專利名稱：電子發(fā)射裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射裝置，更具體地，涉及一種具有用于聚焦電子束的聚焦電極和用于支撐聚焦電極的絕緣層的改進(jìn)結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射裝置。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射裝置分為將熱陰極用作電子發(fā)射源的第一類型和將冷陰極用作電子發(fā)射源的第二類型。
第二類型的電子發(fā)射裝置中已經(jīng)知道的有場發(fā)射陣列(FEA)類型，表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射(SCE)類型，金屬-絕緣體-金屬(MIM)類型，以及金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)類型。
FEA型電子發(fā)射裝置基于以下原理當(dāng)具有低逸出功(work function)或者高形狀比(aspect ratio)的材料用作電子發(fā)射源時(shí)，在電場的作用下，在真空氣氛下，電子易于從材料發(fā)射。已經(jīng)開發(fā)了尖點(diǎn)頂端結(jié)構(gòu)以用作電子發(fā)射源，其基于鉬(Mo)或硅(Si)，或者碳材料，例如碳納米管、石墨和類金剛石碳。
采用冷陰極的電子發(fā)射源主要具有形成真空區(qū)域的第一和第二基板，在第一基板上形成有電子發(fā)射區(qū)，和用于控制從該電子發(fā)射區(qū)發(fā)射電子的驅(qū)動電極。在第二基板上形成磷光體層，和用于將電子發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子有效加速至磷光體層的電子加速電極，引起光發(fā)射或者圖像顯示。
對于上述構(gòu)造的電子發(fā)射裝置，從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子在移向第二基板時(shí)寬范圍地散射，電子轟擊目標(biāo)磷光體層以及鄰近錯誤的磷光體層，從而使屏幕的色彩純度變差。因此，發(fā)展了引導(dǎo)電子束的軌跡通向目標(biāo)方向的多種方法，并提高了器件的性能。
在這一方面，提議應(yīng)引入聚焦電極以控制電子束。聚焦電極通常放置在電子發(fā)射結(jié)構(gòu)的最上區(qū)域同時(shí)圍繞電子發(fā)射區(qū)。在驅(qū)動電極與聚焦電極之間設(shè)置絕緣層，以防止驅(qū)動電極與聚焦電極間的電氣短路。而且，具有預(yù)定高度的絕緣層將聚焦電極與電子發(fā)射區(qū)分隔。在絕緣層和聚焦電極中形成開口部分，露出第一基板上的電子發(fā)射區(qū)，從而允許電子束通過。
大多數(shù)使用濕法蝕刻來形成絕緣層的開口部分。濕法蝕刻時(shí)，待蝕刻的目標(biāo)被浸入蝕刻溶液，牽涉各向同性蝕刻特性。絕緣層被蝕刻的深度越大，開口寬度變大。因此，濕法蝕刻工藝難以形成垂直與水平之比高的開口部分。
在已知的FEA型電子發(fā)射裝置中，電子發(fā)射區(qū)形成在陰極電極上，在陰極電極上形成第一絕緣層和柵極電極，開口部分露出電子發(fā)射區(qū)。在第一絕緣層和柵極電極上形成第二絕緣層和聚焦電極。在這種情況下，當(dāng)依次蝕刻第二絕緣層和第一絕緣層以在各絕緣層處形成開口部分時(shí)，甚至在其開口部分形成后第二絕緣層被連續(xù)地蝕刻，直到形成第一絕緣層的開口部分。
結(jié)果是，第二絕緣層開口部分的寬度大于第一絕緣層開口部分的寬度，同樣地，聚焦電極開口部分的寬度大于柵極電極開口部分的寬度。在這種結(jié)構(gòu)下，聚焦電極被放置得遠(yuǎn)離電子束的軌跡，于是，電子束聚焦效率降低。
而且，由于聚焦電極放置在高于電子發(fā)射區(qū)的平面上，電子束聚焦效率提高。但是，由于難以在第二絕緣層處形成垂直水平比高的開口部分，因此限制了聚焦電極高度的增加。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例中，提供了一種電子發(fā)射裝置，其具有靠近電子束的軌跡放置的聚焦電極以提高電子束聚焦效率，并通過在用于支撐聚焦電極的絕緣層處形成具有高的垂直與水平之比的開口部分來顯示高分辨率的屏幕圖像，以及提供了制造電子發(fā)射裝置的方法。
在本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例中，電子發(fā)射裝置包括基板；形成在所述基板上的陰極電極；和電連接至所述陰極電極的電子發(fā)射區(qū)。柵極電極形成在所述陰極電極之上并插入第一絕緣層。所述柵極電極具有露出所述基板上的所述電子發(fā)射區(qū)的多個(gè)開口部分。聚焦電極形成在所述第一絕緣層和所述柵極電極之上，并插入第二絕緣層。所述聚焦電極具有對應(yīng)于所述柵極電極的所述開口部分、尺寸小于后者的尺寸的開口部分。
在本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例中，電子發(fā)射裝置包括彼此面對的第一和第二基板；形成在所述第一基板上的陰極電極；和電連接至所述陰極電極的電子發(fā)射區(qū)。柵極電極形成在陰極電極之上并插入絕緣層。所述柵極電極具有露出所述第一基板上的所述電子發(fā)射區(qū)的多個(gè)開口部分。柵網(wǎng)電極設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間并與所述第一和第二基板間隔開預(yù)定距離。所述柵網(wǎng)電極具有對應(yīng)于所述柵極電極的所述開口部分、尺寸小于后者的尺寸的開口部分。
在一種制造電子發(fā)射裝置的方法中，在基板上依次形成陰極電極、第一絕緣層和柵極電極。在所述柵極電極和所述第一絕緣層處形成開口部分。通過在所述第一絕緣層和所述柵極電極上沉積兩個(gè)或更多不同種類的絕緣層來形成第二絕緣層。該沉積從相對于蝕刻溶液具有高蝕刻速率的絕緣層至具有低蝕刻速率的絕緣層依次進(jìn)行。在所述第二絕緣層上形成聚焦電極，和在所述聚焦電極處形成尺寸小于所述柵極電極的所述開口部分的尺寸的開口部分。通過蝕刻經(jīng)由所述聚焦電極的所述開口部分露出的所述第二絕緣層的部分在該第二絕緣層處形成開口部分。所述第二絕緣層的所述開口部分的寬度隨著它們朝向所述基板行進(jìn)而逐漸地變大。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的部分分解透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的部分剖面圖；圖3是圖2所示第二絕緣層的部分放大視圖；圖4和5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的部分放大剖面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的部分放大剖面圖；以及圖7A、7B、7C、7D、7E、7F和7G示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例制造電子發(fā)射裝置的步驟。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照圖1和2，電子發(fā)射裝置包括相互基本上平行排布的第一和第二基板2、4，其間是內(nèi)部空間。在第一基板2處提供電子發(fā)射結(jié)構(gòu)，以發(fā)射電子，和在第二基板4處提供光發(fā)射或顯示結(jié)構(gòu)，以通過電子發(fā)射可見光線。
具體地說，在第一基板2上沿著第一基板2的一個(gè)方向(在y軸方向上)是構(gòu)圖成帶狀的陰極電極6。第一絕緣層8形成在第一基板2的整個(gè)表面上并覆蓋陰極電極6。柵極電極10呈帶狀構(gòu)圖在第一絕緣層8上并基本上垂直于陰極電極6行進(jìn)(在x軸方向上)。
當(dāng)陰極和柵極電極6、10的相交區(qū)定義成像素區(qū)域時(shí)，在每個(gè)相應(yīng)像素區(qū)域，在陰極電極10上形成至少一個(gè)電子發(fā)射區(qū)12。開口部分8a、10a形成在第一絕緣層8和柵極電極10處，對應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)12，并露出第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)12。
電子發(fā)射區(qū)12由在真空氣氛下施加電場時(shí)能夠發(fā)射電子的材料形成，例如碳材料和納米級材料。電子發(fā)射區(qū)12可由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線或者它們的組合物形成。
在柵極電極10和第一絕緣層8上形成第二絕緣層14和聚焦電極16。開口部分14a、16a形成在第二絕緣層14和聚焦電極16處，并露出第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)12。聚焦電極16的開口部分16a與電子發(fā)射區(qū)12一一對應(yīng)，以圍繞從各電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射的電子束的軌跡和增加聚焦電子束的效率。
圖中示出了聚焦電極16形成在第一基板2的整個(gè)表面上方，但是聚焦電極16可以構(gòu)圖成多個(gè)部分。而且，聚焦電極16可以通過沉積由金屬層形成，或者由通過機(jī)械加工或者蝕刻形成的、具有開口部分16a的薄金屬板形成。
在這個(gè)實(shí)施例中，聚焦電極16的開口部分16a小于柵極電極10的開口部分10a，以減小通過它的電子束的直徑。第二絕緣層14的厚度大于第一絕緣層8的厚度，使得聚焦電極16被放置在高于電子發(fā)射區(qū)12的平面上。
聚焦電極16的開口部分16a的寬度等于或者大于電子發(fā)射區(qū)12的寬度。圖1和2示出了聚焦電極16的開口部分16a具有與電子發(fā)射區(qū)12大致相等寬度的情形。
從第二絕緣層14面對柵極電極10的底部表面至被聚焦電極16覆蓋的頂部表面，第二絕緣層14的開口部分14a的寬度逐漸地減小。從電子發(fā)射裝置的剖面圖上看，第二絕緣層14的開口部分14a形成具有預(yù)定傾斜度的傾斜側(cè)壁。第二絕緣層14穩(wěn)定地支撐聚焦電極16的整體結(jié)構(gòu)，從而增加電子發(fā)射結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
第二絕緣層14可以具有多層結(jié)構(gòu)，具有對于蝕刻溶液而言蝕刻速率不相同的不同類型的絕緣層。即，第二絕緣層14可以是兩層或多層。如圖3的實(shí)施例所示，第二絕緣層14具有四種絕緣層18a、18b、18c、18d，隨著它們離聚焦電極16越遠(yuǎn)，表現(xiàn)出越高的蝕刻速率。因此，當(dāng)?shù)诙^緣層14被濕法蝕刻時(shí)，遠(yuǎn)離聚焦電極16放置的絕緣層的開口部分的寬度大于靠近聚焦電極16放置的絕緣層的開口部分的寬度。
在本實(shí)施例中，第二絕緣層14的開口部分呈現(xiàn)倒漏斗的形狀，從而它的寬度隨著遠(yuǎn)離第一基板2而變窄。聚焦電極16形成在第二絕緣層14上，具有寬度小于柵極電極10的相應(yīng)開口部分10a的開口部分16a。在這種結(jié)構(gòu)中，電子在通過聚焦電極16的開口部分16a時(shí)直線前進(jìn)，并且聚焦電極16靠近電子束的軌跡放置，從而提高了聚焦電子束的效率。
現(xiàn)參考圖4，可以在第二絕緣層14的開口部分14a的側(cè)壁上形成二次電子發(fā)射層20。當(dāng)從電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射的電子穿過第一絕緣層8和柵極電極10并碰撞第二絕緣層14的開口部分14a的側(cè)壁時(shí)，二次電子發(fā)射層20發(fā)射二次電子，從而增加電子的數(shù)量。二次電子發(fā)射層20可以由氧化物形成，例如氧化鎂(MgO)。
現(xiàn)返回到圖1和2，在第二基板4的表面上形成磷光體層22，例如紅、綠和藍(lán)磷光體層22R、22G、22B，其面對第一基板2，彼此間隔開預(yù)定距離，并且在相鄰的磷光體層22之間形成黑色層(black layer)24，以提高屏幕的對比度。
在磷光體層22和黑色層24上形成金屬材料(例如鋁)的陽極電極26。陽極電極26接受加速電子束所需的高電壓，并將從磷光體層22朝第一基板2輻射的可見光反射至第二基板4一側(cè)，從而增加屏幕的亮度。
陽極電極可以由透明導(dǎo)電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)。在這種情況下，陽極電極被放置在磷光體和黑色層的表面上，朝向第二基板。陽極電極可以被構(gòu)圖成多個(gè)部分。
在第一與第二基板2、4之間布置間隔物28，使用低熔點(diǎn)玻璃，例如玻璃粉，將第一和第二基板2、4在它們的周邊處相互附接。將第一與第二基板2、4之間的內(nèi)部空間抽成真空狀態(tài)，從而構(gòu)建出電子發(fā)射裝置。間隔物28被布置在放置黑色層24的非發(fā)光區(qū)域。
通過在陰極電極6、柵極電極10、聚焦電極16和陽極電極26加上預(yù)定電壓來驅(qū)動如上構(gòu)造的電子發(fā)射裝置。例如，將具有幾至幾十伏的電壓差的驅(qū)動電壓加在陰極和柵極電極6、10上，并將幾十伏的負(fù)(-)電壓加在聚焦電極16上，而將幾百至幾千伏的正(+)電壓加在陽極電極26上。
因此，在陰極與柵極電極6、10之間的電壓差超過閾值的像素處，在電子發(fā)射區(qū)12附近形成電場，從所述電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射出電子。已發(fā)射的電子被加在聚焦電極16上的電壓聚焦，從而減小其散射角，并被加在陽極電極26上的高電壓吸引。電子朝向第二基板4行進(jìn)，并碰撞相應(yīng)的磷光體層22，從而引起從它們發(fā)射出光。
在上述的過程中，電子在穿過聚焦電極16的開口部分16a時(shí)非常直地前進(jìn)，這是由于開口部分16a的尺寸減小所致。聚焦電極16靠近電子束的軌跡放置，從而增加聚焦電子束的效率。
現(xiàn)回到圖5，從電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射的以預(yù)定的傾斜角散射的大部分電子及被聚焦電極16的開口部分16a截下的電子碰撞二次電子發(fā)射層20，并且該二次電子發(fā)射層20產(chǎn)生大量的二次電子。結(jié)果是，第二絕緣層14的開口部分14a內(nèi)的電子被放大并增加了所發(fā)射電子的數(shù)量，所述增加的電子在穿過聚焦電極16的開口部分16a時(shí)以增大的直度行進(jìn)。
現(xiàn)在參考圖6，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置具有金屬網(wǎng)狀柵網(wǎng)電極(grid electrode)，取代上述實(shí)施例的聚焦電極，省略了第二絕緣層。
柵網(wǎng)電極30被設(shè)置在第一與第二基板2、4之間，并通過上和下間隔物32、34與它們分隔開預(yù)定的距離。開口部分30a被形成在柵網(wǎng)電極30處，對應(yīng)于柵極電極10的開口部分10a，其尺寸小于后者。由于柵網(wǎng)電極30開口部分30a的尺寸減小帶來的電子束聚焦的效果可相比于前述實(shí)施例，因此省略對其的詳細(xì)說明。
現(xiàn)在參考圖7A至7G解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的制造方法。
如圖7A所示，在第一基板2上涂覆導(dǎo)電膜并構(gòu)圖，從而形成沿著第一基板2的一個(gè)方向的陰極電極6。在第一基板2的整個(gè)表面上印刷絕緣材料，以形成第一絕緣層8。陰極電極6可以由透明導(dǎo)電材料形成，例如ITO。通過重復(fù)幾次絲網(wǎng)印刷工藝，第一絕緣層8可以形成5-20μm的厚度。
在第一絕緣層8上涂覆導(dǎo)電膜并構(gòu)圖，從而形成垂直于陰極電極6行進(jìn)的柵極電極10，并在其與陰極電極6相交的區(qū)域處形成開口部分10a。
如圖7B所示，在第一絕緣層8和柵極電極10上形成光致抗蝕劑圖案36，并使用光致抗蝕劑圖案36作為掩模層蝕刻第一絕緣層8，從而在第一絕緣層8處形成開口部分8a。此后，分離并去除光致抗蝕劑圖案36。
如圖7C所示，在形成于第一基板2上的結(jié)構(gòu)上方的整個(gè)區(qū)域上形成犧牲層38，并構(gòu)圖以在將要形成電子發(fā)射區(qū)的區(qū)域處形成開口部分38a。接著在犧牲層38上施加含有電子發(fā)射材料和感光材料的膏狀(paste-phased)混合物40。從第一基板2的背面照射紫外線到填充在犧牲層38的開口部分38a內(nèi)的膏狀混合物40上，使其硬化。在去除未硬化的混合物后，去除犧牲層38，從而完成電子發(fā)射裝置，如圖7D所示。
當(dāng)使用犧牲層38形成電子發(fā)射區(qū)12時(shí)，抑制了電子發(fā)射區(qū)12在陰極和柵極電極6、10上的延展，從而防止了兩個(gè)電極間的可能短路。形成電子發(fā)射區(qū)12的方法不限于上述的情況。
如圖7D所示，在第一絕緣層8的開口部分8a處施加光致抗蝕劑材料，使得保護(hù)層42覆蓋電子發(fā)射區(qū)12。
如圖7E所示，在第一絕緣層8和柵極電極10上形成第二絕緣層14。第二絕緣層14具有多層結(jié)構(gòu)，具有不同種類的絕緣層18a、18b、18c、18d，它們相對于蝕刻溶液具有不同的蝕刻速率，并從具有較高蝕刻速率的一種至具有較低蝕刻速率的另一種依次形成。在形成第二絕緣層14時(shí)，第二絕緣層14的整體厚度實(shí)現(xiàn)為大于第一絕緣層8的厚度，從而增加后面形成的聚焦電極的電子束聚焦效果。
如圖7F所示，在第二絕緣層14上形成聚焦電極16并構(gòu)圖，以形成對應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)12的開口部分16a。聚焦電極16的開口部分16a實(shí)現(xiàn)為小于柵極電極10的開口部分10a。
使用蝕刻溶液蝕刻經(jīng)由聚焦電極16的開口部分16a露出的那部分第二絕緣層14。結(jié)果，在遠(yuǎn)離聚焦電極16放置的絕緣層處形成的開口部分的寬度大于在靠近聚焦電極16放置的絕緣層處形成的開口部分的寬度，使得第二絕緣層14的開口部分14a具有倒漏斗的形狀。去除覆蓋電子發(fā)射區(qū)12的保護(hù)層42，從而完成電子發(fā)射結(jié)構(gòu)，如圖7G所示。
具有上述電子發(fā)射結(jié)構(gòu)的第一基板2和具有磷光體層22、黑色層24和陽極電極26的第二基板4被組裝成一體，并將基板2、4間的內(nèi)部空間抽空，從而構(gòu)建成電子發(fā)射裝置。
盡管在上文中詳細(xì)地描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可以對這里教導(dǎo)的基本發(fā)明原理進(jìn)行多種變動和/或修改，這對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)是容易理解的。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括基板；形成在所述基板上的陰極電極；電連接至所述陰極電極的電子發(fā)射區(qū)；形成在所述陰極電極之上并插入第一絕緣層的柵極電極，所述柵極電極具有露出所述基板上的所述電子發(fā)射區(qū)的多個(gè)開口部分；以及形成在所述第一絕緣層和所述柵極電極之上的聚焦電極，第二絕緣層介于所述聚焦電極與所述柵極電極之間，所述聚焦電極具有對應(yīng)于所述柵極電極的所述開口部分、尺寸小于所述柵極電極的所述開口部分的尺寸的開口部分。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極的所述開口部分的寬度大于或者等于所述電子發(fā)射區(qū)的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二絕緣層的厚度大于所述第一絕緣層的厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二絕緣層具有與所述聚焦電極的所述開口部分連通的開口部分，且所述第二絕緣層的所述開口部分的寬度從所述聚焦電極朝向所述基板是逐漸擴(kuò)大的。
5.如權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二絕緣層為具有蝕刻速率不同的絕緣層的多層結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中遠(yuǎn)離所述聚焦電極放置的所述絕緣層的蝕刻速率高于靠近所述聚焦電極放置的所述絕緣層的蝕刻速率。
7.如權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第二絕緣層的所述開口部分的側(cè)壁處的二次電子發(fā)射層。
8.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中形成所述電子發(fā)射區(qū)的材料選自碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線及它們的組合。
9.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，進(jìn)一步包括面對所述基板形成在另一基板上的至少一個(gè)陽極電極，和形成在所述陽極電極的表面上的磷光體層。
10.一種電子發(fā)射裝置，包括彼此面對的第一和第二基板；形成在所述第一基板上的陰極電極；電連接至所述陰極電極的電子發(fā)射區(qū)；形成在所述陰極電極之上并插入絕緣層的柵極電極，所述柵極電極具有露出所述第一基板上的所述電子發(fā)射區(qū)的多個(gè)開口部分；以及設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間并與所述第一和第二基板間隔開預(yù)定距離的柵網(wǎng)電極，所述柵網(wǎng)電極具有對應(yīng)于所述柵極電極的所述開口部分、尺寸小于所述柵極電極的所述開口部分的尺寸的開口部分。
11.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射裝置，進(jìn)一步包括形成在所述第二基板上的至少一個(gè)陽極電極，和形成在所述陽極電極的表面上的磷光體層。
12.一種制造電子發(fā)射裝置的方法，包括在基板上依次形成陰極電極、第一絕緣層和柵極電極；在所述柵極電極和所述第一絕緣層處形成開口部分；通過在所述第一絕緣層和所述柵極電極之上沉積兩個(gè)或更多不同的絕緣層來形成第二絕緣層，該沉積從具有高蝕刻速率的絕緣層至具有低蝕刻速率的絕緣層依次進(jìn)行；在所述第二絕緣層上形成聚焦電極，和在所述聚焦電極處形成尺寸小于所述柵極電極的所述開口部分的尺寸的開口部分；以及通過蝕刻經(jīng)由所述聚焦電極的所述開口部分露出的所述第二絕緣層的部分在該第二絕緣層處形成開口部分，所述第二絕緣層的所述開口部分的寬度從所述聚焦電極至所述基板逐漸地變大。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述柵極電極的開口部分與形成所述第二絕緣層之間，在所述第一絕緣層的所述開口部分內(nèi)部在所述陰極電極上形成電子發(fā)射區(qū)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中保護(hù)層形成在所述第一絕緣層的所述開口部分處并覆蓋所述電子發(fā)射區(qū)，和在形成所述第二絕緣層處的所述開口部分后，除去所述保護(hù)層。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在形成所述第二絕緣層時(shí)，該第二絕緣層的整體厚度實(shí)現(xiàn)為大于所述第一絕緣層的厚度。
16.一種電子發(fā)射裝置，包括形成在基板上的陰極電極；電連接至所述陰極電極的電子發(fā)射區(qū)；形成在所述陰極電極之上并具有露出所述電子發(fā)射區(qū)的第一絕緣層開口的第一絕緣層；形成在所述第一絕緣層之上并具有露出所述電子發(fā)射區(qū)的柵極電極開口的柵極電極；形成在所述柵極電極之上并具有露出所述電子發(fā)射區(qū)的第二絕緣層開口的第二絕緣層；以及形成在所述第二絕緣層之上并具有露出所述電子發(fā)射區(qū)的聚焦電極開口的聚焦電極；其中所述第一絕緣層開口從所述陰極電極至所述柵極電極變寬；所述第二絕緣層開口從所述柵極電極至所述聚焦電極變窄；以及所述聚焦電極開口小于所述柵極電極開口。
17.如權(quán)利要求16所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極開口大于或者等于所述電子發(fā)射區(qū)的寬度。
18.如權(quán)利要求16所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二絕緣層具有大于第一絕緣層厚度的第二絕緣層厚度。
19.如權(quán)利要求16所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二絕緣層為具有蝕刻速率不同的絕緣層的多層結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求16所述的電子發(fā)射裝置，其中在所述第二絕緣層開口上設(shè)置二次電子發(fā)射層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子發(fā)射裝置，包括基板；形成在所述基板上的陰極電極；和電連接至所述陰極電極的電子發(fā)射區(qū)。柵極電極形成在所述陰極電極之上，第一絕緣層置于其間。所述柵極電極具有露出所述基板上的所述電子發(fā)射區(qū)的多個(gè)開口部分。聚焦電極形成在所述第一絕緣層和所述柵極電極之上，第二絕緣層介于其間。所述聚焦電極具有對應(yīng)于所述柵極電極的所述開口部分、尺寸小于所述柵極電極的所述開口部分的尺寸的開口部分。
文檔編號H01J29/46GK1755881SQ200510096510
公開日2006年4月5日 申請日期2005年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月30日
發(fā)明者李昌洙 申請人:三星Sdi株式會社