)覆蓋在尋址電極(9)上，后基板保護膜(11)則覆蓋在后基板介質層(10)上；尋址電極(9)與掃描電極(5)成空間垂直正交；蔭罩(3)為包含面孔(12)陣列和底孔(13)陣列的導電板，面孔(12)與底孔(13)屬于同一個放電單元的上下表面，前基板(1)相對的面孔(12)的面積是其與后基板(2)相對的底孔(13)面積的10～20倍，每一個面孔(12)的上開口(14)寬度為底孔(13)下開口(15)寬度的2～4倍；掃描電極(5)與蔭罩(3)上的面孔(12)的上開口(14)面對放置并置于中間位置，尋址電極(10)與蔭罩(3)上的底孔(13)的下開口(15)相對放置并置于中間位置，所述蔭罩(3)、掃描電極(5)、尋址電極(9)組成介質阻擋型交流放電型的基本單元；在面孔(12)內壁涂覆熒光粉層，使放電的基本單元中面孔(12)對應的空間是可見光發(fā)光區(qū)域，一部分可見光直接或射到內壁反射后射出前基板(1)，為人眼所接收，另一部分直接或經過內壁反射到后基板出射，不能為人眼所接收，其特征在于在后基板保護膜(11)表面制備一層漫反射膜(16)，對深紫外光吸收較小，將面孔(12)空間中通過底孔(13)射到后基板表面的可見光反射到面孔(12)中，部分射出前基板(1)，為人眼所接收。
2、 根據(jù)權利要求l所述的蔭罩式等離子體顯示板，其特征在于上述漫 反射膜(16 )通過連續(xù)蒸鍍成膜的方法，厚度為50nm~ lum。
3、根據(jù)權利要求l所述的蔭罩式等離子體顯示板，其特征在于上述漫 反射膜(l6 )的材料為納米SiO廣X粉末或Si02薄膜。
全文摘要
一種蔭罩式等離子體顯示板，涉及一種等離子體顯示板，尤其涉及一種蔭罩式等離子體顯示板。本發(fā)明包括前基板、后基板、蔭罩，其中蔭罩封裝在前基板、后基板之間，蔭罩為包含面孔陣列和底孔陣列的導電板，面孔與底孔屬于同一個放電單元的上下表面，在面孔內壁涂覆熒光粉層，使放電的基本單元中面孔對應的空間是可見光發(fā)光區(qū)域，其特征在于在后基板保護膜表面制備一層漫反射膜，對深紫外光吸收較小，將面孔空間中通過底孔射到后基板表面的可見光反射到面孔中，部分射出前基板，為人眼所接收。本發(fā)明實現(xiàn)了改善亮度和發(fā)光效率的目的。
文檔編號H01J17/49GK101369507SQ200810156180
公開日2009年2月18日 申請日期2008年9月24日 優(yōu)先權日2008年9月24日
發(fā)明者笛 朱, 青 李, 湯勇明, 王保平, 鄭姚生 申請人:東南大學