專利名稱：有源式場(chǎng)發(fā)射基板與有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission display)的技術(shù)，且特別涉 及一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板(active field emission substrate)與有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器。
背景技術(shù)：
顯示器在人們現(xiàn)今生活中的重要性日益增加，除了使用計(jì)算機(jī)或網(wǎng)際網(wǎng) 路外，電視機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)等，均須透過顯示器 控制來(lái)傳遞信息。相較于傳統(tǒng)映像管顯示器，新一代的平面顯示器具有重量 輕、體積小、及符合人體健康的優(yōu)點(diǎn)。
在眾多新興的平面顯示器技術(shù)中，場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission display, FED)不僅擁有傳統(tǒng)映像管高畫質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)，且相較于液晶顯示器的視角較小、 使用溫度范圍過小、及反應(yīng)速度慢的缺點(diǎn)而言，場(chǎng)發(fā)射顯示器具有高發(fā)光效 率、反應(yīng)時(shí)間迅速、良好的協(xié)調(diào)顯示性能、高亮度、輕薄構(gòu)造、寬廣視角、 工作溫度范圍大、高行動(dòng)效率等優(yōu)點(diǎn)。此外，場(chǎng)發(fā)射顯示器使用時(shí)不需背光 模塊。所以即使在戶外陽(yáng)光下使用，依然能夠提供優(yōu)異的亮度表現(xiàn)。因此， 目前場(chǎng)發(fā)射顯示器已被視為相當(dāng)有機(jī)會(huì)與液晶顯示技術(shù)竟?fàn)?，甚至將其取?的新顯示技術(shù)。
發(fā)射顯示器。其中的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器因?yàn)榭梢岳秒娏骺刂?，所以能?確控制電子撞擊陽(yáng)極的數(shù)目，因而更能增加顯示狀態(tài)的穩(wěn)定性。例如中國(guó)臺(tái) 灣專利TW480511已披露一種具有薄膜晶體管的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，如圖 1所示。
在圖1中，場(chǎng)發(fā)射陣列100設(shè)置于玻璃基板102上的薄膜晶體管104， 每個(gè)薄膜晶體管104均具有源極106、漏極108和柵極110，并在薄膜晶體 管104上鍍有隔絕層112。至于納米碳管114則成長(zhǎng)在隔絕層112表面，且 每一組納米碳管114是藉由導(dǎo)孔(via)116連接至對(duì)應(yīng)的漏極108。
5但是，因?yàn)閭鹘y(tǒng)有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器必須將控制電路與場(chǎng)發(fā)射基板、元 件等，利用半導(dǎo)體工藝完成制作，所以不但制作成本高，且完成的有源式場(chǎng) 發(fā)射顯示器成品率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板。
本發(fā)明另提供一種有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，以解決傳統(tǒng)有源式場(chǎng)發(fā)射顯示 器制作成本高，成品率低的問題。
本發(fā)明提出一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板，包括一個(gè)薄膜晶體管基板以及一個(gè) 場(chǎng)發(fā)射元件基板。前述薄膜晶體管基板具有多個(gè)薄膜晶體管，其中每一薄膜 晶體管至少包括一個(gè)源極、 一個(gè)漏極與一個(gè)柵極。而場(chǎng)發(fā)射元件基板是位于
薄膜晶體管基板上，且前述場(chǎng)發(fā)射元件基板具有多個(gè)導(dǎo)電溝道(channel)以及 多個(gè)場(chǎng)發(fā)射源，其中每一導(dǎo)電溝道貫穿場(chǎng)發(fā)射元件基板并分別與每一場(chǎng)發(fā)射 源電性相連。而且，前述場(chǎng)發(fā)射元件基板的每一導(dǎo)電溝道分別與薄膜晶體管 基板的每一薄膜晶體管中的源極、漏極其中之一電性導(dǎo)通。
本發(fā)明另提出一種有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，包括陽(yáng)極基板和陰極基板，其 中陰極基板與陽(yáng)極基板呈相對(duì)應(yīng)配置。而且，陰極基板包括一個(gè)薄膜晶體管 基板以及一個(gè)場(chǎng)發(fā)射元件基板。前述薄膜晶體管基板具有多個(gè)薄膜晶體管， 其中每一薄膜晶體管至少包括一個(gè)源極、 一個(gè)漏極與一個(gè)柵極。而場(chǎng)發(fā)射元 件基板是位于薄膜晶體管基板上，且前述場(chǎng)發(fā)射元件基板具有多個(gè)導(dǎo)電溝道 以及多個(gè)場(chǎng)發(fā)射源，其中每一導(dǎo)電溝道貫穿場(chǎng)發(fā)射元件基板并分別與每一場(chǎng) 發(fā)射源電性相連。而且，前述場(chǎng)發(fā)射元件基板的每一導(dǎo)電溝道分別與薄膜晶 體管基板的每一薄膜晶體管中的源極、漏極其中之一電性導(dǎo)通。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述陽(yáng)極基板包括一層陽(yáng)極層以及一層熒光層。 前述熒光層是位于陽(yáng)極層朝向上述陰極基板的表面上。其中，陽(yáng)極層包括透 明導(dǎo)電層(ITO)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述導(dǎo)電溝道的材料包括金、銀、鋁、鎳、銅等
薄膜或厚膜導(dǎo)電材料。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述導(dǎo)電溝道的直徑約在10|am~5mm之間。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述薄膜晶體管基板的材料包括玻璃基板、陶瓷
基板、塑膠基板或半導(dǎo)體基板等。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述薄膜晶體管基板還包括多個(gè)像素電極，且每 一像素電極與每一薄膜晶體管的漏極電性連接。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，每一薄膜晶體管的漏極透過上述像素電極與場(chǎng)發(fā) 射元件基板的每一導(dǎo)電溝道電性導(dǎo)通。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述薄膜晶體管基板中的薄膜晶體管包括柵極在
底部(bottom-gate)的薄膜晶體管或柵極在頂部(top-gate)的薄膜晶體管。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述薄膜晶體管基板還包括多條掃描線(scan line) 和多條數(shù)據(jù)線(dataline)，其中掃描線連接薄膜晶體管的柵極，而數(shù)據(jù)線則是 連接薄膜晶體管的源極。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述場(chǎng)發(fā)射元件基板包括玻璃基板、陶瓷基板、 塑膠基板或半導(dǎo)體基板。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述場(chǎng)發(fā)射源包括圓錐(Spindt)型發(fā)射源、表 面?zhèn)鲗?dǎo)電子(surface conduction electron, SCE)型發(fā)射源、彈道電子表面發(fā)射 (ballistic electron surface emitting display, BSD)型發(fā)射源、石墨發(fā)射源或納米 碳管(carbon nano tube, CNT)型發(fā)射源。
本發(fā)明因?yàn)椴捎靡苑珠_工藝制作的薄膜晶體管基板以及場(chǎng)發(fā)射元件基 板，再利用人工組合即可完成的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，所以只需個(gè)別顧慮薄膜 晶體管基板與場(chǎng)發(fā)射源基板的成品率。至于場(chǎng)發(fā)射元件基板的制作可選用各 種制造方法，而不一定需要使用半導(dǎo)體工藝來(lái)制作，因此制作成本也能降低。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并 配合附圖，作詳細(xì)iJL明如下。


圖1是已知一種具有薄膜晶體管的場(chǎng)發(fā)射顯示器的剖面圖。 圖2是依照本發(fā)明第 一 實(shí)施例的 一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板的剖面分解圖。 圖3是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板的剖面分解圖。 圖4是第二實(shí)施例的薄膜晶體管基板的電路圖。
圖5是依照本發(fā)明第三實(shí)施例的一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板的剖面分解圖。 圖6是依照本發(fā)明第四實(shí)施例的一種有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器的剖面圓。 附圖標(biāo)記說明
100:場(chǎng)發(fā)射陣列 102:玻璃基板104、206、 502:薄膜晶體管106、208、 504:源極
108、210、 506:漏極110、212、 508:柵極
112:隔絕層114:納米碳管
116:導(dǎo)孔200、300、 500:有源式場(chǎng)發(fā)射基板202、622:薄膜晶體管基板204、624:場(chǎng)發(fā)射元件基板
214、628:導(dǎo)電溝道216、630:場(chǎng)發(fā)射源
218、226、 634:絕緣層220、304:接觸窗
222:焊墊224、632:開口
228、636:導(dǎo)電層230:半導(dǎo)體層
232、510:柵極絕緣層234:歐姆接觸層
302:像素電極306、512:保護(hù)層
308、S^:數(shù)據(jù)線400:像素電極區(qū)域
514:源極接觸窗516:漏極接觸窗
600:有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器610:陽(yáng)極基板
612:陽(yáng)才及層 614、614a、 614b:熒光層616:遮光層
620:陰極基板 626:電極:掃描線
具體實(shí)施例方式
下文中請(qǐng)參照隨附圖式，以便更充分地了解本發(fā)明，且于隨附圖式中展 示本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式來(lái)實(shí)踐，且不應(yīng)將其解 釋為限于本文所陳述的實(shí)施例。實(shí)際上提供這些實(shí)施例只是用以使本發(fā)明的 范圍完全傳達(dá)至本領(lǐng)域技術(shù)人員。而且，在圖式中，為明確起見可能將各層 以及區(qū)域的尺寸以及相對(duì)尺寸作夸張的描繪。
此外，文中通過剖面說明來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，這種剖面是本發(fā)明的 理想化實(shí)施例的示意性說明。換言之，圖式中的形狀將因制造技術(shù)以^J或是 容許度產(chǎn)生變化，因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)解釋為限于圖式中所描繪的特 定區(qū)域形狀，而是包括從制造過程所產(chǎn)生的形狀偏差。
圖2是依照本發(fā)明第 一實(shí)施例的一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板的剖面分解圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D2，第一實(shí)施例的有源式場(chǎng)發(fā)射基板200包括一個(gè)薄膜晶體管 基板202以及一個(gè)場(chǎng)發(fā)射元件基板204，其中場(chǎng)發(fā)射元件基板204例如玻璃 基板、陶乾基板、塑膠基板或半導(dǎo)體基板。前述薄膜晶體管基板202具有多
8個(gè)薄膜晶體管206，其中薄膜晶體管基板202的材料例如玻璃基板、陶瓷基 板、塑膠基板或半導(dǎo)體基板。每一薄膜晶體管206至少包括一個(gè)源極208、 一個(gè)漏極210與一個(gè)柵極212;舉例來(lái)說，薄膜晶體管206是一種柵極在底 部(bottom-gate)的薄膜晶體管。而場(chǎng)發(fā)射元件基板204是位于薄膜晶體管基 板202上，且前述場(chǎng)發(fā)射元件基板204具有多個(gè)導(dǎo)電溝道(channe1)214以及 多個(gè)場(chǎng)發(fā)射源216，其中每一導(dǎo)電溝道214貫穿場(chǎng)發(fā)射元件基板204并分別 與每一場(chǎng)發(fā)射源216電性相連。上述導(dǎo)電溝道214的材料例如金、銀、鋁、 鎳或銅等薄膜或厚膜導(dǎo)電材料。而且，前述場(chǎng)發(fā)射元件基板204的每一導(dǎo)電 溝道214分別與薄膜晶體管基板202的每一薄膜晶體管206中的源極208與 漏極210其中之一電性導(dǎo)通。此外，根據(jù)場(chǎng)發(fā)射源216的大小、場(chǎng)發(fā)射元件 基板204的厚度等需求，上述導(dǎo)電溝道214的直徑例如設(shè)定在10pm 5mm 之間。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2，在第一實(shí)施例中，薄膜晶體管基板202上覆蓋了一層絕 緣層218,并通過絕緣層218中的接觸窗(contact)220連至絕緣層218表面的 焊墊(pad)222。如此一來(lái)，場(chǎng)發(fā)射元件基板204的導(dǎo)電溝道214可通過現(xiàn)有 技術(shù)連接到焊墊222，以達(dá)到與薄膜晶體管206的其中一個(gè)電極(即，漏極 210)電性導(dǎo)通的目的。另外，第一實(shí)施例中所使用的薄膜晶體管206還包括 在源極208和漏極210與柵極212之間的半導(dǎo)體層230、覆蓋柵極212的一 層?xùn)艠O絕緣層232、在半導(dǎo)體層230與源極208和漏極210之間的一層歐姆 接觸層234。至于上述場(chǎng)發(fā)射源216可選用圓錐型發(fā)射源、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子 (surface conduction electron, SCE)型發(fā)射源、彈道電子表面發(fā)射(ballistic electron surface emitting display, BSD)型發(fā)射源、石墨發(fā)射源或納米石友管 (carbon nano tube, CNT)型發(fā)射源；譬如在圖2中是以納米碳管型發(fā)射源為 例，因此在結(jié)構(gòu)上可搭配具有多個(gè)開口 224的一層絕緣層226以及在絕緣層 226表面的導(dǎo)電層228,場(chǎng)發(fā)射源216則配置于開口 224中。
圖3是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板的剖面分解圖， 其中使用與第 一實(shí)施例相同的元件符號(hào)代表相同的元件。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，在第二實(shí)施例中的有源式場(chǎng)發(fā)射基板300和第一實(shí)施例相 比，主要是在薄膜晶體管基板202設(shè)置多個(gè)像素電極302，且像素電極302 與薄膜晶體管206的漏極210電性連接。而在絕緣層218中可設(shè)置與像素電 極302連接的接觸窗304，以使場(chǎng)發(fā)射元件基板204的導(dǎo)電溝道214可通過
9現(xiàn)有技術(shù)連接到接觸窗304,達(dá)到與薄膜晶體管206的其中一個(gè)電極(即，漏 極210)電性導(dǎo)通的目的，且因?yàn)橄袼仉姌O302的面積較大，因此有利于導(dǎo)電 溝道214的對(duì)準(zhǔn)。此外，在像素電極302與薄膜晶體管206之間通常會(huì)隔著 一層保護(hù)層306。
另外，第二實(shí)施例的薄膜晶體管基板202可釆用大型化TFT,以實(shí)現(xiàn)大 型場(chǎng)發(fā)射顯示器的制作，其電路圖如圖4所示。在圖4中包括掃描線(scan lines)Gi、 G2、 G3...Gm.2、 Gm.,、 Gm和數(shù)據(jù)線(data lines)S^ S2、 S3...Sn.2、 S^、 Sn,其中掃描線G,^連接薄膜晶體管的柵極(如圖3的212)、數(shù)據(jù)線S^則 連接至薄膜晶體管的源極(如圖3的208)。至于掃描線G,嘲和數(shù)據(jù)線S^所 劃分出來(lái)的像素電極區(qū)域400中，則可如圖3 —樣設(shè)有多個(gè)像素電極302。 而且，圖4中的數(shù)據(jù)線S^相當(dāng)于在圖3中連接源極208的數(shù)據(jù)線308。
圖5是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板的剖面分解 圖，其中使用與第一實(shí)施例相同的元件符號(hào)代表相同的元件。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于其有源式場(chǎng)發(fā)射基板 500中的薄膜晶體管502是一種柵極在頂部(top-gate)的薄膜晶體管；也就是 說，薄膜晶體管502的柵極508位在源極504和漏極506上，且于源極5(M 和漏極506與柵極508之間有一層?xùn)艠O絕緣層510，并在薄膜晶體管502上 覆蓋有一層保護(hù)層512。另外，在保護(hù)層512中設(shè)有分別連接到源極504和 漏極506的源極接觸窗514和漏極接觸窗516。如此一來(lái)，場(chǎng)發(fā)射元件基板 204的導(dǎo)電溝道214可通過現(xiàn)有技術(shù)連接到漏極接觸窗516，以達(dá)到與薄膜 晶體管502的其中一個(gè)電極(即，漏極506)電性導(dǎo)通的目的。
當(dāng)然，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員也可以在圖5的薄膜晶體管基板 202上設(shè)置像素電極(未繪示)，使其與薄膜晶體管502的漏極接觸窗516電
故本發(fā)明的有源式場(chǎng)發(fā)射基^1不限于圖5所示。
圖6是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的 一種有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器的剖面圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D6,第四實(shí)施例的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器600包括陽(yáng)極基板610 和陰極基板620，其中陰極基板620與陽(yáng)極基板610呈相對(duì)應(yīng)配置。而陰極 基板620是由一個(gè)薄膜晶體管基板622以及一個(gè)場(chǎng)發(fā)射元件基板624組成。 在本實(shí)施例的薄膜晶體管基板622具有多個(gè)薄膜晶體管，且為簡(jiǎn)化圖式，僅 在圖6中顯示薄膜晶體管的源極、漏極與柵極其中一個(gè)電極626。此外，還
10可選用以上各實(shí)施例中的薄膜晶體管作為第四實(shí)施例的薄膜晶體管基板622 中的薄膜晶體管，故不在此贅述。至于場(chǎng)發(fā)射元件基板624則是位于薄膜晶 體管基板622上，且場(chǎng)發(fā)射元件基板624具有多個(gè)導(dǎo)電溝道628以及多個(gè)場(chǎng) 發(fā)射源630，其中每一導(dǎo)電溝道628貫穿場(chǎng)發(fā)射元件基板624并分別與每一 場(chǎng)發(fā)射源630電性相連。前述場(chǎng)發(fā)射源630例如圓錐型發(fā)射源、表面?zhèn)鲗?dǎo)電 子(SCE)型發(fā)射源、彈道電子表面發(fā)射(BSD)型發(fā)射源、石墨發(fā)射源或納米碳 管(CNT)型發(fā)射源。譬如在圖6中是以圓錐型發(fā)射源為例，因此在結(jié)構(gòu)上可 搭配具有多個(gè)開口 632的一層絕緣層634以及在絕緣層634表面的導(dǎo)電層 636，場(chǎng)發(fā)射源630則配置于開口 632中。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D6，場(chǎng)發(fā)射元件基板624的導(dǎo)電溝道628還與薄膜晶體管基 板622的薄膜晶體管中的其中一個(gè)電極626電性導(dǎo)通。此外，根據(jù)場(chǎng)發(fā)射源 630的大小、場(chǎng)發(fā)射元件基板624的厚度等需求，上述導(dǎo)電溝道628的直徑 約在10nm 5mm之間。舉例來(lái)說，當(dāng)有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器600是作為平面 燈源時(shí)，因?yàn)榉直媛实囊蟛淮?，所以?dǎo)電溝道628的直徑較大，故可用制
通孔，再用電鍍方式或網(wǎng)印填孔方式形成導(dǎo)電溝道628; -f旦當(dāng)有源式場(chǎng)發(fā)射 顯示器600是作為顯示器(diaplay)使用時(shí)，需要較大的分辨率，因此導(dǎo)電溝 道628的直徑較小，可能要用較精密的方式制作，如激光或蝕刻方式先形成 通孔，再用賊射方式、無(wú)電鍍、電鍍方式形成導(dǎo)電溝道628。除此之外，導(dǎo) 電溝道628還可利用其他形成方式，不限于此所述。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D6，在第四實(shí)施例之中的陽(yáng)極基板610包括一層陽(yáng)極層612 以及一層熒光層614。其中，陽(yáng)極層612例如是透明導(dǎo)電層(ITO)或其他透明
并根據(jù)實(shí)際需求可設(shè)置不同顏色的熒光層614a與614b。另外，在熒光層614a 與614b之間設(shè)有遮光層616。
綜上所述，本發(fā)明的特點(diǎn)在于使用以分開工藝制作的薄膜晶體管基板以 及場(chǎng)發(fā)射元件基板，再利用現(xiàn)有技術(shù)將兩者組合，即可完成的有源式場(chǎng)發(fā)射 基板，所以不但能簡(jiǎn)化工藝，來(lái)可使整體成品率增加。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何
本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)
飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板，包括薄膜晶體管基板，具有多個(gè)薄膜晶體管，其中每一薄膜晶體管至少包括源極、漏極與柵極；以及場(chǎng)發(fā)射元件基板，位于該薄膜晶體管基板上，該場(chǎng)發(fā)射元件基板具有多個(gè)導(dǎo)電溝道以及多個(gè)場(chǎng)發(fā)射源，其中每一導(dǎo)電溝道貫穿該場(chǎng)發(fā)射元件基板并分別與每一場(chǎng)發(fā)射源電性相連，且該場(chǎng)發(fā)射元件基板的每一導(dǎo)電溝道分別與該薄膜晶體管基板的每一薄膜晶體管中的該源極與該漏極其中之一電性導(dǎo)通。
2. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該導(dǎo)電溝道的材料包括金、銀、鋁、鎳或銅。
3. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該導(dǎo)電溝道的材料包括薄膜導(dǎo)電材料或厚膜導(dǎo)電材料。
4. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該導(dǎo)電溝道的直徑在10(im 5mm之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該薄膜晶體管基板還包括多個(gè)像素電極，每一像素電極與每一薄膜晶體管的該漏極電性連接。
6. 如權(quán)利要求4所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中每一薄膜晶體管的該漏極透過該像素電極與該場(chǎng)發(fā)射元件基板的每一導(dǎo)電溝道電性導(dǎo)通。
7. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該薄膜晶體管基板中的該薄膜晶體管包括柵極在底部的薄膜晶體管或柵極在頂部的薄膜晶體管。
8. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該薄膜晶體管基板還包括多條掃描線，連接該薄膜晶體管的該柵極；以及多條數(shù)據(jù)線，連接該薄膜晶體管的該源極。
9. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該場(chǎng)發(fā)射元件基板包括玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或半導(dǎo)體基板。
10. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該場(chǎng)發(fā)射源包括圓錐型發(fā)射源、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子型發(fā)射源、彈道電子表面發(fā)射型發(fā)射源、石墨發(fā)射源或納米碳管型發(fā)射源。
11. 如權(quán)利要求1所述的有源式場(chǎng)發(fā)射基板，其中該薄膜晶體管基板的材 料包括玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或半導(dǎo)體基板。
12. —種有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，包括 陽(yáng)極基板；以及陰極基板，與該陽(yáng)極基板呈相對(duì)應(yīng)配置，其中該陰極基板包括薄膜晶體管基板，具有多個(gè)薄膜晶體管，其中每一薄膜晶體管至少包括 源極、漏才及與4冊(cè)4及；以及場(chǎng)發(fā)射元件基板，位于該薄膜晶體管基板上，該場(chǎng)發(fā)射元件基板具有多 個(gè)導(dǎo)電溝道以及多個(gè)場(chǎng)發(fā)射源，其中每一導(dǎo)電溝道貫穿該場(chǎng)發(fā)射元件基板并 分別與每一場(chǎng)發(fā)射源電性相連，且該場(chǎng)發(fā)射元件基板的每一導(dǎo)電溝道分別與該薄膜晶體管基板的每一薄 膜晶體管中的該源極與該漏極其中之一 電性導(dǎo)通。
13. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該場(chǎng)發(fā)射元件基板 中的該導(dǎo)電溝道的材料包括金、4艮、鋁、鎳或銅。
14. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該場(chǎng)發(fā)射元件基板 中的該導(dǎo)電溝道的材料包括薄膜導(dǎo)電材料或厚膜導(dǎo)電材料。
15. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該場(chǎng)發(fā)射元件基板 中的該導(dǎo)電溝道的直徑在10|im 5mm之間。
16. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該薄膜晶體管基板 還包括多個(gè)像素電極，每一像素電極與每一薄膜晶體管的該漏極電性連接。
17. 如權(quán)利要求16所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中每一薄膜晶體管的 該漏極透過該像素電極與該場(chǎng)發(fā)射元件基板的每一導(dǎo)電溝道電性導(dǎo)通。
18. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該薄膜晶體管基板 中的該薄膜晶體管包括柵極在底部的薄膜晶體管或柵極在頂部的薄膜晶體 管。
19. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該薄膜晶體管基板 還包括多條掃描線，連接該薄膜晶體管的該柵極；以及 多條數(shù)據(jù)線，連接該薄膜晶體管的該源極。
20. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該場(chǎng)發(fā)射元件基板 包括玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或半導(dǎo)體基板。
21. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該場(chǎng)發(fā)射源包括圓錐型發(fā)射源、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子型發(fā)射源、彈道電子表面發(fā)射型發(fā)射源、石墨發(fā) 射源或納米碳管型發(fā)射源。
22. 如權(quán)利要求12所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該陽(yáng)極基板包括 陽(yáng)極層；以及熒光層，位于該陽(yáng)極層朝向該陰極基板的表面上。
23. 如權(quán)利要求22所述的有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中該陽(yáng)極層包括透明 導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源式場(chǎng)發(fā)射基板和有源式場(chǎng)發(fā)射顯示器。該有源式場(chǎng)發(fā)射基板包括一個(gè)薄膜晶體管基板以及一個(gè)場(chǎng)發(fā)射元件基板。前述薄膜晶體管基板具有多個(gè)薄膜晶體管，其中每一薄膜晶體管至少包括源極、漏極與柵極。而場(chǎng)發(fā)射元件基板是位于薄膜晶體管基板上且具有多個(gè)導(dǎo)電溝道以及多個(gè)場(chǎng)發(fā)射源，其中每一導(dǎo)電溝道貫穿場(chǎng)發(fā)射元件基板并分別與每一場(chǎng)發(fā)射源電性相連。而且，前述場(chǎng)發(fā)射元件基板的每一導(dǎo)電溝道分別與薄膜晶體管基板的每一薄膜晶體管中的源極或漏極電性導(dǎo)通。由于上述有源式場(chǎng)發(fā)射基板是由兩個(gè)利用分開的工藝得到的基板組合而成，所以可簡(jiǎn)化流程，提升成品率。
文檔編號(hào)H01J1/30GK101488430SQ200810002648
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2008年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月14日
發(fā)明者楊宗翰, 林彥榕 申請(qǐng)人:大同股份有限公司