專利名稱：等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示器。尤其涉及改善維持期間施加的維持波形，減少明殘留影像的等離子顯示的驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，等離子顯示器前板和后板之間的間隔壁形成一個(gè)單位單元，各單元內(nèi)充滿氖(Ne)、氦(He)或氖氦(Ne+He)的混合氣體和此類放電氣體以及含有少量氙的惰性氣體。高電壓放電時(shí)，惰性氣體發(fā)出真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)可使間隔壁中的熒光體發(fā)光，從而顯示圖像。因此，等離子顯示器以其輕薄的構(gòu)造作為新一代標(biāo)志性產(chǎn)品而倍受矚目。
圖1是一般等離子顯示器的構(gòu)造示意圖。如圖所示，由掃描電極101和維持電極102形成多個(gè)維持電極組排列在顯示影像的前玻璃板100上形成前板10，多個(gè)尋址電極112與所述多個(gè)維持電極組交叉排列在形成背板的后玻璃板110上形成后板，前后板按一定距離平行組合。
前板10包括在一個(gè)放電單元相互放電、維持單元發(fā)光的掃描電極101維持電極102，即由透明ITO物質(zhì)形成的透明電極a和由金屬材料制成的匯流電極b組成的掃描電極101及維持電極102組成的電極組。掃描電極101及維持電極102控制放電電流，其上面覆蓋著使電極組之間絕緣的一個(gè)以上的電介質(zhì)層103，電介質(zhì)層103上面鍍有氧化鎂(MgO)保護(hù)層104，以使其更容易放電。
后板11上，為形成多個(gè)放電空間，放電單元的條狀(或井字狀)的間隔壁111保持平行排列。另外，進(jìn)行尋址放電以產(chǎn)生真空紫外線的多個(gè)尋址電極112與間隔壁111平行分布。在后板11的上側(cè)面形成在尋址放電時(shí)發(fā)出用于顯示影像的可視光的R，G，B熒光體113。尋址電極112和熒光體層113之間形成白色電解質(zhì)114，可保護(hù)尋址電極112，并把從熒光體層113發(fā)出的可視光反射到前面板10。
具有上述結(jié)構(gòu)的等離子顯示器的顯示影像對(duì)比度的方法如下面圖2所示。
圖2是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器的顯示影像對(duì)比度的方法示意圖。如圖2所示，依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器的顯示影像對(duì)比度(GrayLevel)的方法是每幀分為發(fā)光次數(shù)不同的多個(gè)子場(chǎng)，各個(gè)子場(chǎng)又分為使所有單元初始化的復(fù)位期間(RPD)、選擇放電單元的尋址期間(APD)以及根據(jù)放電次數(shù)顯示對(duì)比度的維持期間(SPD)。例如要以256級(jí)對(duì)比度顯示影像時(shí)，如圖2所示，相當(dāng)于1/60秒的幀期間(16.67ms)分為8個(gè)子場(chǎng)(SF1至SF8)，8個(gè)子場(chǎng)(SF1至SF8)又分別分為復(fù)位期間、尋址期間及維持期間。
各個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位期間和尋址期間均相同。選擇放電單元的尋址放電是由尋址電極和掃描電極形成的透明電極間的電壓差發(fā)生的。維持期間在子場(chǎng)中以2n(其中n＝0，1，2，3，4，5.6.7)的比率增加。因?yàn)楦鱾€(gè)子場(chǎng)的維持期間有所不同，這樣可利用各子場(chǎng)的維持期間即調(diào)節(jié)維持放電次數(shù)來(lái)顯示影像對(duì)比度。利用此種等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)波形如圖3所示。
圖3是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。如圖3所示，等離子顯示器分為使所有單元初始化的復(fù)位期間、選擇將要放電單元的尋址期間、維持選擇的單元放電的維持期間及消去放電單元內(nèi)的壁電荷的消除期間來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
在復(fù)位期間的上升期間向所有的掃描電極同時(shí)施加上升斜坡波形(Ramp-up)，此上升斜坡波形在放電單元內(nèi)引起微弱的暗放電(DarkDischarge)，上升放電使尋址電極和維持電極上聚積正極壁電荷，在掃描電極上聚積負(fù)極壁電荷。
下降期間提供上升斜坡波形后，從低于上升斜坡波形峰值電壓的正極電壓降至接地(GND)標(biāo)準(zhǔn)電壓以下的特定電壓標(biāo)準(zhǔn)的下降斜坡波形在單元內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電，充分消除聚積在掃描電極上的大量壁電荷。下降放電引起的尋址放電使可發(fā)生穩(wěn)定放電的壁電荷均勻地殘留在各單元內(nèi)。
在尋址期間，負(fù)極掃描信號(hào)(Scan)依次施加在掃描電極上，同時(shí)，正極數(shù)據(jù)信號(hào)與掃描信號(hào)同步施加在尋址電極上。掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓差和在復(fù)位期間產(chǎn)生的壁電壓不斷加大，同時(shí)在加入數(shù)據(jù)信號(hào)的放電單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。在被尋址放電選中的單元內(nèi)施加維持電壓Vs時(shí)，形成可發(fā)生放電的壁電荷。維持電極提供正極電壓Vz，可在下降期間和尋址期間減少與掃描電極的電壓差，防止與掃描電極發(fā)生誤放電。
在維持期間，輪流向掃描電極和維持電極加維持信號(hào)(Sus)。被尋址放電選中的單元隨著單元內(nèi)的壁電壓和維持信號(hào)不斷增加，每次施加維持信號(hào)時(shí)，都會(huì)在掃描電極和維持電極之間發(fā)生維持放電，即發(fā)生顯示放電。
維持放電結(jié)束后，消除期間向維持電極提供脈沖幅度和電壓水平低的消除斜坡波形(Ramp-ers)的電壓。消除整個(gè)畫面單元內(nèi)殘留的壁電荷。
此種驅(qū)動(dòng)方法的等離子顯示器如果在顯示器顯示面上發(fā)生局部放電，一般說(shuō)來(lái)，會(huì)存在殘留影像，即存在明殘留影像的問(wèn)題。
圖4是為說(shuō)明依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器產(chǎn)生明殘留影像的示意圖。如圖4所示，在畫面的中央部分顯示規(guī)定的窗口模式時(shí)，窗口模式會(huì)在顯示器顯示面400的一部分400a上發(fā)生集中放電。如果接著在顯示器整體400b引起放電，在顯示器顯示面400的一部分400a顯示的窗口模式出現(xiàn)殘留影像400c。這種殘留影像400c雖然由多種原因引起，但最終是由于在顯示面的單元放電時(shí)，熒光體的發(fā)光效率不穩(wěn)定引起的。
特別在最近，為提高放電效率的特性，增加了放電單元內(nèi)氙(Xe)的含量。這樣放電單元內(nèi)的氙(Xe)含量的增加進(jìn)一步加重了所述的明殘留影像。放電單元內(nèi)的氙(Xe)含量和放電單元內(nèi)的放電形態(tài)的關(guān)系如下面圖5所示。
圖5是為說(shuō)明放電單元內(nèi)的氙(Xe)含量和放電形態(tài)的相關(guān)關(guān)系示意圖。如圖所示，在氙(Xe)含量多的放電單元內(nèi)的放電更容易被引向?qū)ぶ冯姌O112方向。下面結(jié)合圖6對(duì)圖3中依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動(dòng)波形在維持期間的維持脈沖進(jìn)行更加詳細(xì)的說(shuō)明。
例如，向?qū)ぶ冯姌O112和維持電極102施加接地水平電壓時(shí)，如果向掃描電極101施加維持電壓Vs，掃描電極101會(huì)發(fā)生維持放電；與此相反，向?qū)ぶ冯姌O112和掃描電極101施加接地水平電壓時(shí)，如果向維持電極102上施加維持電壓Vs，維持電極102會(huì)發(fā)生維持放電。維持放電雖然依靠在掃描電極101和維持電極102之間發(fā)生的面放電而發(fā)生，但是等離子顯示器內(nèi)部的氙(Xe)含量越多，在掃描電極101和維持電極102間的面放電時(shí)，與尋址電極112強(qiáng)烈的相互作用使掃描電極101和維持電極102間的電場(chǎng)被分散，這樣放電單元內(nèi)的放電越容易被引向?qū)ぶ冯姌O112。即放電單元內(nèi)氙(Xe)含量越多，放電單元內(nèi)部的放電越會(huì)被引向?qū)ぶ冯姌O112方向。這樣，放電單元內(nèi)的放電不斷被引向?qū)ぶ冯姌O112方向，引起等離子顯示器熒光體中下部熒光體發(fā)熱，縮短等離子顯示器的壽命。這里所述的熒光體的狀態(tài)在等離子顯示器生產(chǎn)初期很不穩(wěn)定。為使其穩(wěn)定，在制造等離子顯示器時(shí)進(jìn)行老化處理，下面參照?qǐng)D7對(duì)熒光體的老化處理進(jìn)行說(shuō)明。
圖7是為說(shuō)明使等離子顯示器的熒光體穩(wěn)定而實(shí)施老化(Aging)處理的示意圖。如圖所示，為使等離子顯示器的熒光體穩(wěn)定而實(shí)施老化處理時(shí)，等離子顯示器的熒光體113中，間隔壁111側(cè)面形成的側(cè)壁熒光體113a比下部熒光體113b相對(duì)較熱。因此壁熒光體113a比下部熒光體113b更穩(wěn)定。等離子顯示器進(jìn)行老化(Aging)處理時(shí)，側(cè)壁熒光體113a的絕對(duì)亮度明顯落后于下部熒光體113b，側(cè)壁熒光體113a的放電抖動(dòng)幅度比下部熒光體113b的放電抖動(dòng)幅度小。放電抖動(dòng)如圖8所示。
圖8是為說(shuō)明等離子顯示器的熒光體的放電抖動(dòng)示意圖。如圖所示，等離子顯示器的熒光體中，下部熒光體比側(cè)壁熒光體放電抖動(dòng)幅度相對(duì)更大。即放電后，恢復(fù)到穩(wěn)定狀態(tài)所需時(shí)間，下部熒光體比側(cè)壁熒光體所需時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)。
所以，如果所述的氙(Xe)含量增加，放電單元內(nèi)掃描電極和維持電極間發(fā)生的面放電被引向?qū)ぶ冯姌O。在進(jìn)行等離子顯示器老化(Aging)處理時(shí)，相對(duì)沒(méi)有被熱化的下部熒光體被熱化，縮短了等離子顯示器的壽命。同時(shí)，因放電后恢復(fù)穩(wěn)定狀態(tài)的所需時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)的下部熒光體發(fā)光，等離子顯示器存在著在顯示面上發(fā)生明殘留影像的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為解決上述問(wèn)題而提出。本發(fā)明的目的在于提供一種在維持期間放電單元內(nèi)，防止掃描電極和維持電極間的面放電，將放電引向?qū)ぶ冯姌O的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明在復(fù)位期間、尋址期間及維持期間，利用至少有一個(gè)以上的子場(chǎng)的組合向?qū)ぶ冯姌O、掃描電極及維持電極施加電壓來(lái)顯示由多幀形成的影像，其特征在于，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少任意一個(gè)子場(chǎng)的維持期間內(nèi)，根據(jù)平均圖像電平(Average PictureLevel)，向所述尋址電極施加防止明殘留影像的電壓Va。
另外，所述防止明殘留影像電壓Va具備在所述維持期間內(nèi)，可以維持所述掃描電極和所述維持電極之間的持續(xù)放電的電壓值。
另外，施加所述防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間隨著所述平均圖像電平的增高而增加。
另外，所述平均圖像電平為最高水平時(shí)，在所述維持期間，向所述尋址電極上施加具有接地(GND)水平電壓值的所述防止明殘留影像電壓Va。
另外，所述平均圖像電平為最低水平時(shí)，在所述全部維持期間，向所述尋址電極施加防止明殘留影像電壓Va。
另外，所述維持期間在所述尋址電極施加防止明殘留影像電壓Va的起始時(shí)間可在維持期間內(nèi)任意指定。
本發(fā)明可在維持期間縮小掃描電極或維持電極和尋址電極間的電壓差，防止掃描電極和維持電極間的持續(xù)放電被引向?qū)ぶ冯姌O方向，從而減少下部熒光體發(fā)熱，減少明殘留影像的生成，延長(zhǎng)等離子顯示器的壽命。


圖1是一般等離子顯示器結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器的顯示影像對(duì)比度的方法示意圖；圖3是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)波形示意圖；圖4是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器產(chǎn)生明殘留影像的示意圖；圖5是放電單元內(nèi)的氙(Xe)含量和放電形態(tài)的相關(guān)關(guān)系示意圖；圖6是詳細(xì)說(shuō)明圖3中的依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動(dòng)波形下，維持期間的維持脈沖示意圖；
圖7是為使等離子顯示器的熒光體穩(wěn)定而實(shí)施老化(Aging)處理的示意圖；圖8是等離子顯示器的熒光體的放電抖動(dòng)示意圖；圖9是依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)波形示意圖；圖10是在維持期間，根據(jù)平均圖像電平(Average Picture Level)向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓(Va)的示例圖；圖11a至圖11c是等離子顯示器的平均圖像電平和施加防止明殘留影像電壓(Va)的時(shí)間之間的相關(guān)關(guān)系示意圖；圖12是依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。
附圖標(biāo)記10 前板11 后板100 前玻璃板101 掃描電極102 維持電極103 電介質(zhì)層104 保護(hù)層 110 后玻璃板111 間隔壁 112 尋址電極113 熒光體層114 白色電介質(zhì)具體實(shí)施方式
下面將參照附圖，對(duì)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖9是依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。如圖所示，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)波形是在掃描電極和維持電極間發(fā)生持續(xù)放電的維持期間，向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va。此時(shí)，在尋址電極施加的防止明殘留影像電壓Va的基準(zhǔn)是平均圖像電平(Average Picture Level)的大小。即，使掃描電極和維持電極間發(fā)生持續(xù)放電的維持期間根據(jù)平均圖像電平向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va。
這里，防止明殘留影像電壓Va的電壓值是維持期間使掃描電極和維持電極間可維持放電的電壓值。即防止明殘留影像電壓Va的大小不能防礙掃描電極和維持電極間的面放電。例如，維持期間在尋址電極上的防止明殘留影像電壓Va如果大于維持期間在掃描電極或維持電極上施加的維持電壓Vs，維持期間的放電在使掃描電極或維持電極和尋址電極間產(chǎn)生。所以，維持放電無(wú)法有效發(fā)生，使驅(qū)動(dòng)效率明顯降低。防止明殘留影像電壓Va是維持期間不防礙掃描電極和維持電極間維持放電的規(guī)定的電壓值。
另外，這種防止明殘留影像電壓Va減少掃描電極或維持電極和尋址電極間的電壓差，從而防止在維持期間掃描電極和維持電極間所產(chǎn)生的面放電，即持續(xù)放電引向?qū)ぶ冯姌O方向。
例如，在維持電極加上接地標(biāo)準(zhǔn)(GND)電壓時(shí)，如果向掃描電極施加維持電壓Vs，掃描電極會(huì)產(chǎn)生持續(xù)放電。掃描電極發(fā)生持續(xù)放電時(shí)，在尋址電極上施加防止明殘留影像電壓Va；與此相反，在掃描電極施加上接地標(biāo)準(zhǔn)(GND)電壓時(shí)，如果向維持電極加上維持電壓Vs，掃描電極發(fā)生持續(xù)放電時(shí)，向?qū)ぶ冯姌O上施加防止明殘留影像電壓Va。就這樣，在維持期間內(nèi)根據(jù)平均圖像電平向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va。這種根據(jù)平均圖像電平向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va如圖10所示。
圖10是為說(shuō)明在維持期間，根據(jù)平均圖像電平(Average PictureLevel)向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va的示例圖。如圖所示，施加防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間隨著平均圖像電平的增加而減少。即因電力越趨向最大(峰值亮度、平均圖像電平最低，顯示面積最小)，在維持期間內(nèi)向?qū)ぶ冯姌O施加的防止明殘留影像電壓(Va)的時(shí)間越逐漸增加。與此相反，平均圖像電平升高電力越趨向最小(亮度最低、平均圖像電平最高，顯示面積最大)，在維持期間內(nèi)向?qū)ぶ冯姌O施加的防止明殘留影像的電壓Va的時(shí)間越逐漸減少。如上所述，等離子顯示器的顯示面積，即維持期間根據(jù)平均圖像電平向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間變化情況參照?qǐng)D11a至11c，具體如下所述。
在圖11a中，例如將平均圖像電平分為8個(gè)階段，在驅(qū)動(dòng)時(shí)，將維持期間分成和平均圖像電平相同的8個(gè)階段，平均圖像電平為最大標(biāo)準(zhǔn)的情況下，即各個(gè)放電單元消耗的電力最少時(shí)，在維持期間內(nèi)將施加在尋址電極上的防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間設(shè)置為0，即向?qū)ぶ冯姌O施加具有接地(GND)標(biāo)準(zhǔn)電壓值的防止明殘留影像的電壓Va。
平均圖像電平為最高水平時(shí)，施加在尋址電極上的防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間設(shè)置為0。其理由是，在平均圖像電平為最高水平意味著等離子顯示器的畫面1100上顯示影像的面積1100a為最大。所以，如果以相對(duì)較高的電力使各個(gè)放電單元放電，因整個(gè)等離子顯示器的電力消耗急劇增加，這樣在平均圖像電平為最高的情況下，限制供給各個(gè)放電單元的電力，以相對(duì)較低的電力使各個(gè)放電單元放電。這樣，施加在掃描電極和維持電極上的電壓相對(duì)減小，放電單元內(nèi)的放電被引向?qū)ぶ冯姌O方向的現(xiàn)象也會(huì)減少。所以，在平均圖像電平為最高水平時(shí)，施加在尋址電極上的防殘留影像電壓(Va)即使設(shè)置為0，放電單元內(nèi)的下部熒光體放電的比率也相對(duì)變小。因此，放電后恢復(fù)成穩(wěn)定狀態(tài)需要的時(shí)間變短，可防止生成明殘留影像。
圖11c中，與上述情況不同，平均圖像電平為最低水平時(shí)，即各個(gè)放電單元消耗的電力為最大，各個(gè)放電單元顯示峰值亮度時(shí)，在整個(gè)維持期間向?qū)ぶ冯姌O施加防殘留影像電壓Va，即維持期間一直將帶有Va的電壓值的防止明殘留影像電壓Va施加在尋址電極上。
這里，維持期間一直將帶有Va的電壓值的防止明殘留影像電壓Va施加在尋址電極上。其理由是，平均圖像電平為最低水平意味著在等離子顯示器的畫面1100上顯示的影像面積1100c為最小。因此，即使以相對(duì)較高的電力使各個(gè)放電單元放電，因整個(gè)等離子顯示器的電力消耗以相對(duì)較少的幅度增加，在這種平均圖像電平為最低的情況下，向各個(gè)放電單元供給電力以便以相對(duì)較高的電力使各個(gè)放電單元放電。因此，平均圖像電平為最低水平時(shí)，即在等離子顯示器的顯示面積為最小時(shí)，以相對(duì)較大的電力使各個(gè)放電單元放電，在使消耗的電力增幅變小的同時(shí)，使等離子顯示器的整體亮度提高。在平均圖像電平為最低時(shí)，施加在掃描電極和維持電極上的電壓相對(duì)增大，放電單元內(nèi)的放電被引向?qū)ぶ冯姌O方向的現(xiàn)象也增多。因此，在平均圖像電平為最低水平時(shí)，維持期間一直向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va，可減小掃描電極及維持電極和尋址電極之間的電位差，從而減少掃描電極和維持電極間產(chǎn)生的放電被引向?qū)ぶ冯姌O方向的現(xiàn)象。這樣，因?yàn)榉烹妴卧獌?nèi)的下部熒光體放電的比率相對(duì)減小，所以放電恢復(fù)穩(wěn)定狀態(tài)所需要的時(shí)間縮短，可以防止生成明殘留影像。
如上所述，除平均圖像電平為最低或最高情況外，根據(jù)平均圖像電平的大小，可在維持期間內(nèi)設(shè)定不同的向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間。如圖11b所示，在平均圖像電平為最高和最低值的中間值時(shí)，即等離子顯示器的面1100上顯示的影像面積1100b比圖11a的最大顯示面積小，比圖11c的最小面積1100c大的規(guī)定面積情況下，針對(duì)等離子顯示器的畫面1100上顯示的影像面積1100b和圖11a的最大顯示面積1100a的比率，或等離子顯示器的畫面1100上顯示的影像面積1100b和圖11c的最小顯示面積1100c的比率，決定在維持期間向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間。
同樣，在維持期間內(nèi)，向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像電壓Va時(shí)，施加防止明殘留影像電壓Va的時(shí)間可在維持期間內(nèi)任意設(shè)定。例如假定維持期間的總長(zhǎng)為100μs，在此維持期間內(nèi)，如果要以10μs長(zhǎng)的時(shí)間段向?qū)ぶ冯姌O施加防殘留影像電壓Va，維持期間開始的時(shí)刻，即總長(zhǎng)100μs的時(shí)間中，從0μs時(shí)刻，向?qū)ぶ冯姌O施加防殘留影像電壓Va，可以施加到維持期間的10μs時(shí)刻?；蛘?，在總長(zhǎng)為100μs的維持期間內(nèi)，從維持期間的50μs時(shí)刻開始，向?qū)ぶ冯姌O施加防殘留影像電壓Va，可以施加到維持期間的60μs時(shí)刻。
在等離子顯示器內(nèi)部，如果氙(Xe)的含量增加，放電單元內(nèi)的掃描電極和維持電極間的面放電時(shí)，因?yàn)榕c尋址電極的強(qiáng)烈的相互作用，使掃描電極和維持電極間的電流分散，將放電單元內(nèi)的放電引向?qū)ぶ冯姌O方向。但即使放電單元內(nèi)的氙含量增加，若在維持期間向?qū)ぶ冯姌O施加殘留影像電壓Va，就會(huì)減小掃描電極或維持電極和尋址電極間的電壓差，從而可以減少放電單元內(nèi)的掃描電極和維持電極間的面放電，即減小維持放電被引向?qū)ぶ冯姌O方向的現(xiàn)象。所以，維持期間內(nèi)維持放電，可以減少等離子顯示器的熒光體中下部熒光體的熱化，從而減少放電后需要恢復(fù)到穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間，減少生成明殘留影像。另外，可減少等離子顯示器的熒光體中下部熒光體的熱化，延長(zhǎng)壽命。以上對(duì)一個(gè)子場(chǎng)中在維持期間根據(jù)平均圖像電平施加防止明殘留影像電壓Va進(jìn)行說(shuō)明，但在一幀(Frame)內(nèi)選擇維持期間施加在尋址電極上的防止明殘留影像電壓(Va)的子場(chǎng)。選擇的子場(chǎng)的維持期間內(nèi)在尋址電極上施加防止明殘留影像電壓Va，也可抑制明殘留影像的生成。該方法如圖12所示。
圖12是依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。如圖所示，與本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法不同的驅(qū)動(dòng)波形的運(yùn)行方式為在多個(gè)成像幀中至少在一幀中，根據(jù)平均圖像電平(Average Picture Level)，在包含幀的子場(chǎng)中，選擇施加防止明殘留影像電壓Va的子場(chǎng)，在該所選子場(chǎng)的維持期間，向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像的電壓Va。
這里，施加防止明殘留影像電壓Va的子場(chǎng)個(gè)數(shù)隨著所述平均圖像電平的升高而減少；與此相反，在維持期間，尋址電極上施加防止明殘留影像電壓Va的子場(chǎng)個(gè)數(shù)隨著平均圖像電平降低而增加。
例如，在將平均圖像電平分為8個(gè)階段驅(qū)動(dòng)時(shí)，將一幀中的子場(chǎng)分成與平均圖像電平相同的8個(gè)階段。在平均圖像電平為最高水平時(shí)，即各個(gè)放電單元耗電最小時(shí)，在維持期間將施加在尋址電極上的防止明殘留影像電壓Va的子場(chǎng)個(gè)數(shù)設(shè)置為0。圖12僅表示出12個(gè)子場(chǎng)形成1幀，但1幀中可以含有8個(gè)至16個(gè)子場(chǎng)。1幀中含有的子場(chǎng)數(shù)可以有多種變化。
在平均圖像電平為最高水平時(shí)，在尋址電極施加的防止明殘留影像電壓Va的子場(chǎng)個(gè)數(shù)設(shè)置為0。其理由是，平均圖像電平為最高水平意味著在所述的等離子顯示器的顯示畫面上顯示的面積為最大。所以，如果以相對(duì)較小的電力使各個(gè)放電單元放電，則等離子顯示器整體耗電急劇增加。所以，平均圖像電平為最高時(shí)，限制供給各個(gè)放電單元的電力，以便用相對(duì)較小的電力使各個(gè)放電單元放電。那么在掃描電極和維持電極上加入的電壓會(huì)變小，放電單元內(nèi)的放電被引向?qū)ぶ冯姌O方向現(xiàn)象也減少。所以，在平均圖像電平為最高水平時(shí)，即使將在尋址電極上施加的防止明殘留影像電壓Va的子場(chǎng)個(gè)數(shù)設(shè)置為0，因?yàn)榉烹妴卧虏繜晒怏w放電的比率相對(duì)減小，所以放電后恢復(fù)穩(wěn)定狀態(tài)所需要時(shí)間變短，可防止明殘留影像的生成。
與此不同，在平均圖像電平為最低水平，即在各個(gè)放電單元耗電為最大，顯示各個(gè)放電單元峰值亮度時(shí)，在幀包含的所有子場(chǎng)的維持期間向?qū)ぶ冯姌O施加防止明殘留影像的電壓Va，即在所有子場(chǎng)的維持期間向?qū)ぶ冯姌O上施加電壓值為Va的防止明殘留影像電壓Va，這樣，在每幀的所有子場(chǎng)的維持期間都向?qū)ぶ冯姌O上施加防止明殘留影像電壓Va。其理由是，平均圖像電平為最低意味著在等離子顯示器畫面顯示面積為最小。所以，即使以相對(duì)較高的電力使各個(gè)放電單元放電，因等離子顯示器整體耗電以相對(duì)較小的幅度增加，所以在平均圖像電平為最低標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，向各個(gè)放電單元提供電力，以使各放電單元以相對(duì)較高的電力放電。因此，在平均圖像電平為最低標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，即等離子器的顯示面積最小時(shí)，可使各放電單元以相對(duì)較大的電力放電，使等離子顯示器整體耗電的增幅度變小，同時(shí)，等離子顯示器整體的亮度升高，結(jié)果，在平均圖像電平為最低的情況下，施加在掃描電極和維持電極上的電壓相對(duì)增強(qiáng)，于是，放電單元內(nèi)的放電被引向?qū)ぶ冯姌O的現(xiàn)象增多。這樣，在平均圖像電平為最低標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，設(shè)定所有子場(chǎng)在維持期間，向?qū)ぶ冯姌O上施加防止明殘留影像電壓Va，減少掃描電極及維持電極和尋址電極間的電勢(shì)差，從而減少在掃描電極和維持電極之間產(chǎn)生的放電被引向?qū)ぶ冯姌O的現(xiàn)象。這樣，放電單元內(nèi)的下部熒光體放電的比率相對(duì)變小，因此放電后恢復(fù)穩(wěn)定狀態(tài)所需時(shí)間變短，防止了明殘留影像的生成。
如上所述，在平均圖像電平為最低或最高標(biāo)準(zhǔn)以外時(shí)，根據(jù)平均圖像電平的大小，當(dāng)然也可以設(shè)定維持期間施加在尋址電極的防止明殘留影像電壓Va的不同的子場(chǎng)個(gè)數(shù)。另外，減少下部熒光體發(fā)熱，延長(zhǎng)等離子顯示器的壽命。
綜上所述，本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員完全可以在不偏離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行具體形式的操作。
因此，以上所述的實(shí)施例是在所有方面展示，并沒(méi)有局限性。比起所述詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的范圍更體現(xiàn)在權(quán)利要求范圍，權(quán)利要求范圍的思想和范圍及其等價(jià)概念導(dǎo)出的所有變更或變化的形式應(yīng)屬于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，在復(fù)位期間、尋址期間和維持期間，通過(guò)一個(gè)以上子場(chǎng)的組合向?qū)ぶ冯姌O、掃描電極及維持電極施加電壓來(lái)顯示由多幀形成的影像，其特征在于，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少任意一個(gè)子場(chǎng)的維持期間，根據(jù)平均圖像電平，向所述尋址電極施加防止明殘留影像的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述防止明殘留影像電壓具有在所述維持期間可維持所述掃描電極和所述維持電極之間的持續(xù)放電的電壓值。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述施加防止明殘留影像電壓的時(shí)間隨著所述維持期間的平均圖像電平的減小而增加。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在所述平均圖像電平為最高標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在所述整個(gè)維持期間向所述尋址電極施加具有接地標(biāo)準(zhǔn)電壓值的所述防止明殘留影像電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述平均圖像電平為最低標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在所述整個(gè)維持期間，向所述尋址電極施加防止明殘留影像電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述維持期間內(nèi)向所述尋址電極施加防止明殘留影像電壓的起始時(shí)間可在維持期間內(nèi)任意指定。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法。該方法改善維持期間施加的維持波形，防止維持期間掃描電極和維持電極間的維持放電被引向?qū)ぶ冯姌O方向，具有減少明殘留影像的效果。本發(fā)明的等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法是在復(fù)位期間、尋址期間和維持期間，通過(guò)一個(gè)以上子場(chǎng)的組合向?qū)ぶ冯姌O、掃描電極及維持電極施加電壓來(lái)顯示由多幀形成的影像。其特征在于，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少任意一個(gè)子場(chǎng)的維持期間內(nèi)，根據(jù)平均圖像電平(Average Picture Level)，向所述尋址電極施加防止明殘留影像的電壓(Va)。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101083044SQ20061008583
公開日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2006年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月29日
發(fā)明者李炳俊 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(南京)等離子有限公司