專利名稱：等離子顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示器的結(jié)構(gòu)。尤其涉及一種改變電極以 及格柵的結(jié)構(gòu)，以增強色溫特性的等離子顯示器。
背景技術(shù)：
一般情況下，等離子顯示器(Plasma Display Panel:以下簡稱 "PDP"。)是通過He+Xe或者是Ne+Xe等惰性混合氣體放電時產(chǎn)生的 147 nm的紫外線使熒光體發(fā)光，從而對包括文字或者是圖像在內(nèi)的影 像進行顯示。這種PDP不僅很容易實現(xiàn)超薄化和大型化，而且隨著技 術(shù)的不斷發(fā)展，它還能夠提供更加優(yōu)質(zhì)的影像。
特別是，對于三電極表面放電型PDP來說，在放電時壁電荷就聚 集在表面上，這樣就能夠保護電極免受由放電產(chǎn)生的濺射的影響。因 此，它具有低電壓驅(qū)動和使用壽命長的優(yōu)點。
圖la是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型等離子器的結(jié)構(gòu)示意 圖。如圖所示，對于三電極表面放電型PDP100，其對影像進行顯示的 顯示面，即前面玻璃基板10和構(gòu)成后板的后面玻璃基板20相互平行 地結(jié)合在一起，其中間設(shè)置一定的間隔。
在前面玻璃基板10的下面設(shè)置有通過在一個像素內(nèi)相互放電而使 放電單元維持發(fā)光的掃描電極30Y和維持電極30X。也就是說，具有 由透明的ITO物質(zhì)構(gòu)成的透明電極16a和由金屬材料制成的總線電極 16b構(gòu)成的電極組掃描電極30Y和維持電極30X。維持電極30X被
對放電電流進行限制并對電極組之間進行絕緣的電介質(zhì)層12覆蓋。為 使放電變得容易，在電介質(zhì)層12的上面涂抹有由氧化鎂(MgO)構(gòu)成 的保護層13。
在后面玻璃基板20上設(shè)置有多個放電空間，即將形成放電單元的 格柵21平行設(shè)置，在與上述維持電極(30X)相交叉的部位，將通過 產(chǎn)生尋址放電而產(chǎn)生真空紫外線的多個尋址電極22相對上述格柵21 平行設(shè)置。另外，在后面基板20的上側(cè)面上涂布有當(dāng)產(chǎn)生尋址放電時 能夠放出可以對影^像進行顯示的可見光的R、 G、 B熒光層23。
圖lb是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型等離子顯示器上部基板 10的電極結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，將與一個子像素相關(guān)的維持電極30X 和掃描電極30Y設(shè)置在放電空間的內(nèi)部，將電極組中的透明電極16a 設(shè)置在總線電極16b上。
但是，對于圖lb所示的依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電極結(jié)構(gòu)，R、 G、 B子像 素的大小是一定的。因此，當(dāng)總線電極分別經(jīng)過R、 G、 B子像素時， G和B子像素就不會產(chǎn)生較強的放電。這樣，G和B子像素的灰度和 色溫特性就會降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為解決上述問題而提出的，本發(fā)明的目的在于提供一 種等離子顯示器的結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置一個以上呈彎曲狀的格柵，使R、 G、 B子像素中的一個以上的子像素的大小互不相同，從而就可以增強灰 度和色溫。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，對于 包含設(shè)置有透明電極和總線電極的前面玻璃基板，沿著與上述透明電
極和總線電極相交叉的方向設(shè)置有尋址電極的后面玻璃基板，以及位
于上述前面玻璃a和后面玻璃J4反之間，對于R (紅色)、G (綠色)、 B(藍(lán)色)子像素進行區(qū)分的格柵在內(nèi)的等離子顯示器，上述對于像素 進行區(qū)分的格柵包括第1格柵、第2格柵、第3格柵和第4格柵。在 上述格柵中，有一個以上的格柵是呈彎曲狀的。在上述R、 G、 B子像 素中，有一個以上的子像素的大小與其它子像素的大小不同。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，G和B子像素的大 小比上述R子像素的大小要大。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，G和B子像素的大 小相同。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，第l格柵和上述第4 格柵呈直線形，第2格柵和第3格柵則沿R子像素的方向彎曲。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，在G和B子像素上 形成的透明電極的大小比在R子像素上形成的透明電極的大小要大。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，在G和B子像素上 形成的透明電極的大小相同。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，在R、 G、 B子像素 中，上述B子像素的大小最大。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，第1格柵沿著G子 像素的方向彎曲，第2格柵和第3格柵則沿著R子像素的方向彎曲， 第4格柵也沿著G子像素的方向彎曲。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，在B子像素上形成 的透明電極的大小最大。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，位于G子像素中心 位置的尋址電極沿著與第3間隔和第4格柵相同的方向設(shè)置。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，第1格柵沿著B子 像素的方向彎曲，第2格柵和第3格柵則沿著R子像素的方向彎曲， 第4格柵也沿著B子像素的方向彎曲。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，在G子像素上形成 的透明電極的大小最大。
另外，本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，位于B子像素中心 位置的尋址電極沿著與第1間隔和第2格柵相同的方向設(shè)置。
如上所述，本發(fā)明具有如下效果它形成有一個以上彎曲的格柵， 在R、 G、 B子像素中有一個以上的子像素的大小互不相同。這樣就可 以增強灰度和色溫。


圖la是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型等離子器的結(jié)構(gòu)示意
圖lb是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型等離子顯示器上部基板
的電極結(jié)構(gòu)示意圖2a是依據(jù)本發(fā)明的第1實施例的表面放電型等離子顯示器的格 柵的結(jié)構(gòu)示意圖2b是依據(jù)本發(fā)明的第2實施例的示意圖2c是依據(jù)本發(fā)明的第3實施例的示意圖。
附圖中主要部分的符號說明
210a， 210b:總線電極
220a， 220b， 220c:尋址電極
230a， 230b， 230c:透明電極
250a, 250b, 250c: R、 G、 B子像素
270a， 270b, 270c， 270d:格柵
具體實施例方式
下面將參照附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細(xì)說明。
圖2a是依據(jù)本發(fā)明的第1實施例的表面放電型等離子顯示器的格 柵的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，設(shè)置在前面玻璃基板上的掃描用總線 電極210a和維持用總線電極210b與透明電極230相連接。
另外，在后面玻璃基板上設(shè)置有對R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c進行區(qū)分的格柵270。用于產(chǎn)生尋址放電的尋址電極220a、 220b、 220c與掃描用總線電極210a和維持用總線電極210b相互交叉。
在這種情況下，R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c可以形成大小 相同的像素250。 G和B子像素250b、 250c的大小相同，G和B子像 素250b、 250c的大小比R子像素250a的大小要大。
另外，格柵270由第1格柵270a、第2格柵270b、第3格柵270c 和第4格柵270d構(gòu)成。
在這里，第1格柵270a和第4格柵270d呈直線形，第2格柵270b 和第3格柵270c則沿R子像素250a的方向彎曲。
另夕卜，在G和B子像素250b、 250c上形成的透明電極230b、 230c 的大小相同，在G和B子像素250b、 250c上形成的透明電極230b、 230c的大小比在R子像素250a上形成的透明電極230a的大小要大。
如上所述，對于本發(fā)明的格柵的結(jié)構(gòu)來說，第1格柵和第4格柵 呈直線形，第2格柵和第3格柵沿R子像素的方向彎曲，這樣，與R 子像素，就可以增強G和B子像素的灰度和色溫。
圖2b是依據(jù)本發(fā)明的第2實施例的示意圖。如圖2b所示，位于 前面玻璃基板上的掃描用總線電極210a和維持用總線電極210b與透 明電極230相連接。
另外，在后面玻璃基板上設(shè)置有對R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c進行區(qū)分的格柵270。產(chǎn)生尋址放電的尋址電極220a、 220b、 220c 與掃描用總線電極(210a和維持用總線電極210b相交叉。
在這種情況下，R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c可以形成大小 相同的像素250。 R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c的大小都互不相 同，其中B子像素250c的大小最大。
另外，格柵270由第1格柵270a、第2格柵270b、第3格柵270c 和第4格柵270d構(gòu)成。
此時，第1格柵270a沿G子^象素250b的方向彎曲，第2格柵270b 和第3格柵270c沿R子像素250a的方向彎曲，第4格柵270d也沿G 子《象素250b的方向彎曲。
另外，在R、 G、 B子像素250a, 250b, 250c上形成的透明電極 230a, 230b， 230c的大小互不相同,在B子像素250c上形成的透明電 極230c的大小最大。
另外，在G子像素250b的中心位置上形成的尋址電極220b沿著 與第3格柵270c和第4格柵270d相同的方向設(shè)置，這樣就可以產(chǎn)生 尋址放電。
如上所述，對于依據(jù)本發(fā)明的格榭的結(jié)構(gòu)來說，第1格柵沿著G 子像素的方向彎曲，第2格柵和第3格柵則沿著R子^J:的方向彎曲， 第4格柵也沿著G子像素的方向彎曲。這樣，與R和G子像素相比， 就可以增強B子像素的灰度和色溫。
圖2c是依據(jù)本發(fā)明的第3實施例的示意圖。如圖2c所示，位于 前面玻璃基板上的掃描用總線電極210a和維持用總線電極210b與透 明電極230相連接。
另外，在后面玻璃基板上設(shè)置有對R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c進行區(qū)分的格柵270。產(chǎn)生尋址放電的尋址電極220a、 220b、 220c 與掃描用總線電極210a和維持用總線電極210b相交叉。
在這種情況下，R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c可以形成大小 相同的像素250。 R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c的大小都互不相 同，其中G子像素250b的大小最大。
另外，格柵270由第1格柵270a、第2格柵270b 、第3格柵270c 和第4格柵270d構(gòu)成。
此時，第1格柵270a沿B子像素250c的方向彎曲，第2格柵270b 和第3格柵270c沿R子像素250a的方向彎曲，第4格柵270d也沿B 子像素250c的方向彎曲。
另外，在R、 G、 B子像素250a、 250b、 250c上形成的透明電極 230a、 230b、 230c的大小互不相同，在G子^象素250b上形成的透明電 極230b的大小最大。
另外，在B子像素250 c的中心位置上形成的尋址電極220c沿著 與第l格柵270 a和第2格柵270b相同的方向設(shè)置，這樣就可以產(chǎn)生 尋址放電。
如上所述，對于依據(jù)本發(fā)明的格柵的結(jié)構(gòu)來說，第1格柵沿著B 子像素的方向彎曲，第2格柵和第3格柵則沿著R子像素的方向彎曲， 第4格柵也沿著B子像素的方向彎曲。這樣，與R和B子像素相比， 就可以增強G子像素的灰度和色溫。
通過上述的說明，本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員完全可以在不偏離本發(fā)明 技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。
因此，本發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書的內(nèi)容，必須要根 據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示器，其特征在于，包含設(shè)置有透明電極和總線電極的前面玻璃基板；沿著與上述透明電極和總線電極相交叉的方向設(shè)置有尋址電極的后面玻璃基板；以及位于上述前面玻璃基板和后面玻璃基板之間對R、G、B子像素進行區(qū)分的格柵；上述對子像素進行區(qū)分的格柵包括第1格柵、第2格柵、第3格柵和第4格柵；在上述格柵中，有一個以上的格柵是呈彎曲狀的；在上述R、G、B子像素中，有一個以上的子像素的大小與其它子像素的大小不同。
2、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于，G和B子像 素的大小比上述R子像素的大小要大。
3、 如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器，其特征在于，G和B子像 素的大小相同。
4、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于，上述第l格 柵和上述第4格柵呈直線形，上述第2格柵和第3格柵則沿R子像素 的方向彎曲。
5、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于，在G和B 子像素上形成的透明電極的大小比在R子像素上形成的透明電極的大 小要大。
6、 如權(quán)利要求5所述的等離子顯示器，其特征在于，在G和B 子像素上形成的透明電極的大小相同。
7、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，在R、 G、 B子像素中，上述B子像素的大小最大。
8、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于，上迷第l格 柵沿著G子像素的方向彎曲，上述第2格柵和第3格柵則沿著R子像 素的方向彎曲，上述第4格柵也沿著G子像素的方向彎曲。
9、 如權(quán)利要求5所述的等離子顯示器，其特征在于，在B子像素 上形成的透明電極的大小最大。
10、 如權(quán)利要求8所述的等離子顯示器，其特征在于，位于G子 像素中心位置的尋址電極沿著與第3間隔和第4格柵相同的方向設(shè)置。
11、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于，第1格柵 沿著B子像素的方向彎曲，第2格柵和第3格柵則沿著R子像素的方 向彎曲，第4格柵也沿著B子像素的方向彎曲。
12、 如權(quán)利要求5所述的等離子顯示器，其特征在于，在G子像 素上形成的透明電極的大小最大。
13、 如權(quán)利要求ll所述的等離子顯示器，其特征在于，位于B子 像素中心位置的尋址電極沿著與上述第1間隔和第2格柵相同的方向設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示器的結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種改變電極及格柵的結(jié)構(gòu)，以增強色溫特性的等離子顯示器。本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于，對于包含設(shè)置在前面基板和后面基板上的透明電極和總線電極，以及位于上述前面基板和后面基板之間，對R、G、B子像素進行區(qū)分的格柵在內(nèi)的等離子顯示器，上述對子像素進行區(qū)分的格柵包括第1格柵、第2格柵、第3格柵和第4格柵。在上述格柵中，有一個以上的格柵是呈彎曲狀的。在上述R、G、B子像素中，有一個以上的子像素的大小與其它子像素的大小不同。
文檔編號H01J17/04GK101110316SQ200610086018
公開日2008年1月23日 申請日期2006年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月20日
發(fā)明者樸宰范 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司