專利名稱：電子發(fā)射器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射器件，并且特別是涉及具有在交叉區(qū)域具有改進(jìn)形狀的驅(qū)動(dòng)電極以降低電容值并且最小化(或者減小或者防止)信號(hào)延遲的電子發(fā)射器件。
背景技術(shù)：
根據(jù)電子源的種類，電子發(fā)射器件可以分類為使用熱陰極的電子發(fā)射器件，或者使用冷陰極的電子發(fā)射器件。
在使用冷陰極的電子發(fā)射器件中，有場(chǎng)發(fā)射陣列(FEA)型、表面導(dǎo)電發(fā)射(SCE)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型。
FEA型電子發(fā)射器件包括為形成真空腔(或者真空容器)的第一和第二基板。電子發(fā)射區(qū)在第一基板上與陰極和作為控制電子從發(fā)射區(qū)域發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極的柵極共同形成。熒光粉層與將熒光粉層置于高勢(shì)態(tài)的陽極共同形成在第二基板的面對(duì)第一基板的表面上。
陰極和柵極互相交叉同時(shí)在它們之間插入絕緣層，并且開口部分形成在柵極和絕緣層處，以對(duì)應(yīng)于柵極和陰極各自的交叉區(qū)域。電子發(fā)射區(qū)形成在陰極上該開口部分內(nèi)。
掃描信號(hào)電壓施加至陰極(或者柵極)，并且數(shù)據(jù)信號(hào)電壓施加至其它電極(例如，柵極，如果掃描信號(hào)電壓施加至陰極的話，或者陰極，如果掃描信號(hào)電壓施加至柵極的話)。電場(chǎng)形成在電子發(fā)射區(qū)周圍陰極和柵極之間電壓差超過閾值的像素處，并且電子從這些電子發(fā)射區(qū)發(fā)射。所發(fā)射的電子被施加至陽極的高電壓吸引，并且與相應(yīng)熒光粉層碰撞以發(fā)光。
在操作中，信號(hào)失真可能發(fā)生在電子發(fā)射器件。驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以由于驅(qū)動(dòng)電極的電阻和驅(qū)動(dòng)電極之間的寄生電容而被延遲。信號(hào)延遲正比于該電阻和電容。該電容正比于絕緣層的介電常數(shù)，以及電極和柵極的交疊區(qū)域的尺寸，但是反比于絕緣層的厚度。
就此而論，通常建議輔助電極應(yīng)該形成在具有高導(dǎo)電金屬材料的驅(qū)動(dòng)電極上以減少電阻，并且絕緣層應(yīng)該被制做為減小電容，即，由具有低介電常數(shù)或者大厚度的新型絕緣材料形成。
然而，為減小電容以最小化(或者減小或者防止)信號(hào)延遲而形成新型絕緣材料包括高的材料成本和開發(fā)新材料的重復(fù)試驗(yàn)，并且因此不適合批量生產(chǎn)。
而且，特別是關(guān)于增加絕緣層厚度以減小電容的技術(shù)，當(dāng)絕緣層被濕法刻蝕以形成開口部分，傾斜的側(cè)壁由于濕法刻蝕工藝的各向同性效應(yīng)而形成于開口部分，使柵極的開口部分的尺寸被擴(kuò)大。在此情況下，電子發(fā)射區(qū)和柵極之間的距離增加，由此提高相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓，使制造高分辨率顯示裝置變得困難。此外，像素的電子發(fā)射均勻性變壞了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供電子發(fā)射器件。該電子發(fā)射器件通過改進(jìn)驅(qū)動(dòng)電極的形狀而不改變絕緣層材料及其厚度來降低電容，并且最小化(或者減小或防止)信號(hào)延遲，從而增強(qiáng)顯示圖像質(zhì)量。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，電子發(fā)射器件包括第一基板和面對(duì)第一基板的第二基板。第一電極和第二電極形成在第一基板上并且互相絕緣。電子發(fā)射區(qū)被電連接至第一電極或者第二電極至少之一。熒光粉層形成在第二基板上。陽極形成在熒光粉層的表面上。電子發(fā)射區(qū)的區(qū)域?yàn)榘l(fā)射區(qū)域，并且第一電極或者第二電極至少之一包括互相平行地分隔開并且插入發(fā)射區(qū)域在其間的一對(duì)線部，以及橫貫發(fā)射區(qū)域以互連該對(duì)線部的連接器。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，電子發(fā)射器件包括第一基板和面對(duì)第一基板的第二基板。第一電極和第二電極形成在第一基板并且互相絕緣。電子發(fā)射區(qū)被電連接至第一電極或者第二電極至少之一。熒光粉層形成在第二基板上。陽極形成在熒光粉層的表面上。電子發(fā)射區(qū)的區(qū)域?yàn)榈谝话l(fā)射區(qū)域，并且第一電極或者第二電極至少之一具有形成在第一發(fā)射區(qū)域和第二發(fā)射區(qū)域之間的開口部分，該開口部分位于第一電極或者第二電極至少之一的長度方向上，以提供第一和第二電極之間的非交疊區(qū)域。
電子發(fā)射區(qū)位于第一和第二電極的交叉區(qū)域的中央，并且第一電極或者第二電極至少之一具有形成在其表面的除了對(duì)應(yīng)于發(fā)射區(qū)域的部分之外的整個(gè)表面上的輔助電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，電子發(fā)射器件包括第一基板和面對(duì)第一基板的第二基板。第一電極和第二電極形成在第一基板上并且互相絕緣。電子發(fā)射區(qū)被電連接至第一電極或者第二電極至少之一。熒光粉層形成在第二基板上。第一電極和第二電極每個(gè)都包括線部和有效部分，該有效部分從線部伸出以對(duì)應(yīng)于由第一基板限定的各自像素，使得第一和第二電極的線部互相交叉并且第一和第二電極的相應(yīng)有效部分互相交疊，并且電子發(fā)射區(qū)位于第一電極或第二電極的有效部分處。
該電子發(fā)射區(qū)包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60和/或硅納米線。


附圖和特性示例性共同說明本發(fā)明的實(shí)施例，并且同描述一起服務(wù)于解釋本發(fā)明的原理。
圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射器件的部分分解視圖；圖2為圖1所示電子發(fā)射器件的部分截面視圖；圖3至6為圖1所示形成在第一基板上的結(jié)構(gòu)的部分平面視圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射器件的第一電極的部分切透視圖；圖8為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射器件的第二電極的部分切透視圖；
圖9為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的形成在電子發(fā)射器件第一基板上的結(jié)構(gòu)的部分平面視圖；圖10為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的形成在電子發(fā)射器件第一基板上的結(jié)構(gòu)的部分平面視圖；圖11為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電子發(fā)射器件的部分分解視圖；圖12為圖11所示形成在第一基板上的結(jié)構(gòu)的部分平面視圖；圖13為根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的形成在電子發(fā)射器件第一基板上的結(jié)構(gòu)的部分平面視圖；和圖14為根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的形成在電子發(fā)射器件第一基板上的結(jié)構(gòu)的部分平面視圖。
具體實(shí)施例方式
在下文的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的某個(gè)實(shí)施例通過舉例說明被示出并且描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，所描述的實(shí)施例可以以各種方式修改，所有這些修改都沒有脫離本發(fā)明的精神或者范圍。相應(yīng)地，附圖和描述本質(zhì)上被視為是說明性的，而非限制性的。
圖1和圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射器件的部分分解視圖和部分截面視圖，并且圖3為圖1所示第一基板結(jié)構(gòu)的部分平面視圖。
如圖1、2和3所示，電子發(fā)射器件包括互相平行地面對(duì)，且間隔一定距離的第一基板2和第二基板4(其中第一基板2和第二基板4之間的距離可以預(yù)先確定)。電子發(fā)射結(jié)構(gòu)被提供在第一基板2以發(fā)射電子，并且光發(fā)射或者顯示結(jié)構(gòu)被提供在第二基板4上，以便由于電子發(fā)射可見光而顯示理想的圖像。
第一電極6沿第一基板2的方向(沿圖2和圖3的y軸方向)形成在第一基板2上，作為陰極，并且絕緣層8被形成在第一基板2的整個(gè)表面上，以覆蓋第一電極6。第二電極10形成在絕緣層8上，作為柵極，使得第二電極10垂直于第一電極6(沿圖1、2和3的x軸方向)布置。
在此實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝缓偷诙姌O6和10的交叉區(qū)域?qū)?yīng)于像素時(shí)，一個(gè)或者多個(gè)電子發(fā)射區(qū)12形成在第一電極6上，以對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素，并且開口部分14形成在絕緣層8和第二電極10上以對(duì)應(yīng)于各自的電子發(fā)射區(qū)12，從而在第一基板2上暴露電子發(fā)射區(qū)12。
電子發(fā)射區(qū)12由在真空環(huán)境下當(dāng)在其上施加電場(chǎng)時(shí)發(fā)射電子的材料，例如含碳材料和/或納米(nm)尺度材料構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，電子發(fā)射區(qū)12由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石、C60(球殼狀碳分子)、硅納米線，或者其組合型成。電子發(fā)射區(qū)12可以通過絲網(wǎng)印刷、直接生長、化學(xué)氣相沉積和/或?yàn)R射形成。
熒光粉層16和黑色層18在第二基板4的面對(duì)第一基板2的表面上形成，并且陽極20用類鋁金屬材料形成在熒光粉層16和黑色層18上。陽極20接收從電子發(fā)射區(qū)12加速電子束所需要的高電壓，并且向第二基板4側(cè)反射從熒光粉層16輻射至第一基板2的可見光，從而提高屏幕亮度。
可選擇地，陽極可以由透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)，而非金屬材料形成。在此可選的情況下，陽極可以以多個(gè)部分的形式在熒光粉層和黑色層的指向第二基板的表面上形成圖案(即陽極位于第二基板與熒光粉層和黑色層之間)。
如圖4所示的矩形區(qū)域，第一電極6和第二電極10互相交叉以使第一電極6的兩邊形成一對(duì)長邊，而第二電極10的兩邊形成一對(duì)短邊。在圖4中，該對(duì)長邊和該對(duì)短邊被示為第一電極6和第二電極10的交叉區(qū)域A。進(jìn)一步，電子發(fā)射區(qū)12所位于的在器件工作期間基本上發(fā)射電子的區(qū)域被示為發(fā)射區(qū)域B。
發(fā)射區(qū)域B的尺寸小于交叉區(qū)域A。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)射區(qū)域B位于交叉區(qū)域A的中央。
在發(fā)射區(qū)域B被置于第一電極6和第二電極10的交叉區(qū)域A中的情況下，第一電極6形成為具有置于其兩邊的一對(duì)線部61和橫貫發(fā)射區(qū)域B以互連該對(duì)線部61的連接器62。第二電極10也形成為具有置于其兩邊的一對(duì)線部101和橫貫發(fā)射區(qū)域B以互連該對(duì)線部102的連接器102。
如圖5所示，第一電極6的線部61之間的距離d1大于發(fā)射區(qū)域B在第一電極6寬度方向上的寬度w1，并且在一個(gè)實(shí)施例中第一電極6的連接器62具有與發(fā)射區(qū)域B在第一電極6長度方向上的寬度w2相同的寬度。
第二電極10的線部101之間的距離d2被形成成大于發(fā)射區(qū)域B在第二電極10寬度方向上的寬度w2，并且在一個(gè)實(shí)施例中，第二電極10的連接器102具有與發(fā)射區(qū)域B在第二電極10長度方向上的寬度w1相同的寬度。
當(dāng)?shù)谝浑姌O6和第二電極10被構(gòu)造成如上形狀時(shí)，如圖6所示，在交叉區(qū)域A中只有第一電極6的線部61和第二電極10的線部101互相交疊的四個(gè)域C，和電子發(fā)射區(qū)12所位于的發(fā)射區(qū)域B的域。
往回參考圖1和3并且考慮第一電極6和第二電極10的形狀，第一電極6具有沿縱向方向位于各自的發(fā)射區(qū)域B之間的開口部分63，并且第二電極10也具有沿縱向方向位于各自的發(fā)射區(qū)域B之間的開口部分103。第一電極6的開口部分63和第二電極10的開口部分103形成非交疊區(qū)域。
由于第一電極6的開口部分63，第一電極6寬度方向上的長度(在其x軸方向)大于發(fā)射區(qū)域B在x軸方向上的寬度，并且在一個(gè)實(shí)施例中，第一電極6縱向的長度(在其y軸方向)與沿y軸方向的兩個(gè)相鄰發(fā)射區(qū)域B之間的距離相同。
由于第二電極10的開口部分103，第二電極10寬度方向上的長度(在其y軸方向)大于發(fā)射區(qū)域B在y軸方向上的寬度，并且在一個(gè)實(shí)施例中，第二電極10縱向的長度(在其x軸方向)與x軸方向的兩個(gè)相鄰發(fā)射區(qū)域之間的距離相同。
由于上述結(jié)構(gòu)，第一電極6通過一對(duì)線部61接收驅(qū)動(dòng)電壓，并且提供發(fā)射電子所需要的電流給置于發(fā)射區(qū)域B處的電子發(fā)射區(qū)12。第二電極10也通過一對(duì)線部101接收驅(qū)動(dòng)電壓，以由于來自發(fā)射區(qū)域B的第一電極6處的電壓差在電子發(fā)射區(qū)12周圍形成電場(chǎng)。
如圖7所示，并且根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，輔助電極64由高導(dǎo)電金屬材料在第一電極6的除了發(fā)射區(qū)域B之外的整個(gè)頂面上形成。如圖8所示，并且根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，輔助電極104在第二電極10的除了發(fā)射區(qū)域B之外的整個(gè)頂面上形成。
第一電極6由具有光透射能力的ITO形成，并且第二電極10由鉻(Cr)形成。輔助電極64和104由低電阻材料，例如銀(Ag)和/或鋁(Al)形成，以降低第一電極6和第二電極10的電阻，因此最小化(或者減小或者防止)電壓下降和信號(hào)延遲。
進(jìn)一步，第一電極6的線部61和連接器62可以由相同材料，例如ITO或者不同材料形成。類似地，第二電極10的線部101和連接器102也可以由相同材料或者其它(或者不同的)適當(dāng)材料形成。
如圖2所示的間隔件22，被安裝在在其外圍互相密封的第一和第二基板2和4之間?；?和4之間的內(nèi)部空間被清空以形成真空(或者處于真空狀態(tài))，從而構(gòu)建電子發(fā)射器件。間隔件22位于對(duì)應(yīng)于黑色層18的非光發(fā)射區(qū)域。為解釋方便，圖2僅示出一個(gè)間隔件22。
如上構(gòu)造的電子發(fā)射器件通過從外部提供電壓(可以預(yù)先確定)至第一電極6、第二電極10和陽極20被驅(qū)動(dòng)。電壓差為幾伏至幾十伏的驅(qū)動(dòng)電壓被施加至第一電極6和第二電極10，并且?guī)装俜翈浊Х恼?+)電壓被施加至陽極20。
因此，電場(chǎng)在電子發(fā)射區(qū)12周圍第一電極6和第二電極10之間的電壓差超過閾值的像素處形成，并且電子從這些電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射。所發(fā)射的電子被施加至陽極20的高電壓吸引，并且與相應(yīng)的熒光粉層16碰撞以發(fā)光。
由于開口部分63和103在第一電極6和第二電極10處形成，電阻被增加，但是由于兩電極6和10的交疊區(qū)域的減小，電容被顯著降低了，從而有效地最小化(或者減小或者防止)信號(hào)延遲。
圖9和10為根據(jù)本發(fā)明的第二和第三實(shí)施例的電子發(fā)射器件的第一基板結(jié)構(gòu)的部分平面視圖。
如圖9所示，由于根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電子發(fā)射器件，第一電極6’被形成具有一定寬度(可以預(yù)先確定)的條狀圖案，并且第二電極10’具有基本上與第一實(shí)施例的第二電極10的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。在第二實(shí)施例中，由于第二電極10’的開口部分103’，第一電極6’和第二電極10’的交疊區(qū)域被減小(與不具有開口部分103’的條狀圖案的第二電極比較)，從而降低第一電極6’和第二電極10’之間的寄生電容。
如圖10所示，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電子發(fā)射器件，第二電極10”被形成具有一定寬度(可以預(yù)先確定)的條狀圖案，并且第一電極6”具有基本上與第一實(shí)施例的第一電極6的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。在第三實(shí)施例中，由于第一電極6”的開口部分63’，第一電極6”和第二電極10”的交疊區(qū)域被減小(與不具有開口部分63’的條狀圖案的第一電極比較)，從而降低第一電極6”和第二電極10”之間的寄生電容。
圖11為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電子發(fā)射器件的部分分解透視圖，并且圖12為形成在如圖11所示的第一基板上的結(jié)構(gòu)的部分平面視圖。
如圖11和12所示，每個(gè)第一電極24被形成為具有沿第一基板2’方向(沿圖11的y軸方向)布置的線部241，以及從線部241伸出以對(duì)應(yīng)各自的由第一基板2’限定的像素的有效部分242。第二電極26形成在絕緣層8’上，每個(gè)第二電極具有橫跨第一電極24(沿圖11的x軸方向)的線部241的線部261，以及有效部分262，有效部分262從線部261向一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一電極24的有效部分242伸出，并且與這些有效部分242交疊。
一個(gè)或多個(gè)電子發(fā)射區(qū)12’形成在各自的第一電極24的有效部分241上，并且開口部分14’形成在絕緣層8和對(duì)應(yīng)的第二電極26的有效部分262處，以對(duì)應(yīng)于各自的電子發(fā)射區(qū)12’，從而暴露第一基板2’上的電子發(fā)射區(qū)12’。以此方式，第一電極24和第二電極26的有效部分242和262形成主要發(fā)射電子的發(fā)射區(qū)域。
開口區(qū)域245形成于第一電極24的有效部分242之間，并且開口區(qū)域265形成于第二電極26的有效部分262之間。在本應(yīng)用中，開口區(qū)域可以如第一、第二和/或第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)那樣，指的是由第一和/或第二電極的線部和連接器圍繞的閉合的開口區(qū)域，或者如根據(jù)本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)那樣，指的是由線部和第一和/或第二電極的有效部分形成的部分未閉合的開口區(qū)域。
此外，在一個(gè)實(shí)施例中，輔助電極243和263分別形成在第一電極24的線部241和第二電極26的線部261上。輔助電極243和263可以補(bǔ)償?shù)谝浑姌O電極24和第二電極26由于線寬減小而造成的電阻增加。
如圖12所示，在每個(gè)像素處的第一電極24和第二電極26在兩電極24和26的線部241和261互相交叉的域D處，以及電子發(fā)射區(qū)12’所位于的發(fā)射區(qū)域的域B’處互相交疊。由于開口區(qū)域245和265的存在，第一電極24和第二電極26不在第一電極24和第二電極26之間的其它域的每個(gè)像素處交疊。
因此，根據(jù)本實(shí)施例的電子發(fā)射器件，由于第一電極24和第二電極26的線寬減小造成電阻增加，但是由于兩電極交疊區(qū)域的減小，電容顯著地降低了，從而有效地最小化(或者減小或者防止)信號(hào)延遲。
圖13和14為根據(jù)本發(fā)明第五和第六實(shí)施例的電子發(fā)射器件的部分平面視圖，示意性地示出了在第一電極上形成的電極。根據(jù)第五和第六實(shí)施例的電極以根據(jù)前述實(shí)施例的電極形狀組合形成。
參照?qǐng)D13，第五實(shí)施例的第一電極30和第二電極32分別具有與圖1所示第一電極6的形狀基本上相同的形狀，和與圖11所示第二電極26的形狀基本上相同的形狀。圖14所示的第一電極34和第二電極36分別具有與圖11所示的第一電極24的形狀基本上相同的形狀，和與圖1所示第二電極10的形狀基本上相同的形狀。
即，本發(fā)明中，第一和第二電極可以以任何適當(dāng)?shù)男螤钚纬?，只要?dāng)它們被置于第一基板上時(shí)，它們不在其交叉區(qū)域部分地交疊。
根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件，由于第一和第二電極的形狀，第一和第二電極的交疊區(qū)域減小了，因此顯著降低了電容。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)(或者電壓)被施加于第一和第二電極以控制各自像素的電子發(fā)射時(shí)，信號(hào)延遲被有效地最小化(或者減小或者防止)，從而增強(qiáng)顯示圖像質(zhì)量。
雖然結(jié)合某些示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明不限定于所公開的實(shí)施例，，相反而是想要涵蓋包括在權(quán)利要求及其等效物的精神和范圍中的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射器件，包括第一基板和面對(duì)該第一基板的第二基板；第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極形成在第一基板上并且互相絕緣；電連接至該第一電極或第二電極至少之一的電子發(fā)射區(qū)；形成在該第二基板上的熒光粉層；和形成在熒光粉層的表面上的陽極，其中電子發(fā)射區(qū)的區(qū)域?yàn)榘l(fā)射區(qū)域，并且其中該第一電極或第二電極至少之一包括互相平行地間隔開、并且插入該發(fā)射區(qū)域于其間的一對(duì)線部，以及橫貫該發(fā)射區(qū)域以互連該對(duì)線部的連接器。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中該第一電極形成為具有該對(duì)線部和連接器，并且該對(duì)線部之間的距離大于所述發(fā)射區(qū)域在該第一電極寬度方向上的寬度。
3.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射器件，其中該第一電極的連接器的寬度與該發(fā)射區(qū)域在該第一電極長度方向上的寬度相等。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中該第二電極形成為具有該對(duì)線部和連接器，并且該對(duì)線部之間的距離大于所述發(fā)射區(qū)域在該第二電極寬度方向上的寬度。
5.如權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射器件，其中該第二電極的連接器的寬度與該發(fā)射區(qū)域在該第二電極長度方向上的寬度相等。
6.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中該發(fā)射區(qū)域位于該第一和第二電極的交叉區(qū)域的中央。
7.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中該第一電極或第二電極至少之一具有形成在其表面的除了對(duì)應(yīng)于該發(fā)射區(qū)域的部分之外的整個(gè)表面上的輔助電極。
8.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電子發(fā)射區(qū)包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60和/或硅納米線。
9.一種電子發(fā)射器件，包括第一基板和面對(duì)該第一基板的第二基板；第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極形成在第一基板上并且互相絕緣；電連接至該第一電極或第二電極至少之一的電子發(fā)射區(qū)；形成在該第二基板上的熒光粉層；和形成在熒光粉層的表面上的陽極，其中電子發(fā)射區(qū)的區(qū)域?yàn)榈谝话l(fā)射區(qū)域，并且其中該第一電極或第二電極至少之一具有形成在第一發(fā)射區(qū)域和第二發(fā)射區(qū)域之間的開口部分，該開口部分位于該第一電極或第二電極至少之一的長度方向上，以提供該第一和第二電極之間的非交疊區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射器件，其中該第一電極具有所述形成于該第一和第二發(fā)射區(qū)域之間的開口部分，并且該開口部分在該第一電極寬度方向上的寬度大于該發(fā)射區(qū)域在該第一電極寬度方向上的寬度。
11.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射器件，其中該第一電極的開口部分被構(gòu)造成，該開口部分在該第一電極長度方向的長度等于該第一和第二發(fā)射區(qū)域之間在縱向上的距離。
12.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射器件，其中該第二電極具有所述形成于該第一和第二發(fā)射區(qū)域之間的開口部分，并且該開口部分在該第二電極寬度方向上的寬度大于該發(fā)射區(qū)域在該第二電極寬度方向上的寬度。
13.如權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射器件，其中該第二電極的開口部分被構(gòu)造成，該開口部分在該第二電極長度方向上的長度等于該第一和第二發(fā)射區(qū)域之間在縱向上的距離。
14.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射器件，其中該發(fā)射區(qū)域位于該第一和第二電極的交叉區(qū)域的中央。
15.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射器件，其中該第一電極或第二電極至少之一具有形成在其表面的除了對(duì)應(yīng)于該發(fā)射區(qū)域的部分之外的整個(gè)表面上的輔助電極。
16.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射器件，其中所述電子發(fā)射區(qū)包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60和/或硅納米線。
17.一種電子發(fā)射器件，包括第一基板和面對(duì)該第一基板的第二基板；第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極形成在第一基板上并且互相絕緣；電連接至該第一電極或第二電極至少之一的電子發(fā)射區(qū)；形成在該第二基板上的熒光粉層；和形成在熒光粉層的表面上的陽極，其中該第一電極和第二電極中每個(gè)都包括線部和有效部分，該有效部分從該線部伸出以對(duì)應(yīng)于由該第一基板限定的各自像素，使得該第一和第二電極的線部互相交叉，并且該第一和第二電極的相應(yīng)有效部分互相交疊，并且其中該電子發(fā)射區(qū)位于該第一電極或第二電極的有效部分處。
18.如權(quán)利要求17所述的電子發(fā)射器件，其中該第一電極和第二電極每個(gè)都具有形成在其線部的表面上的輔助電極。
19.如權(quán)利要求17所述的電子發(fā)射器件，其中所述電子發(fā)射區(qū)包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60和/或硅納米線。
20.一種電子發(fā)射器件，包括第一基板和面對(duì)該第一基板的第二基板；第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極形成在第一基板上并且互相絕緣；電連接至該第一電極或第二電極至少之一的電子發(fā)射區(qū)；形成在該第二基板上的熒光粉層；和形成在熒光粉層的表面上的陽極，其中電子發(fā)射區(qū)的區(qū)域?yàn)榘l(fā)射區(qū)域，并且其中該第一和第二電極在該第一和第二電極的交叉區(qū)域內(nèi)除了該交叉區(qū)域的對(duì)應(yīng)于發(fā)射區(qū)域的部分之外，形成非交疊區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子發(fā)射器件，包括第一基板和面對(duì)第一基板的第二基板。第一電極和第二電極形成在第一基板上并且互相絕緣。電子發(fā)射區(qū)被電連接至第一電極或第二電極至少之一。熒光粉層形成在第二基板上。陽極形成在熒光粉層的表面上。電子發(fā)射區(qū)的區(qū)域?yàn)榘l(fā)射區(qū)域，并且第一電極或第二電極至少之一包括互相平行地間隔開、并且插入發(fā)射區(qū)域到其間的一對(duì)線部和橫貫發(fā)射區(qū)域以互連該對(duì)線部的連接器。
文檔編號(hào)H01J29/04GK1866459SQ20061006707
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者安商爀 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社