專利名稱：干蝕刻裝置以及安裝于其上的氣孔裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種干蝕刻裝置，特別是涉及一種氣孔裝置，其安裝于干蝕刻裝置中。
背景技術：
所謂的干蝕刻(Dry Etching)，就是以等離子體(Plasma)來進行薄膜蝕刻的一種技術。由于干蝕刻主要是利用粒子轟擊的物理現(xiàn)象進行蝕刻，因此干蝕刻于垂直方向的蝕刻率遠大于橫向上的。故于薄膜工藝中常常會藉助干蝕刻工藝來進行各向異性蝕刻。
一般的干蝕刻裝置主要由真空腔、上電極板、下電極板、等離子體真空放電區(qū)、電源以及氣體出口所組成。其中，上電極板安裝于真空腔內(nèi)，且具有氣體入口于其上，此氣體入口用以導入工藝氣體。傳統(tǒng)上，上電極板由鋁或者其它金屬材料所制成，因此于上電極板的氣體入口附近一般會鍍上一層陽極膜來避免尖端放電的現(xiàn)象。下電極板亦安裝于真空腔內(nèi)，且等離子體真空放電區(qū)介于上電極板與下電極板之間。電源電連接上電極板與下電極板，用以提供等離子體真空放電區(qū)所需的電位差。氣體出口連接真空腔與真空系統(tǒng)，用以維持真空腔內(nèi)的等離子體狀態(tài)。利用等離子體真空放電區(qū)內(nèi)的高壓電場互相作用所產(chǎn)生的等離子體來蝕刻。
然而，于等離子體真空放電區(qū)內(nèi)的等離子體也同樣地會蝕刻上電極板與下電極板，特別是上電極板的氣體入口因氣孔為直角在生成陽極模時其致密性較低故附近更容易被蝕刻。若上電極板上鍍的陽極膜被蝕刻耗盡，而使上電極板的鋁或其它金屬材料外露，將使氣體入口附近產(chǎn)生尖端放電的問題。此外，由于等離子體的持續(xù)蝕刻作用下，將使蝕刻上電極板而濺飛的粒子污染真空腔。
綜合以上所述，如何能夠保護上電極板的氣體入口附近免于受等離子體蝕刻，進而避免尖端放電以及粒子污染的問題，為干蝕刻相關設備的設計者、使用者與制造者所共同企盼。
鑒于上述的發(fā)明背景中，由于傳統(tǒng)的干蝕刻裝置中的高壓電場所產(chǎn)生的等離子體，在蝕刻工藝的同時亦蝕刻上電極板，特別是氣體入口附近。此將造成氣體入口尖端放電以及真空腔內(nèi)粒子污染等問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的就是在提供一種氣孔裝置，安裝于干蝕刻設備中，此氣孔裝置利用樹脂材料所制成的氣孔本體來保護干蝕刻設備的氣體入口免受蝕刻的影響。
本發(fā)明的另一目的是在提供一種干蝕刻裝置，其具有樹脂層安裝于氣體入口，用以保護氣體入口免于遭受蝕刻，進而避免于氣體入口處產(chǎn)生尖端放電的問題。
本發(fā)明的又一目的是在提供一種干蝕刻裝置，其具有樹脂層安裝于氣體入口，用以保護氣體入口免于遭受蝕刻，進而避免真空腔內(nèi)產(chǎn)生粒子污染的問題。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種干蝕刻裝置，其利用等離子體進行薄膜蝕刻。此干蝕刻裝置由真空腔、上電極板、下電極板、等離子體真空放電區(qū)、電源以及氣體出口所組成。其中，上電極板安裝于真空腔內(nèi)，且具有氣體入口，此氣體入口用以導入工藝氣體。下電極板亦安裝于真空腔內(nèi)，且等離子體真空放電區(qū)介于上電極板與下電極板之間。電源電連接上電極板與下電極板，用以提供等離子體真空放電區(qū)所需的電位差。氣體出口連接真空腔與真空系統(tǒng)，用以維持真空腔內(nèi)的等離子體狀態(tài)。而上述的氣體入口還具有一樹脂層，用以保護氣體入口免于被蝕刻影響。
依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例，上述的樹脂層由聚酰亞胺(Polyimide)所制成。此外，氣體入口還可具有一凹緣，位于氣體入口與真空腔鄰接的一端。而樹脂層亦可具有一凸緣，此凸緣與上述的凹緣相互配合，用以使樹脂層安裝于氣體入口。
本發(fā)明的干蝕刻裝置，其利用了安裝于氣體入口的樹脂層來保護氣體入口免于蝕刻的影響。此外，由于氣體入口未遭受蝕刻，故于氣體入口的尖端放電以及真空腔內(nèi)的粒子污染等問題也因此而減輕。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附圖式的詳細說明如下圖1為繪示依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的干蝕刻裝置的一種示意圖。
圖2為繪示依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的氣體入口的一種示意圖。
簡單符號說明100干蝕刻裝置110真空腔120上電極板 122氣體入口124凹緣 130下電極板140等離子體真空放電區(qū)150電源160氣體出口 210樹脂層212凸緣 214通氣口具體實施方式
本發(fā)明的干蝕刻裝置能避免氣體入口附近遭受等離子體蝕刻，使得尖端放電以及粒子污染等問題能有效下降。以下將以圖標及詳細說明清楚說明本發(fā)明的精神，如本領域技術人員在了解本發(fā)明的優(yōu)選實施例后，當可由本發(fā)明所教示的技術，加以改變及修飾，其并不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
參照圖1，其繪示依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的干蝕刻裝置的示意圖。如圖中所示，此干蝕刻裝置100由真空腔110、上電極板120、下電極板130、等離子體真空放電區(qū)140、電源150以及氣體出口160所組成。其中，上電極板120安裝于真空腔110內(nèi)，且具有至少一氣體入口122，此氣體入口122用以導入工藝氣體。
其中，上電極板120一般由鋁或其它金屬材料制成。此上電極板120上還可鍍上一層陽極膜，以避免尖端放電的現(xiàn)象產(chǎn)生。
而上述的工藝氣體可為氯化氫或氫氣。然而工藝氣體并不限于此，此工藝氣體亦可隨著工藝需要而選用適合的氣體。
下電極板130亦安裝于真空腔110內(nèi)，而等離子體真空放電區(qū)140介于上電極板120與下電極板130之間。電源150電連接上電極板120與下電極板130，用以提供等離子體真空放電區(qū)140所需的電位差。氣體出口160連接真空腔110與真空系統(tǒng)(未圖標)，用以維持真空腔110內(nèi)的等離子體狀態(tài)。
參照圖2，其繪示依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的氣體入口的示意圖。在圖2中，氣體入口122還具有一樹脂層210，用以保護氣體入口122免于被蝕刻影響。
在本實施例中，樹脂層210由聚酰亞胺所制成。然此樹脂層210亦可為其它樹脂材料。
其中，氣體入口122還可具有一凹緣124，此凹緣124位于氣體入口122與真空腔110鄰接的一端。而樹脂層210亦可具有一凸緣212，此凸緣212與凹緣124相互配合，使樹脂層210以拴塞的方式固定于氣體入口122。然只要不違背本發(fā)明的精神，使用其它形式的固定方式亦可，如螺栓、螺釘、粘著劑或其它類似的方式。
如圖2所示，樹脂層210還可具有一通氣口214。此通氣口214連接氣體入口122與真空腔110，用以導入工藝氣體。
由上述本發(fā)明優(yōu)選實施例可知，應用本發(fā)明具有下列優(yōu)點。
(1)由于本發(fā)明的干蝕刻裝置利用了樹脂層來保護上電極板的氣體入口免受蝕刻的影響，進而使上電極板的氣體入口附近的尖端放電問題得以減緩。
(2)由于本發(fā)明的干蝕刻裝置利用了樹脂層來保護上電極板的氣體入口免受蝕刻的影響，進而使真空腔內(nèi)的粒子污染問題得以減緩。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領域的技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以后附的權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種干蝕刻裝置，其利用等離子體進行薄膜蝕刻，該干蝕刻裝置至少包含一真空腔；一上電極板，安裝于該真空腔內(nèi)，該上電極板包含至少一氣體入口，用以導入一工藝氣體；一下電極板，安裝于該真空腔內(nèi)；一等離子體真空放電區(qū)，位于該真空腔內(nèi)，且介于該上電極板與該下電極板之間；一電源，電連接該上電極板與該下電極板，用以提供該等離子體真空放電區(qū)一電位差；以及至少一氣體出口，連接該真空腔與一真空系統(tǒng)，用以保持該真空腔內(nèi)的等離子體狀態(tài)；其中，該至少一氣體入口還包括一樹脂層，該樹脂層安裝于該至少一氣體入口。
2.如權利要求1所述的干蝕刻裝置，其中該樹脂層包含聚酰亞胺材料。
3.如權利要求1所述的干蝕刻裝置，其中該上電極板包含金屬層。
4.如權利要求3所述的干蝕刻裝置，其中該上電極板包含陽極膜，該陽極膜位于該金屬層之上。
5.如權利要求3所述的干蝕刻裝置，其中該金屬層包含鋁。
6.如權利要求1所述的干蝕刻裝置，其中該工藝氣體包含氯化氫。
7.如權利要求1所述的干蝕刻裝置，其中該工藝氣體包含氫氣。
8.如權利要求1所述的干蝕刻裝置，其中該至少一氣體入口包含一凹緣，該凹緣位于該至少一氣體入口與該真空腔鄰接的一端。
9.如權利要求8所述的干蝕刻裝置，其中該樹脂層包含一凸緣，該凸緣配合該凹緣，用以使該樹脂層安裝于該至少一氣體入口。
10.如權利要求1所述的干蝕刻裝置，其中該樹脂層包含一通氣口，該通氣口連接該至少一氣體入口與該真空腔，用以導入該工藝氣體。
11.如權利要求1所述的干蝕刻裝置，其中該樹脂層與該至少一氣體入口以拴塞的方式安裝。
全文摘要
一種干蝕刻裝置，其利用等離子體進行薄膜蝕刻。此干蝕刻裝置由真空腔、上電極板、下電極板、等離子體真空放電區(qū)、電源以及氣體出口所組成。其中，上電極板安裝于真空腔內(nèi)，且具有至少一氣體入口，此氣體入口用以導入工藝氣體。下電極板亦安裝于真空腔內(nèi)，而等離子體真空放電區(qū)介于上電極板與下電極板之間。電源電連接上電極板與下電極板，用以提供等離子體真空放電區(qū)所需的電位差。氣體出口連接真空腔與真空系統(tǒng)，用以維持真空腔內(nèi)的等離子體狀態(tài)。而上述的氣體入口更具有一樹脂層，用以保護氣體入口免于被蝕刻影響。
文檔編號H01J37/32GK1735313SQ200510092109
公開日2006年2月15日 申請日期2005年8月19日 優(yōu)先權日2005年8月19日
發(fā)明者江泓慶, 張奕錕, 洪國展, 侯建州 申請人:友達光電股份有限公司