專利名稱：等離子顯示面板、顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于顯示器的電極埋置介電壁的制造方法，更特別地，涉及具有優(yōu)良的亮度和放電效率和用于埋置設置在放電單元以外的區(qū)域中的電極的介電壁的改進結構的等離子顯示面板、顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法和等離子顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法。
背景技術：
等離子顯示面板(PDP)最近已取代了常規(guī)的陰極射線管(CRT)顯示裝置。在PDP中，放電氣體被密封在上面形成多個放電電極的兩個襯底之間，放電電壓被施加，通過由放電電壓產生的紫外線以預定的圖案形成的磷光體被激發(fā)，由此獲得希望的圖像。
常規(guī)的AC表面放電型PDP包括前襯底、設置在前襯底上的保持電極、覆蓋保持電極的前介電層、覆蓋前介電層的保護層、與前襯底相對的后襯底、設置在后襯底上的相互平行的地址電極、覆蓋地址電極的后介電層、在后介電層上形成的阻擋肋(barrier rib)和在后介電層的頂面和阻擋肋的側面上形成的磷光體層。
但是，在常規(guī)的PDP中，保持電極、依次在保持電極上形成的前介電層和保護層存在于從放電空間中的磷光體層發(fā)射的可見光線穿過的前襯底上。由于這些因素，存在可見光線的透射率為約60％的問題。
另外，在放電空間的頂面上即在可見光線穿過的前襯底的內側表面上形成導致放電的保持電極，使得放電從前襯底的內側表面散開。因此，存在發(fā)光效率降低的固有問題。
為了解決該問題，如圖1所示，在韓國專利公開公報No.2005-0113533中公開的等離子顯示面板(PDP)10包括上阻擋肋40、和以相互分開并包圍放電單元50的方式被設置在上阻擋肋40中的上下放電電極43和44，該上阻擋肋40被設置在沿垂直方向相互分開的前襯底20和后襯底30之間，與前襯底20和后襯底30一起限定放電單元50，并由電介質形成。即，上阻擋肋40沿垂直方向被設置在相鄰的放電單元50之間(不在放電空間中)，并且上下放電電極43和44以相互分開的方式被設置在上阻擋肋40中。
這樣，各電極、前介電層和保護層不需要存在于前襯底20上，使得面板的孔徑比大大提高。另外，導致放電的上下放電電極43和44被設置在放電空間的側面上，使得放電面積增加且發(fā)光效率提高。保護層49可被施加到上阻擋肋40的側面上。
地址電極33、覆蓋地址電極33的后介電層35、在后介電層35上形成的下阻擋肋37和在后介電層35的頂面上以及在下阻擋肋37的側面上形成的磷光體層39被設置在后襯底30上。
在這種情況下，在現有技術中，由電介質形成的多個阻擋肋被層疊，使得形成具有上述結構的上阻擋肋40。即，如圖2所示，可以以第一阻擋壁部分40a、第二阻擋壁部分40b和第三阻擋壁部分40c被依次層疊在前襯底20的底面上的方式形成一個上阻擋肋40。在這種情況下，第一、第二和第三阻擋壁部分40a、40b和40c由電介質形成。
現在簡要說明上阻擋肋40的制造方法。在前襯底20的底面上形成第一阻擋壁部分40a。此后，以印刷的方式在第一阻擋壁部分40a上形成上放電電極43，然后形成第二阻擋壁部分40b以埋置上放電電極43。此后，以印刷的方式在第二阻擋壁部分40b上形成下放電電極44，然后形成第三阻擋壁部分40c以埋置下放電電極44，由此制造用于埋置上下放電電極43和44的上阻擋肋40。在這種情況下，為了分別形成上阻擋肋40的第一阻擋壁部分40a、第二阻擋壁部分40b和第三阻擋壁部分40c，應執(zhí)行以預定形狀對電介質糊劑進行構圖的操作，并且應在構圖操作中執(zhí)行焙燒，使得從電介質糊劑必要地去除樹脂成分。
但是，焙燒溫度超過500℃。由此，用于形成上阻擋肋40的材料的類型受到限制，使得上阻擋肋40可耐受焙燒溫度。即，上阻擋肋40的主要成分應為例如作為常規(guī)前介電層的材料的PbO、B2O3和SiO2等。這些材料具有8～12的介電常數。因此，上阻擋肋40需要以預定的厚度、例如80～120μm的較大的厚度形成，使得上阻擋肋40的導電率可被適當地設定。因此，上阻擋肋40的成本增加而放電空間減小。
另外，由于上下放電電極43和44是以印刷的方式制造的，因此電極寬度為約例如大于60μm，并因此限制電極寬度變小。另外，電極的厚度不能增加。
上阻擋肋40可以以板形狀被制造。在這種情況下，通過使用機鉆去除用于與放電空間對應的上阻擋肋40的原始材料的一部分，由此制造上阻擋肋40。使用機鉆使得制造時間增加而生產率降低。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供具有這樣一種結構的等離子顯示面板(PDP)，即，在這種結構中，被埋入具有增加的放電空間和較高的透光率的PDP的介電壁中的電極的高度以及埋置電極的介電層的厚度可被調整，并提供PDP的電極埋置介電壁的制造方法和顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法。
本發(fā)明還提供顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法，其中，電極和埋置電極的介電壁的制造工藝簡單、可靠性較高且制造成本降低，以及等離子顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法。
根據本發(fā)明的一個方面，提供一種等離子顯示面板，該等離子顯示面板包括前襯底；沿垂直方向與前襯底分開的后襯底；包含前放電電極和后放電電極的電極組，該前放電電極和后放電電極被設置在相互分開的前襯底和后襯底之間，以沿垂直方向相互對應；沿垂直方向被設置在前襯底和后襯底之間的絕緣層，該絕緣層被設置在前放電電極和后放電電極之間；包圍前放電電極和后放電電極的高介電層；放電單元，每個放電單元的至少一部分被高介電層包圍；設置在放電單元中的每一個中的磷光體層；和填充在放電單元中的放電氣體。
絕緣層可包含選自包含聚酰亞胺、FR-6和玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂的組的材料。
絕緣層可具有比高介電層大的抗壓縮性能。
高介電層可由具有2～4的介電常數和30～400V/μm的絕緣耐壓的材料形成并可具有0.1～0.5mm的厚度。
根據本發(fā)明的另一方面，提供一種電極埋置介電壁的制造方法，該介電壁用于通過沿垂直方向相互分開的襯底之間的放電空間中的放電實現圖像的顯示面板、并在其中以規(guī)則的間隔沿垂直方向埋置設置在沿垂直方向的襯底之間的至少兩個電極。該方法包括設置基板；在基板的至少一側形成由導電材料制成的電極籽層；在電極籽層上形成用于形成電極的抗蝕劑層；通過電鍍電極籽層在沒有形成抗蝕劑層的區(qū)域形成電極；去除基板上的抗蝕劑層和被設置在與抗蝕劑層相同的位置上的部分電極籽層；去除與放電空間對應的部分基板；和用電介質包圍電極。
抗蝕劑層可由光敏劑形成，并且可通過使抗蝕劑層曝光和顯影，執(zhí)行與形成電極籽層的電極的位置對應的抗蝕劑層的去除。
電極籽層可在基板的兩側形成，并且，在設置基板和形成抗蝕劑層的步驟之間，該方法還可包括在基板中形成至少一個通孔；和在通孔的內側表面上，形成與在基板的頂面和底面上形成的電極籽層中的一個連接的孔對應籽層。
電極籽層可包含選自包含Ni、Cu、Cr和Pd的組的材料。
根據本發(fā)明的另一方面，提供一種介電壁的制造方法，該介電壁用于具有上述結構的等離子顯示面板并在其中埋置前后放電電極，該方法包括設置絕緣層；在絕緣層的兩側形成由導電材料制成的電極籽層；在電極籽層的一部分中形成抗蝕劑層，在該部分中沒有形成前后放電電極；通過電極籽層的電鍍側，在沒有形成抗蝕劑層的區(qū)域形成前后放電電極；去除絕緣層的兩側的抗蝕劑層和被設置在與抗蝕劑層相同的位置上的部分電極籽層；去除與放電空間對應的部分絕緣層；和通過高介電層包圍絕緣層、電極籽層和前后放電電極并埋置它們。


通過參照附圖詳細說明本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的上述和其它方面和優(yōu)點將變得更加明顯圖1是常規(guī)的等離子顯示面板(PDP)的放大透視圖；圖2是沿圖1的線II-II切取的PDP的斷面圖；圖3是根據本發(fā)明的實施例的PDP的部分切割放大透視圖；圖4是圖3中所示的PDP的電極組和介電壁的配置的透視圖；圖5是沿圖3的線V-V切取的PDP的斷面圖；圖6是沿圖3的線VI-VI切取的PDP的斷面圖；圖7是圖4的變更例子的透視圖；圖8是表示根據本發(fā)明的實施例的顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法的流程圖；圖9～16是圖8的各個操作的斷面圖，即，圖9是表示設置基板的操作的斷面圖；圖10是表示在基板的至少一側形成由導電材料制成的電極籽層的操作的斷面圖；圖11A～11C是表示在沒有形成電極的位置上形成抗蝕劑層的操作的斷面圖；圖12是表示在沒有形成抗蝕劑層的位置上形成電極的操作的斷面圖；圖13是表示去除存在于基板上的抗蝕劑層和設置在與抗蝕劑層相同的位置上的電極籽層的操作的斷面圖；圖14是表示去除與放電空間對應的基板的一部分的操作的斷面圖；圖15是表示用電介質埋置剩余的基板、電極籽層和電極的操作的斷面圖；圖16是圖15的變更例子的斷面圖；圖17A～17C是表示當在基板中形成通孔時、圖8中所示的方法的一些操作的斷面圖。
具體實施例方式
現在通過參照附圖解釋本發(fā)明的示例性實施例，更詳細地說明本發(fā)明。
如圖3～6所示，PDP 100包含前襯底120、后襯底130、電極組150、至少一個介電(dielectric)壁140、磷光體(phosphor)層139、放電單元160和放電氣體(未示出)。
可見光線通過前襯底120射出。因此，前襯底120由透光材料形成。在這種情況下，前襯底120可由透明材料形成。后襯底130沿垂直方向與前襯底120分開。后襯底130的至少一部分可被設置為與前襯底120重迭。
介電壁140被設置在前襯底120和后襯底130之間。在這種情況下，介電壁140可與前襯底120、后襯底130一起限定放電單元160。如圖3所示，介電壁140被設置為圓形形狀，并且可限定圓形放電單元160。作為替代方案，介電壁140可以以諸如折線(meander)、△、六邊形、蜂窩或網格形狀的各種其它形狀形成。另外，由介電壁140限定的放電單元160可以以各種形狀形成。
介電壁140防止出現放電單元160之間的放電，并在放電過程中防止前后放電電極被正離子或電子損壞。介電壁140包含絕緣層142和高介電層144。如下文說明的那樣，絕緣層142被設置在前放電電極152和后放電電極153之間，并且高介電層144至少包圍前后放電電極152和153。
電極組150被埋入高介層144中。電極組150包含沿垂直方向相互分開的前放電電極152和后放電電極153。
在這種情況下，前放電電極152和后放電電極153可相互交叉(cross)。即，前放電電極152在一行中沿放電單元160延伸，并且后放電電極153可在與前放電電極152所沿的放電單元160的各行交叉的另一行中沿放電單元160延伸。在這種情況下，前放電電極152和后放電電極153中的一個可用作掃描電極，而其另一個可用作公用電極。同時，前放電電極152和后放電電極153中的一個可用作導致地址放電的地址電極。
作為替代方案，如圖4所示，前放電電極152和后放電電極153可沿相互平行的一個方向延伸。在這種情況下，如圖3所示，地址電極133可延伸使得前放電電極152和后放電電極153相互交叉。在這種情況下，地址電極133導致更易于執(zhí)行前放電電極152和后放電電極153之間的保持放電的地址放電。具體而言，地址電極133降低激發(fā)保持放電的電壓。
在這種情況下，地址放電是在掃描電極和地址電極之間出現的放電。如果地址放電被終止，那么正離子在掃描電極上積聚，而電子在公用電極上積聚。結果，可更容易地執(zhí)行掃描電極和公用電極之間的保持放電。
地址電極133可被設置在后襯底130的一個側面上并且可被后介電層135埋置。
如上所述，由于電極組150被設置在高介電層144中，因此它們不位于可見光線行進的光路上。因此，不需要考慮可見光線的傳播。因此，電極組150的電極不需要由透明的氧化銦錫(ITO)電極形成。電極組150的電極可由作為具有良好導電性的金屬的Ag、Cu或Cr形成。因此，可防止由ITO電極導致的畫面不均勻性以及制造成本的增加。
另外，與常規(guī)的AC型PDP不同，由于電極組150被設置在介電壁140中，因此電極組150不存在于可見光線行進的光路上。因此，可見光線不會由于電極的存在而被截取，并且亮度得到提高。
當脈沖電壓被施加到設置在介電壁140中的電極上時，介電壁140通過感生帶電粒子感生有益于放電的壁電荷并通過使用存儲效應使得能夠驅動。介電壁140防止電極組150由于在放電過程中被加速的帶電粒子的碰撞被損壞。
阻擋肋137可在后襯底130和介電壁140之間形成。在這種情況下，阻擋肋137可與介電壁140一起分隔放電單元160。阻擋肋137可由包含諸如Pb、B、Si、Al和O等的元素的玻璃成分形成。必要時，玻璃成分可包含諸如ZrO2、TiO2和Al2O3的填充劑和諸如Cr、Cu、Co、Fe和TiO2的顏料。
磷光體層139可被設置在阻擋肋137的側面上以及后襯底130的上側。但是，磷光體層139的位置不限于此，并且磷光體層139也可被設置在前襯底120的底面上以及介電壁140的側面上。另外，雖然另一位置，但磷光體層139可被設置在發(fā)射通過放電單元160中的離子的放電產生的UV光線和可見光線的位置上。
保護層148在介電壁140的表面上形成，使得可以通過沿放電單元160的四個側面在前襯底120內產生的離子與介電壁140的表面之間的交互作用發(fā)射二次電子。可以在放電單元160中的每一個內施加保護層148。雖然沒有示出，但保護層148也可覆蓋介電壁140的后側?？梢酝ㄟ^使用利用MgO等的淀積等設置保護層148。由于保護層148沒有被設置在可見光線行進的光路上，因此保護層148也可由具有優(yōu)良的二次電子發(fā)射特性和良好的耐久性的諸如碳納米管(CNT)的材料形成。
諸如Ne-Xe或He-Xe的放電氣體被填充到由前襯底120和后襯底130和介電壁140限定的放電單元160中。
另外，放電單元160可以不具有閉合的斷面，放電單元160的斷面可被限定為條帶形狀。但是，如圖6所示，更優(yōu)選放電單元160的斷面形成閉合的形狀，因為電極被設置在介電肋130中，以環(huán)繞放電單元160，使得發(fā)生三維放電且放電量可被增加。
磷光體層139可被分類成紅色、綠色和藍色發(fā)光磷光體層，使得PDP 100可產生彩色圖像。紅色、綠色和藍色發(fā)光磷光體層可被設置在放電單元160內并相互混合，使得可形成用于實現彩色圖像的單元像素。
高介電層144具有比絕緣層142高的介電常數。因此，當離子由于施加到前放電電極152和后放電電極153上的電壓之間的差值移動時，很大一部分離子向設置在前后放電電極152和153的側面上的高介電層144移動，并且向絕緣層142移動的離子的比率被最小化。因此，在放電空間中被放電的離子的數量增加，使得放電效率提高，并且前放電電極152和后放電電極153之間的間隔可被調整，使得放電特性可被調整。可以防止前后放電電極152和153之間的絕緣層142由于離子濺射受到損壞。
絕緣層142可由抗壓縮材料形成。這樣，在制造PDP 100時，可以防止前后放電電極152和153中的一個由于重力作用過分接近相鄰的放電電極。
在這種情況下，絕緣層142可由有機材料形成。有機材料可包含聚酰亞胺、FR-6或玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂。該材料可被用于形成半導體封裝中的引線框的原材料。絕緣層142由有機材料形成的原因之一是，可以在不執(zhí)行將在后面說明的背襯(backing)工藝的情況下制造前后放電電極152和153以及用于埋置它們的介電壁140。
絕緣層142由有機材料形成，使得制造成本可降低。另外，由于具有柔性，因此有機材料耐受諸如外部沖擊的應力。并且，可以通過使用激光鉆在有機材料中形成孔，使得生產率可提高。
絕緣層142可形成為0.01～1mm的厚度。
高介電層144可由聚合物材料形成。聚合物具有較高的介電常數，使得其厚度可減小，并且它具有較高的柔性。在這種情況下，高介電層144可具有2～4的介電常數和0.1～0.5mm的厚度。并且，高介電層144具有30～400V/μm的絕緣耐壓，使得可以防止較小的厚度的絕緣破壞。高介電層144可由聚合物材料形成的原因之一是，可以在沒有將在后面說明的背襯工藝的情況下制造高介電層144。
如圖4所示，高介電層144的前后側可以為平面。作為替代方案，如圖7所示，通過使用諸如涂敷的工藝使高介電層144形成為相同的厚度，使得可以根據是否形成電極組150在高介電層144中形成凹痕。
現在說明等離子顯示面板100的電極組150和用于埋置電極組的介電壁的制造方法。為了便于解釋，將對PDP 100的介電壁進行說明，但本發(fā)明不限于此。即，作為其中電子在在沿垂直方向相互分開的襯底之間的放電單元中移動并且實現圖像的顯示面板，如果顯示面板包含沿垂直方向被設置在襯底之間并且其中以規(guī)則的間隔沿垂直方向埋置用于移動電子的至少兩個電極的電極埋置介電壁140，那么可以使用根據本發(fā)明的制造方法。
圖8是表示根據本發(fā)明的實施例的顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法。如圖8所示，電極埋置介電壁的制造方法包括設置基板(S10)、在基板的至少一側形成由金屬制成的電極籽(seed)層(S20)、形成其上要形成電極籽層的電極的抗蝕劑層(S30)、通過電鍍電極籽層在沒有形成抗蝕劑層的區(qū)域中形成電極(S40)、去除抗蝕劑層和設置在抗蝕劑層下面的電極籽層(S50)、去除與放電空間對應的基板的一部分(S60)和用電介質埋置基板、電極籽層和電極(S70)。
圖9～16是表示顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法的斷面圖?，F在將參照圖9～16說明各個操作。首先，如圖9所示，設置基板242。如果根據本發(fā)明制造的電極埋置介電壁240(參見圖15)是圖3～8中所示的PDP 100的電極埋置介電壁140，那么基板242是PDP 100的絕緣層142的原材料層。
基板242是印刷電路板(PCB)的原材料層，并且可由有機材料形成。基板242由有機材料形成，使得介電壁的塑性(ductility)變大，并且基板242不對外部應力敏感，材料成本降低并且制造成本可降低。在這種情況下，基板242可以由選自包含聚酰亞胺、FR-6和玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂的組的至少一種材料形成。用于基板242的材料不限于有機材料，在本發(fā)明中包含可用于形成印刷電路板(PCB)的原材料層的諸如陶瓷的材料。
在選擇基板242的材料時可考慮介電常數和塑性等。在這種情況下，基板242可具有比后面說明的電介質低的介電常數。這是因為，在電極中產生的向放電空間移動的離子的量可被最大化。另外，基板242可由高抗壓縮材料形成。這是因為可以防止處于基板242被放置在電極之間的狀態(tài)的相鄰電極由于諸如重力等的壓縮力在規(guī)則的間隔相互接近。基板242由有機材料形成，使得基板242的厚度可形成為0.01～1mm的厚度。
此后，如圖10所示，在基板242的至少一側形成由導電材料制成的電極籽層251。電極籽層252可以由金屬形成。例如，電極籽層251可由選自包含Ni、Cr、Cu或Pd的組的一種材料形成。
如果電極埋置介電壁240具有與圖3～8所示的PDP 100的電極埋置介電壁140相同的結構，那么電極籽層251可在基板242的兩側由導電材料形成。因此，電極252和253(參見圖12)可分別被設置在基板242的頂面和底面上。在這種情況下，如果根據本發(fā)明制造的電極252和253是PDP 100的電極，那么頂電極籽層251a是前放電電極152的籽層，并且底電極籽層251b可以是后放電電極153的籽層。
此后，如圖11A～11C所示，在電極籽層251上不形成電極252和253(參見圖12)的位置上形成抗蝕劑層270。在這種情況下，例如，不形成電極252和253的位置意味著在PDP的放電空間和介電阻擋肋中不形成前后放電電極252和253的位置。
抗蝕劑層270由光敏劑形成，并被顯影和曝光，使得可以在抗蝕劑層270上形成預定的圖案。即如圖11A所示，它是其上用光敏劑(抗蝕劑層270)涂敷電極籽層251的基板242的表面，如圖11B所示，光敏劑270的其中要形成電極的部分270a和其中不準備形成電極的部分270b中的一個被選擇和并暴露在外面，并且，如圖11C所示，光敏劑270中的要形成電極的部分被去除。在這種情況下，光敏劑可以是DFR(干膜光致抗蝕劑)。DFR是用于制造諸如PCB或引線框的高密度和高集成度電路板的光敏材料。作為替代方案，光敏劑可由干酪素或其它材料形成。
在這種情況下，當電極250(參見圖12)被設置在基板242的兩側時，設置在基板242的頂面上的頂電極籽層251a和設置在基板242的底面上的底電極籽層251b可沿一個方向延伸。作為替代方案，頂電極籽層251a和底電極籽層251b可相互交叉(cross)。
此后，如圖12所示，對電極籽層251進行電鍍，并在沒有形成抗蝕劑層270的區(qū)域中形成電極250。
電極250是通過使用電鍍工藝形成的，使得電極250的厚度可增加。在圖3～8所示的PDP中，埋入介電壁140中的前放電電極152或后放電電極153的厚度為約30μm。但是，當通過使用常規(guī)的印刷工藝形成電極時，不是以30μm的厚度一次印刷電極。因此，以10μm的厚度重復執(zhí)行印刷處理以形成電極。因此，電極的制造工藝變復雜，并且，隨著像素數量減少，對于減小電極寬度存在限制。但是，根據本發(fā)明，可以一次形成具有30μm的厚度的電極，使得制造工藝簡化、制造成本降低，并且可形成具有較高的可靠性的電極。
然后，如圖13所示，存在于基板242上的抗蝕劑層270和設置在與抗蝕劑層270相同的位置上的電極籽層251被去除。在這種情況下，抗蝕劑層270被剝除，使得通過使用蝕刻去除露在外面的電極籽層251。
然后，如圖14所示，通過使用諸如鉆孔機等的穿透裝置穿透與放電空間對應的基板242的一部分并將其去除。由于基板242可由諸如有機材料等的PCB用材料形成，因此可以使用激光鉆孔形成孔，并且，與使用機鉆的情況相比生產率得到提高。
然后，如圖15和圖16所示，剩余的基板242、電極籽層251和電極250被介電層244埋置。介電層244防止電極被正離子或電子損壞，并且由可感應電荷的電介質形成。在圖3～8所示的PDP 100的情況下，介電層是高介電層144。
在這種情況下，介電層244由具有2～4的介電常數和30～400V/μm的絕緣耐壓的材料形成。介電層244可形成為包圍基板242、電極籽層251和電極250達0.1～0.5mm的厚度。結果，根據本發(fā)明制造的介電壁240不需要如上所述被焙燒，使得用于介電層244的各種材料可被選擇。因此，與現有技術相比，介電壁的厚度可減小，使得放電空間相對變大、電極之間導電率增加且消耗電壓降低。因此，當根據本發(fā)明制造的介電壁被用于具有微細像素的顯示面板中時，效果增加。
在這種情況下，如圖15所示，可以用具有均勻的厚度的介電層244涂敷電極250和基板242。與此不同，如圖16所示，介電層244的高度可相同。另外，介電層244可形成為包圍與放電空間對應的基板242和電極250。
然后，雖然沒有示出，但可以在與放電空間對應的電介質244的至少一側形成保護層。
在根據本發(fā)明的方法中，可以與形成前襯底120(參見圖3)和后襯底130(參見圖4)的過程分開形成介電壁240。在這種情況下，不在上面實現圖像的前襯底120(參見圖3)上形成電極150和用于埋置電極150等的介電壁140，使得組合前襯底120和介電壁140所需要的時間減少。
當在基板242的頂面和底面上形成電極籽層251時，要在電極籽層251上分別形成的電極252和253可在同一高度上與外部端子連接。因此，該方法還可包含如圖17A所示的形成貫穿基板242的上下部分的通孔243的操作；和如圖17B所示的在通孔243的內側表面上形成與設置在基板242的頂面和底面上的電極籽層251中的一個連接的孔對應籽層256的操作。在這種情況下，可以通過電鍍基板242執(zhí)行在通孔243的內側表面上形成孔對應籽層256的操作。
然后，如圖17C所示，可通過無電鍍(electroless plating)在通孔243內形成電極250。例如，參照圖17C，孔對應籽層256可形成為粘附于頂電極籽層251a上，使得位于基板242的上下側的電極252和253可與各外部端子連接。因此，此后，上電極可沿通孔243延伸到基板242的下側，并可與外部端子連接。在這種情況下，可在形成通孔243之后、形成孔對應籽層256之前進一步執(zhí)行焊縫修整工藝，以去除通孔243中的殘留物或外來物質。
如上所述，根據本發(fā)明，不在在PDP中產生的可見光線穿過的區(qū)域中設置電極和用于埋置電極的介電壁，使得面板的透光特性十分優(yōu)異、功率消耗減少且放電空間增加。因此，PDP的效率提高。
另外，用于埋置電極的介電壁是在沒有經過焙燒工藝的情況下形成的，并且被埋入介電壁中的電極是通過電鍍工藝形成的，使得用于介電壁的各種材料可被選擇、制造成本降低且制造過程簡化。
另外，介電壁的厚度減小，使得顯示面板的放電空間增加、功率消耗減小且PDP的效率增加。
雖然已參照本發(fā)明的示例性實施例特別示出和說明了本發(fā)明，但本領域技術人員可以理解，在不背離由下面的權利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在這里提出各種形式上和細節(jié)上的變化。
權利要求
1.一種等離子顯示面板，包括前襯底；沿垂直方向與前襯底分開的后襯底；被設置在前襯底和后襯底之間并通過絕緣層相互分開的前放電電極和后放電電極；包圍前放電電極和后放電電極的高介電層；放電單元，每個放電單元的至少一部分被高介電層包圍；設置在放電單元中的每一個中的磷光體層；和填充在放電單元中的放電氣體。
2.根據權利要求1的等離子顯示面板，其中，絕緣層包含選自包含聚酰亞胺、FR-6和玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂的組的材料。
3.根據權利要求1的等離子顯示面板，其中，絕緣層具有比高介電層大的抗壓縮性能。
4.根據權利要求1的等離子顯示面板，其中，高介電層由聚合物形成。
5.根據權利要求4的等離子顯示面板，其中，高介電層由具有約2～4的介電常數和約30～400V/μm的絕緣耐壓的材料形成并具有約0.1～0.5mm的厚度。
6.根據權利要求1的等離子顯示面板，還包含覆蓋放電單元內的高介電層的至少一部分的保護層。
7.一種電極埋置介電壁的制造方法，該介電壁用于通過沿垂直方向相互分開的襯底之間的放電空間中的放電實現圖像的顯示面板、并在其中以規(guī)則的間隔沿垂直方向埋置設置在沿垂直方向的襯底之間的至少兩個電極，該方法包括設置基板；在基板的至少一側形成由導電材料制成的電極籽層；在電極籽層上形成用于形成電極的抗蝕劑層；通過電鍍電極籽層在沒有形成抗蝕劑層的區(qū)域形成電極；去除基板上的抗蝕劑層和被設置在與抗蝕劑層相同的位置上的部分電極籽層；去除與放電空間對應的部分基板；和用電介質包圍電極。
8.根據權利要求7的方法，其中，基板包含選自包含聚酰亞胺、FR-6和玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂的組的材料。
9.根據權利要求7的方法，其中，抗蝕劑層由光敏劑形成，并且通過使抗蝕劑層曝光和顯影，執(zhí)行與形成電極籽層的電極的位置對應的抗蝕劑層的去除。
10.根據權利要求7的方法，其中，電極籽層在基板的兩側形成，并且，在設置基板和形成抗蝕劑層的步驟之間，該方法還包括在基板中形成至少一個通孔；和在通孔的內側表面上，形成與在基板的頂面和底面上形成的電極籽層中的一個連接的孔對應籽層。
11.根據權利要求7的方法，其中，電極籽層包含選自包含Ni、Cu、Cr和Pd的組的材料。
12.一種介電壁的制造方法，該介電壁用于權利要求1的等離子顯示面板并在其中埋置前后放電電極，該方法包括設置絕緣層；在絕緣層的兩側形成由導電材料制成的電極籽層；在電極籽層的一部分中形成抗蝕劑層，在該部分中不形成前后放電電極；通過電極籽層的電鍍側，在沒有形成抗蝕劑層的區(qū)域形成前后放電電極；去除絕緣層的兩側的抗蝕劑層和被設置在與抗蝕劑層相同的位置上的部分電極籽層；去除與放電空間對應的部分絕緣層；和通過高介電層包圍絕緣層、電極籽層和前后放電電極。
13.根據權利要求12的方法，其中，絕緣層包含選自包含聚酰亞胺、FR-6和玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂的組的材料。
14.根據權利要求12的方法，其中，抗蝕劑層由光敏劑形成，并且通過使抗蝕劑層曝光和顯影，執(zhí)行與形成電極籽層的電極的位置對應的抗蝕劑層的去除。
15.根據權利要求12的方法，其中，電極籽層包含選自包含Ni、Cu、Cr和Pd的組的材料。
16.根據權利要求12的方法，其中，高介電層由具有約2～4的介電常數和約30～400V/μm的絕緣耐壓的材料形成，并且，形成介電壁包含用高介電層包圍絕緣層、電極籽層和前后放電電極達到高介電層的約0.1～0.5mm的厚度。
17.根據權利要求12的方法，還包括形成覆蓋與放電空間鄰近的高介電層的側面的至少一部分的保護層。
全文摘要
提供等離子顯示面板、等離子顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法和等離子顯示面板的電極埋置介電壁的制造方法。等離子顯示面板包括前襯底；沿垂直方向與前襯底分開的后襯底；通過絕緣層相互分開的、被設置在前后襯底之間的前放電電極和后放電電極；包圍前放電電極和后放電電極的高介電層；放電單元，每個放電單元的至少一部分被高介電層包圍；設置在放電單元中的每一個中的磷光體層；和填充在放電單元中的放電氣體。
文檔編號H01J11/36GK101030514SQ20071008423
公開日2007年9月5日 申請日期2007年2月27日 優(yōu)先權日2006年2月27日
發(fā)明者崔祐碩, 金銀熙 申請人:三星Techwin株式會社