專利名稱：具有微腔色域子像素的oled器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微腔有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件。
背景技術(shù)：
最近人們已經(jīng)證實，全色有機(jī)電致發(fā)光(EL)，也稱作有機(jī)發(fā)光器件或(OLED)可以作為一種新型平板顯示器。有機(jī)EL器件的簡單形式包括用于注入空穴的陽極、用于注入電子的陰極、和夾在這些電極之間對產(chǎn)生光發(fā)射的電荷重新結(jié)合提供支持的有機(jī)EL介質(zhì)。在共同受讓的美國專利No.4356429中描述了有機(jī)EL器件的例子。為了構(gòu)建pixilaed顯示器件，比如用作，例如，電視、計算機(jī)顯示器、電話顯示屏或數(shù)碼相機(jī)顯示屏，可以將單獨的有機(jī)EL元件排列成矩陣模式的像素陣列。為了制備多色顯示，將像素進(jìn)一步排列成子像素，其中每個子像素發(fā)出不同的顏色。像素矩陣可以采用簡單無源矩陣或者有源矩陣驅(qū)動方案電驅(qū)動。在無源矩陣中，有機(jī)EL層夾在兩套正交電極中，該電極成行和成列排列。在共同受讓的美國專利No.5276380中公開了無源矩陣驅(qū)動有機(jī)EL器件的例子。在有源矩陣的構(gòu)造中，每個像素由多個電路元件，比如晶體管、電容器和信號線驅(qū)動。美國專利No.5550066(共同受讓的)、6281634和6456013中公開了這種有源矩陣有機(jī)EL器件的例子。
全色OLED器件也是本領(lǐng)域公知的。通常，金色OLED器件由具有三種子像素，即紅色、綠色和藍(lán)色，的像素構(gòu)建而成。這種排列稱作RGB設(shè)計。美國專利NO.6281634公開了RGB設(shè)計的例子。最近，人們也描述了由具有四種子像素，即紅色、綠色、藍(lán)色和白色，的像素構(gòu)建而成的全色有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件。這種排列稱作RGBW設(shè)計。在共同受讓的美國專利申請2002/0186214A1中公開RGBW器件的例子。在RGBW器件中，采用高效率的白光發(fā)射像素顯示數(shù)字圖像內(nèi)容的一部分。這導(dǎo)致和由相似OLED材料構(gòu)成的RGB相比，能量消耗得到改善。但是，在這種設(shè)計中，紅色、綠色和藍(lán)色子像素的效率沒有得到改善。所以，對于顯示純紅色、純藍(lán)色或純綠色的數(shù)字圖像內(nèi)容的任何部分而言，比如，例如通常在許多個人數(shù)字助理(PDA)、電話或數(shù)碼相機(jī)應(yīng)用中采用的圖標(biāo)和工具條，并沒有節(jié)省功率。而且，添加第四種子像素導(dǎo)致所有的紅色、綠色和藍(lán)色子像素必需小型化制備，以在每單位面積里適配總數(shù)目相同的子像素和實現(xiàn)與具有可比性的RGB器件相同的器件像素分辨率。這樣導(dǎo)致為了使得該純紅、純藍(lán)或純綠內(nèi)容以相同亮度顯示，相關(guān)的紅色、綠色和藍(lán)色子像素的每單位面積電流密度必須增加。已知隨著電流密度的增加，OLED器件會更快地退化或者效率下降。對于RGBW顯示而言，這可能導(dǎo)致和等價的RGB顯示相比，純紅、純綠或純藍(lán)的并且通常顯示為比如，例如圖標(biāo)和工具條，的內(nèi)容使得圖像老化得更快，并因而降低整體器件壽命。
所以，需要其中紅色、綠色和藍(lán)色子像素的效率和壽命都得到改善的RGBW器件。
發(fā)明綜述本發(fā)明的目的是采用具有色域子像素和色域內(nèi)子像素的像素的OLED顯示器件，所述顯示器件可以基本上改善色域子像素的效率。
本目的通過包括下列的OLED器件得以實現(xiàn)(a)發(fā)光像素陣列，每一像素包括具有有機(jī)層的子像素，所述有機(jī)層包括至少一層產(chǎn)生光的發(fā)射層分隔的電極，而且其中具有至少三個產(chǎn)生顏色，所述顏色限定了顏色色域，的色域子像素和至少一個產(chǎn)生位于所述色域子像素產(chǎn)生的所述色域之內(nèi)的光的子像素；和(b)其中所述色域子像素的至少一個包括反射體和半透明反射體，所述反射體和半透明反射體形成微腔。
通過構(gòu)造具有微腔結(jié)構(gòu)的色域子像素，本發(fā)明改善了效率和壽命。進(jìn)一步的優(yōu)點在于這種器件可以采用對所有子像素而言是共用的OLED有機(jī)層構(gòu)造而成，無需為了形成所述子像素而精確圖案化。又一個優(yōu)點在于這種器件可以在無需濾色單元的情況下構(gòu)造而成，從而降低了成本。
附圖簡述

圖1a-d描述了可用于本發(fā)明的RGBW像素模式設(shè)計；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施方案的像素的橫截面圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方案的像素的橫截面圖；和圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施方案的像素的橫截面圖。
發(fā)明詳述RGBW顯示是采用色域內(nèi)發(fā)射(within-gamut emission)改善功率消耗的顯示類型的例子。這種顯示器件能夠通過采用具有至少四種不同顏色子像素的像素顯示彩色圖像。子像素的至少三種是發(fā)射不同顏色的色域子像素(gamut subpixel)，這些不同顏色限定了顯示的色域。例如，色域子像素可以發(fā)射紅色、綠色或藍(lán)色的光。通過兩種或多種色域子像素的不同強(qiáng)度照射，可以生成其它顏色。這些新顏色是色域內(nèi)顏色。這種顯示器件也具有至少一個附加的子像素，該子像素是色域內(nèi)子像素(within-gamut subpixel)，發(fā)射色域內(nèi)色光，比如白色。本發(fā)明所用的術(shù)語白色是指觀察者感知到的接近白色的任何光發(fā)射。這些色域內(nèi)子像素通常比色域子像素效率更高。圖1示出了RGBW器件的像素構(gòu)造的例子。
圖1a示出了RGBW器件像素20的帶狀模式構(gòu)造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域內(nèi)子像素21d。這些子像素可以分別具有例如紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)和白色(W)。
圖1b示出了RGBW器件像素20的四邊形模式構(gòu)造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域內(nèi)子像素21d。這些子像素可以分別具有例如紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)和白色(W)。
圖1c示出了RGBW器件像素20的另一種模式構(gòu)造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域內(nèi)子像素21d。這些子像素可以分別具有例如紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)和白色(W)。
圖1d示出了RGBW器件像素20的另一種模式構(gòu)造。像素20包括色域子像素21a、21b和21c，以及色域內(nèi)子像素21d。這些子像素可以分別具有例如紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)和白色(W)。
其它RGBW模式可以應(yīng)用到本發(fā)明中。而且，也可以應(yīng)用具有超過4個子像素的模式。盡管在上述例子中所示子像素于某種次序排列，但是在其它實施方案中這些子像素可以以不同的次序排列。而且，盡管所示的子像素尺寸和形狀都相同，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員會認(rèn)識到，其它實施方案可以具有尺寸和形狀不同的子像素。
由于色域內(nèi)子像素往往比色域子像素的至少之一的效率高，所以這種類型的顯示比常規(guī)OLED顯示的效率高。通常，色域內(nèi)子像素比所有色域子像素的效率高。每個子像素都可以采用設(shè)計來發(fā)射不同色光的分開OLED材料制備。但是，優(yōu)選構(gòu)造對所有子像素采用共有的公共寬帶或發(fā)射白光的OLED材料。采用寬帶或發(fā)白光的OLED材料不再需要將該OLED材料對每個像素圖案化。在這種情況下，可以為一些子像素采用濾色片，將寬帶或白色發(fā)射轉(zhuǎn)變成單獨的顏色。例如，可以在RGBW器件的色域子像素中采用紅、綠和藍(lán)濾色片形成紅色、綠色和藍(lán)色，同時該色域內(nèi)子像素保持不濾色狀態(tài)而發(fā)白光。由于該色域內(nèi)子像素沒有濾色片，所以比色域子像素效率高。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的器件的一個像素的橫截面，該像素具有例如帶狀模式，具有三個色域子像素21a、21b和21c以及一個色域內(nèi)子像素21d。這些子像素發(fā)射具有色域顏色的光30a、30b和30c以及具有色域內(nèi)顏色的光30d。圖2所示的器件是有源矩陣，具有有源矩陣線路110，但是在本發(fā)明中可以應(yīng)用可替換的實施方案，所述可替換實施方案是沒有有源矩陣線路的無源矩陣。圖2還示出了底部發(fā)射型構(gòu)造，即光(30a、30b、30c和30d)沿著基體方向提取出來。采用微腔結(jié)構(gòu)形成色域子像素21a、21b和21c。采用發(fā)射體和半透明反射體形成微腔結(jié)構(gòu)。在發(fā)射體和半透明反射體中間形成有機(jī)EL介質(zhì)。發(fā)射體和半透明反射體之間的層構(gòu)成光學(xué)型腔，隨后調(diào)整該型腔的厚度和折射系數(shù)，以在所需波長處發(fā)生共振。在(美國專利No.6406801 B1、5780174A1和JP11288786)中給出了微腔結(jié)構(gòu)的例子。發(fā)射體的優(yōu)選材料具有高發(fā)射性，包括Ag、Al、Au或者由這些材料的一種或多種構(gòu)成的合金。半透明反射體具有部分反射性以及部分透射性。半透明反射體的優(yōu)選材料包括Ag、Au或者由這兩種材料的一種或全部組成的合金。這些材料的厚度經(jīng)選擇后使其具有半透明，即部分透射和部分反射。該厚度可以為例如5nm-50nm，更優(yōu)選為15nm-30nm。如果采用導(dǎo)電材料形成反射體或半反射體，那么該反射體、半透明反射體或者這兩者也可以行使有機(jī)EL介質(zhì)的電極，或者陽極或者陰極，的功能。由具有交替高折射系數(shù)和低折射系數(shù)的透明材料的1/4波長堆組成的可替換半透明反射體也是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，可用于本發(fā)明。在通過基體觀察光的底部發(fā)射型構(gòu)造中，比如如圖所示，半透明反射體位于有機(jī)EL層和基體之間，而反射體位于基體、半透明反射體和有機(jī)EL層的上方。可替換地，在通過與基體相對方向觀察光的頂部發(fā)射型構(gòu)造中，反射體位于有機(jī)EL層和基體之間，而半透明反射體位于基體、反射體和有機(jī)EL層的上方。
有源矩陣線路110形成在基體100上方。有源矩陣線路110包括第一薄膜晶體管(TFT)，該晶體管由半導(dǎo)體有源層111、柵介電體112、柵導(dǎo)體113、第一絕緣層114和第二絕緣層117構(gòu)成。有源矩陣線路110還包括攜帶亮度信號的一條信號線116和向晶體管供電的一條電源線115。制備TFT線路的方法是本領(lǐng)域公知的。盡管對每個子像素僅僅示出了單個晶體管、信號線和電源線，但是通常每個子像素也具有第二晶體管(未示出)以及電容器(未示出)和附件的選擇線(未示出)。具有不同數(shù)量和構(gòu)造的線路元件的線路的許多類型都是本領(lǐng)域公知的，應(yīng)該理解很多種這些線路都可用于本發(fā)明。有源矩陣構(gòu)造的例子包括美國專利No.5550066、6281634和6501466。盡管制備的圖示TFT具有薄膜半導(dǎo)體有源層111，但是應(yīng)該理解當(dāng)具有半導(dǎo)性基體時，該基體實際上可以行使此功能。盡管圖示的頂柵結(jié)構(gòu)中柵導(dǎo)體113和柵介電體112位于半導(dǎo)電有源層111上方，但是，可以具有反結(jié)構(gòu)(稱作底柵)的TFT可以用來驅(qū)動有機(jī)EL器件，也是本領(lǐng)域公知的。
在有源矩陣線路上方，分別在色域子像素21a、21b和21c中形成了半透明反射體120a、120b和120c。這些半透明反射體120a、120b和120c可以由反射性材料，比如Ag、Au、Al和其合金形成，為了同樣具有半透明性，這些金屬制得很薄。雖然沒有要求，但是該半透明反射體也可能充當(dāng)用于有機(jī)EL介質(zhì)得電極之一。
色域內(nèi)子像素21d沒有半透明反射體，但相反只有透明電極130。透明電極130通常由金屬氧化物構(gòu)成，所述金屬氧化物比如但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鉬(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化銻(SbOx)和氧化鋅(ZnOx)。透明電極130也或者如圖所示直接，或者通過中間導(dǎo)體向下連接到有源矩陣元件上。采用透明電極而沒有半透明反射體，導(dǎo)致該色域內(nèi)子像素不具有微腔結(jié)構(gòu)。
對于色域子像素21a而言，在半透明反射體120a上形成了透明型腔分隔層140a。透明型腔分隔層140a可以由金屬氧化物構(gòu)成，所述金屬氧化物比如但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鉬(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化銻(SbOx)和氧化鋅(ZnOx)。在這種情況下，該透明型腔分隔層140a同時充當(dāng)該有機(jī)EL介質(zhì)210的電極，使得該透明型腔分隔層140a必須向下電連接到該有源矩陣元件上。該電連接可以直接實現(xiàn)，或者，如果該半透明反射體120a是導(dǎo)電材料，比如Ag、Al、Au或其合金，則可以通過圖示的半透明反射體120a或者其它中間導(dǎo)體來實現(xiàn)。如果透明型腔分隔層140a沒有導(dǎo)電性，那么該半透明反射體120a可以充當(dāng)該有機(jī)EL介質(zhì)210的電極，所以會向下電連接到該有源矩陣線路110上?？商鎿Q地，透明電極130、透明型腔分隔層140a和半透明反射體120a可以由三層(或更多)不同層形成，在這種情況下，該透明電極會和該有源矩陣線路發(fā)生電接觸，而該型腔分隔層可以位于該透明電極和半透明電極之間。為了調(diào)節(jié)該型腔使其在子像素21a的色光(例如紅色)所需的波長處發(fā)生共振，結(jié)合有機(jī)EL介質(zhì)210的厚度和折射系數(shù)對透明型腔分隔層140a的厚度和折射系數(shù)進(jìn)行最優(yōu)化。調(diào)整厚度和折射系數(shù)來實現(xiàn)所需的微腔發(fā)射，是本領(lǐng)域公知的。
色域子像素21b同樣采用位于半透明反射體120b上的型腔分隔層140b構(gòu)建。在這種情況下，為了調(diào)節(jié)該型腔使其在子像素21a的色光(例如綠色)所需的不同波長處發(fā)生共振，結(jié)合有機(jī)EL介質(zhì)210的厚度和折射系數(shù)對型腔分隔層140b的厚度和折射系數(shù)進(jìn)行最優(yōu)化。
本圖所示的色域子像素21c沒有型腔分隔層。在這種情況下，為了調(diào)節(jié)該型腔使其在子像素21c的色光(例如藍(lán)色)所需的不同波長處發(fā)生共振，僅僅對有機(jī)EL介質(zhì)210的厚度和折射系數(shù)進(jìn)行最優(yōu)化。如果該有機(jī)EL介質(zhì)210是所有子像素共用的，如圖所示，那么有機(jī)EL介質(zhì)210僅僅針對該色域子像素進(jìn)行最優(yōu)化，而其它色域子像素通過其各自的型腔分隔層分開調(diào)整。這種構(gòu)造使得需要沉積和圖案化的不同型腔分隔層的數(shù)目最小。但是，在可替換的實施方案中，所有的色域子像素可以包括型腔分隔層，其中每一子像素分開進(jìn)行最優(yōu)化以調(diào)整到所需的顏色。為了使得該有機(jī)EL介質(zhì)210可以在無需為每一子像素進(jìn)行圖案化的條件下沉積，優(yōu)選采用這些上述的型腔分隔層。但是，在可替換的實施方案中，可以對該有機(jī)EL介質(zhì)的有機(jī)層的一層或多層進(jìn)行圖案化，并分開調(diào)節(jié)厚度或折射系數(shù)，從而調(diào)整每一色域子像素的微腔。在這種構(gòu)造中，可以采用或去除型腔分隔層。但是，這要求對有機(jī)層的至少一層進(jìn)行精確的圖案化。
如上所述，為了使沉積步驟和圖案化步驟的數(shù)目最小化，色域子像素之一可以不具有型腔分隔層。減少沉積和圖案化步驟數(shù)目的另一種優(yōu)選方法是采用同一材料、厚度和折射系數(shù)形成該非色域子像素的型腔分隔層，例如型腔分隔層140b，和透明電極，例如透明電極130，之一。
像素間介電層160，如同美國專利No.6246179所述，優(yōu)選用來覆蓋透明電極的邊緣，以防在該區(qū)域出現(xiàn)短路或強(qiáng)電場。如果型腔分隔層具有導(dǎo)電性或者形成了電極的一部分，那么該像素間介電層160還可以覆蓋該型腔分隔層，如圖所示。盡管使用該像素間介電層160是優(yōu)選的，但是這并不是成功實施本發(fā)明所必需的。
每個子像素還包括形成有機(jī)EL介質(zhì)210的有機(jī)層。有很多種其中本發(fā)明可以成功實踐的有機(jī)EL介質(zhì)210層的構(gòu)造。例如，在共同受讓的EP1187235、美國專利公開No.20020025419(共同受讓的)、EP1182244、美國專利No.5693283(共同受讓的)、5503910、5405709(共同受讓的)和5283182中，描述了發(fā)射寬帶或白光的有機(jī)EL介質(zhì)層的例子。如同在共同受讓的EP1187235A2中所述，通過包含下列層，可以獲得發(fā)射白光的有機(jī)EL介質(zhì)空穴注入層211、設(shè)置在該空穴注入層211上方而且摻雜有用于在黃色光譜區(qū)發(fā)光的紅熒烯化合物的空穴傳輸層212、位于該空穴傳輸層212上方而且摻雜有發(fā)藍(lán)光的化合物的發(fā)光層213、和位于該發(fā)光層213上方的電子傳輸層214。其中針對不同子像素采用了一種或多種不同有機(jī)EL介質(zhì)材料的可替換性實施方案，也可用于本發(fā)明。
在該有機(jī)EL介質(zhì)210上形成了反射體220。反射體220可以由比如Al、Ag、Au或其合金的材料形成。反射體220還可以充當(dāng)該有機(jī)EL基質(zhì)210的第二電極。
經(jīng)過圖示的透明型腔分隔層位于半透明反射體和有機(jī)EL介質(zhì)之間，但是，在可替換的實施方案中，可以相反在該有機(jī)EL介質(zhì)和反射體之間形成型腔階段分隔層(cavity step spacer)。
在另一可替換的實施方案中，其中有機(jī)EL介質(zhì)210的一層或多層并不是所有子像素所共用的，相反卻是針對每一子像素單獨進(jìn)行圖案化，那么可以去除型腔分隔層，而且可以通過針對每一色域子像素分別調(diào)整形成該有機(jī)EL基質(zhì)210的一層或多層的厚度、折射系數(shù)或全部，來調(diào)整色域子像素的微腔。在這種情況下，如果該有機(jī)EL介質(zhì)210被設(shè)計成發(fā)寬帶光，則可以優(yōu)選對該色域內(nèi)子像素和一個或多個色域子像素的有機(jī)EL介質(zhì)210層的一層或多層采用同一厚度，從而使沉積步驟的數(shù)目最小化。
圖3示出了本發(fā)明的又一實施方案的橫截面，該實施方案是頂部發(fā)射，即光(30a、30b、30c和30d)從遠(yuǎn)離基體的方向上提取。為了實現(xiàn)該頂部發(fā)射構(gòu)造，反射體150a、150b、150c和150d位于有機(jī)EL介質(zhì)210和基體100之間。這些反射體150a、150b、150c和150d可以比如Ag、Au、Al或其合金的材料形成。這些反射體150a、150b、150c和150d也可以充當(dāng)有機(jī)EL介質(zhì)210的電極，如圖所示，在這種情況下，它必須向下連接到有源矩陣線路上。在該實施方案中，對色域子像素21a、21b和21c而言，半透明反射體230必須形成在有機(jī)EL基質(zhì)210上。但是，為了不出現(xiàn)在色域內(nèi)子像素21d中，該半透明反射體230必須進(jìn)行圖案化。在該色域內(nèi)子像素21d上，必須使用透明電極240。盡管并不要求，但是透明電極可以位于其它子像素上方，如圖所示，從而不再需要圖案化。透明電極240可以由金屬氧化物構(gòu)成，所述金屬氧化物比如但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鉬(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化銻(SbOx)和氧化鋅(ZnOx)。
盡管在圖3中反射體(150a、150b、150c和150d)形成了有機(jī)EL介質(zhì)210的一個電極，但是在可替換的實施方案中，可以在該反射體上方和有機(jī)EL介質(zhì)210的下方形成分開的電極，該分開電極隨后成為色域子像素21a、21b和21c的微腔空腔的一部分。該電極可以由金屬氧化物構(gòu)成，所述金屬氧化物比如但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鉬(MoOx)、氧化碲(TeOx)、氧化銻(SbOx)和氧化鋅(ZnOx)。
經(jīng)過圖3所示的透明電極240位于半透明反射體230上方，但是在可替換的實施方案中，它可以位于該半透明反射體230和有機(jī)EL介質(zhì)210之間。在這種情況下，對所有子像素而言，透明電極240會形成有機(jī)EL介質(zhì)210的電極之一，而且成為微腔空腔的一部分。
上述實施方案舉例說明了通過采用微腔改善所有色域子像素的效率和壽命、同時仍然保持從色域內(nèi)子像素產(chǎn)生寬帶或白光發(fā)射的能力的例子。但是，其它實施方案是可行的，其中僅僅一些色域子像素通過采用微腔結(jié)構(gòu)得到改善。也就是說，有些色域子像素并沒有經(jīng)過構(gòu)造形成微腔。這種構(gòu)造的例子示于圖4，它具有兩個微腔色域子像素22b和22c、一個非微腔色域子像素22a和色域內(nèi)子像素22d。在這種情況下，采用反射體220和透明電極130a形成了非微腔色域子像素22a。該透明電極可以和該色域內(nèi)子像素22d的透明電極130d所用的材料和厚度相同。如果所用的有機(jī)EL介質(zhì)210發(fā)射白光或?qū)拵Ч?，那么可以為這些子像素采用濾色片301來實現(xiàn)所需的色域顏色。采用濾色片強(qiáng)寬帶發(fā)射轉(zhuǎn)變成具體顏色的窄帶發(fā)射，是本領(lǐng)域公知的。只要至少一個色域子像素構(gòu)造成微腔形式，那么根據(jù)本發(fā)明就可以實現(xiàn)壽命和效率的一些改進(jìn)。
已經(jīng)特別參考某些優(yōu)選實施方案對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)描述，但是應(yīng)該理解可以進(jìn)行改變和修改，這些修改和改變都落在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
部件列表20 像素21a 色域子像素21b 色域子像素21c 色域子像素21d 色域內(nèi)子像素22a 非微腔色域子像素22b 微腔色域子像素22c 微腔色域子像素22d 色域內(nèi)子像素30a 光30b 光30c 光30d 光100 基體110 有源矩陣線路111 半導(dǎo)體有源層112 柵介電體113 柵介電體114 第一絕緣層115 電源線116 信號線117 第二絕緣層120a 半透明反射體120b 半透明反射體120c 半透明反射體130 透明電極130a 透明電極130d 透明電極
140a 透明型腔分隔層140b 透明型腔分隔層150a 反射體150b 反射體150c 反射體150d 反射體160 像素間介電體210 空穴注入層212 空穴傳輸層213 發(fā)光層214 電子傳輸層220 反射體230 半透明反射體240 透明電極310 濾色片
權(quán)利要求
1.OLED器件，包括(a)發(fā)光像素陣列，每一像素包括具有有機(jī)層的子像素，所述有機(jī)層包括至少一層產(chǎn)生光的發(fā)射層和分隔電極，而且其中具有至少三個產(chǎn)生顏色，所述顏色限定了顏色色域，的色域子像素和至少一個產(chǎn)生位于所述色域子像素產(chǎn)生的顏色色域之內(nèi)的光的子像素；和(b)其中所述色域子像素的至少一個包括反射體和半透明反射體，所述反射體和半透明反射體形成微腔。
2.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述反射體也充當(dāng)所述子像素至少之一的電極。
3.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述半透明反射體也充當(dāng)一個或多個所述子像素的電極。
4.權(quán)利要求1的OLED器件，其中由所述色域子像素產(chǎn)生的所述顏色是紅色、綠色和藍(lán)色，以及由所述色域內(nèi)子像素產(chǎn)生的顏色是白色。
5.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述有機(jī)層產(chǎn)生寬帶反射，而且是所有像素的所有子像素是共用的。
6.權(quán)利要求5的OLED器件，其中所述色域子像素的至少一個還包括濾色單元。
7.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述器件是無源矩陣器件。
8.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述器件是有源矩陣器件。
9.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述具有微腔結(jié)構(gòu)的色域子像素還包括透明型腔分隔層，其中結(jié)合有機(jī)層針對每一色域子像素的厚度和折射系數(shù)，分別針對每一不同顏色的色域子像素分開調(diào)節(jié)所述透明型腔分隔層的厚度、所述透明型腔分隔層的折射系數(shù)、或者兩者，以調(diào)整所述微腔到所需的顏色。
10.權(quán)利要求9的OLED器件，其中所述色域子像素之一的所述透明型腔分隔層由與至少一個所述色域內(nèi)子像素的透明電極的相同材料和厚度形成。
11.權(quán)利要求1的OLED器件，其中具有微腔結(jié)構(gòu)的所述色域子像素中，除了一個之外還包括透明型腔分隔層，其中結(jié)合有機(jī)層針對每一色域子像素的厚度和折射系數(shù)，分別針對每一不同顏色的色域子像素分開調(diào)節(jié)所述透明型腔分隔層的厚度、所述透明型腔分隔層的折射系數(shù)、或者兩者，以調(diào)整所述微腔到所需的顏色。
12.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述色域子像素之一的所述透明型腔分隔層由和至少一個所述色域內(nèi)子像素的所述透明電極相同的材料和厚度形成。
13.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述有機(jī)層的一層或多層針對一個或多個子像素分開進(jìn)行圖案化。
14.權(quán)利要求13的OLED器件，其中所述有機(jī)層的一層或多層針對每個色域子像素分開進(jìn)行圖案化。
15.權(quán)利要求13的OLED器件，其中有機(jī)層產(chǎn)生寬帶發(fā)射，而且所述有機(jī)層的所有層對于所述色域子像素的一個或多個以及所述色域內(nèi)子像素的一個或多個是相同的。
16.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述器件是底部發(fā)射型。
17.權(quán)利要求1的OLED器件，其中所述器件是頂部發(fā)射型。
全文摘要
一種OLED器件，包括發(fā)光像素陣列，每一像素包括具有有機(jī)層的子像素，所述有機(jī)層包括至少一層產(chǎn)生光的發(fā)射層和分隔電極，而且其中具有至少三個產(chǎn)生顏色，所述顏色限定了顏色色域，的色域子像素和至少一個產(chǎn)生位于所述色域子像素產(chǎn)生的所述色域之內(nèi)的光的子像素；和其中所述色域子像素的至少一個包括反射體和半透明反射體，所述反射體和半透明反射體形成微腔。
文檔編號H01J63/04GK1839478SQ200480023927
公開日2006年9月27日 申請日期2004年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月19日
發(fā)明者D·L·溫特爾斯, Y·-S·泰安, S·A·范斯利克, R·S·科克, A·D·阿諾 申請人:伊斯曼柯達(dá)公司