專利名稱：發(fā)光二極管芯片模塊及光源模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片模塊與光源模塊，且特別涉及一種采用增亮膜的發(fā) 光二極管芯片模塊與光源模塊。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)具有諸如壽命長(zhǎng)、體積小、高 抗震性、低熱產(chǎn)生及低功率消耗等優(yōu)點(diǎn)，因此已被廣泛應(yīng)用于家用及各種設(shè) 備中的指示器或光源。近年來(lái)，發(fā)光二極管已朝多色彩及高亮度發(fā)展，因此 其應(yīng)用領(lǐng)域已擴(kuò)展至大型戶外看板、交通信號(hào)標(biāo)志燈及相關(guān)領(lǐng)域。在未來(lái)， 發(fā)光二極管甚至可能成為兼具省電及環(huán)保功能的主要照明光源。
圖1為一種已知表面黏著型(surface mount device, SMD )發(fā)光二極管芯 片模塊的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1,表面黏著型發(fā)光二極管芯片模塊100包 括發(fā)光二極管芯片110、導(dǎo)線架(leadframe)120、模塑構(gòu)件(molding element) 130以及透光封膠(transparent encapsulant) 140。發(fā)光二極管芯片110配置 于導(dǎo)線架120上。模塑構(gòu)件130包覆部分導(dǎo)線架120，并具有暴露出發(fā)光二 極管芯片110的開(kāi)口 132。透光封膠140填充于開(kāi)口 132內(nèi)，以保護(hù)發(fā)光二 極管芯片110。發(fā)光二極管芯片110適于發(fā)出光束112，而光束112會(huì)穿透 配置于開(kāi)口 132中的透光封膠140并傳播至外界。
在已知表面黏著型發(fā)光二極管芯片模塊100中，由于開(kāi)口 132的寬度會(huì) 大于發(fā)光二極管芯片110的寬度，以便容置發(fā)光二極管芯片110,因此光束 112會(huì)具有一定程度的發(fā)散角。若欲將表面黏著型發(fā)光二極管芯片模塊100 應(yīng)用于需要準(zhǔn)直性佳的光源的場(chǎng)合，尚需在表面黏著型發(fā)光二極管芯片模塊 100上配置聚光透鏡。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管芯片模塊，其所提供的光束較為集中。 本發(fā)明提供一種光源模塊，其能提供亮度較高的光源。本發(fā)明提出 一種發(fā)光二極管芯片模塊，其包括發(fā)光二極管芯片以及增亮
膜(brightness enhancement film, BEF )。發(fā)光二極管芯片具有出光面。增亮 膜配置于出光面上，并具有面向發(fā)光二極管芯片的第 一表面與背向發(fā)光二極 管芯片的第二表面。增亮膜具有多個(gè)多角錐部，這些多角錐部位于第一表面 及/或第二表面，并呈多邊形陣列排列。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片模塊還包括熒光層(fluorescent layer),其配置于增亮膜上。此外，發(fā)光二極管芯片模塊可還包括承載器以 及透光封膠(encapsulant)。發(fā)光二極管芯片是配置于承載器上，而透光封膠 包覆發(fā)光二極管芯片與增亮膜。
本發(fā)明還提出一種發(fā)光二極管芯片模塊，其包括發(fā)光二極管芯片、熒光 層以及上述增亮膜。發(fā)光二極管芯片具有出光面。熒光層配置于出光面上。 增亮膜配置于熒光層上。
以下列出同時(shí)適用于上述兩種發(fā)光二極管芯片模塊的實(shí)施例。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片模塊還包括承載器以及透光封 膠。發(fā)光二極管芯片是配置于承載器上，而透光封膠包覆發(fā)光二極管芯片、 增亮膜與熒光層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，這些多角錐部是位于第一表面。這些多角錐部 的頂角指向發(fā)光二極管芯片，且第二表面為平面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，這些多角錐部是位于第二表面。這些多角錐部 的頂角指向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的方向，且第一表面為平面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，這些多角錐部是位于第一表面及第二表面。位 于第 一表面的這些多角錐部的頂角指向發(fā)光二極管芯片，而位于第二表面的 這些多角錐部的頂角指向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的方向。
本發(fā)明再提出一種發(fā)光二極管芯片模塊，其包括承載器、發(fā)光二極管芯 片、透光封膠以及增亮膜。發(fā)光二極管芯片配置于承載器上，并具有第一出 光面。透光封膠包覆發(fā)光二極管芯片，并具有第二出光面。增亮膜配置于第 二出光面上，其中第二出光面是位于增亮膜與第一出光面之間。增亮膜具有 面向透光封膠的第 一表面與背向透光封膠的第二表面，并具有多個(gè)多角錐 部。這些多角錐部位于第一表面及/或第二表面，并呈多邊形陣列排列。
本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一出光面與第二出光面實(shí)質(zhì)上面向同一方向。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片模塊還包括熒光層，其配置于第一出光面上。透光封膠還包覆熒光層，且第二出光面是位于增亮膜與焚光 層之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，這些多角錐部是位于第一表面。這些多角錐部 的頂角指向透光封膠，且第二表面為平面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，這些多角錐部是位于第二表面。這些多角錐部 的頂角指向遠(yuǎn)離透光封膠的方向，且第一表面為平面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，這些多角錐部是位于第一表面及第二表面。位 于第 一表面的多角錐部的頂角指向透光封膠，而位于第二表面的多角錐部的 頂角指向遠(yuǎn)離透光封膠的方向。
本發(fā)明又提出一種光源模塊，其包括至少一發(fā)光元件、導(dǎo)光單元以及增 亮膜。發(fā)光元件適于發(fā)出光束。導(dǎo)光單元配置于光束的傳遞路徑上，并具有 入光面與出光面。增亮膜配置于入光面上。來(lái)自發(fā)光元件的光束會(huì)依序穿透 增亮膜與入光面而進(jìn)入導(dǎo)光單元中，并由出光面?zhèn)鬟f至導(dǎo)光單元外。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，增亮膜具有面向入光面的第 一表面與背向入光 面的第二表面。增亮膜具有多個(gè)多角錐部，這些多角錐部位于第一表面及/ 或第二表面，并呈多邊形陣列排列。這些多角錐部的頂角可指向入光面或指 向遠(yuǎn)離入光面的方向。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，增亮膜具有面向入光面的第 一表面與背向入光 面的第二表面。增亮膜具有多個(gè)位于第一表面的第一條狀凸起部，這些第一 條狀凸起部沿著第一方向排列，且每一第一條狀凸起部沿著與第一方向?qū)嵸|(zhì) 上垂直的第二方向延伸。增亮膜可更具有多個(gè)位于第二表面的第二條狀凸起 部，這些第二條狀凸起部沿著第三方向排列，且每一第二條狀凸起部沿著與
第三方向?qū)嵸|(zhì)上垂直的第四方向延伸。第四方向與第二方向的夾角大于o度。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第四方向與第二方向?qū)嵸|(zhì)上垂直。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，增亮膜具有面向入光面的第一表面與背向入光 面的第二表面。增亮膜具有多個(gè)位于第二表面的第二條狀凸起部，這些第二 條狀凸起部沿著第三方向排列，且每一第二條狀凸起部沿著與第三方向?qū)嵸|(zhì) 上垂直的第四方向延伸。
在本發(fā)明 一 實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊中，由于發(fā)光二極管芯片所發(fā) 出的光束會(huì)先經(jīng)過(guò)增亮膜后再傳播至外界，因此發(fā)光二極管芯片模塊能夠提 供較為集中的光束。在本發(fā)明一實(shí)施例的光源模塊中，由于發(fā)光元件所發(fā)出的光束會(huì)先通過(guò)增亮膜后再進(jìn)入導(dǎo)光單元，因此光源模塊能提供亮度較高的 光源。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉多個(gè)實(shí)施例，并 配合附圖，作詳細(xì)i兌明如下。


圖1為一種已知表面黏著型發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。
圖2A為本發(fā)明第 一 實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。 圖2B為圖2A中的發(fā)光二極管芯片的細(xì)部剖面示意圖。 圖2C為圖2A中的增亮膜以其第一表面朝上的立體圖。 圖2D為圖2A中的增亮膜的下視圖。
圖3A為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。 圖3B為圖3A中的增亮膜以其第二表面朝上的立體圖。 圖4A為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。 圖4B為圖4A中的增亮膜的立體圖。
圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。
圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。
圖7為本發(fā)明第六實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。
圖8為本發(fā)明第七實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。
圖9為本發(fā)明第八實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的增亮膜的下視圖。
圖10A為本發(fā)明第九實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，而圖IOB為圖
10A中的增亮膜的立體圖。
圖11A為本發(fā)明第十實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，而圖IIB為圖
11A中的增亮膜的立體圖。
圖12A為本發(fā)明第十一實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖12B為圖12A中的增亮膜的立體圖。
圖13為本發(fā)明第十二實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記i兌明
100:表面黏著型發(fā)光二極管芯片模塊 110、 210:發(fā)光二極管芯片112、214、 214a、 214b、312、312a、 312b:光束
120:導(dǎo)線架130、 230:模塑構(gòu)件
132、232:開(kāi)口140、 240、 240d、 240e、240f:透光封膠
200、200a、 200b、 200c、200d、 200e、 200f:發(fā)光二極管芯片模塊212、324、 324c:出光面220、 380:承載器
250、250a、 250b、 250g、350、 350a、 350b:增亮膜
251、251g、 253:多角錐部
256、256a、 256b、 356、356a、 356b:第一表面
258、258a、 258b、 358、358a、 358b:第二表面
259:頂角260:熒光層
272a:第一電極272b:第二電極
274:半導(dǎo)體基材276a:第一半導(dǎo)體層
276b:第二半導(dǎo)體層300、 300a、 300b、 300c:光源模塊
310:發(fā)光元件320、 320c:導(dǎo)光單元
322、322c:入光面326:表面
330:反射單元351:第一條狀凸起部
353:第二條狀凸起部359:尖端
dl、 dl，第一方向d2、 d2，第二方向
d3，第三方向d4，第四方向
6 1、er:發(fā)散角
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
圖2A為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖，圖2B 為圖2A中的發(fā)光二極管芯片的細(xì)部剖面示意圖，圖2C為圖2A中的增亮膜 以其第一表面朝上的立體圖，而圖2D為圖2A中的增亮膜的下視圖。請(qǐng)參 考圖2A至圖2D，本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊200包括發(fā)光二極管芯片 210、增亮膜250以及熒光層260。發(fā)光二極管芯片210具有出光面212。增 亮膜250配置于出光面212上。熒光層260配置于增亮膜250上。發(fā)光二極 管芯片210適于發(fā)出光束214。光束214從出光面212射出后，會(huì)依序通過(guò) 增亮膜250與熒光層260。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片210包括第電極272a、配置于第一電極 層272a上的半導(dǎo)體基材274、配置于半導(dǎo)體基材274上的第 一半導(dǎo)體層276a、 配置于第一半導(dǎo)體層276a上的第二半導(dǎo)體層276b以及配置于第二半導(dǎo)體層 276b上的第二電極272b。第二電極272b暴露出部分第二半導(dǎo)體層276b,而 此部分的第二半導(dǎo)體層276b的背向第一半導(dǎo)體層276a的表面即為出光面 212。第一半導(dǎo)體層276a與第二半導(dǎo)體層276b例如分別為P型半導(dǎo)體層
(p-type semiconductor layer )與N型半導(dǎo)體層(n-type semiconductor layer )， 或者分別為N型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層276a與第二半導(dǎo) 體層276b之間的P-N結(jié)(p-n junction )所發(fā)出的光束214會(huì)穿透第二半導(dǎo) 體層276b，并經(jīng)由出光面212離開(kāi)發(fā)光二極管芯片210。
值得注意的是，圖2B所繪示的發(fā)光二極管芯片210為表面發(fā)光型
(surface emitting type)發(fā)光二極管芯片，其結(jié)構(gòu)僅用于舉例，而非用以限 制本發(fā)明。在其他未繪示的實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片亦可以是側(cè)面發(fā)光型
(edge emitting type)發(fā)光二極管芯片，而增亮膜配置于側(cè)面發(fā)光型發(fā)光二 極管芯片的出光面上?；蛘?，發(fā)光二極管芯片亦可以是呈其他結(jié)構(gòu)的發(fā)光二 極管芯片。
在本實(shí)施例中，增亮膜250具有面向發(fā)光二極管芯片210的第一表面256 與背向發(fā)光二極管芯片210的第二表面258。此外，增亮膜250具有多個(gè)多 角錐部251，這些多角錐部251位于第一表面256，并呈多邊形陣列排列。 多角錐部251例如為N角錐部，其中N^3。在本實(shí)施例中，多角錐部251 例如為四角錐部，而這些四角錐部呈四邊形陣列排列。再者，在本實(shí)施例中， 這些多角錐部251的頂角259指向發(fā)光二極管芯片210,亦即多角錐部251 是朝著發(fā)光二極管芯片210凸起。另外，第二表面258例如為平面。
多角錐部251例如為正N角錐部，其相對(duì)頂角259的底面的每一內(nèi)角皆 等于180(N-2)/N度，其中N^3。在本實(shí)施例中，N=4,因此底面的各內(nèi)角皆 等于90度。然而，在其他實(shí)施例中，多角錐部亦可以是各邊長(zhǎng)不完全相等 的N角4偉部。
在本實(shí)施例中，熒光層260為摻有熒光物質(zhì)的膜層。焚光物質(zhì)例如為釔 鋁石榴石(Yttrium Aluminum Garnet, YAG)或其他適當(dāng)?shù)姆俟獠慕?。
在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片210可配置于承載器220上，并電性連 接至承載器220。具體而言，承載器220例如為導(dǎo)線架。然而，在其他實(shí)施例中，承載器亦可以是線路載板(circuitboard)或其他適當(dāng)?shù)某休d器。此外， 在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片模塊200還包括透光封膠240，以包覆發(fā)光 二極管芯片210與增亮膜250。
另外，在本實(shí)施例中，承載器220的一部分可選擇性地被模塑構(gòu)件 (molding member) 230所包覆。模塑構(gòu)件230具有開(kāi)口 232，以暴露出發(fā) 光二極管芯片210、增亮膜250及菱光層260，而透光封膠240是填充于開(kāi) 口 232中。再者，模塑構(gòu)件230例如是由不透光的材料所構(gòu)成。
在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片模塊200具有增亮膜250,而發(fā)光二極 管芯片210所發(fā)出的光束214在通過(guò)增光膜250后，光束214在第一方向dl 上的發(fā)散角6 1及在與第一方向dl垂直的第二方向d2上的發(fā)散角(未繪示) 會(huì)因多角錐部251的折射作用而縮小，因此發(fā)光二極管芯片模塊200能夠提 供較為集中的光束214。如此一來(lái)，光束214的光通量密度(luminous flux density)便可以較高，且亦可以使發(fā)光二極管芯片模塊200應(yīng)用于需要較高 準(zhǔn)直性光源的場(chǎng)合。
第二實(shí)施例
圖3A為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖，而圖 3B為圖3A中的增亮膜以其第二表面朝上的立體圖。請(qǐng)參考圖3A與圖3B， 本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊200a與上述發(fā)光二極管芯片模塊200(請(qǐng)參 照?qǐng)D2A)類似，兩者的差異如下所述。在發(fā)光二極管芯片模塊200a中，增 亮膜250a的第一表面256a例如為平面。此外，增亮膜250a的多角錐部253 是位于第二表面258a。多角錐部253例如為N角錐部，其中N^3。多角錐 部253的頂角259指向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片210的方向，亦即多角錐部253 是朝著遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片210的方向凸起。在本實(shí)施例中，多角錐部253 與上述多角錐部251 (如圖2C所繪示)相似。然而，在其他實(shí)施例中，位 于第二表面的多角錐部亦可以是相似于上述位于第一表面的其他類型的多 角錐部，而位于第一表面與位于第二表面的多角錐部的差異在于其頂角分別 指向不同方向。
在發(fā)光二極管芯片模塊200a中，而發(fā)光二極管芯片210所發(fā)出的光束 214a在通過(guò)增光膜250后，光束214a在第一方向dl與第二方向d2上的發(fā) 散角會(huì)因多角錐部253的折射作用而縮小，因此發(fā)光二極管芯片^t塊200a能夠提供較為集中的光束214a。如此一來(lái)，光束214a的光通量密度便可以 較高，且亦可以使發(fā)光二極管芯片模塊200a應(yīng)用于需要較高準(zhǔn)直性光源的 場(chǎng)合。
第三實(shí)施例
圖4A為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖，而圖 4B為圖4A中的增亮膜的立體圖。請(qǐng)參考圖4A與圖4B，本實(shí)施例的發(fā)光二 極管芯片模塊200b與上述發(fā)光二極管芯片模塊200 (請(qǐng)參照?qǐng)D2A )類似， 兩者的差異如下所述。在發(fā)光二極管芯片模塊200b中，増亮膜250b同時(shí)具 有上述這些多角錐部251 (請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2C與圖4B)與上述這些多角錐部 253 (請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3B與圖4B)，其中多角錐部251是位于增亮膜250b的 第一表面256b，而多角錐部253是位于增亮膜250b的第二表面258b。
在本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊200b中，由于增亮膜250b同時(shí)具有 多角錐部251與多角錐部253,因此發(fā)光二極管芯片210所發(fā)出的光束214b 在通過(guò)增亮膜250b后，光束214b的光通量密度與準(zhǔn)直性能夠被進(jìn)一步提升。
第四實(shí)施例
圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。請(qǐng)參照 圖5，本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊200c與上述發(fā)光二極管芯片模塊200 (請(qǐng)參照?qǐng)D2A)類似，兩者的差異在于增亮膜250與熒光層260的相對(duì)配 置位置不同。在發(fā)光二極管芯片模塊200c中，熒光層260是配置于發(fā)光二 極管芯片210的出光面212上，而增亮膜250是配置于熒光層260上。發(fā)光 二極管芯片模塊200c的優(yōu)點(diǎn)與功效與上述發(fā)光二極管芯片模塊200(請(qǐng)參照 圖2A)的優(yōu)點(diǎn)與功效類似，在此不再重述。
值得注意的是，發(fā)光二極管芯片模塊200c中的增亮膜250亦可以以上 述增亮膜250a (請(qǐng)參照?qǐng)D3B )或上述增亮膜250b (請(qǐng)參照?qǐng)D4B )取代，而 形成另外二種發(fā)光二極管芯片模塊。
第五實(shí)施例
圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。請(qǐng)參照 圖6，本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊200d與上述發(fā)光二極管芯片模塊200(請(qǐng)參照?qǐng)D2A)類似，兩者的差異如下所述。發(fā)光二極管芯片模塊200d不 具有上述熒光層260，而透光封膠240d包覆發(fā)光二極管芯片210與增亮膜 250。在本實(shí)施例中，透光封膠240d摻有熒光物質(zhì)。然而，在其他實(shí)施例中， 亦可以以不摻有熒光物質(zhì)的透光封膠來(lái)取代透光封膠240d。
值得注意的是，發(fā)光二極管芯片模塊200d中的增亮膜250亦可以以上 述增亮膜250a (請(qǐng)參照?qǐng)D3B )或上述增亮膜250b (請(qǐng)參照?qǐng)D4B )取代，而 形成另外二種發(fā)光二極管芯片模塊。
第六實(shí)施例
圖7為本發(fā)明第六實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。請(qǐng)參考 圖7,本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊200e與上述發(fā)光二極管芯片模塊200c (請(qǐng)參照?qǐng)D5)類似，兩者的差異如下所述。在發(fā)光二極管芯片模塊200e 中，增亮膜250是配置于透光封膠240e外部，而不被其所包覆。具體而言， 透光封膠240e包覆發(fā)光二極管芯片210與熒光層260，并具有出光面242。 增亮膜250是配置于透光封膠240e的出光面242上，其中出光面242是位 于增亮膜250與熒光層260之間。此外，增亮膜250的多角錐部251的頂角 259指向透光封膠240e。
此外，發(fā)光二極管芯片模塊200e中的增亮膜250亦可以以上述增亮膜 250a(請(qǐng)參照?qǐng)D3B)取代，而形成另 一種發(fā)光二極管芯片模塊，其中增亮 膜250a的多角錐部253的頂角259指向遠(yuǎn)離透光封膠240e的方向。另外， 發(fā)光二極管芯片模塊200e中的增亮膜250亦可以以上述增亮膜"0b (請(qǐng)參 照?qǐng)D4B)取代，而形成又一種發(fā)光二極管芯片模塊，其中增亮膜250b的多 角錐部251的頂角259指向透光封膠240e，而多角錐部253的頂角259指向 遠(yuǎn)離透光封膠240e的方向。
第七實(shí)施例
圖8為本發(fā)明第七實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的剖面示意圖。請(qǐng)參照 圖8,本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊200f與上述發(fā)光二極管芯片模塊200e (請(qǐng)參照?qǐng)D7)類似，兩者的差異如下所述。發(fā)光二極管芯片模塊200f不具 有上述熒光層260(請(qǐng)參照?qǐng)D7)，而透光封膠240f包覆發(fā)光二極管芯片210。 在本實(shí)施例中，透光封膠240f摻有熒光物質(zhì)。然而，在其他實(shí)施例中，亦可以以不摻雜熒光物質(zhì)的透光封膠來(lái)取代透光封膠240f。
此外，發(fā)光二極管芯片模塊200f中的增亮膜250亦可以以上述增亮膜 250a (請(qǐng)參照?qǐng)D3B)或上述增亮膜250b (請(qǐng)參照?qǐng)D4B )取代，而形成其他 二種發(fā)光二極管芯片模塊。
第八實(shí)施例
圖9為本發(fā)明第八實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的增亮膜的下視圖。請(qǐng) 參照?qǐng)D9，本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片模塊的增亮膜250g與上述增亮膜250 (如圖2D所繪示)類似，兩者的差異在于增亮膜250g的多角錐部251g為 三角錐部，且多角錐部251 g呈三角形陣列排列。
第九實(shí)施例
圖10A為本發(fā)明第九實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，而圖IOB為圖 10A中的增亮膜的立體圖。請(qǐng)參照?qǐng)DIOA與圖10B,本實(shí)施例的光源模塊 300包括發(fā)光元件310、導(dǎo)光單元320以及增亮膜350。發(fā)光元件310適于發(fā) 出光束312。在本實(shí)施例中，發(fā)光元件310例如為發(fā)光二極管或其他適當(dāng)?shù)?發(fā)光元件。導(dǎo)光單元320配置于光束312的傳遞路徑上，并具有入光面322 與出光面324。在本實(shí)施例中，導(dǎo)光單元320例如為導(dǎo)光柱，而入光面322 為導(dǎo)光柱的端面。此外，導(dǎo)光單元320可更具有與出光面324相對(duì)的表面326， 而入光面322連接于出光面324與表面326之間。然而，在其他實(shí)施例中， 導(dǎo)光單元亦可以是導(dǎo)光板。
增亮膜350配置于入光面322上。來(lái)自發(fā)光元件310的光束312會(huì)依序 穿透增亮膜350與入光面322而進(jìn)入導(dǎo)光單元320中，并由出光面?zhèn)鬟f 至導(dǎo)光單元320外。在本實(shí)施例中，表面326上可配置有反射單元330，以 將光束312反射至出光面324,其中反射單元330例如為反射片或反射膜。
在本實(shí)施例中，增亮膜350具有面向入光面322的第一表面356與背向 入光面322的第二表面358。增亮膜350可具有多個(gè)位于第一表面356的第 一條狀凸起部351。這些第一條狀凸起部351沿著第一方向dl，排列，且每 一第一條狀凸起部351沿著與第一方向dl，實(shí)質(zhì)上垂直的第二方向d2，延伸。 具體而言，第一條狀凸起部351例如呈三角柱狀，而第一條狀凸起部351的 三角截面具有尖端359，且尖端359指向入光面322。然而，本發(fā)明并不限定第一條狀凸起部是呈三角柱狀。在其他未繪示的實(shí)施例中，第一條狀凸起 部亦可以是呈其他形態(tài)的條狀。舉例而言，在另一未繪示的實(shí)施例中，第一
條狀凸起部的橫截面亦可以具有弧形凸起端以取代上述尖端359。再者，第 二表面358例如為平面。
在本實(shí)施例中，光源模塊300具有增亮膜350，而發(fā)光元件310所發(fā)出 的光束312在通過(guò)增亮膜350后，光束312在第一方向dl，上的發(fā)散角6 1， 會(huì)因第一條狀凸起部351的折射作用而縮小，因此由出光面324出射的光束 312的比例便可以增加，進(jìn)而使光源模塊300所提供的光源的亮度增加。
值得注意的是，本發(fā)明并不限定光源模塊300所具有的發(fā)光元件310的 數(shù)量為一個(gè)，在其他實(shí)施例中，光源模塊亦可以具有多個(gè)發(fā)光元件，而這些 發(fā)光元件可配置于導(dǎo)光單元的入光面旁。此外，本發(fā)明亦不限定第一方向dl， 是垂直于出光面324,且不限定第二方向d2，是平行于出光面。在其他實(shí)施 例中，亦可以是第二方向d2，垂直于出光面324，而第一方向dl，平行于出光 面324?；蛘?，第一方向dl，與第二方向d2，亦可以是相對(duì)出光面324傾斜。
第十實(shí)施例
圖11A為本發(fā)明第十實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，而圖IIB為圖 11A中的增亮膜的立體圖。請(qǐng)參考圖IIA與圖11B，本實(shí)施例的光源模塊300a 與上述光源模塊300 (請(qǐng)參照?qǐng)D10A)類似，兩者的差異如下所述。在光源 模塊300a中，增亮膜350a的第一表面356a為平面。此外，增亮膜350a具 有多個(gè)位于第二表面358a的第二條狀凸起部353。在本實(shí)施例中，第二條狀 凸起部353的形狀與上述第一條狀凸起部351 (請(qǐng)參照?qǐng)D10B)相同，而第 二條狀凸起部353的三角截面的尖端359指向遠(yuǎn)離入光面322的方向。然而， 在其他未繪示的實(shí)施例中，第二條狀凸起部353亦可以呈其他形態(tài)的條狀。 這些第二條狀凸起部353沿著第三方向d3，排列，且每一第二條狀凸起部353 沿著與第三方向d3，實(shí)質(zhì)上垂直的第四方向d4,延伸。
在光源模塊300a中，而發(fā)光元件310所發(fā)出的光束312a在通過(guò)增亮膜 350后，光束312a在第三方向d3，上的發(fā)散角會(huì)因第二條狀凸起部353的折 射作用而縮小，因此由出光面324出射的光束312a的比例會(huì)增加，進(jìn)而提 升光源模塊300a所能提供的光源的亮度。
值得注意的是，本發(fā)明亦不限定第四方向d4，是垂直于出、光面324,且不限定第三方向d3，是平行于出光面。在其他實(shí)施例中，亦可以是第三方向
d3，垂直于出光面324，而第四方向d4，平行于出光面324?；蛘?，第三方向 d3，與第四方向d4，亦可以是相對(duì)出光面324傾斜。
第十一實(shí)施例
圖12A為本發(fā)明第十一實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，而圖12B為 圖12A中的增亮膜的立體圖。請(qǐng)參考圖12A與圖12B,本實(shí)施例的光源模 塊300b與上述光源模塊300 (請(qǐng)參照?qǐng)D10A)類似，兩者的差異如下所述。 在光源模塊300b中，増亮膜350b同時(shí)具有上述這些第一條狀凸起部351(請(qǐng) 同時(shí)參照?qǐng)DIOB與圖12B)與上述這些第二條狀凸起部353 (請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D IIB與圖12B)，其中這些第一條狀凸起部351是位于增亮膜350b的第一表 面356b，而這些第二條狀凸起部353是位于增亮膜350b的第二表面358b。 此外，第四方向d4，(即第二條狀凸起部353的延伸方向)與第二方向d2， (即第一條狀凸起部351的延伸方向)的夾角大于0度。在本實(shí)施例中，第 四方向d4，與第二方向d2，例如為實(shí)質(zhì)上互相垂直。
在本實(shí)施例的光源模塊300b中，由于增亮膜350b同時(shí)具有延伸方向不 同的第一條狀凸起部351與第二條狀凸起部353，因此發(fā)光元件WO所發(fā)出 的光束312b在通過(guò)增亮膜350b后，光束312b在第一方向dl，與第三方向 d3，上的發(fā)散角皆會(huì)縮小，而使得光源模塊300b所能提供的光源的亮度進(jìn)一 步提升。
值得注意的是，本發(fā)明亦不限定第一方向dl，是垂直于出光面324,且 不限定第二方向d2，是平行于出光面，亦不限定第三方向d3，是平行于出光 面，更不限定第四方向d4，是垂直于出光面324。在其他實(shí)施例中，亦可以 是第二方向d2，垂直于出光面324，第一方向dl，平行于出光面324第三方向 d3，垂直于出光面324，而第四方向d4，平行于出光面324?；蛘?，第一方向 dl，、第二方向d2，、第三方向d3，與第四方向d4，亦可以是相對(duì)出光面324傾 斜。
第十二實(shí)施例
圖13為本發(fā)明第十二實(shí)施例的光源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。、,請(qǐng)參照?qǐng)D13， 本實(shí)施例的光源模塊300c與上述光源模塊300 (如圖10A所繪示)類似，兩者的差異如下所述。在光源才莫塊300c中，導(dǎo)光單元320c的入光面322c 與出光面324c彼此相對(duì)，而多個(gè)發(fā)光元件310則配置于入光面322c旁。
值得注意的是，在其他未繪示的實(shí)施例中，光源才莫塊300、 300a 3O0c 中的增亮膜350、 350a、 350b亦可以用第一至第八實(shí)施例中的增亮膜取代， 例如是以增亮膜250、 250a、 250b、 250g取代，其中第一表面256、 256a、 256b面向入光面322、 322c，第二表面258、 258a、 258b背向入光面322、 322c,多角錐部251的頂角259指向入光面322、 322c，而多角錐部253的 頂角259指向遠(yuǎn)離入光面322、 322c的方向。
綜上所述，在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光束會(huì) 先經(jīng)過(guò)增亮膜后再傳播至外界，因此發(fā)光二極管芯片模塊能夠提供較為集中 且光通量密度較高的光束。如此一來(lái)，便可以使發(fā)光二極管芯片模塊應(yīng)用于 需要較高準(zhǔn)直性光源的場(chǎng)合。此外，在本發(fā)明的實(shí)施例的光源模塊中，由于 發(fā)光元件所發(fā)出的光束在通過(guò)導(dǎo)光單元之前，會(huì)先通過(guò)增亮膜，因此光源模 塊所提供的光源的亮度較高。
雖然本發(fā)明已以多個(gè)實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更 動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，包括發(fā)光二極管芯片，具有出光面；以及增亮膜，配置于所述出光面上，并具有面向所述發(fā)光二極管芯片的第一表面與背向所述發(fā)光二極管芯片的第二表面，且所述增亮膜具有多個(gè)多角錐部，所述多角錐部位于所述第一表面及/或所述第二表面，并呈多邊形陣列排列。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角錐部 是位于所述第一表面，所述多角錐部的頂角指向所述發(fā)光二極管芯片，且所 述第二表面為平面。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角錐部 是位于所述第二表面，所述多角錐部的頂角指向遠(yuǎn)離所述發(fā)光二極管芯片的 方向，且所述第一表面為平面。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角錐部 是位于所述第一表面及所述第二表面，位于所述第一表面的所述多角錐部的 頂角指向所述發(fā)光二極管芯片，而位于所述第二表面的所述多角錐部的頂角 指向遠(yuǎn)離所述發(fā)光二極管芯片的方向。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，還包括熒光 層，配置于所述增亮膜上。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，還包括 承載器，其中所述發(fā)光二極管芯片是配置于所述承載器上；以及 透光封膠，包覆所述發(fā)光二極管芯片、所述增亮膜與所述熒光層。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，還包括 承載器，其中所述發(fā)光二極管芯片是配置于所述承載器上；以及 透光封膠，包覆所述發(fā)光二極管芯片與所述增亮膜。
8. —種發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，包括 發(fā)光二極管芯片，具有出光面；熒光層，配置于所述出光面上；以及增亮膜，配置于所述熒光層上，并具有面向所述發(fā)光二極管芯片的第一 表面與背向所述發(fā)光二極管芯片的第二表面，且所述增亮膜具有多個(gè)多角錐部，所述多角錐部位于所述第一表面及/或所述第二表面，并呈多邊形陣列排 列。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角錐部是位于所述第一表面，所述多角錐部的頂角指向所述發(fā)光二極管芯片，且所述第二表面為平面。
10. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角 錐部是位于所述第二表面，所述多角錐部的頂角指向遠(yuǎn)離所述發(fā)光二極管芯片的方向，且所述第一表面為平面。
11. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角 錐部是位于所述第一表面及所述第二表面，位于所述第一表面的所述多角錐 部的頂角指向所述發(fā)光二極管芯片，而位于所述第二表面的所述多角錐部的頂角指向遠(yuǎn)離所述發(fā)光二極管芯片的方向。
12. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，還包括 承載器，其中所述發(fā)光二極管芯片是配置于所述承載器上；以及 透光封膠，包覆所述發(fā)光二極管芯片、所述熒光層與所述增亮膜。
13. —種發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，包括 承載器；發(fā)光二極管芯片，配置于所述承載器上，并具有第一出光面； 透光封膠，包覆所述發(fā)光二極管芯片，并具有第二出光面；以及 增亮膜，配置于所述第二出光面上，其中所述第二出光面是位于所述增 亮膜與所述第 一 出光面之間，所述增亮膜具有面向所述透光封膠的第 一表面 與背向所述透光封膠的第二表面，并具有多個(gè)多角錐部，所述多角錐部位于 所述第一表面及/或所述第二表面，并呈多邊形陣列排列。
14. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角錐部是位于所述第一表面，所述多角錐部的頂角指向所述透光封膠，且所述 第二表面為平面。
15. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角錐部是位于所述第二表面，所述多角錐部的頂角指向遠(yuǎn)離所述透光封膠的方向，且所述第一表面為平面。
16. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述多角 錐部是位于所述第一表面及所述第二表面，位于所述第一表面的所述多角錐部的頂角指向所述透光封膠，而位于所述第二表面的所述多角錐部的頂角指 向遠(yuǎn)離所述透光封膠的方向。
17. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于所述第一出光面與所述第二出光面實(shí)質(zhì)上面向同一方向。
18. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管芯片模塊，其特征在于，還包括 熒光層，配置于所述第一出光面上，其中所述透光封膠還包覆所述熒光層， 且所述第二出光面是位于所述增亮膜與所述熒光層之間。
19. 一種光源模塊，其特征在于，包括 至少一發(fā)光元件，適于發(fā)出光束；導(dǎo)光單元，配置于所述光束的傳遞^4圣上，并具有入光面與出光面；以及增亮膜，配置于所述入光面上，其中來(lái)自所述發(fā)光元件的所述光束會(huì)依 序穿透所述增亮膜與所述入光面而進(jìn)入所述導(dǎo)光單元中，并由所述出光面?zhèn)?遞至所述導(dǎo)光單元外。
20. 如權(quán)利要求19所述的光源模塊，其特征在于所述增亮膜具有面向 所述入光面的第一表面與背向所述入光面的第二表面，且所述增亮膜具有多 個(gè)多角錐部，所述多角錐部位于所述第一表面及/或所述第二表面，并呈多邊形陣列排列。
21. 如權(quán)利要求20所述的光源模塊，其特征在于所述多角錐部的頂角 指向所述入光面或指向遠(yuǎn)離所述入光面的方向。
22. 如權(quán)利要求19所述的光源模塊，其特征在于所述增亮膜具有面向 所述入光面的第 一表面與背向所述入光面的第二表面，且所述增亮膜具有多 個(gè)位于所述第 一表面的第 一條狀凸起部，所述第 一條狀凸起部沿著第 一方向 排列，且每一所述第一條狀凸起部沿著與所述第一方向?qū)嵸|(zhì)上垂直的第二方 向延伸。
23. 如權(quán)利要求22所述的光源模塊，其特征在于所述增亮膜還具有多 個(gè)位于所述第二表面的第二條狀凸起部，所述第二條狀凸起部沿著第三方向 排列，且每一所述第二條狀凸起部沿著與所述第三方向?qū)嵸|(zhì)上垂直的第四方 向延伸，所述第四方向與所述第二方向的夾角大于0度。
24. 如權(quán)利要求23所述的光源模塊，其特征在于所述第四方向與所述 第二方向?qū)嵸|(zhì)上垂直。
25. 如權(quán)利要求19所述的光源模塊，其特征在于所述增亮膜具有面向 所述入光面的第一表面與背向所述入光面的第二表面，且所述增亮膜具有多 個(gè)位于所述第二表面的第二條狀凸起部，所述第二條狀凸起部沿著第三方向 排列，且每一所述第二條狀凸起部沿著與所述第三方向?qū)嵸|(zhì)上垂直的第四方 向延伸。
全文摘要
一種發(fā)光二極管芯片模塊，包括發(fā)光二極管芯片以及增亮膜。發(fā)光二極管芯片具有出光面。增亮膜配置于出光面上，并具有面向發(fā)光二極管芯片的第一表面與背向發(fā)光二極管芯片的第二表面。增亮膜具有多個(gè)多角錐部，這些多角錐部位于第一表面及/或第二表面，并呈多邊形陣列排列。此發(fā)光二極管芯片模塊能夠提供較為集中的光束。一種采用增亮膜的光源模塊亦被提出。
文檔編號(hào)F21V5/00GK101532636SQ20081008535
公開(kāi)日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2008年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月14日
發(fā)明者盧叔東, 陳吉元, 黃崇仁 申請(qǐng)人:智仁科技開(kāi)發(fā)股份有限公司