專利名稱：具有雙抽吸模式的離子植入裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體涉及半導體制造，且更明確地說涉及一種用于產(chǎn)生原子或 分子離子束的具有雙抽吸模式的離子植入裝置。
背景技術(shù)：
離子植入是用于將摻雜劑引入到例如半導體晶片等材料中的常規(guī)技 術(shù)。摻雜劑可植入在一材料中以形成具有所需傳導性的區(qū)。此類植入?yún)^(qū)可 形成所得裝置(例如，半導體裝置)中的有源區(qū)。通常，在離子植入期間，源 饋入氣體在離子源中離子化。離子從源發(fā)射且可加速到選定能量以形成離 子束。將所述束引導于材料表面處，且碰撞的離子穿透到材料的塊體中并 充當增加材料的傳導性的摻雜劑。
常規(guī)離子源可在某些植入條件下具有局限性。舉例來說，常規(guī)離子源
;/或高口束電流下無效^地操作?？稍诔Ｒ?guī)上用于原子植入物的標準源中離
子化的分子已在第11/342, 183號共同待決美國申請案中描述，所述申請案 全文以引用的方式并入本文中。
鑒于以上內(nèi)容，可了解，存在與當前離子植入技術(shù)相關(guān)聯(lián)的顯著問題 和在夾點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種用于產(chǎn)生原子或分子離子束的具有雙抽吸模式的離子 植入裝置及其方法。在一個特定示范性實施例中，"R供一種離子植入設(shè)備，其 用于控制對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束種類的離子束源外殼內(nèi)的壓力。離子植入 設(shè)備可包含離子束源外殼，其包括用于離子束產(chǎn)生的多個種類。還可包含 抽吸區(qū)段，用于從離子束源外殼排放氣體。可進一步包含控制器，用于根 據(jù)對應(yīng)于用于離子束產(chǎn)生的多個種類中的一種類的抽吸參數(shù)來控制抽吸區(qū) 段。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，離子植入設(shè)備可進一步包含壓 力測量單元，其用于產(chǎn)生對應(yīng)于離子束源外殼內(nèi)的壓力的電壓力信號，其 中控制器可基于電壓力信號調(diào)節(jié)抽吸區(qū)段的操作。
根據(jù)此特定示范性實施例的進一 步方面，壓力測量單元可測量離子束 源外殼中的總壓力。
4根據(jù)此特定示范性實施例的額外方面，壓力測量單元可測量離子束源
外殼中的一個或一個以上氣體成分的部分壓力。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，離子植入設(shè)備可進一 步包含束 電流測量單元，其用于產(chǎn)生對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束的束電流的電束電流信 號，其中控制器可基于電束電流信號調(diào)節(jié)抽吸區(qū)段的操作。
根據(jù)此特定示范性實施例的進一步方面，多個種類可包括至少一分子 和一原子種類。
根據(jù)此特定示范性實施例的額外方面，其中當接收到指示用于離子束 產(chǎn)生的種類到另 一種類的切換的信號時，控制器可根據(jù)對應(yīng)于另 一種類的 抽吸參數(shù)來控制抽吸區(qū)段。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，控制器可通過調(diào)節(jié)抽吸速率、壓 載氣體的添加和可變閥中的任何數(shù)目來控制抽吸區(qū)段。
在另 一特定示范性實施例中，提供一種控制對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束種 類的離子束源外殼內(nèi)的壓力的方法。所述方法可包括在離子束源外殼內(nèi)使 用多個種類中的一者產(chǎn)生離子束、使用抽吸區(qū)段從離子束源外殼排放氣 體，以及根據(jù)對應(yīng)于用于離子束產(chǎn)生的多個種類中的所述種類的抽吸參數(shù) 來控制抽吸區(qū)段。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，所述方法可進一步包含通過壓 力測量單元產(chǎn)生對應(yīng)于離子束源外殼內(nèi)的壓力的電壓力信號，其中控制器 可基于電壓力信號調(diào)節(jié)抽吸區(qū)段的才喿作。
根據(jù)此特定示范性實施例的進一步方面，壓力測量單元可測量離子束 源外殼中的總壓力。
根據(jù)此特定示范性實施例的額外方面，壓力測量單元可測量離子束源 外殼中的一個或一個以上氣體成分的部分壓力。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，所述方法可進一步包含通過束 電流測量單元產(chǎn)生對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束的束電流的電束電流信號，其中 控制器可基于電束電流信號調(diào)節(jié)抽吸區(qū)段的操作。
根據(jù)此特定示范性實施例的進一步方面，多個種類可包括至少一分子 和一原子種類。
根據(jù)此特定示范性實施例的額外方面，其中當接收到指示用于離子束 產(chǎn)生的種類到另 一種類的切換的信號時，控制器可根據(jù)對應(yīng)于另 一種類的 抽吸參數(shù)來控制抽吸區(qū)段。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，控制器可通過調(diào)節(jié)抽吸速率、壓 載氣體的添加和可變閥中的任何數(shù)目來控制抽吸區(qū)段。
在另一特定示范性實施例中，提供至少一種處理器可讀載體，其用于 存儲具有指令的計算機程序，所述指令經(jīng)配置以可由至少一個處理器讀取以便指示所述至少一個處理器執(zhí)行用于執(zhí)行一種控制對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子 束種類的離子束源外殼內(nèi)的壓力的方法的計算機過程。
現(xiàn)將參考如附圖所示的本發(fā)明的示范性實施例更詳細描述本發(fā)明。雖 然下文參考示范性實施例描述本發(fā)明，但應(yīng)了解，本發(fā)明不限于此。得到 本文的教示的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將認識到額外實施方案、修改和實 施例以及其它使用領(lǐng)域，其在如本文描述的本發(fā)明范圍內(nèi)且本發(fā)明相對于 其可具有顯著效用。
為了促進更完全理解本發(fā)明，現(xiàn)參看附圖，其中以相同標號參考相同 元件。這些圖式不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明，而是希望僅為示范性的。


圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的束線離子植入器的框圖。
圖2是圖1的離子源的框圖。
圖3是與圖2的離子源一致的一個實施例的框圖。
圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的一實施例的雙抽吸技術(shù)的一個實施例的流程圖。
具體實施例方式
參看圖l,繪示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的束線離子植入器的框圖。束線 離子植入器IOO可包含離子束系統(tǒng)102、終端臺170、控制器120和用戶接 口系統(tǒng)122。離子束系統(tǒng)102包含用以產(chǎn)生離子束的離子源103,以及用以 朝定位在終端臺170中的襯底110的目標表面108引導離子束104的其它 組件和系統(tǒng)。離子束104可通過束移動、襯底移動或通過其任何組合而分 布在襯底110的目標表面108上。
離子束系統(tǒng)102可包含各種類型的組件和系統(tǒng)以產(chǎn)生和引導具有所需 特性的離子束104。離子束104可以是點束或帶狀束。點束可具有在一種情 況下可近似為圓形的不規(guī)則橫截面形狀。在沒有掃描儀的情況下，點束可 為固定或靜止的點束?；蛘?，點束可由掃描儀掃描以提供掃描離子束。帶 狀束可具有較大寬度/高度縱橫比，且可至少與襯底110 —樣寬。離子束104 可以是任何類型的帶電粒子束，例如用于對襯底110進行植入的高能離子 束。
終端臺170可支撐離子束104的路徑中的一個或一個以上襯底，使得 所需種類的離子被植入到襯底110中。襯底110可由壓板112支撐并通過 例如靜電襯底夾持等已知技術(shù)夾持到壓板112。襯底110可采取例如普遍圓 盤形狀等各種物理形狀。襯底110可以是由例如硅或?qū)⑹褂秒x子束104植 入的任何其它材料等任何類型的半導體材料制成的半導體襯底。終端臺170可包含襯底驅(qū)動系統(tǒng)(未說明)以物理上將襯底110從固持 區(qū)域移動到壓板112或從壓板112移動襯底110。終端臺170還可包含驅(qū)動 機構(gòu)116以用所需方式驅(qū)動壓板112以及因此驅(qū)動夾持到壓板112的襯底 110。
控制器120可從束線離子植入器100的任何種類的系統(tǒng)和組件接收輸 入數(shù)據(jù)和指令，并提供輸出信號以控制所述束線離子植入器10a控制器120 可以是或包含可經(jīng)編程以執(zhí)行所需輸入/輸出功能的通用計算機或通用計 算機網(wǎng)絡(luò)?？刂破?20可包含處理器130和機器可讀i某體132。處理器130 可包含例如可從英特爾公司購得的此項技術(shù)中已知的一個或一個以上處理 器。機器可讀媒體132可包含一個或一個以上機器可讀存儲介質(zhì)，例如隨 機存取存儲器 (random-access memory, RAM)、 動態(tài) RAM (dynamic RAM，DRAM)、》茲盤(例如,軟盤和^更盤驅(qū)動器)、光盤(例如，CD-ROM)，和/或 可存儲指令以供執(zhí)行的任何其它裝置?？刂破?20還可包含其它電子電路 或組件，例如專用集成電路、其它硬連線或可編程電子裝置、離散元件電 路等。
用戶接口系統(tǒng)122可包含(但不限于)例如觸摸屏、鍵盤、用戶指向裝 置、顯示器、打印機等裝置以允許用戶輸入命令和/或數(shù)據(jù)且/或經(jīng)由控制 器120監(jiān)視束線離子植入器100。
高導流系數(shù)(即，低能量、高束電流)離子束遭受空間電荷擴大(blow 叩)，其中離子束中的相同帶電離子彼此互相排斥，從而導致束擴展。這限 制了可在束線中傳送的束電流的量級。當相同帶電離子為正離子時，可通 過將電子引入到離子束中來控制排斥。電子上的負電荷抵消正離子的排 斥。 一種電子形成方法在離子束的離子與真空中存在的背景氣體沖突時發(fā) 生。經(jīng)?？赏ㄟ^增加所存在的背景氣體的壓力以增加電子產(chǎn)生來改善低能 量束傳送效率。然而，如果壓力變得過高，那么過大分數(shù)的束離子經(jīng)歷電 荷交換交互作用，且束電流損失。此項技術(shù)中已知，壓力可經(jīng)選擇以優(yōu)化 束傳送。這在過去已通過在從離子源103或下游更遠處提取之后立即將氣 體引入到區(qū)中來實現(xiàn)。通過用于中和晶片表面上的電荷累積的電子束和淹 沒式等離子體系統(tǒng)(plasma flood system)引入的氣體和等離子體通常也已 改進束傳送。
分子束可具有比原子束低的導流系數(shù)，即較高的能量和較低的束電 流。分子中的多個原子根據(jù)其原子量共享分子的動能。這意味著，為了實 現(xiàn)等效于低能量原子束的淺植入物，可在較高能量下傳送分子束。分子可 含有若干具有所關(guān)注種類(例如，摻雜劑種類(例如，硼))的原子。分子可 作為單獨帶電的種類傳送，且因此與原子束中所關(guān)注的種類的通量匹配所 需的分子束電流可通過分子中所關(guān)注的原子的數(shù)目的比率而較小。在較高能量和較低電束電流下分子束的傳送可意味著空間電荷可能并非是如此重 要而需克服的問題。然而，由與背景氣體沖突引起的分子的分裂是顯著的 損失機制，對于原子束則不存在。因此，用于分子束傳送的最佳壓力可能 不與原子束相同。
也可依據(jù)工藝來調(diào)諧離子源電弧腔中的條件。通常，可能需要在強度 方面將束電流調(diào)諧幾個百分比以實現(xiàn)進入晶片中的準確劑量。可通過改變 與源相關(guān)聯(lián)的例如壓力(饋入速率)、電弧電壓、電弧電流(經(jīng)由陰極發(fā)射) 和磁場等參數(shù)來修改離子源中的離子化性質(zhì)。對于分子離子，發(fā)現(xiàn)改變這 些參數(shù)不能產(chǎn)生對束電流的充分精細的控制。如針對原子束所進行的改變
電弧電壓、電弧電流或》茲場可促使;故電衰減。分子由于其4支重的重量而往 往是使用烤箱由固體形成?？赏ㄟ^改變烤箱的溫度來控制饋入速率。烤箱 溫度穩(wěn)定的時間可能過長以致此不能成為控制饋入供應(yīng)的有效機制。源外 殼中的壓力將影響電弧腔中的壓力，其影響源等離子體中的離子化效率。因 此，可通過調(diào)諧源外殼壓力來控制分子束電流。
因此，需要一種可用以依據(jù)所產(chǎn)生的種類改變壓力的方法，且所述壓 力持續(xù)變化以控制所產(chǎn)生的束電流。
圖2更詳細說明圖1的離子源103的框圖。離子源103可包含離子源 外殼206、泵系統(tǒng)202、壓力傳感器204和控制器220?？刂破?20可以是 圖1的控制器120或單獨的控制器?？刂破?20可操作泵系統(tǒng)202以維持 離子源外殼206中的所需壓力。
控制器220可在第一泵模式中操作泵系統(tǒng)202以用于原子離子束產(chǎn) 生，且在第二泵模式中操作泵系統(tǒng)202以用于分子離子束產(chǎn)生?？捎捎脩?經(jīng)由用戶接口系統(tǒng)122來詳述指定原子離子束產(chǎn)生或分子離子束產(chǎn)生的初 始配方，或可從耦合到控制器220的存儲器存取所迷初始配方?？刂破?20 可沖艮據(jù)與所使用的源饋入材料相關(guān)聯(lián)的抽吸參數(shù)來操作泵系統(tǒng)202。作為響 應(yīng)，控制器220可控制泵系統(tǒng)202以在第一或第二抽吸;漠式中操作。控制 器220還可響應(yīng)于代表束線植入器的變化的條件的不同反饋信號。在一個 實施例中，反饋信號可來自詳述離子源外殼的壓力的壓力傳感器204和/或 束電流傳感器224 (例如，如此項技術(shù)中已知的法拉第傳感器(Faraday sensor))。來自束電流傳感器224的反饋信號可由控制器220利用以控制 真空壓力，以便使束電流最大化或?qū)⑵湫薷牡绞芸刂怠?br> 當形成分子時，發(fā)生分裂，從而導致許多碎片。分裂是由于(例如)熱 離子源電弧腔壁上的高溫分解、熱汽化器壁上的高溫分解，或由于與離子 源電弧腔和離子源外殼中的電子、離子或原子的沖突而發(fā)生。碎片的較大 分數(shù)可能是氫，且此通?？杀容^大質(zhì)量碎片更難抽吸。因此，第二分子離 子束抽吸模式的抽吸速度可比第 一原子離子束抽吸模式的抽吸速度大。
8轉(zhuǎn)向圖3，說明與圖2的離子源一致的離子源的真空系統(tǒng)的框圖。真空 系統(tǒng)可包含離子源外殼306。汽化器340可含有針對離子源電弧腔342的用 于形成分子離子束的源饋入材料，且氣體源341可含有用于形成原子離子 束的源氣體。盡管說明為在離子源外殼306內(nèi)，但氣體源341也可定位在 離子源外殼306外部。
離子源外殼306可由一個或一個以上渦輪泵324抽吸，所述渦輪泵324 可進一步由例如旋轉(zhuǎn)泵或干式泵等機械泵326支持，因為其實現(xiàn)高氣體處理 量。優(yōu)選地，控制器可通過改變渦4侖旋轉(zhuǎn)的速度來改變抽吸速度。然而，控 制器還可通過在渦輪泵324的喉道(throat)處或葉片中添加壓載氣體 (ballast gas),通過改變前纟及泉(backing pump) 326的速度(例^口，通過 文變 其旋轉(zhuǎn)速度或?qū)狠d氣體添加到前級泵中)，通過在渦輪泵324上方使用可 變閥328 (例如，蝶形閥)或在前級線中使用可變閥330，來改變抽吸速度。或 者，可4吏用進入源中的放氣(bleed) 344。
可通過選擇上文描述的變量中的 一者或 一者以上來描述真空體系。一 個真空體系(泵模式l)可選擇為原子束產(chǎn)生期間的開始點，且替代真空體系 (泵模式2)用于分子束產(chǎn)生。這可以用于設(shè)定一配方中定義的值?；蛘?，可 將氣體組分的總真空壓力或部分壓力設(shè)定為所選值。所述值可對應(yīng)于如由 真空計334測量的總壓力，所述真空計334安裝在源外殼上或其它地方(例 如，泵前級線(pump foreline) 336)。在源外殼中將可能的典型操作壓力下，計 334可為離子化計(例如，冷陰極或熱陰極)，其將測量源外殼中的總壓力。或 者，例如四極(quadrupole)質(zhì)譜儀或飛行時間質(zhì)譜儀等設(shè)備可用于測量殘 余真空中存在的不同種類的部分壓力。從壓力測量儀器中的一者或一者以 上產(chǎn)生的反饋信號可用于改變上文列舉的參數(shù)中的一者或一者以上以控制 真空體系。反饋信號可與氣體成分中的一者或一者以上(例如，氫)的總壓 力或部分壓力有關(guān)，但可以是任何其它種類部分壓力，或多個種類的部分 壓力之和。
可基于束電流測量來改變真空壓力。束電流可來自用作劑量測定系統(tǒng) 的一部分的法拉第或其它^f僉測器?；蛘撸ɡ诳稍谑€中的其它地方，例 如緊接在質(zhì)量分析》茲體之后。所測量的質(zhì)量可以是待植入的分子，或可以 是可已知與植入的束電流有關(guān)的另 一分子碎片。來自束電流檢測器的反饋 信號可用于控制真空壓力以使束電流最大化，或?qū)⑵湫薷臑樗柚怠?br> 轉(zhuǎn)向圖4，其是說明依據(jù)正產(chǎn)生原子束還是分子束來控制離子束源外殼 內(nèi)的壓力的一個實施例的流程圖。在步驟402中，確定將產(chǎn)生原子束還是分 子束。所述確定可基于用戶輸入或可基于受控操作。如果將產(chǎn)生原子束，那 么操作移動到步驟404。在步驟404中，束線離子植入器經(jīng)配置以使用原子 源產(chǎn)生束。在配置束線離子植入器以使用原子束源產(chǎn)生束時，控制器220根據(jù)對 應(yīng)于原子束源的真空體系來控制抽吸系統(tǒng)202。由控制器220使用以針對原 子束源控制抽吸系統(tǒng)202的值可由用戶輸入或從存儲在耦合到控制器220 的存儲器中的值導出。 一旦原子束產(chǎn)生已開始，且控制器220 (在步驟406 中)根據(jù)反饋信號(例如，上文論述的壓力或束電流反饋信號)持續(xù)改變抽吸 系統(tǒng)。
在步驟408中，控制器220確定原子束產(chǎn)生將繼續(xù)、結(jié)束還是切換到 分子束產(chǎn)生。如果在步驟408中，控制器220確定原子束產(chǎn)生將繼續(xù)，那么 操作返回到步驟406。然而，如果控制器220確定原子束產(chǎn)生將結(jié)束，那么 泵控制操作結(jié)束。如果控制器22G確定原子束產(chǎn)生將切換到分子束產(chǎn)生，那 么才喿作轉(zhuǎn)移到步驟410。步-驟410、 412和414以與分別在步驟404、 406和 408中描述的4喿作類似的方式操作，因此將省略對其的描述。
在此點處，應(yīng)注意，如上文描述的根據(jù)本發(fā)明的具有雙抽吸才莫式的離 子植入裝置通常(在某種程度上)涉及處理輸入數(shù)據(jù)和產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)。此輸 入數(shù)據(jù)處理和輸出數(shù)據(jù)產(chǎn)生可在硬件或軟件中實施。舉例來說，可在具有 雙抽吸模式的離子植入裝置中使用特定電子組件，或者用于實施與如上文 描述的根據(jù)本發(fā)明控制對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束種類的離子束源外殼內(nèi)的壓 力相關(guān)聯(lián)的功能的類似或相關(guān)電路?；蛘?，根據(jù)所存儲指令操作的一個或 一個以上處理器可實施與如上文描述的根據(jù)本發(fā)明的具有雙抽吸模式的離 子植入裝置相關(guān)聯(lián)的功能。如果情況如此，那么此類指令可存儲在一個或一 個以上處理器可讀載體(例如，磁盤或其它存儲媒體)上或經(jīng)由一個或一個 以上載波中包含的一個或一個以上信號傳輸?shù)揭粋€或一個以上處理器，是 在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
本發(fā)明不應(yīng)由于本文描述的特定實施例而在范圍上受到限制。事實上，所 屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員從以上描述內(nèi)容和附圖中將了解(除本文描述的那 些夕卜)本發(fā)明的其它各種實施例和對本發(fā)明的修改。因此，此類其它實施例 和修改希望落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，盡管本文已出于特定目的在特定 環(huán)境中的特定實施方案的上下文中描述本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人 員將了解，其有用性不限于此，且本發(fā)明可有益地出于任何數(shù)目的目的在 任何數(shù)目的環(huán)境中實施。因此，所附權(quán)利要求書應(yīng)根據(jù)如本文描述的本發(fā) 明的完全廣度和精神來解釋。
10
權(quán)利要求
1、一種離子植入設(shè)備，用于控制對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束種類的離子束源外殼內(nèi)的壓力，其包括離子束源外殼，其包括用于離子束產(chǎn)生的多個種類；抽吸區(qū)段，用于從所述離子束源外殼排放氣體；以及控制器，用于根據(jù)對應(yīng)于用于離子束產(chǎn)生的所述多個種類中的一種類的抽吸參數(shù)來控制所述抽吸區(qū)段。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入設(shè)備，其中所述離子植入設(shè)備進一 步包括壓力測量單元，其用于產(chǎn)生對應(yīng)于所述離子束源外殼內(nèi)的壓力的電壓 力信號，其中所述控制器基于所述電壓力信號調(diào)節(jié)所述抽吸區(qū)段的操作。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子植入設(shè)備，其中所述壓力測量單元測量 所述離子束源外殼中的總壓力。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子植入設(shè)備，其中所述壓力測量單元測量 所述離子束源外殼中的一個或一個以上氣體成分的部分壓力。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入設(shè)備，其中所述離子植入設(shè)備進一 步包括束電流測量單元，其用于產(chǎn)生對應(yīng)于所述產(chǎn)生的離子束的束電流的電 束電流信號，其中所述控制器基于所述電束電流信號調(diào)節(jié)所述抽吸區(qū)段的操作。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入設(shè)備，其中所述多個種類包括至少一分子和一原子種類。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入設(shè)備，其中當接收到指示用于離子 束產(chǎn)生的所述種類到另 一種類的切換的信號時，所述控制器根據(jù)對應(yīng)于所 述另 一種類的抽吸參數(shù)來控制所述抽吸區(qū)段。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入設(shè)備，其中所述控制器通過調(diào)節(jié)抽 吸速率、壓載氣體的添加和可變閥中的任何數(shù)目來控制所述抽吸區(qū)IS:。
9 、 一種控制對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束種類的離子束源外殼內(nèi)的壓力的方 法，其包括在離子束源外殼內(nèi)使用多個種類中的 一者產(chǎn)生離子束； 使用抽吸區(qū)段從所述離子束源外殼排放氣體；以及 根據(jù)對應(yīng)于用于離子束產(chǎn)生的所述多個種類中的所述種類的抽吸參數(shù) 來控制所述抽吸區(qū)段。
10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進一步包括通過壓力測量單元產(chǎn)生對應(yīng)于所述離子束源外殼內(nèi)的壓力的電壓力信—，其中所述控制器基于所述電壓力信號調(diào)節(jié)所述抽吸區(qū)段的操作。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述壓力測量單元測量所述離子束源外殼中的總壓力。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述壓力測量單元測量所述離 子束源外殼中的一個或一個以上氣體成分的部分壓力。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述離子植入設(shè)備進一步包括 通過束電流測量單元產(chǎn)生對應(yīng)于所述產(chǎn)生的離子束的束電流的電束電流信號，其中所述控制器基于所述電束電流信號調(diào)節(jié)所述抽吸區(qū)段的操作。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個種類包括至少一分子 和一原子種類。
15、 才艮據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中當接收到指示用于離子束產(chǎn)生 的所述種類到另 一種類的切換的信號時，所述控制器根據(jù)對應(yīng)于所述另一 種類的抽吸參數(shù)來控制所述抽吸區(qū)段。
16、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述控制器通過調(diào)節(jié)抽吸速率、壓 載氣體的添加和可變閥中的任何^:目來控制所述抽吸區(qū)H
17、 至少一種處理器可讀載體，其用于存儲具有指令的計算機程序，所 述指令經(jīng)配置以可由至少一個處理器讀取以便指示所述至少一個處理器執(zhí) 行用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法的計算機過程。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種用于產(chǎn)生原子或分子離子束的具有雙抽吸模式的離子植入裝置及其方法。在一個特定示范性實施例中，提供一種離子植入設(shè)備，其用于控制對應(yīng)于所產(chǎn)生的離子束種類的離子束源外殼內(nèi)的壓力。離子植入設(shè)備可包含離子束源外殼，其包括用于離子束產(chǎn)生的多個種類。還可包含抽吸區(qū)段，用于從離子束源外殼排放氣體?？蛇M一步包含控制器，用于根據(jù)對應(yīng)于用于離子束產(chǎn)生的多個種類中的一種類的抽吸參數(shù)來控制抽吸區(qū)段。
文檔編號H01J27/02GK101584018SQ200780049119
公開日2009年11月18日 申請日期2007年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月8日
發(fā)明者喬納森·吉羅德·英格蘭, 克里斯多夫·R·漢特曼, 杰·湯瑪斯·舒爾, 約瑟·C·歐爾森 申請人:瓦里安半導體設(shè)備公司