技術(shù)編號：2966404
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種干蝕刻裝置，特別是涉及一種氣孔裝置，其安裝于干蝕刻裝置中。背景技術(shù) 所謂的干蝕刻(Dry Etching)，就是以等離子體(Plasma)來進(jìn)行薄膜蝕刻的一種技術(shù)。由于干蝕刻主要是利用粒子轟擊的物理現(xiàn)象進(jìn)行蝕刻，因此干蝕刻于垂直方向的蝕刻率遠(yuǎn)大于橫向上的。故于薄膜工藝中常常會藉助干蝕刻工藝來進(jìn)行各向異性蝕刻。一般的干蝕刻裝置主要由真空腔、上電極板、下電極板、等離子體真空放電區(qū)、電源以及氣體出口所組成。其中，上電極板安裝于真空腔內(nèi)，且具有氣體入...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。