專利名稱：間隔物和包含該間隔物的電子發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種間隔物以及一種包含該間隔物的電子發(fā)射顯示器。更具體地說，本發(fā)明涉及一種配置為防止電荷累積在其表面上的間隔物，以及一種包含該間隔物的電子發(fā)射顯示器。
背景技術(shù)：
一般而言，將電子發(fā)射元件分類為使用熱陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射元件和使用冷陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射元件。存在幾種類型的冷陰極電子發(fā)射元件，包括場發(fā)射體陣列(FEA)元件、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射體(SCE)元件、金屬-絕緣體-金屬(MIM)元件和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)元件。
典型的電子發(fā)射元件包括電子發(fā)射區(qū)和用來控制該電子發(fā)射區(qū)的電子發(fā)射的驅(qū)動電極。電子發(fā)射區(qū)根據(jù)提供到驅(qū)動電極上的電壓發(fā)射電子。電子發(fā)射元件排列在第一基板上來形成一個電子發(fā)射裝置。該電子發(fā)射裝置的第一基板布置為面對第二基板，該第二基板上帶有包括熒光體層和陽極電極的光發(fā)射單元。所述第一基板和第二基板在其周邊采用密封元件密封在一起，并且將第一基板和第二基板之間的內(nèi)部空間排空來形成一個帶有真空外殼的電子發(fā)射顯示器。
另外，多個間隔物布置在該真空外殼中，以防止由于真空外殼內(nèi)外的壓力差導(dǎo)致基板損壞或者斷裂。
這些間隔物通常由不導(dǎo)電材料，例如陶瓷或者玻璃形成，并且布置為對應(yīng)于熒光體層之間的非發(fā)射區(qū)，以便不會干擾從電子發(fā)射裝置發(fā)射的電子朝向熒光體層移動的路徑。
然而，當(dāng)電子發(fā)射裝置發(fā)射的電子朝向?qū)?yīng)的熒光體層移動時，由于陽極電極產(chǎn)生的高電場會產(chǎn)生電子束擴(kuò)散現(xiàn)象。這種電子束擴(kuò)散現(xiàn)象即使在提供了聚焦電極的情況下也不能完全抑制。
由于這種電子束擴(kuò)散現(xiàn)象，一些電子不能降落在相應(yīng)的熒光體層上，而是與所述間隔物碰撞。而這些由玻璃或者陶瓷形成的間隔物的電子發(fā)射系數(shù)大于1。因此，當(dāng)電子碰撞這些間隔物時，許多二次電子從這些間隔物發(fā)射出來，這些間隔物因此而呈正電。當(dāng)這些間隔物被充電時，圍繞間隔物的電場發(fā)生改變從而扭曲電子束路徑。
電子束的扭曲使得電子發(fā)射裝置發(fā)射的電子朝向間隔物移動。在這種情況下，用戶將會在屏幕上看到間隔物，從而產(chǎn)生可見間隔物的問題，惡化了顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠抑制電子束扭曲從而防止顯示質(zhì)量惡化的間隔物，以及一種包含這種間隔物的電子發(fā)射顯示器。
在本發(fā)明一個示例性實施例中，間隔物包括主體；布置在所述主體側(cè)面上的電阻層；布置在所述電阻層上的二次電子發(fā)射防止層；以及布置在所述電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的擴(kuò)散防止層，該擴(kuò)散防止層適于防止電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的相互擴(kuò)散。
所述擴(kuò)散防止層的電阻率優(yōu)選小于所述二次電子發(fā)射防止層的電阻率，但大于所述電阻層的電阻率。所述擴(kuò)散防止層優(yōu)選包括金屬氮化物層或者金屬氧化物層。所述金屬氮化物層優(yōu)選包括Cr或者Ti。所述金屬氧化物層優(yōu)選包括從Cr、Ti、Zr和Hf組成的組中選擇的材料。
所述電阻層優(yōu)選包括高電阻材料。所述高電阻材料優(yōu)選包括從由Ag、Ge、Si、Al、W、Au組成的組中選擇的金屬或者其合金，以及從由Si3N4、AlN、PtN、GeN組成的組中選擇的化合物或者其組合物。
所述二次電子發(fā)射防止層優(yōu)選包括二次電子發(fā)射系數(shù)在1～1.8范圍內(nèi)的材料。所述二次電子發(fā)射防止層優(yōu)選包括從由類金剛石碳、Nd2O3和Cr2O3組成的組中選擇的材料。
所述間隔物優(yōu)選進(jìn)一步包括布置在所述主體的各個頂面和底面上的接觸電極。所述接觸電極優(yōu)選包括從由Ni、Cr、Mo和Al組成的組中選擇的材料。
在本發(fā)明另一示例性實施例中，提供的電子發(fā)射顯示器包括適于形成一真空外殼的第一基板和第二基板；布置在第一基板上的電子發(fā)射單元；布置在第二基板上的光發(fā)射單元；以及布置在所述第一基板和第二基板之間的間隔物，該間隔物包括主體；布置在所述主體側(cè)面上的電阻層；布置在所述電阻層上的二次電子發(fā)射防止層；以及布置在所述電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的擴(kuò)散防止層，該擴(kuò)散防止層適于防止電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的相互擴(kuò)散。
所述擴(kuò)散防止層的電阻率優(yōu)選小于所述二次電子發(fā)射防止層的電阻率，但大于所述電阻層的電阻率。所述擴(kuò)散防止層優(yōu)選包括金屬氮化物層或者金屬氧化物層。所述金屬氮化物層優(yōu)選包括Cr或者Ti。所述金屬氧化物層優(yōu)選包括從Cr、Ti、Zr和Hf組成的組中選擇的材料。
所述電阻層優(yōu)選包括高電阻材料。所述高電阻材料優(yōu)選包括從由Ag、Ge、Si、Al、W、Au組成的組中選擇的金屬或者其合金，以及從由Si3N4、AlN、PtN、GeN組成的組中選擇的化合物或者其組合物。
所述二次電子發(fā)射防止層優(yōu)選由二次電子發(fā)射系數(shù)在1～1.8范圍內(nèi)的材料形成。所述二次電子發(fā)射防止層優(yōu)選包括從由類金剛石碳、Nd2O3和Cr2O3組成的組中選擇的材料。
所述電子發(fā)射顯示器優(yōu)選進(jìn)一步包括布置在所述主體的各個頂面和底面上的接觸電極。
所述電子發(fā)射單元優(yōu)選包括電子發(fā)射區(qū)和適于驅(qū)動所述電子發(fā)射區(qū)的電極。所述電子發(fā)射區(qū)優(yōu)選包括從碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、球殼狀碳分子(C60)、硅納米線和其組合物組成的組中選擇的材料。
所述電子發(fā)射顯示器優(yōu)選進(jìn)一步包括布置在所述第一基板與第二基板之間的聚焦電極。


結(jié)合附圖并參照下列詳細(xì)描述，本發(fā)明將變的更易于理解，因而本發(fā)明更完全的認(rèn)識及其附帶的優(yōu)點(diǎn)將會更清楚，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或者相似的元件，其中圖1A為根據(jù)本發(fā)明一實施例的電子發(fā)射顯示器的部分分解透視圖；圖1B為圖1A的部分A的放大視圖；圖2為圖1電子發(fā)射顯示器的部分剖視圖；以及圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電子發(fā)射顯示器的部分剖視圖。
具體實施例方式
下面參照附圖對本發(fā)明作詳細(xì)描述，其中所示附圖示出本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同的方式實施，其結(jié)構(gòu)也并不限制在所陳述的實施例內(nèi)。提供這些實施例只是為了使本發(fā)明公開的徹底和完全，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的概念。
圖1A、1B和圖2是本發(fā)明一實施例的電子發(fā)射顯示器的視圖。在本實施例中，圖示的是帶有FEA元件陣列的電子發(fā)射顯示器。
參照圖1A和2，電子發(fā)射顯示器包括彼此面對并以預(yù)定間隔分隔開的第一基板10和第二基板20。
在第一基板10和第二基板20面對的表面上，分別設(shè)置用于發(fā)射電子的電子發(fā)射單元100和利用電子發(fā)射單元100發(fā)射的電子來發(fā)射可見光的光發(fā)射單元200。
也就是說，多個陰極電極(第一電極)110以條形圖案布置在第一基板10上并沿一個方向(圖1中的Y軸方向)延伸，而第一絕緣層120布置在第一基板10上以便覆蓋陰極電極110。多個柵極電極(第二電極)130以條形圖案布置在第一絕緣層120上且沿與陰極電極110直角相交的方向(圖1中的X軸方向)延伸。
一個或一個以上電子發(fā)射區(qū)160形成在陰極電極上的陰極電極110與柵極電極130的各個相交區(qū)域。與電子發(fā)射區(qū)160對應(yīng)的開口120a和130a分別形成在第一絕緣層120和柵極電極130內(nèi)，以便露出電子發(fā)射區(qū)160。
可由位于真空中的電場中時能夠發(fā)射電子的材料形成電子發(fā)射區(qū)160，例如含碳材料或者納米尺寸的材料。例如，電子發(fā)射區(qū)160可以由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、球殼狀碳分子(C60)、硅納米線，或者其組合物經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、直接生長、化學(xué)汽相沉積或濺射工藝形成。
在圖1A中，三個電子發(fā)射區(qū)160沿陰極電極110連續(xù)排列在各個相交區(qū)域，每個電子發(fā)射區(qū)160帶有平坦的圓形頂面。然而，電子發(fā)射區(qū)并不限于這種排列和頂面形狀。
在前面的描述中，盡管柵極電極130布置在陰極電極110上方，且第一絕緣層120置于柵極電極和陰極電極之間，但本發(fā)明并不局限于此。也就是說，柵極電極130也可以布置在陰極電極110的下方，且第一絕緣層置于它們之間。在此情況下，電子發(fā)射區(qū)160可以布置在第一絕緣層上的陰極電極的側(cè)壁上。
一個陰極電極110、一個柵極電極130、所述第一絕緣層120以及三個電子發(fā)射區(qū)160形成一個電子發(fā)射元件。也就是說，多個電子發(fā)射元件排列在第一基板10上，以形成一個電子發(fā)射裝置。
另外，第二絕緣層140布置在第一絕緣層120上，同時覆蓋柵極電極130，而聚焦電極150布置在第二絕緣層140上。電子束能夠穿越的開口140a和150a分別形成在第二絕緣層140和聚焦電極150上。開口150a和140a布置為對應(yīng)一個電子發(fā)射元件，以將電子發(fā)射區(qū)160發(fā)射出的電子大致聚焦到各個電子發(fā)射元件160上。聚焦電極150與電子發(fā)射區(qū)160的電平差越大，聚焦效率越高。因此，第二絕緣層140的厚度優(yōu)選大于第一絕緣層120的厚度。
另外，聚焦電極150可以布置在第二絕緣層140的整個表面上，或者可以排列成具有多個對應(yīng)于各個電子發(fā)射元件的部分的預(yù)定圖案。
聚焦電極150可以由沉積在第二絕緣層140上的導(dǎo)電層形成，或者由帶有開口150a的金屬板形成。
熒光體層210和黑層220排列在第二基板20的面向第一基板10的表面上。由諸如鋁之類的導(dǎo)電材料形成的陽極電極230布置在熒光體層210和黑層220上。陽極電極230通過接受加速電子束所需的高電壓并且將熒光體層210向第一基板10發(fā)射的可見光線反射到第二基板20來增強(qiáng)屏幕亮度。
可選地，可由透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)而不是金屬材料形成陽極電極230。在此情形中，陽極電極230位于第二基板20上，而熒光體層210和黑層220以預(yù)定圖案布置在陽極電極230上?？蛇x地，陽極電極230也可以布置為對應(yīng)于熒光體層210和黑層220的圖案的預(yù)定圖案。
可選地，陽極電極230可以由透明材料形成，并在第二基板20上形成金屬層，用來增強(qiáng)亮度。
熒光體層210可以布置為對應(yīng)于在第一基板10上限定的各個單位像素區(qū)?？蛇x地，熒光體層210還可以排列為條紋圖案，且沿屏幕的豎直方向(圖1的Y軸)延伸。黑層220由不透明材料形成，例如鉻或者氧化鉻。
在上述電子發(fā)射顯示器中，熒光體層210排列為對應(yīng)各個電子發(fā)射元件160。彼此對應(yīng)的一個熒光體層210和一個電子發(fā)射元件160限定電子發(fā)射顯示器的一個像素。
在第一基板10與第二基板20之間設(shè)置間隔物300，用于均勻地保持第一基板10與第二基板20之間的間距。間隔物300排列在黑層220所處的非光發(fā)射區(qū)處。在本實施例中，以壁型間隔物為例進(jìn)行說明。
參照圖1B，間隔物300包括由諸如玻璃或者陶瓷之類的不導(dǎo)電材料形成的主體310、覆蓋所述主體310的電阻層321、布置在電阻層321上的擴(kuò)散防止層322，以及布置在擴(kuò)散防止層322上的二次電子發(fā)射防止層323。
電阻層321為將要對間隔物300充電的電荷提供了移動路徑，以防止電荷積累到間隔物300上。電阻層321由相對低導(dǎo)電性的高電阻材料形成。例如，這種高電阻材料包括從由Ag、Ge、Si、Al、W和Au組成的組中選擇的金屬或者其合金，以及從由Si3N4、AlN、PtN和GeN組成的組中選擇的化合物或者其組合物。優(yōu)選地，高電阻材料從由Ag/Si3N4、Ge/AlN、Si/AlN、Al/PtN、W/GeN和Au/AlN組成的組中選擇。
二次電子發(fā)射防止層323可最少化在電子碰撞間隔物300時從間隔物300發(fā)射的二次電子。二次電子發(fā)射防止層323由二次電子發(fā)射系數(shù)在1～1.8范圍內(nèi)的材料形成，例如類金剛石碳、Nd2O3或者Cr2O3。
擴(kuò)散防止層322防止由于通過密封第一基板10和第二基板20來形成真空外殼的密封過程中施加的熱量而在電阻層321與二次電子發(fā)射防止層323之間產(chǎn)生的相互擴(kuò)射，從而防止電阻層321與二次電子發(fā)射防止層323之間的表面反應(yīng)。
擴(kuò)散防止層322由電阻率小于二次電子發(fā)射防止層323的電阻率但大于電阻層321的電阻率的材料形成。例如，擴(kuò)散防止層322可以由從由CrN、TiN、CrO2、ZrO2、HfO2和TiO2組成的組中選擇的金屬氧化物材料形成。
當(dāng)擴(kuò)散防止層322的電阻率小于電阻層321的電阻率時，電流流經(jīng)擴(kuò)散防止層322而不是流經(jīng)電阻層321，因此不能有效地實現(xiàn)電阻層321的電流。此外，當(dāng)擴(kuò)散防止層322的電阻率大于二次電子發(fā)射防止層323的電阻率時，電荷會積累在擴(kuò)散防止層322上。因此，擴(kuò)散防止層322的電阻率優(yōu)選小于二次電子發(fā)射防止層323的電阻率但大于電阻層321的電阻率。
可以進(jìn)一步將接觸電極層331和332布置在間隔物的頂面和底面上。接觸電極層331和332可以由Cr、Ni、Mo或者Al形成(參見圖2)。
由于間隔物300通過接觸電極層331和332有效地電連接至陽極電極230和聚焦電極150，因而充電到間隔物300上的電子會被去除。
另外，間隔物300除了形成為壁型之外，還可以形成為截面為圓形或者十字形的柱型。
在將間隔物300設(shè)置在第一基板10和第二基板20之間后，在第一基板10和第二基板20周邊采用密封元件通過高溫?zé)峤Y(jié)合工藝密封在一起，然后排空第一基板10和第二基板20之間限定的內(nèi)部空間而形成一個真空外殼。
由于電阻層321與電子發(fā)射防止層323之間的表面反應(yīng)被間隔物300的擴(kuò)散防止層322阻止，因此防止了電阻層321與電子發(fā)射防止層323的層特性的惡化。
當(dāng)向陰極電極110、柵極電極130、聚焦電極150和陽極電極230供給預(yù)定電壓時，將驅(qū)動上面所述的電子發(fā)射顯示器。例如，陰極電極110和柵極電極130其中之一作為接收掃描驅(qū)動電壓的掃描電極，而另一個作為接收數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電極。聚焦電極150接收幾伏到幾十伏的負(fù)電壓。陽極電極230接收例如幾百伏到幾千伏的正電壓。
電場環(huán)繞電子發(fā)射區(qū)而形成，在電子發(fā)射區(qū)，陰極電極110和柵極電極130之間的電壓差等于或者大于一閾值，因此，電子從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射出來。發(fā)射出的電子在供給到陽極電極230上的高電壓的作用下匯聚并穿過聚焦電極150的開口150a，而后撞擊到相應(yīng)的熒光體層210上，從而激發(fā)熒光體層210。
在上述過程中，盡管有聚焦電極150的作用，電子束仍然擴(kuò)散。因此，一些電子不能落到熒光體層210上而是碰撞間隔物300。即使當(dāng)電子碰撞間隔物300時，來自間隔物300的二次電子發(fā)射也能夠被二次電子發(fā)射防止層323最小化。此外，即使當(dāng)間隔物300的表面帶有電荷，電荷也會由電阻層321和接觸電極層331和332轉(zhuǎn)移離開間隔物300，因此電荷不會積累在間隔物300的表面上。
結(jié)果是，在電子發(fā)射顯示器中，能夠防止間隔物300周圍的電場扭曲產(chǎn)生的電子束扭曲。
盡管上述示例性實施例敘述的電子發(fā)射顯示器具有場發(fā)射體陣列(FEA)元件，但本發(fā)明并不局限于此例。也就是說，本發(fā)明可以應(yīng)用于帶有其他類型電子發(fā)射元件的電子發(fā)射顯示器，例如表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射體(SCE)元件、金屬-絕緣體-金屬(MIM)元件或者金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)元件。
圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的帶有SCE元件陣列的電子發(fā)射顯示器的視圖。在本實施例中，與上述實施例相同的部分具有相同的附圖標(biāo)記，并且這里省略其詳細(xì)描述。
參照圖3，第一基板40和第二基板20彼此面對并分隔開預(yù)定間隔。電子發(fā)射單元400位于第一基板40上而光發(fā)射單元200位于第二基板20上。
第一電極421和第二電極422布置在第一基板40上并且彼此分隔開。電子發(fā)射區(qū)440布置在第一電極421和第二電極422之間。第一導(dǎo)電層431和第二導(dǎo)電層432分別布置在第一基板40上的第一電極421與電子發(fā)射區(qū)440之間以及電子發(fā)射區(qū)440與第二電極422之間，同時部分地覆蓋第一電極421和第二電極422。也就是說，第一電極421和第二電極422通過第一導(dǎo)電層431和第二導(dǎo)電層432電連接到電子發(fā)射區(qū)440。
在本實施例中，第一電極421和第二電極422可以由各種導(dǎo)電材料形成。第一導(dǎo)電層431和第二導(dǎo)電層432可以為由諸如Ni、Au、Pt或者Pd等材料形成的微粒薄膜。電子發(fā)射區(qū)440可由石墨碳或者碳化合物形成。例如，電子發(fā)射區(qū)440可以由選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、球殼狀碳分子(C60)、硅納米線或其組合物組成的組中的材料形成。
當(dāng)向第一電極421和第二電極422供給電壓時，電流沿平行于電子發(fā)射區(qū)440的表面的方向流動，通過第一導(dǎo)電層431和第二導(dǎo)電層432而實現(xiàn)表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射。發(fā)射的電子在供給到陽極電極230上的高電壓作用下而被吸引，從而沖擊和激發(fā)相應(yīng)的熒光體層210。
根據(jù)本發(fā)明，由于間隔物包括電阻層、二次電子發(fā)射防止層和接觸電極層，因而能夠防止間隔物周圍的電場扭曲，因此防止了電子束的扭曲。
此外，由于間隔物進(jìn)一步包括布置在電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的擴(kuò)散防止層，因而能夠防止在熱結(jié)合過程中由于二次電子發(fā)射防止層與電阻層之間的表面反應(yīng)而對層特性的惡化。
因此，用戶在屏幕上看到間隔物的可見間隔物的問題將會解決，從而可以提高電子發(fā)射顯示器的顯示質(zhì)量。
盡管上面詳細(xì)描述了本發(fā)明的示例性實施例，顯然應(yīng)當(dāng)理解，此處所教授的基本發(fā)明概念的許多改變和/或變型，也處于如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種間隔物，包括主體；布置在所述主體側(cè)面上的電阻層；布置在所述電阻層上的二次電子發(fā)射防止層；以及布置在所述電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的擴(kuò)散防止層，該擴(kuò)散防止層適于防止電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的相互擴(kuò)散。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間隔物，其中所述擴(kuò)散防止層的電阻率小于所述二次電子發(fā)射防止層的電阻率，但大于所述電阻層的電阻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的間隔物，其中所述擴(kuò)散防止層包括金屬氮化物層或者金屬氧化物層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的間隔物，其中所述金屬氮化物層包括Cr或者Ti。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的間隔物，其中所述金屬氧化物層包括從Cr、Ti、Zr和Hf組成的組中選擇的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間隔物，其中所述電阻層包括高電阻材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的間隔物，其中所述高電阻材料包括從由Ag、Ge、Si、Al、W、Au組成的組中選擇的金屬或者其合金，以及從由Si3N4、AlN、PtN、GeN組成的組中選擇的化合物或者其組合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間隔物，其中所述二次電子發(fā)射防止層包括二次電子發(fā)射系數(shù)在1～1.8范圍內(nèi)的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間隔物，其中所述二次電子發(fā)射防止層包括從由類金剛石碳、Nd2O3、和Cr2O3組成的組中選擇的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間隔物，進(jìn)一步包括布置在所述主體的各個頂面和底面上的接觸電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的間隔物，其中所述接觸電極包括從由Ni、Cr、Mo和Al組成的組中選擇的材料。
12.一種電子發(fā)射顯示器，包括適于形成一真空外殼的第一基板和第二基板；布置在第一基板上的電子發(fā)射單元；布置在第二基板上的光發(fā)射單元；以及布置在所述第一基板和第二基板之間的間隔物，該間隔物包括主體；布置在所述主體側(cè)面上的電阻層；布置在所述電阻層上的二次電子發(fā)射防止層；以及布置在所述電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的擴(kuò)散防止層，該擴(kuò)散防止層適于防止電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的相互擴(kuò)散。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述擴(kuò)散防止層的電阻率小于所述二次電子發(fā)射防止層的電阻率，但大于所述電阻層的電阻率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述擴(kuò)散防止層包括金屬氮化物層或者金屬氧化物層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述金屬氮化物層包括Cr或者Ti。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述金屬氧化物層包括從Cr、Ti、Zr和Hf組成的組中選擇的材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電阻層包括高電阻材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述高電阻材料包括從由Ag、Ge、Si、Al、W、Au組成的組中選擇的金屬或者其合金，以及從由Si3N4、AlN、PtN、GeN組成的組中選擇的化合物或者其組合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述二次電子發(fā)射防止層包括二次電子發(fā)射系數(shù)在1～1.8范圍內(nèi)的材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述二次電子發(fā)射防止層包括從由類金剛石碳、Nd2O3和Cr2O3組成的組中選擇的材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，進(jìn)一步包括布置在所述主體的各個頂面和底面上的接觸電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電子發(fā)射單元包括電子發(fā)射區(qū)和適于驅(qū)動所述電子發(fā)射區(qū)的電極。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電子發(fā)射區(qū)包括從碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、球殼狀碳分子(C60)、硅納米線和其組合物組成的組中選擇的材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，進(jìn)一步包括布置在所述第一基板與第二基板之間的聚焦電極。
全文摘要
本發(fā)明公開一種間隔物，該間隔物布置在電子發(fā)射顯示器的第一基板與第二基板之間，并且包括主體、布置在所述主體側(cè)面上的電阻層、布置在所述電阻層上的二次電子發(fā)射防止層，以及布置在所述電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的擴(kuò)散防止層。該擴(kuò)散防止層防止電阻層和二次電子發(fā)射防止層之間的相互擴(kuò)散。
文檔編號H01J29/02GK1959915SQ200610150798
公開日2007年5月9日 申請日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者樸哲皓 申請人:三星Sdi株式會社