專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板及其制造方法。
技術(shù)背景作為平面型的顯示裝置，正在使具有等離子體顯示面板(PDP:Plasma Display Panel)的等離子體顯示裝置實(shí)用化，與顯示數(shù)據(jù) 對(duì)應(yīng)地使畫面上的像素發(fā)光。在面放電型的等離子體顯示面板中，在 前面玻璃基板的內(nèi)面上形成多個(gè)面放電用電極，該面放電用電極被電 介質(zhì)層和保護(hù)層覆蓋。在背面玻璃基板的內(nèi)面上形成隔離壁，并且形 成在隔離壁之間涂敷有作為3原色的紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B) 的熒光體的熒光體層。面放電型的等離子體顯示面板形成將該前面玻 璃基板和背面玻璃基板密封起來(lái)，在其內(nèi)部封入稀有氣體的構(gòu)造。面 放電型的等離子體顯示面板，通過(guò)當(dāng)在面放電用電極之間加上規(guī)定電 壓時(shí)在由隔離壁形成的放電單元內(nèi)引起面放電，由因此發(fā)生的紫外線 激發(fā)各熒光體使其發(fā)光，進(jìn)行彩色圖像顯示。作為提高等離子體顯示面板中的發(fā)光效率的方法，存在擴(kuò)大放電 空間的方法。為了維持圖像分辨率等的圖像品質(zhì)同時(shí)擴(kuò)大放電空間， 必須增加隔離壁的高度，但是當(dāng)單純地增加隔離壁的高度時(shí)，存在發(fā) 生形狀不均勻和隔離壁缺口、隔離壁倒塌等的強(qiáng)度問(wèn)題。作為增加隔離壁高度的方法，可以考慮使隔離壁具有2層構(gòu)造。 當(dāng)使隔離壁具有2層構(gòu)造時(shí)，在用噴砂法形成隔離壁的過(guò)程中，用切 削速率大的材料構(gòu)成2層構(gòu)造的隔離壁的上層部分，用切削速率小的 材料構(gòu)成下層部分，防止隔離壁的破損(請(qǐng)參照專利文獻(xiàn)1)。另外， 由光透過(guò)層構(gòu)成2層構(gòu)造的隔離壁的上層，由光反射層構(gòu)成下層，達(dá) 到提高發(fā)光效率的目的(請(qǐng)參照專利文獻(xiàn)2)。[專利文獻(xiàn)l]日本特開2002-63849號(hào)專利公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]日本特開2002-298743號(hào)專利公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容但是，在上述專利文獻(xiàn)1記載的方法中，因?yàn)橛们邢魉俾蚀蟮牟?料構(gòu)成上層部分，當(dāng)用噴砂法加工用切削速率小的材料構(gòu)成下層部分 時(shí)，存在著上層部分也被切削而變薄那樣的問(wèn)題。在只用現(xiàn)在的噴砂 法進(jìn)行的加工中，對(duì)能夠形成的隔離壁高度存在界限。本發(fā)明的目的是增加隔離壁的高度，擴(kuò)大放電空間，提高等離子 體顯示面板的發(fā)光效率。本發(fā)明的等離子體顯示面板是將放電氣體封入到前面?zhèn)然搴捅?面?zhèn)然宓南鄬?duì)間隙中，在單方的基板的內(nèi)面上配置有將氣體封入空 間劃分成放電單元排列的隔離壁的等離子體顯示面板，其特征是上述 隔離壁由上層隔離壁和下層隔離壁構(gòu)成，由對(duì)刻蝕的耐性相互不同的 隔離壁材料構(gòu)成上層隔離壁和下層隔離壁。本發(fā)明的等離子體顯示面板的制造方法是將放電氣體封入到前面 側(cè)基板和背面?zhèn)然宓南鄬?duì)間隙中，在單方的基板的內(nèi)面上配置有將 氣體封入空間劃分成放電單元排列的隔離壁的等離子體顯示面板的制 造方法，其特征是當(dāng)形成上述隔離壁時(shí)，包含在形成于上述單方的基 板的內(nèi)面上形成的電介質(zhì)層上，形成對(duì)于第1刻蝕具有耐性的第1隔離壁材料膜的工序；在上述第1隔離壁材料膜上形成對(duì)第2刻蝕具有 耐性的第2隔離壁材料膜的工序；在上述第2隔離壁材料膜上形成抗 蝕劑圖案的工序；將上述抗蝕劑圖案作為掩模，利用第1刻蝕對(duì)上述 第2隔離壁材料膜進(jìn)行加工，并形成隔離壁的上層的工序；和利用用 第2刻蝕對(duì)上述第1隔離壁材料膜進(jìn)行加工，并形成隔離壁的下層的 工序。如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)闃?gòu)成上層隔離壁和下層隔離壁的隔離壁 材料對(duì)刻蝕的耐性不同，所以當(dāng)形成下層隔離壁時(shí)能夠?qū)ι蠈痈綦x壁 不施加影響地形成品質(zhì)良好的高的隔離壁，擴(kuò)大放電空間。因此，能 夠提高等離子體顯示面板的發(fā)光效率。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的構(gòu)成例的 分解立體圖。 圖2是以工序的順序表示本實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的制 造方法的概略剖面圖。圖3是用于說(shuō)明本實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的顯示光的圖。圖4是表示本實(shí)施方式中的等離子體顯示裝置的構(gòu)成例的圖。圖5是表示本實(shí)施方式中的等離子體顯示裝置的灰度等級(jí)驅(qū)動(dòng)順序的一個(gè)例子的圖。 標(biāo)號(hào)說(shuō)明1等離子體顯示面板2 X驅(qū)動(dòng)電路 3掃描驅(qū)動(dòng)器 4 Y驅(qū)動(dòng)電路 5地址驅(qū)動(dòng)電路 6控制電路10 前面玻璃基板11 維持電極(X電極)12 掃描電極(Y電極) 13、 17電介質(zhì)層14 保護(hù)層15 背面玻璃基板16R、 16G、 16B 地址電極18 隔離壁18a下層隔離壁18b上層隔離壁19R、 19G、 19B 熒光體層具體實(shí)施方式
下面，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的構(gòu)成 例的分解立體圖。在前面玻璃基板10上平行且交互配置并形成有進(jìn)行維持放電的X 電極(維持電極)ll和Y電極(掃描電極)12。在其上覆蓋由低熔點(diǎn)
玻璃等構(gòu)成的電介質(zhì)層13。進(jìn)一步，在其上覆蓋有MgO (氧化鎂)保 護(hù)層14。即，配置在前面玻璃基板10上的X電極11和Y電極12由 電介質(zhì)層13覆蓋，進(jìn)一步，其表面由保護(hù)層14覆蓋。另外，在與前面玻璃基板10相對(duì)配置的背面玻璃基板15上，在 與X電極11和Y電極12垂直的方向(相交地)上形成有地址電極16R、 16G、 16B。在地址電極16R、 16G、 16B上，覆蓋有電介質(zhì)層17。進(jìn) 一步在其上，覆蓋有熒光體19R、 19G、 19B。在地址電極16R、 16G、 16B的兩側(cè)配置有用于區(qū)分列方向的單元的隔離壁(肋)18。在本實(shí) 施方式中，隔離壁18具有由下層隔離壁18a和上層隔離壁18b構(gòu)成的 2層構(gòu)造，形成下層隔離壁18a的隔離壁形成材料和形成上層隔離壁 18b的隔離壁形成材料對(duì)化學(xué)刻蝕的耐性不同。在隔離壁18的內(nèi)面(側(cè)壁)上，按照每種顏色排列、涂敷有由紫 外線激發(fā)發(fā)出紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的可見(jiàn)光的熒光體 19R、 19G、 19B。詳細(xì)地說(shuō)，在地址電極16R的上方形成發(fā)出紅色光 的熒光體層19R，在地址電極16G的上方形成發(fā)出綠色光的熒光體層 19G，在地址電極16B的上方形成發(fā)出藍(lán)色光的熒光體層19B。換句話 說(shuō)，以與涂敷在隔離壁18的內(nèi)面上的紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體層19R、 19G、 19B對(duì)應(yīng)的方式配置有地址電極16R、 16G、 16B。艮口，配置在背面玻璃基板15上的地址電極16R、 16G、 16B由電 介質(zhì)層17覆蓋，在地址電極16R、 16G、 16B的兩側(cè)配置有，由下層 部分18a和上層部分18b構(gòu)成，劃分放電單元的隔離壁18。在地址電 極16R、 16G、 16B上的電介質(zhì)層17的上面和隔離壁18的側(cè)壁上與放 電單元對(duì)應(yīng)地涂敷有熒光體層19R、 19G、 19B。由X電極11和Y電 極12之間的放電激發(fā)熒光體19R、 19G、 19B發(fā)出各色光。以連接保護(hù)層14和隔離壁18的方式將前面玻璃基板10和背面玻 璃基板15密封起來(lái)，在其內(nèi)部(前面玻璃基板10和背面玻璃基板15 之間的放電空間)中以大約66.4kPa (500Torr)的壓力封入Ne-Xe等的放電氣體，構(gòu)成等離子體顯示面板。此外，除了用于區(qū)分列方向的單元的隔離壁18外，進(jìn)一步也可以 配置用于在與地址電極16R、 16G、 16B相交的方向上區(qū)分行方向的單 元的橫隔離壁。
下面，我們說(shuō)明本實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的制造方法。 圖2是以工序的順序表示本實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的制造方 法的概略剖面圖，只表示了背面?zhèn)然?。首先，如圖2 (a)所示，在背面玻璃基板15上形成地址電極材料 膜21 (成膜)。進(jìn)一步，在地址電極材料膜21上形成地址膜，經(jīng)由掩 膜進(jìn)行曝光并顯影形成用于形成地址電極的抗蝕劑圖案22。其次，在 將抗蝕劑圖案22作為掩膜，用化學(xué)刻蝕除去除了與地址電極對(duì)應(yīng)的部 位的地址電極材料膜21后，除去抗蝕劑膜。因此，如圖2 (b)所示， 在背面玻璃基板15上形成地址電極16。接著，如圖2 (c)所示，以 覆蓋地址電極16的方式在地址電極16上形成電介質(zhì)層17。其次，如圖2 (d)所示，在電介質(zhì)層17上涂敷構(gòu)成下層隔離壁的 下層隔離壁形成材料，形成下層隔離壁材料膜23，如圖2 (e)所示， 在下層隔離壁材料膜23上涂敷構(gòu)成上層隔離壁的上層隔離壁形成材 料，形成上層隔離壁材料膜24。進(jìn)一步，在上層隔離壁材料膜24上形 成抗蝕劑膜，經(jīng)由掩膜進(jìn)行曝光并顯影形成用于形成隔離壁的抗蝕劑 圖案25。這里，作為下層隔離壁形成材料，可以用在二氧化硅(Si02)中 加入氧化鋁的材料，作為上層隔離壁形成材料，可以用低熔點(diǎn)玻璃(在 由乙基纖維素(ethyl cellulose)、有機(jī)粘合劑、有機(jī)溶劑等構(gòu)成的有機(jī) 物質(zhì)中加入分散材料并混合氧化鉛(PbO)、用于使構(gòu)造體強(qiáng)固的氧化 鋁(A1203)、氧化鋯(Zr02)等的強(qiáng)固材料)。下面，通過(guò)將抗蝕劑圖案25作為掩膜，用噴砂法將上層隔離壁材 料膜24刻蝕(切削)成隔離壁形狀，如圖2 (f)所示，在下層隔離壁 材料膜23上形成上層隔離壁18b。接著，將上層隔離壁18b作為掩膜， 用化學(xué)刻蝕將下層隔離壁材料膜23刻蝕成隔離壁形狀，如圖2 (g)所 示，在上層隔離壁18b下形成下層隔離壁18a。此外，因?yàn)橛脤?duì)化學(xué)刻 蝕的耐性與下層隔離壁材料不同的材料構(gòu)成上層隔離壁18b，上層隔離 壁18b具有對(duì)形成下層隔離壁18a時(shí)的化學(xué)刻蝕的耐性，所以上層隔 離壁18b不受化學(xué)刻蝕的影響。另外，電介質(zhì)層17在該刻蝕時(shí)作為刻 蝕的停止層起作用，保護(hù)地址電極、玻璃基板的表面。 通過(guò)如上所述形成由下層隔離壁18a和上層隔離壁18b構(gòu)成的2 層構(gòu)造的隔離壁18，能夠使隔離壁18的高度成為在可以用噴砂法形成 的上層隔離壁18b的高度上加上下層隔離壁18a的高度得到的高度， 能夠不損害品質(zhì)地形成比己有技術(shù)高的隔離壁，擴(kuò)大放電空間。所以， 能夠提高等離子體顯示面板的發(fā)光效率。此外， 一般地說(shuō)，因?yàn)樾纬筛綦x壁時(shí)的切削速度，噴砂法比化學(xué) 刻蝕大，所以優(yōu)選下層隔離壁18a的高度比上層隔離壁18b的高度低。另外，在上述說(shuō)明中，用噴砂法形成上層隔離壁18b，用化學(xué)刻蝕 形成下層隔離壁18a，但是也可以用對(duì)化學(xué)刻蝕的耐性相反的材料作為 上層隔離壁18b和下層隔離壁18a的隔離壁形成材料，都用化學(xué)刻蝕 形成上層隔離壁18b和下層隔離壁18a。另外，當(dāng)加工下層隔離壁18a時(shí)，對(duì)上層隔離壁18b不施加影響 即可，至少上層隔離壁18b的隔離壁形成材料對(duì)形成下層隔離壁18a 時(shí)的刻蝕具有耐性即可，但是優(yōu)選下層隔離壁18a的隔離壁形成材料， 以當(dāng)加工上層隔離壁18b時(shí)不切削下層隔離壁18a的方式，對(duì)形成上 層隔離壁18b時(shí)的刻蝕具有耐性。另外，在上述說(shuō)明中，表示了用低熔點(diǎn)玻璃作為上層隔離壁形成 材料，用在二氧化硅中加入氧化鋁的材料作為下層隔離壁形成材料的 例子，但是隔離壁形成材料不限定于此。例如，也可以用低熔點(diǎn)玻璃作為上層隔離壁形成材料，用鋁(Al) 或銅(Cu)作為用下層隔離壁形成材料構(gòu)成隔離壁。當(dāng)這樣構(gòu)成時(shí)， 上層隔離壁18b成為具有光透過(guò)性的光透過(guò)層，下層隔離壁18a成為 反射光的光反射層，如圖3 (b)所示，反射由熒光體層19發(fā)光的光，能夠進(jìn)一步提高發(fā)光效率。圖3 (a) 、 (b)是用于說(shuō)明用低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成上層隔離壁18b，用鋁或銅構(gòu)成下層隔離壁18a的等離子體顯示面板的顯示光的圖。在 該圖3 (a) 、 (b)中，在與圖l所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素上附 加相同的標(biāo)號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。圖3 (a) 、 (b)表示隔離壁18對(duì) 在等離子體顯示面板1的內(nèi)部發(fā)生的光的作用。等離子體顯示面板1中的發(fā)光是通過(guò)利用放電生成的紫外線進(jìn)行 紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體激發(fā)發(fā)光。如圖3 (a)所示，從熒光體發(fā)
射的光分成在熒光體的表層附近發(fā)光并朝向前面(面玻璃基板側(cè))的 光31和在熒光體的表層附近發(fā)光并朝向熒光體層的里側(cè)(背面玻璃基板15側(cè)等)的光32。朝向熒光體層的里側(cè)的光32由下層隔離壁18a反射。S卩，如圖3 (b)所示，存在由下層隔離壁18a反射并朝向前面的光35和透過(guò)上 層隔離壁18b由下層隔離壁18a反射并朝向前面的光34。另外，也可以通過(guò)用包含氧化鈦等的電介質(zhì)形成電介質(zhì)層17，使 電介質(zhì)層17具有光反射性，可由電介質(zhì)層17反射朝向熒光體層的里 側(cè)的光32。在此情況下，如圖3 (b)所示，也存在由電介質(zhì)層17反 射并朝向前面的光33。等離子體顯示面板1的顯示光，如圖3 (b)所示，由在熒光體的 表層附近發(fā)光并朝向前面的光31、行進(jìn)到熒光體層的里側(cè)由下層隔離 壁18a反射并朝向前面的光35、透過(guò)上層隔離壁18b由下層隔離壁18a 反射并朝向前面的光34、和由電介質(zhì)層17反射并朝向前面的光33的 總和決定。此外，用于使下層隔離壁18a為光反射層的下層隔離壁形成材料， 不限定于鋁或銅，只要是具有光反射性的材料即可。圖4是表示具有本實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的等離子體顯 示裝置的構(gòu)成例的圖。本實(shí)施方式中的等離子體顯示裝置具有等離子 體顯示面板l、 X驅(qū)動(dòng)電路2、掃描驅(qū)動(dòng)器3、 Y驅(qū)動(dòng)電路4、地址驅(qū) 動(dòng)電路5和控制電路6。X驅(qū)動(dòng)電路2由反復(fù)進(jìn)行維持放電的電路構(gòu)成，將規(guī)定電壓供給 多個(gè)X電極(維持電極)XI、 X2.....。下面，將X電極XI、 X2..… 中的各個(gè)或它們的總稱稱為X電極Xi， i表示添加字。掃描驅(qū)動(dòng)器3由通過(guò)線順次掃描選擇應(yīng)該顯示的行的電路構(gòu)成，Y 驅(qū)動(dòng)電路4由反復(fù)進(jìn)行維持放電的電路構(gòu)成。掃描驅(qū)動(dòng)器3和Y驅(qū)動(dòng) 電路4將規(guī)定電壓供給多個(gè)Y電極(掃描電極)Yl、 Y2.....。下面， 將Y電極Y1、 Y2.....中的各個(gè)或它們的總稱稱為Y電極Yi， i表示添 加字。
地址驅(qū)動(dòng)電路5由選擇應(yīng)該顯示的列的電路構(gòu)成，將規(guī)定電壓供給至多個(gè)地址電極A1、 A2.....。下面，將地址電極A1、 A2.....中的各 個(gè)或它們的總稱稱為地址電極Aj， j表示添加字?？刂齐娐?，根據(jù)從TV調(diào)諧器和計(jì)算機(jī)等的外部裝置輸入的顯示 數(shù)據(jù)、時(shí)鐘信號(hào)、水平同步信號(hào)和垂直同步信號(hào)等生成控制信號(hào)?？?制電路6，將生成的控制信號(hào)供給X驅(qū)動(dòng)電路2、掃描驅(qū)動(dòng)器3、 Y驅(qū) 動(dòng)電路4和地址驅(qū)動(dòng)電路5，并控制這些驅(qū)動(dòng)電路2 5。X電極Xi、 Y電極Yi和地址電極Aj分別與圖1所示的X電極11 、 Y電極12、地址電極16 (16R、 16G、 16B)對(duì)應(yīng)。在等離子體顯示面 板1中，Y電極Yi和X電極Xi形成沿水平方向并列延伸的行，地址 電極Aj形成沿垂直方向延伸的列。Y電極Yi和X電極Xi交替配置在 垂直方向上構(gòu)成顯示行。即，Y電極Yi和X電極Xi相互平行配置。 Y電極Yi和地址電極Aj形成i行j列的二維矩陣。放電單元Cij由Y電極Yi和地址電極Aj的交點(diǎn)以及與它們對(duì)應(yīng) 地鄰接的X電極Xi形成。該單元Cij與紅色、綠色、藍(lán)色的子像素對(duì) 應(yīng)，由3色子像素構(gòu)成1個(gè)像素。面板1利用二維排列的多個(gè)像素的 點(diǎn)亮而顯示圖像。通過(guò)由掃描驅(qū)動(dòng)器3和地址驅(qū)動(dòng)電路5決定點(diǎn)亮哪 個(gè)單元，由X驅(qū)動(dòng)電路2和Y驅(qū)動(dòng)電路4反復(fù)進(jìn)行放電，從而，進(jìn)行在等離子體顯示裝置上的顯示動(dòng)作。艮口，掃描驅(qū)動(dòng)器3，在地址期間(地址過(guò)程)中，在Y電極Yi上 順次地施加掃描脈沖而選擇Y電極Yi (顯示行)，在與地址驅(qū)動(dòng)電路 5連接的地址電極Aj和各Y電極Yi之間生成選擇單元點(diǎn)亮(發(fā)光)/ 不點(diǎn)亮(不發(fā)光)的地址放電。另外，X驅(qū)動(dòng)電路2和Y驅(qū)動(dòng)電路4， 在維持期間(顯示過(guò)程)中，對(duì)由地址放電選擇的單元生成與各子半 幀(subfieW)的權(quán)重相應(yīng)的數(shù)量的維持放電。下面對(duì)本實(shí)施方式中的等離子體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。 圖5是表示本實(shí)施方式中的等離子體顯示裝置的灰度等級(jí)驅(qū)動(dòng)順 序的一個(gè)例子的圖。在本實(shí)施方式中，例如由60半幀/秒形成圖像。1 個(gè)半幀由分別具有規(guī)定亮度權(quán)重的多個(gè)子半幀構(gòu)成，通過(guò)各子半幀的 組合進(jìn)行所要的灰度等級(jí)顯示。 例如，在圖5所示的例子中，l個(gè)半幀由具有2的冪次方的亮度權(quán)重的8個(gè)子半幀(第1子半幀SF1、第2子半幀SF2........第8子半幀SF8)形成。第1 第8子半幀SF1 SF8的維持放電的次數(shù)比為 1:2:4:8:16:32:64:128，可以進(jìn)行256個(gè)灰度等級(jí)的顯示。此外，可以對(duì) 子半幀的數(shù)量和各子半幀的權(quán)重進(jìn)行多種組合。另外，各子半幀SF1 SF8由使構(gòu)成顯示畫面的全部單元的壁電荷 均勻的重置期間(初始化過(guò)程)TR、選擇點(diǎn)亮單元的地址期間(地址 過(guò)程)TA、和使被選擇的單元只放電(點(diǎn)亮)與亮度(各子半幀的權(quán) 重)相應(yīng)的次數(shù)的持續(xù)(維持)放電期間(顯示過(guò)程)TS構(gòu)成。在重置期間TR中，在構(gòu)成全部顯示行的X電極Xi和Y電極Yi 上施加規(guī)定電壓，使在全部單元Cij中發(fā)生重置放電而進(jìn)行初始化。在地址期間TA中，根據(jù)地址指定進(jìn)行各單元Cij的發(fā)光或不發(fā)光 的選擇。在地址期間TA中，在對(duì)Y電極Y1、 Y2、......順次掃描而施加掃描脈沖，通過(guò)與該掃描脈沖對(duì)應(yīng)地將地址脈沖施加在所選擇的地 址電極Aj上，而使應(yīng)該發(fā)光的單元Cij發(fā)生地址放電。具體地說(shuō)，當(dāng) 與掃描脈沖對(duì)應(yīng)地生成地址脈沖時(shí)，在地址電極Aj和Y電極Yi之間 發(fā)生地址放電，將其作為火種在X電極Xi和Y電極Yi之間引起放電。 由此，在X電極Xi上積蓄起負(fù)電荷并且在Y電極Yi上積蓄起正電荷， 結(jié)果在該選擇單元中形成可以在下一個(gè)維持期間TS中進(jìn)行維持放電 的壁電荷量。在維持期間TS中，在X電極Xi和Y電極Yi間加上相互反相的 維持脈沖，在地址期間TA中在所選擇的單元的X電極Xi和Y電極 Yi間進(jìn)行維持放電，而進(jìn)行發(fā)光。在圖6所示的各子半幀SF1 SF8 中，施加在X電極Xi和Y電極Yi上的維持脈沖數(shù)(各維持脈沖中的 發(fā)光次數(shù))不同。所以，對(duì)于各顯示單元Cij，通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇子半幀 SF1 SF8中的發(fā)光和不發(fā)光，能夠決定灰度等級(jí)值。此外，在上述實(shí)施方式中，作為一個(gè)例子表示了隔離壁18具有2 層構(gòu)造的情形，但是不限定于此。也可以隔離壁18具有由多層構(gòu)成的 多層構(gòu)造，隔離壁的上層部分和下層部分對(duì)刻蝕的耐性不同。
另外，本發(fā)明，能夠適用于多種形式的等離子體顯示裝置，例如， 可以廣泛地適用于用作個(gè)人計(jì)算機(jī)和工作站等的顯示裝置、平面型的 壁掛顯示器或者用于顯示廣告和信息等的裝置的等離子體顯示裝置。此外，上述實(shí)施方式，無(wú)論哪一個(gè)都只是表示實(shí)施本發(fā)明的一個(gè) 實(shí)在的具體化例子，不應(yīng)該根據(jù)這些實(shí)施方式限定地解釋本發(fā)明的技 術(shù)范圍。即，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想或其主要特征的條件下，能 夠以多種形式實(shí)施本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，其特征在于將放電氣體封入到前面?zhèn)然搴捅趁鎮(zhèn)然宓南鄬?duì)間隙中，在單方的基板的內(nèi)面上配置有將氣體封入空間劃分成放電單元排列的隔離壁，其特征在于所述隔離壁由上層隔離壁和下層隔離壁構(gòu)成，由對(duì)刻蝕的耐性相互不同的隔離壁材料構(gòu)成上層隔離壁和下層隔離壁。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述上層隔離壁由對(duì)于形成所述下層隔離壁的刻蝕具有耐性的隔離壁材料構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述上層隔離壁是光透過(guò)層，所述下層隔離壁是光反射層。
4. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述上層隔離壁由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成，所述下層隔離壁由鋁或銅構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板，其特征在于 在所述前面?zhèn)然宓膬?nèi)面上設(shè)置有，發(fā)生面放電的多個(gè)電極、和覆蓋它的第1電介質(zhì)層，在所述背面?zhèn)然迳显O(shè)置有，在與所述面放 電用的電極相交的方向上排列并發(fā)生地址放電的多個(gè)地址電極、和覆 蓋它的具有光反射性的第2電介質(zhì)層，所述隔離壁設(shè)置在所述第2電 介質(zhì)層上。
6. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其特征在于-在所述前面?zhèn)然宓膬?nèi)面上設(shè)置有，發(fā)生面放電的多個(gè)電極、和 覆蓋它的第1電介質(zhì)層，在所述背面?zhèn)然迳显O(shè)置有，在與所述面放 電用的電極相交的方向上排列并發(fā)生地址放電的多個(gè)地址電極、和覆蓋它的第2電介質(zhì)層，所述隔離壁設(shè)置在所述第2電介質(zhì)層上。
7. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述第2電介質(zhì)層具有光反射性。
8. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 通過(guò)噴砂形成所述上層隔離壁，通過(guò)化學(xué)刻蝕形成所述下層隔離壁。
9. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述上層隔離壁是光透過(guò)層，所述下層隔離壁是光反射層。
10. 如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述上層隔離壁由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成，所述下層隔離壁由鋁或銅構(gòu)成。
11. 如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其特征在于 在所述前面?zhèn)然宓膬?nèi)面上設(shè)置有，發(fā)生面放電的多個(gè)電極、和覆蓋它的第1電介質(zhì)層，在所述背面?zhèn)然迳显O(shè)置有，在與所述面放 電用的電極相交的方向上排列并發(fā)生地址放電的多個(gè)地址電極、和覆蓋它的具有光反射性的第2電介質(zhì)層，所述隔離壁設(shè)置在所述第2電介質(zhì)層上。
12. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 在所述前面?zhèn)然宓膬?nèi)面上設(shè)置有，發(fā)生面放電的多個(gè)電極、和覆蓋它的第1電介質(zhì)層，在所述背面?zhèn)然迳显O(shè)置有，在與所述面放 電用的電極相交的方向上排列并發(fā)生地址放電的多個(gè)地址電極、和覆蓋它的第2電介質(zhì)層，所述隔離壁設(shè)置在所述第2電介質(zhì)層上。
13，如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其特征在于.-所述第2電介質(zhì)層具有光反射性。
14. 一種等離子體顯示面板的制造方法，是將放電氣體封入到前面 側(cè)基板和背面?zhèn)然宓南鄬?duì)間隙中，在單方的基板的內(nèi)面上配置有將 氣體封入空間劃分成放電單元排列的隔離壁的等離子體顯示面板的制 造方法，其特征在于在形成所述隔離壁時(shí)，包含，在形成于所述單方的基板的內(nèi)面上的電介質(zhì)層上，形成對(duì)于第1 刻蝕具有耐性的第1隔離壁材料膜的工序；在所述第1隔離壁材料膜上，形成對(duì)于第2刻蝕具有耐性的第2隔離壁材料膜的工序；在所述第2隔離壁材料膜上，形成抗蝕劑圖案的工序； 將所述抗蝕劑圖案作為掩模，利用第1刻蝕對(duì)所述第2隔離壁材料膜進(jìn)行加工，并形成隔離壁的上層的工序；和利用第2刻蝕對(duì)所述第1隔離壁材料膜進(jìn)行加工，并形成隔離壁的下層的工序。
15. 如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于所述第1刻蝕是噴砂，所述第2刻蝕是化學(xué)刻蝕。
16. 如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于所述第1和第2刻蝕均是化學(xué)刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明增加隔離壁的高度，擴(kuò)大放電空間，提高等離子體顯示面板的發(fā)光效率。在將放電氣體封入到前面?zhèn)然搴捅趁鎮(zhèn)然宓南鄬?duì)間隙中，在單方的基板的內(nèi)面上配置將氣體封入空間劃分成放電單元排列的隔離壁(18)的等離子體顯示面板中，隔離壁由上層隔離壁(18b)和下層隔離壁(18a)構(gòu)成，用對(duì)刻蝕的耐性相互不同的隔離壁材料構(gòu)成上層隔離壁(18b)和下層隔離壁(18a)，當(dāng)形成下層隔離壁時(shí)能夠?qū)ι蠈痈綦x壁不施加影響地形成高的隔離壁，擴(kuò)大放電空間。
文檔編號(hào)H01J11/24GK101154546SQ20071010297
公開日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者吉永隆史, 川崎龍彥 申請(qǐng)人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司