專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示器的結(jié)構(gòu)，尤其涉及在前面基板上設(shè) 有電介質(zhì)層的等離子顯示器。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，等離子顯示器(Plasma Display Panel:以下簡(jiǎn)稱(chēng) "PDP")是通過(guò)由He+Xe或者Ne+Xe的惰性混合氣體放電時(shí)所產(chǎn)生的 147nm的紫外線使熒光體發(fā)光，從而對(duì)包括文字或者圖表在內(nèi)的影像進(jìn) 行顯示。這樣的PDP不僅容易實(shí)現(xiàn)超薄化和大型化，還可借助于最近 的技術(shù)開(kāi)發(fā)，提供大幅改善的畫(huà)質(zhì)。
尤其對(duì)三電極表面放電型AC-PDP來(lái)說(shuō),放電時(shí)表面上聚集壁電荷， 并從放電所產(chǎn)生的濺射保護(hù)電極，因此具有低電壓驅(qū)動(dòng)和使用時(shí)間較 長(zhǎng)的特點(diǎn)。
圖l是現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器的結(jié)構(gòu)的概略示意圖。如圖所示， PDP100是由顯示影像的顯示面的前板10和構(gòu)成后面的后板20以一定 間隔平行結(jié)合而成。
前板10包括在一個(gè)放電單元，以相互放電，維持單元發(fā)光的一 對(duì)維持電極11,該維持電極11具備由透明的ITO物質(zhì)形成的透明電極 11a和由金屬材質(zhì)形成的總線電極llb。
維持電極11被限制放電電流，并被起電極組之間絕緣作用的電介
質(zhì)層12覆蓋，為了使放電條件變得更容易，電介質(zhì)層12上面形成貼 箔氧化鎂(Mgo)的保護(hù)層13。
后板20是為形成多個(gè)放電空間，即放電單元的格柵21維持平行 而排列。在與維持電極ll交叉的部分，設(shè)置運(yùn)行放電，產(chǎn)生真空紫外 線的多個(gè)尋址電才及22。
后板2 0的上側(cè)面涂抹了地址放電時(shí)產(chǎn)生針對(duì)顯示畫(huà)像的可視光線 的R、 G、 B熒光體23。
此外，因前面玻璃基板10和后面玻璃基板20的縫合工程，密封 材料-玻璃料(Frit Glass )以可塑性粘合后，運(yùn)行排氣工程，旨在消 除面板內(nèi)部雜質(zhì)。
為了提高等離子放電時(shí)的放電效率，結(jié)束排氣工程的面板有氦 (He)、氖(Ne)、氙(Xe )之類(lèi)的惰性氣體注入到等離子顯示器內(nèi)部。
具有這一結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)放電是后面玻璃基板20的尋址電極22 和前面玻璃基板10的維持電極11間進(jìn)行地址放電后，持續(xù)進(jìn)行對(duì)選 擇單元的連續(xù)性的顯示放電。同時(shí)，放電時(shí)，產(chǎn)生的真空紫外線激發(fā) 熒光體，使其放出可視光，以此得到所要求的影像。
具有這樣結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)等離子顯示器大致通過(guò)玻璃基板制造工 程、前面基板制造工程、后面基板制造工程、組裝工程形成。
下面將說(shuō)明上述等離子顯示器制造工程中的后板制造工程。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)等離子顯示器后板制造工程順序的工程圖。如圖2 所示，格柵結(jié)構(gòu)是經(jīng)過(guò)如下工程形成。
首先，在(a)步驟，將具有一定寬和高的尋址電極222形成在后 面玻璃基板上部220;在(b)步驟，尋址電極222上部形成電介質(zhì)層 213b。
之后在(c)步驟，將格柵材料221'形成在電介質(zhì)層213b上部； 在(d )步驟，將光致抗蝕劑230涂抹在格柵材料221上部。
之后，在(e)步驟，把形成一定圖案(Pattern)的遮光模232 置于光致抗蝕劑230上部，照射光線，硬化光致抗蝕劑230。這樣的工 程就是曝光工程。
之后，通過(guò)(f)顯影工程，洗滌沒(méi)有硬化的光致抗蝕劑230后， (g)步驟上運(yùn)行蝕刻。
然后，在(h)步驟，將消除光致抗蝕劑230，并進(jìn)行烘干后，進(jìn) 行燒成，以此形成旨在防止鄰近單元間的串?dāng)_(Crosstalk)現(xiàn)象的格 柵221。
之后，在(i)步驟，若給格柵221之間涂抹熒光體層223,進(jìn)行 燒成，就可形成后面玻璃基板20。
但如上述等離子顯示器制造方法，圖2所示現(xiàn)有技術(shù)后板制造方 法因熒光體的涂抹面積較小，具有亮度和效率低下，驅(qū)動(dòng)特性也下降 的問(wèn)題。同時(shí)，因?qū)ぶ冯姌O和放電之間的距離較大，其驅(qū)動(dòng)特性也下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述問(wèn)題而提出的，后面玻璃基板上相同地形成 蝕刻的第 一格柵和第 一格柵之間的放電空間突出的第二格柵，第二格
柵上部形成尋址電極，第一格柵上部形成第三格柵，使單元放電空間 上的熒光體涂抹面積最大，提高亮度和效率。此外，因?qū)ぶ冯姌O和放 電之間的距離較近，可以提高驅(qū)動(dòng)特性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明如包括格柵在內(nèi)的等離子顯示器，其
特征在于，襠4冊(cè)包括第 一才各柵和第二格柵及第三才各柵，在后面玻璃基 板上形成蝕刻的第 一格柵和第 一格柵之間的放電空間突出的第二格 柵，在第二格柵上部形成尋址電極，在第一格柵上部形成第三格柵。
此外，第二格柵高度小于或等于第一格柵高度。
此外，包括如下幾個(gè)步驟為了能夠形成第一格柵和第一格柵之 間的單元放電空間突出的第二格柵，蝕刻后面玻璃基板的步驟；
第二格柵上部形成尋址電極的步驟； 使上述尋址電極覆蓋單元放電空間，形成電介質(zhì)層的步驟；
第 一格柵上部形成第三格柵的步驟； 給單元放電空間涂抹熒光體層的步驟。 另外，蝕刻工程是使用噴砂處理法為特征。 第二格柵高度小于或等于第一格柵高度。 第三格柵是利用絲網(wǎng)印刷法形成。
如上所述，本發(fā)明如等離子顯示器及其制造方法，在后面玻璃基 板上形成蝕刻的第一格柵和第二格柵，在第一格柵上部形成第三格柵， 使涂抹給單元放電空間的熒光體層的面積達(dá)到最大，提高亮度和效率。 同時(shí)，因?qū)ぶ冯姌O和放電之間的距離較近，也可以提高驅(qū)動(dòng)特性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型AC-PDP結(jié)構(gòu)的示意圖
圖2是現(xiàn)有技術(shù)等離子顯示器后板制造工程順序的工程圖 圖3a是本發(fā)明等離子顯示器后板結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3b是本發(fā)明等離子顯示器后板制造工程順序的工程圖
附圖符號(hào)說(shuō)明 313:電介質(zhì)層 321a:第一格柵 321c:第三格柵 322:尋址電極 330:光致抗蝕劑 HI :第一格柵高度
具體實(shí)施例方式
320:后面玻璃基板
321b:第二格柵
321c':第三格柵材料
323:熒光體層
332:遮光模
H2:第二格柵高度
下面，將參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。
圖3a是本發(fā)明等離子顯示器后板結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖3a所示， 后面玻璃基板320上形成蝕刻的第一格柵321a和第一格柵之間的放電 空間突出的第二格柵321b。
這時(shí)，第二格柵321b上部形成尋址電極322，第一格柵321a上部 形成第三格柵321c。
這時(shí)，第二才各沖冊(cè)321b高度H2小于或等于第一格柵321a的高度H1。 但第二格柵321b高度H2應(yīng)等于第一格柵321a的高度Hl。
如上所述，后面玻璃基板上相同地形成蝕刻的第 一格柵和第 一格 柵之間的放電空間突出的第二格柵，第二格柵上部形成尋址電極，第 一格柵上部形成第三格柵，使涂抹給單元放電空間的熒光體層的面積 達(dá)到最大，提高亮度和效率。同時(shí)，因?qū)ぶ冯姌O和放電之間的距離較 近，也可以改善驅(qū)動(dòng)特性。
圖3b是本發(fā)明等離子顯示器后板制造工程順序的工程圖。如圖3a 所示，格^^結(jié)構(gòu)通過(guò)下例工程形成。
首先，在(a)步驟，使第一格柵321a和第一格柵321a之間的單 元放電空間突出的第二格柵321b形成在后面玻璃基板320，以噴砂處 理法進(jìn)行蝕刻。
這時(shí)，第二格柵321b高度H2小于或等于第一格柵321a的高度Hl 形成。但第二格柵321b高度H2應(yīng)等于第一格柵321a的高度H1。
之后，在(b)步驟，第二格柵321b上部形成尋址電極322。
這時(shí)，若第二格柵321b上部形成尋址電極322,放電之間距離較 近，因此將改善驅(qū)動(dòng)特征。
在(c)步驟，使尋址電極322覆蓋單元放電空間，形成電介質(zhì)層
313。
之后在U)步驟，第一格柵321a上部形成第三格柵材料321c' 層；在(e)步驟，給第三格柵材料321c'上部涂抹光致抗蝕劑330。
之后，在(f )步驟，將形成一定圖案的遮光模放在光致抗蝕劑330
上部，照射光線，硬化光致抗蝕劑330。這一過(guò)程稱(chēng)為曝光工程。
之后，在(g)步驟，通過(guò)顯影工程，洗滌沒(méi)有硬化的光致抗蝕劑 330， (h)步驟上運(yùn)行蝕刻。
然后，在(i)步驟，將消除光致抗蝕劑330,并進(jìn)行烘千后，進(jìn) 行燒成，以此形成第三格柵321c，這時(shí)第三格柵321c利用絲網(wǎng)印刷法 形成。
之后，在(j)步驟，若給單元放電空間涂抹焚光體層323，進(jìn)行 燒成，就可形成后面玻璃基板320。這時(shí)，涂抹熒光體層323的面積最 大，提高亮度和效率。
如上所述，后面玻璃基板上相同形成蝕刻的第 一格柵和第 一格柵 之間的放電空間突出的第二格柵，第二格柵上部形成尋址電極，第一 格柵上部形成第三格柵，使涂抹給單元的放電空間的熒光體層的面積 達(dá)到最大，提高亮度和效率。同時(shí)，因?qū)ぶ冯姌O和放電之間的距離較 近，也可以提高驅(qū)動(dòng)特性。
如上所述，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)人員完全可以在不偏 離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)構(gòu)思和必要特點(diǎn)的前提下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行其 它具體形式的變更。因此，以上所述的實(shí)施例是在所有方面以示例的 目的而展開(kāi)，并非局限于此，比起上述詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的范圍更體 現(xiàn)在權(quán)利要求范圍，根據(jù)權(quán)利要求的思想和范圍及其等價(jià)概念導(dǎo)出的 所有變更或變化的形式應(yīng)屬于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1、一種包括格柵在內(nèi)的等離子顯示器，其特征在于，所述格柵包括第一格柵和第二格柵及第三格柵，在玻璃基板上形成蝕刻的第一格柵和上述第一格柵之間放電空間突出的第二格柵，在上述第二格柵上部形成尋址電極，在上述第一格柵上部形成第三格柵。
2、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于， 所述第二格柵的高度小于或等于上述第一格柵高度。
3、 一種等離子顯示器的制造方法，其特征在于包括以下步驟為了能夠形成第 一格柵和第 一格柵之間的單元放電空間突出的第 二格柵，蝕刻玻璃基板的步驟；上述第二格柵上部形成尋址電極的步驟；使上述尋址電極覆蓋單元放電空間，形成電介質(zhì)層的步驟；第 一格柵上部形成第三格柵的步驟；給上述單元放電空間涂抹熒光體層的步驟。
4、 如權(quán)利要求3所述的等離子顯示器制造方法，其特征在于，所 述蝕刻工程是使用噴砂處理法。
5、 如權(quán)利要求3所述的等離子顯示器制造方法，其特征在于，所 述第二格柵高度小于或等于上述第一格柵高度。
6、如權(quán)利要求3所述的等離子顯示器制造方法，其特征在于，所 述第三格柵使用絲網(wǎng)印刷法。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子顯示器及其制造方法，尤其涉及包括等離子顯示器格柵在內(nèi)的等離子顯示器及其制造方法。本發(fā)明在后面玻璃基板上相同地形成蝕刻的第一格柵和第一格柵之間的放電空間突出的第二格柵，在第二格柵上部形成尋址電極，在第一格柵上部形成第三格柵，使單元放電空間涂抹的熒光體層的面積達(dá)到最大，提高亮度和效率。同時(shí)，因?qū)ぶ冯姌O和放電之間的距離較近，可以提高驅(qū)動(dòng)性。本發(fā)明的具有格柵的等離子顯示器，其格柵包括第一格柵和第二格柵及第三格柵，因蝕刻而成的第一格柵和第一格柵之間的放電空間突出的第二格柵形成在后面玻璃基板，所以第二格柵上部形成尋址電極，第一格柵上部形成第三格柵。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101110181SQ20061008602
公開(kāi)日2008年1月23日 申請(qǐng)日期2006年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月20日
發(fā)明者崔倫永, 樸宰范 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(南京)等離子有限公司