專利名稱：用于屏蔽弧光燈的一部分的蓋子、弧光燈和光刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于屏蔽弧光燈的一部分的蓋子，所述弧光燈例如構(gòu) 成光刻設(shè)備的一部分。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述IC 的單層的電路圖案。可以將該圖案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo) 部分(例如，包括一個(gè)或多個(gè)管芯的部分)上，所述襯底具有一層輻射敏 感材料(抗蝕劑)。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部分 的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將全 部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描 器，在所述掃描器中，通過(guò)利用輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描 所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每 一個(gè)目標(biāo)部分。圖案的曝光采用輻射源(例如汞等離子體弧光燈等)實(shí)現(xiàn)。這種燈通 過(guò)對(duì)在兩個(gè)電極(即陽(yáng)極和陰極)之間的等離子體進(jìn)行放電而生成輻射。 陽(yáng)極和陰極之間的區(qū)域可以尺寸相對(duì)較小(即大約2至7mm)。典型地，陽(yáng)極和陰極被密封在外殼中。所述外殼通常由諸如石英等材 料制成。通常，越高質(zhì)量的石英用于發(fā)射越短波長(zhǎng)輻射的燈。陰極被形成 為小點(diǎn)，以確?？梢垣@得用于電子有效發(fā)射的相對(duì)高的溫度。相反，陽(yáng)極 尺寸較大，以便盡可能多地散發(fā)電子轟擊所產(chǎn)生的熱量。出于安全的原因， 因?yàn)檫@種燈產(chǎn)生相對(duì)高的溫度，所以在陽(yáng)極處設(shè)置熱電偶，以防止過(guò)熱。發(fā)明內(nèi)容在一些應(yīng)用中，例如光刻設(shè)備中的應(yīng)用，弧光燈結(jié)合光纖和/或反射 器使用，所述光纖和/或反射器適當(dāng)?shù)乇辉O(shè)置以用于采集發(fā)射出的輻射， 并將所述輻射改變方向到所需路徑上。在這種應(yīng)用中， 一部分輻射被改變 方向以朝向熱電偶，造成熱電偶和熱電偶周圍的環(huán)境的溫度上升。結(jié)果， 熱電偶在一定溫度下相對(duì)于改變方向的輻射激勵(lì)，且不糾正燈的當(dāng)前工作 溫度。因此，熱電偶具有在可安全操作的溫度下使燈鈍化的趨勢(shì)。于是， 這造成當(dāng)燈處于冷卻時(shí)，設(shè)備經(jīng)歷不需要的休止周期。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種用于屏蔽弧光燈的一部分的蓋子，所述蓋子 包括反射表面，所述反射表面用于防止，或基本減輕燈的一部分對(duì)于電磁 輻射的暴露。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種具有如上段所述的蓋子的燈。所述蓋子可以 與燈整體制成。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種包括弧光燈的光刻設(shè)備，所述弧光燈具有蓋 子，所述蓋子包括反射表面，所述反射表面設(shè)置用于屏蔽弧光燈的一部分， 以防止或基本減輕燈的一部分對(duì)于電磁輻射的暴露。


在此僅借助示例，參照所附示意圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在所 附示意圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分，且其中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備； 圖2示出公知的光源結(jié)構(gòu)；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的蓋子；以及 圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的燈。
具體實(shí)施方式
圖l示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，用于調(diào)節(jié)輻射束PB;支撐結(jié)構(gòu)(例如支架結(jié)構(gòu))MT，用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與用于相對(duì)于PL精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連;襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于相對(duì)于PL精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連;以及投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡)PL，用于將由圖案形成裝置MA賦 予輻射束PB的圖案成像到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管 芯)上。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替 代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用上述類型的可編程反射鏡陣 列)。這里所使用的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為能夠用于將 圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案 的裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底目標(biāo)部分上所需 的圖案完全相對(duì)應(yīng)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的 器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括 掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替相移掩模類型、衰減相移 掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例 釆用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡，以便沿不同 方向反射入射的輻射束；以這樣的方式，經(jīng)過(guò)反射的輻射束被圖案化。支撐結(jié)構(gòu)保持圖案形成裝置。它以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻 設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的 方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械夾持、真空或其他夾 持技術(shù)，例如在真空條件下的靜電夾持。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如， 其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成 裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任意使用的術(shù)語(yǔ) "掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"同義。所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè) 備可以是分立的實(shí)體。在這種情況下，所述源不會(huì)被考慮為形成光刻設(shè)備的一部分。通過(guò)包括例如合適的引導(dǎo)鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可 以是所述光刻設(shè)備的組成部分，例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí)。可以將所述源 SO和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻 射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整裝 置AM。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部 和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為^T-外部和『內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外， 所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。所述 照射器提供經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輻射束PB,以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng) 度分布。所述照射系統(tǒng)也可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、 反射折射型光學(xué)部件，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射束，且這些部件在下文 中也可以統(tǒng)稱或單獨(dú)稱為"透鏡"。所述輻射束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上。己經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA之后，所述輻射束PB 通過(guò)投影系統(tǒng)PL，所述PL將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。 通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件)的幫助，可 以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同目標(biāo)部分C定位于所述輻 射束PB的輻射路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在 掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(在圖1中 未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對(duì)于所述輻射束PB的輻射路徑 精確地定位。通常，可以通過(guò)形成所述定位裝置PM和PW的一部分的長(zhǎng) 行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)來(lái)實(shí)現(xiàn)載物臺(tái)MT和WT的 移動(dòng)。然而，在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可 以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)齊 標(biāo)記Ml 、M2和襯底對(duì)齊標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)齊圖案形成裝置MA和襯底W。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語(yǔ)"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類型的投 影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型光學(xué)系統(tǒng)，如對(duì)于所使用的曝 光輻射所適合的，或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"投影系 統(tǒng)"同義。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或 更多的支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種"多臺(tái)"機(jī)器中，可以并行地使用附加 的臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)，或可以在將一個(gè)或更多個(gè)其他臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)用于 曝光的同時(shí)，在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)上執(zhí)行預(yù)備步驟。所述光刻設(shè)備也可以是其中襯底被具有高折射率的液體(例如水)覆 蓋的類型，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙。浸沒(méi)液也可 以應(yīng)用到光刻設(shè)備中的其他空隙，例如，在掩模和投影系統(tǒng)的第一元件之 間的空隙。浸沒(méi)技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域內(nèi)是公知的?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少一種1. 在步進(jìn)模式中，在將賦予到所述輻射束PB的整個(gè)圖案一次投影 到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，將支撐結(jié)構(gòu)MT和所述襯底臺(tái)WT保持為實(shí)質(zhì)靜 止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)， 使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制 了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C 上的同時(shí)，對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動(dòng) 態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投 影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝 光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃 描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃 描方向)。3. 在另一個(gè)模式中，將保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保 持為實(shí)質(zhì)靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分 C上的同時(shí)，對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采 用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間 的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作 模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編 程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 參照?qǐng)D2，形成光刻設(shè)備的一部分的照射器系統(tǒng)的公知輻射源IO (圖l中的SO)包括等離子體弧光燈12，例如汞等離子體弧光燈。燈12具有陽(yáng) 極14和陰極16以及電端子，所述陽(yáng)極14和陰極16置于石英外殼18內(nèi)，而所 述電端子分別置于燈12的陽(yáng)極端20和陰極端22上。輻射源還包括橢圓反射鏡23和快門24，所述橢圓反射鏡23置于陰極端 22的周圍，而所述快門24置于陽(yáng)極端20之上。紫外濾光片26位于燈的陽(yáng)極 端20和快門24之間。熱電偶28位于陽(yáng)極端20上，并可操作用于在表示陽(yáng)極14和陰極16之間 的區(qū)域過(guò)熱的溫度下關(guān)閉燈12。在使用中，在陽(yáng)極14和陰極16之間的區(qū)域中形成的等離子體產(chǎn)生輻 射。所述輻射從外殼18全方位地發(fā)射出。發(fā)射出的輻射30經(jīng)過(guò)陰極端22 輻射，并由反射鏡23接收和反射。反射鏡的橢圓形狀將經(jīng)過(guò)反射的輻射32 經(jīng)由紫外濾光片26、通過(guò)快門24聚焦。然而，在通過(guò)快門24聚焦經(jīng)過(guò)反射 的輻射32過(guò)程中， 一定比例的經(jīng)過(guò)反射的輻射32的紫外成分被反射離開(kāi)紫 外濾光片26。經(jīng)過(guò)反射的紫外輻射34入射到陽(yáng)極端20上，以造成陽(yáng)極端以 及陽(yáng)極端周圍的環(huán)境的溫度上升。進(jìn)而，當(dāng)所述輻射通過(guò)陽(yáng)極端20周圍緊 鄰的環(huán)境被聚焦時(shí)， 一定比例的經(jīng)過(guò)反射的輻射32也入射到陽(yáng)極端20上， 并有助于提升陽(yáng)極端20及其周圍環(huán)境的溫度。因?yàn)殛?yáng)極端20的溫度增加，所以在其中設(shè)置的熱電偶28具有在低于必 需的溫度的操作溫度下關(guān)斷燈12的趨勢(shì)。參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，蓋子100為帽150的形式。在外部， 帽150是拱形(或其他形狀)，并具有開(kāi)放端152和封閉端154。帽150具有 空腔156，所述空腔156被制成合適的尺寸，以容納和提供與陽(yáng)極端端子158 的摩擦配合，所述陽(yáng)極端端子158從等離子體弧光燈的陽(yáng)極端120延伸。陽(yáng) 極端端子158通常是螺紋上的六角螺母，盡管這不是必需的?？涨?56的橫 截面可以是六角形形狀，以與所述端端子158匹配。然而，空腔156的橫截 面需要不同的形狀，例如正方形等。這提供了在帽150的內(nèi)表面部分和所 述陽(yáng)極端端子158的外表面的相鄰部分之間的空隙，所述空隙提供了在所 述表面部分之間的通風(fēng)路徑。至少兩個(gè)以對(duì)角相對(duì)設(shè)置的透氣孔160被設(shè)置在帽150的外圍附近且 鄰近封閉端154，所述透氣孔154在使用中提供從帽150的空腔156到帽150 的外部環(huán)境的通風(fēng)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，帽150可以有選擇地包括不同數(shù)量 或布置的透氣孔160，或者根據(jù)所述帽所應(yīng)用的特定場(chǎng)合，不設(shè)置通風(fēng)孔。帽150由具有反射外表面161的鋁制成。倘若所述帽具有反射外表面， 則所述帽可以替代地由不同的材料制成。例如，反射外表面161可以由置 于由另一種材料形成的本體上的鋁涂層制成。陽(yáng)極氧化涂層162被置于反 射外表面161上，所述涂層162防止鋁反射表面161的氧化。陽(yáng)極氧化涂層 162的厚度可以小于12 y m。替代地，陽(yáng)極氧化涂層162可以是3 u m或更薄。 所述陽(yáng)極氧化涂層可以由Si02制成。然而，應(yīng)當(dāng)理解，也可以采用另一種 厚度的陽(yáng)極氧化涂層，而所述陽(yáng)極氧化涂層也可以由具有相同作用的另一 種材料制成。熱電偶128被置于公知的等離子體弧光燈的陽(yáng)極端中，以防止如以上 關(guān)于圖l所述的等離子體弧的區(qū)域中的陽(yáng)極過(guò)熱。在使用中，亦如以上關(guān)于圖l所示，經(jīng)過(guò)反射的輻射132和經(jīng)過(guò)反射的 輻射134 (例如，經(jīng)過(guò)反射的紫外輻射)不希望地朝向陽(yáng)極端120的所述端 端子158反射，其中，所述熱電偶128置于所述陽(yáng)極端120中。反射表面161用于將經(jīng)過(guò)反射的輻射132和經(jīng)過(guò)反射的輻射134反射離 開(kāi)帽150，并由此從這里屏蔽陽(yáng)極端120和熱電偶128。反射寬范圍的輻射 波長(zhǎng)，尤其是波長(zhǎng)小于400nm或在200nm和400nm之間范圍內(nèi)的輻射132和 經(jīng)過(guò)反射的輻射134。因此，帽150防止或幫助減輕熱電偶128由于經(jīng)過(guò)反 射的輻射132和經(jīng)過(guò)反射的輻射134導(dǎo)致的溫度上升，而在所述燈的操作溫 度正常時(shí)，不需要將所述燈關(guān)閉。帽150是拱形的，以便使入射到其表面上的經(jīng)過(guò)反射的輻射132和經(jīng)過(guò) 反射的輻射134最小化。因此，在使用中，所述拱形形狀用于減小反射表 面需要反射的輻射。進(jìn)而，拱形的帽150幫助避免對(duì)經(jīng)過(guò)帽150的輻射的阻 擋，并因此幫助維持輻射朝向快門的最大透射量。替代地或附加地，帽150可以形成具有邊緣，所述邊緣在使用中從陽(yáng) 極端端子158徑向向外延伸。所述邊緣對(duì)于反射被反射離開(kāi)紫外濾光片的 輻射134尤其有效。參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，弧光燈212具有陽(yáng)極214和陰極216 以及電端子，所述陽(yáng)極214和陰極216置于石英外殼218內(nèi)，而所述電端子 分別置于燈212的陽(yáng)極端220和陰極端222處。帽250置于陽(yáng)極端222上，如關(guān)于圖3所述。帽250可以被集成為陽(yáng)極端 220的一部分，或者替代地，可以成為燈212的組成部分。帽250可以與燈 212—起更換或分離地更換，也可以與已有的公知的燈適配。燈212還包括電源線264，所述電源線與陽(yáng)極端端子相連(參見(jiàn)上述關(guān) 于圖3的描述)，以向其供給電力。亦如以上關(guān)于圖3所示，帽250可操作用于將經(jīng)過(guò)反射的輻射從其反射 表面261反射，并由此用作有助于防止陽(yáng)極端220以及置于其中的熱電偶溫 度升高的屏障。盡管在本文中可以做出特定的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC， 但應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、 磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、液晶顯示器、薄膜磁頭的制造等。對(duì)于普 通的技術(shù)人員，應(yīng)該理解的是，在這種替代的應(yīng)用的情況中，可以將其中 使用的術(shù)語(yǔ)"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"襯底"或"目 標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在 軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯 影的工具)、度量工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所 述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理 一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)"襯底"也可以 表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語(yǔ)"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括 紫外輻射(例如具有436、 405、 365或248nm的波長(zhǎng))。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā) 明可以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。以上的描述是說(shuō)明性的，而不是限制性的。
權(quán)利要求
1.一種用于屏蔽弧光燈的一部分的蓋子，所述蓋子包括反射表面，所述反射表面用于防止或基本減輕燈的一部分對(duì)于電磁輻射的暴露。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的蓋子，其中，所述反射表面設(shè)置用于反射波 長(zhǎng)小于420nm的輻射。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的蓋子，其中，所述蓋子為帽形式。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的蓋子，其中，所述反射表面包括鋁。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的蓋子，還包括陽(yáng)極氧化涂層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的蓋子，其中，所述陽(yáng)極氧化涂層的厚度小于 12u m。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的蓋子，其中，所述陽(yáng)極氧化涂層的厚度為3 y m或更小。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的蓋子，大致成拱形或圓屋頂形。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的蓋子，包括透氣孔。
10. —種弧光燈，包括用于屏蔽弧光燈的一部分的蓋子，所述蓋子包 括反射表面，所述反射表面用于防止或基本減輕燈的一部分對(duì)于電磁輻射 的暴露。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中，所述蓋子與所述弧光燈形 成為整體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中，所述反射表面設(shè)置用于反 射波長(zhǎng)小于420nm的輻射。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中所述蓋子為帽形式。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中，所述反射表面包括鋁。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中，所述蓋子包括陽(yáng)極氧化涂層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的弧光燈，其中，所述陽(yáng)極氧化涂層的厚度 小于12y m。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的弧光燈，其中，所述陽(yáng)極氧化涂層的厚度 為3 u m或更小。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中，所述蓋子適于屏蔽燈的其中設(shè)置有熱電偶的一部分。
19. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中，所述蓋子成拱形或圓屋頂形。
20. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的弧光燈，其中，所述蓋子包括透氣孔。
21. —種包括弧光燈的光刻設(shè)備，所述弧光燈具有包括反射表面的蓋 子，所述反射表面設(shè)置用于屏蔽所述弧光燈的一部分，以防止或基本減輕 燈的一部分對(duì)于電磁輻射的暴露。
全文摘要
公開(kāi)了一種用于屏蔽弧光燈的一部分以免受電磁輻射的蓋子。所述蓋子具有反射表面，所述反射表面由適用于反射電磁輻射的反射材料制成。
文檔編號(hào)F21V7/04GK101220927SQ200810002968
公開(kāi)日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月12日
發(fā)明者亨瑞克斯·威爾海爾姆斯·瑪麗安·范布艾爾, 瑞恩·亞歷山大·東米尼克斯·圖森特, 羅爾·瑪騰·西蒙·諾普斯, 馬賽爾·馬塞基斯·西奧多·瑪麗·戴里奇斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司