專利名稱：等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)及等離子顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
面放電式交流等離子顯示面板(以下稱為PDP)是在被封入了放電氣體的放電空間的兩側(cè)對(duì)置的兩個(gè)玻璃基板中的一方的玻璃基板上，在列方向并列設(shè)置向行方向延伸的行電極對(duì)，在另一方的玻璃基板上，在行方向并列設(shè)置向列方向延伸的列電極，在放電空間的行電極對(duì)和列電極分別交叉的部分上形成矩陣狀的單位發(fā)光區(qū)域(放電單元)。
并且，在該P(yáng)DP中，在面對(duì)為了覆蓋行電極和列電極而形成的電介質(zhì)層上的單位發(fā)光區(qū)域內(nèi)的位置，形成具有電介質(zhì)層的保護(hù)功能和向單位發(fā)光區(qū)域內(nèi)的二次電子放射功能的氧化鎂(MgO)膜。
作為這種PDP的制造工序的氧化鎂膜的形成方法，通過在電介質(zhì)層上涂覆混入了氧化鎂粉末的漿料來形成該氧化鎂膜的絲網(wǎng)印刷法是很簡(jiǎn)便的方法，所以例如日本特開平6-325696號(hào)公報(bào)所述，在研究該方法的應(yīng)用。
但是，像該日本特開平6-325696號(hào)公報(bào)那樣，使用混入了將氫氧化鎂進(jìn)行熱處理而精制的多晶片葉形氧化鎂的漿料，利用絲網(wǎng)印刷法形成PDP氧化鎂膜時(shí)，PDP的放電特性和利用蒸鍍法形成氧化鎂膜時(shí)幾乎相同或只有略微的提高。
因此，期望能夠在PDP上形成可以進(jìn)一步提高放電特性的氧化鎂膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決上述以往形成有氧化鎂膜的PDP的問題。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明(本發(fā)明之1)的PDP，設(shè)有隔著放電空間而面對(duì)的前面基板和背面基板，以及在該前面基板和背面基板之間設(shè)置的多個(gè)行電極對(duì)、和在與該行電極對(duì)交叉的方向延伸并且在與行電極對(duì)的各交叉部分的放電空間分別形成單位發(fā)光區(qū)域的多個(gè)列電極，其特征在于，在與所述前面基板和背面基板之間的單位發(fā)光區(qū)域相對(duì)面的部分上設(shè)置包括氧化鎂晶體的氧化鎂層，該氧化鎂晶體通過電子射線的激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光。
上述PDP在與放電單元相對(duì)面的部分上設(shè)置的氧化鎂層包括氧化鎂晶體，該氧化鎂晶體通過電子射線的激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光，由此可以改善PDP的放電概率和放電延遲等的放電特性，獲得良好的放電特性。
另外，為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明(本發(fā)明之18)的PDP的制造方法，等離子顯示面板具有通過放電空間而面對(duì)的前面基板和背面基板；形成于該前面基板和背面基板中至少一方的基板的電極；覆蓋該電極的電介質(zhì)層；覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)層，其特征在于，具有下述工序在覆蓋所述電介質(zhì)層的必要部分的位置上形成包括氧化鎂晶體的氧化鎂層，該氧化鎂晶體通過電子射線的激勵(lì)而進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光。
根據(jù)上述PDP的制造方法，在隔著PDP的放電空間而面對(duì)的前面基板和背面基板之間，在電介質(zhì)層上的必要部分覆蓋該電介質(zhì)層的氧化鎂層，利用通過電子射線的激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光的氧化鎂晶體形成，由此可以改善PDP的放電概率和放電延遲等的放電特性，獲得良好的放電特性。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的第一實(shí)施例的主視圖。
圖2是沿圖1的V1-V1線的剖面圖。
圖3是沿圖1的V2-V2線的剖面圖。
圖4是沿圖1的W1-W1線的剖面圖。
圖5是表示具有立方體的單晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體的SEM照片的圖。
圖6是表示具有立方體的多晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體的SEM照片的圖。
圖7是表示第一實(shí)施例的氧化鎂單晶體的粒徑和CL發(fā)光波長(zhǎng)的關(guān)系的曲線圖。
圖8是表示第一實(shí)施例的氧化鎂單晶體的粒徑和235nm的CL發(fā)光的峰值強(qiáng)度的關(guān)系的曲線圖。
圖9是表示來自使用蒸鍍法的氧化鎂層的CL發(fā)光波長(zhǎng)狀態(tài)的曲線圖。
圖10是表示來自氧化鎂單晶體的235nm的CL發(fā)光峰值強(qiáng)度和放電延遲的關(guān)系的曲線圖。
圖11是表示第一實(shí)施例的放電概率的改善狀態(tài)的曲線圖。
圖12是表示第一實(shí)施例的放電概率的改善狀態(tài)的圖表。
圖13是表示第一實(shí)施例的放電延遲的改善狀態(tài)的曲線圖。
圖14是表示第一實(shí)施例的放電延遲的改善狀態(tài)的圖表。
圖15是表示第一實(shí)施例的氧化鎂單晶體的粒徑和放電概率的關(guān)系的曲線圖。
圖16是表示本本發(fā)明的實(shí)施方式的第二實(shí)施例的主視圖。
圖17是沿圖16的V3-V3線的剖面圖。
圖18是沿圖16的W2-W2線的剖面圖。
圖19是表示在第二實(shí)施例中通過涂覆包括氧化鎂單晶體的漿料而形成的氧化鎂層的狀態(tài)的剖面圖。
圖20是表示在第二實(shí)施例中利用附著有包括氧化鎂單晶體的粉末層形成的氧化鎂層的狀態(tài)的剖面圖。
圖21是表示在第二實(shí)施例中利用氧化鎂單晶體的粉末層形成氧化鎂層時(shí)的放電概率和其他示例的放電概率的對(duì)比曲線圖。
圖22是表示本本發(fā)明的實(shí)施方式的第三實(shí)施例的正視圖。
圖23是沿圖22的V4-V4線的剖面圖。
圖24是沿圖22的W3-W3線的剖面圖。
圖25是表示在第三實(shí)施例中在鎂薄膜層上形成鎂結(jié)晶層的狀態(tài)的剖面圖。
圖26是表示在第三實(shí)施例中在鎂結(jié)晶層上形成鎂薄膜層的狀態(tài)的剖面圖。
圖27是表示僅利用基于蒸鍍法的氧化鎂層構(gòu)成保護(hù)層時(shí)和基于蒸鍍法的鎂結(jié)晶層與鎂薄膜層構(gòu)成雙層結(jié)構(gòu)時(shí)的放電延遲特性的對(duì)比圖。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)圖示的實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明。
第一實(shí)施例圖1～圖4表示本發(fā)明實(shí)施方式的第一實(shí)施例。
圖1是該第一實(shí)施例的面放電式交流PDP的單元結(jié)構(gòu)的正面示意圖，圖2是沿圖1的V1-V1線的剖面圖，圖3是沿圖1的V2-V2線的剖面圖，圖4是沿圖1的W1-W1線的剖面圖。
在圖1～圖4中，PDP的結(jié)構(gòu)是，在其顯示面即前面玻璃基板1的背面，多個(gè)行電極對(duì)(X、Y)在前面玻璃基板1的行方向(圖1的左右方向)延伸，并且被并列設(shè)置在列方向(圖1的上下方向)上。
行電極X由形成為T字形的由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極Xa、和在前面玻璃基板1的行方向延伸的由連接在透明電極Xa的寬度較小的基端部的金屬膜構(gòu)成的黑色總線電極Xb構(gòu)成。
同樣，行電極Y由形成為T字形的由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極Ya、在前面玻璃基板1的行方向延伸的由連接在透明電極Ya的寬度較小的基端部的金屬膜構(gòu)成的黑色總線電極Yb、和與透明電極Ya形成為一體的從該透明電極Ya的基端部在總線電極Yb的相反側(cè)突出的地址放電透明電極Yc構(gòu)成。
該行電極X和Y被交替配置在前面玻璃基板1的列方向(圖1的上下方向及圖2的左右方向)，沿著總線電極Xb和Yb并列設(shè)置成相等間隔的各個(gè)透明電極Xa和Ya，在彼此成對(duì)的對(duì)方行電極側(cè)延伸，該透明電極Xa和Ya的寬度較寬的前端部分別通過必要寬度的放電間隙g彼此相對(duì)。
并且，行電極Y的地址放電透明電極Yc分別位于與在列方向相鄰的其他行電極對(duì)(X、Y)隔開間隔彼此背靠背的行電極X的總線電極Xb和行電極Y的總線電極Yb之間。
在這些各個(gè)行電極對(duì)(X、Y)分別構(gòu)成在行方向延伸的顯示線L。
在前面玻璃基板1的背面形成覆蓋行電極對(duì)(X、Y)的電介質(zhì)層2，在該電介質(zhì)層2的背面?zhèn)龋谂c行方向上彼此相鄰的行電極對(duì)(X、Y)彼此背靠背的總線電極Xb和Yb、及該背靠背的總線電極Xb和Yb之間的區(qū)域部分(地址放電透明電極Yc所在的部分)相對(duì)的位置，從電介質(zhì)層2朝向背面?zhèn)?在圖2中為下方側(cè))突出的黑色或暗色的第1鼓起電介質(zhì)層3A形成為與總線電極Xb、Yb平行地延伸。
另外，在該第1鼓起電介質(zhì)層3A的背面與總線電極Xb相對(duì)的部分，從第1鼓起電介質(zhì)層3A朝向背面?zhèn)?在圖2中為下方側(cè))突出的第2鼓起電介質(zhì)層3B形成為與總線電極Xb平行地延伸。
該電介質(zhì)層2和第1鼓起電介質(zhì)層3A、第2鼓起電介質(zhì)層3B的背面?zhèn)缺砻姹挥裳趸V(MgO)構(gòu)成的未圖示的保護(hù)層覆蓋著。
在通過放電空間與前面玻璃基板1平行配置的背面玻璃基板4的與前面玻璃基板1相對(duì)的一側(cè)表面上，彼此隔開規(guī)定間隔地平行排列多個(gè)列電極D，并且使其在與各行電極對(duì)(X、Y)的彼此成對(duì)的透明電極Xa和Ya分別相對(duì)的位置在與總線電極Xb、Yb正交的方向(列方向)延伸。
在該背面玻璃基板4的與前面玻璃基板1相對(duì)的一側(cè)表面上，還形成覆蓋列電極D的列電極保護(hù)層(電介質(zhì)層)5，在該列電極保護(hù)層5上形成具有如下面所述的形狀的隔壁6。
即，該隔壁6在從前面玻璃基板1側(cè)觀看時(shí)由以下部分構(gòu)成在與各行電極X的總線電極Xb相對(duì)的位置分別在行方向延伸的第1橫壁6A；在沿著行電極X、Y的總線電極Xb、Yb配置成相等間隔的各透明電極Xa、Ya之間的位置分別在列方向延伸的縱壁6B；在與各行電極Y的總線電極Yb相對(duì)的位置分別與第1橫壁6A隔開必要間隔平行延伸的第2橫壁6C。
并且，這些第1橫壁6A、縱壁6B和第2橫壁6C的高度被設(shè)定成，與覆蓋第2鼓起電介質(zhì)層3B的背面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)層和覆蓋列電極D的列電極保護(hù)層5之間的間隔相等。
由此，隔壁6的第1橫壁6A的表側(cè)表面(在圖2中的上側(cè)表面)接觸覆蓋第2鼓起電介質(zhì)層3B的保護(hù)層。
利用該隔壁6的第1橫壁6A、縱壁6B和第2橫壁6C，將前面玻璃基板1和背面玻璃基板4之間的放電空間分別按照與彼此相對(duì)并且成對(duì)的透明電極Xa和Ya相對(duì)的區(qū)域進(jìn)行劃分，形成顯示放電單元(第1發(fā)光區(qū)域)C1，另外，由第1橫壁6A和第2橫壁6C夾持的、與彼此相鄰的行電極對(duì)(X、Y)的背靠背的總線電極Xb和Yb之間的區(qū)域相對(duì)的部分的空間被縱壁6B所劃分，由此形成在列方向分別被配置成與顯示放電單元C1彼此錯(cuò)開的地址放電單元(第2發(fā)光區(qū)域)C2。
該地址放電單元C2與行電極Y的地址放電透明電極Yc相對(duì)。
并且，在列方向隔著第2橫壁6C相鄰的顯示放電單元C1和地址放電單元C2，分別通過形成于覆蓋第1鼓起電介質(zhì)層3A的保護(hù)層和第2橫壁6C之間的間隙r彼此連通。
在面對(duì)各顯示放電單元C1內(nèi)的放電空間的隔壁6的第1橫壁6A、縱壁6B和第2橫壁6C的各個(gè)側(cè)面和列電極保護(hù)層5的表面，形成幾乎整體覆蓋這五個(gè)面的熒光體層7，該熒光體層7的顏色按照各顯示放電單元C1被排列成在行方向順序排列紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)。
并且，在面對(duì)各地址放電單元C2內(nèi)的放電空間的隔壁6的第1橫壁6A、縱壁6B和第2橫壁6C的各個(gè)側(cè)面和列電極保護(hù)層5的表面，形成幾乎整體覆蓋這五個(gè)面的后面敘述的氧化鎂(MgO)層8，該氧化鎂層包括被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光(CL發(fā)光)的氧化鎂晶體。
在顯示放電單元C1和地址放電單元C2內(nèi)封入含有氙氣的放電氣體。
上述PDP的氧化鎂層8利用下述材料和方法形成。
即，作為該氧化鎂層8的形成材料的、被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光的氧化鎂晶體，例如，包括使將鎂加熱產(chǎn)生的鎂蒸氣發(fā)生氣相氧化而得到的鎂的單晶體(以下，把該鎂的單晶體稱為氣相法氧化鎂單晶體)，在該氣相法氧化鎂單晶體中，例如包括如圖5的SEM照片所示的具有立方體的單晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體，和如圖6的SEM照片所示的具有立方體晶體彼此嵌套結(jié)構(gòu)(即，立方體的多晶結(jié)構(gòu))的氧化鎂單晶體。
該氣相法氧化鎂單晶體如后面所述，有利于減少放電延遲等放電特性的改善。
并且，該氣相法氧化鎂單晶體與利用其他方法得到的氧化鎂相比，具有純度高，能獲得微顆粒，并且顆粒凝聚少等特征。
在該實(shí)施例中，使用利用BET法測(cè)定的平均粒徑大于等于500埃(優(yōu)選大于等于2000埃)的氣相法氧化鎂單晶體。
該氧化鎂層8利用絲網(wǎng)印刷法或膠板印刷法、配合法、噴墨法、滾涂法等方法，將含有上述的氣相法氧化鎂單晶體的漿料涂覆在面對(duì)地址放電單元C2內(nèi)的放電空間的隔壁6的第1橫壁6A、縱壁6B和第2橫壁6C的各個(gè)側(cè)面和列電極保護(hù)層5的表面來形成，或者利用噴射法或靜電涂覆法等方法附著氣相法氧化鎂單晶體粉末來形成。
上述PDP在形成圖像時(shí)，首先，在顯示放電單元C1和地址放電單元C2內(nèi)進(jìn)行復(fù)位放電后，在地址放電單元C2內(nèi)，在行電極Y的地址放電透明電極Yc和列電極D之間進(jìn)行地址放電。
通過該地址放電單元C2內(nèi)的地址放電產(chǎn)生的帶電粒子通過第1鼓起電介質(zhì)層3A和第2橫壁6C之間的間隙r被導(dǎo)入顯示放電單元C1內(nèi)，利用該帶電粒子，將形成有壁電荷的顯示放電單元C1(發(fā)光單元)和未形成壁電荷的顯示放電單元C1(不發(fā)光單元)對(duì)應(yīng)形成的圖像分布在面板表面上。
并且，在該地址放電后，在各個(gè)發(fā)光單元內(nèi)，在行電極對(duì)(X、Y)的透明電極Xa和透明電極Ya之間產(chǎn)生維持放電，由此紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的熒光體層7發(fā)光，在面板表面形成圖像。
地址放電是在與進(jìn)行使熒光體層7發(fā)光的維持放電的顯示放電單元C1被劃分開的地址放電單元C2內(nèi)進(jìn)行的，由此，地址放電不會(huì)受到起因于基于熒光材料的各種顏色而不同的放電特性或在制造工序中產(chǎn)生的熒光體層的厚度偏差等的熒光體層的影響，上述PDP可以獲得穩(wěn)定的地址放電特性。
另外，上述PDP在地址放電前進(jìn)行的復(fù)位放電時(shí)，在地址放電單元C2內(nèi)也產(chǎn)生放電，此時(shí)，通過在地址放電單元C2內(nèi)形成氧化鎂層8，可以長(zhǎng)久維持基于復(fù)位放電的發(fā)光效果，從而能夠快速進(jìn)行地址放電。
另外，上述PDP通過在地址放電單元C2內(nèi)形成氧化鎂層8，如圖7和圖8所示，通過照射電子射線，可以在從氧化鎂層8含有的粒徑較大的氣相法氧化鎂單晶體進(jìn)行在300～400nm具有峰的CL(陰極電致)發(fā)光的基礎(chǔ)上，激勵(lì)在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光。
如圖9所示，利用通常的蒸鍍法形成的氧化鎂層不激勵(lì)在該200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光，而僅激勵(lì)在300～400nm具有峰的CL發(fā)光。
并且，根據(jù)圖7和圖8可知，在該200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm)具有峰的CL發(fā)光，氣相法氧化鎂單晶體的粒徑越大，該峰的強(qiáng)度就越大。
另外，形成氧化鎂層8的氣相法氧化鎂單晶體的粒徑(DBET)可以通過利用氮?dú)馕椒y(cè)定BET比表面積(s)，根據(jù)該值利用下述公式求出。
DBET＝A/s×ρA形狀常數(shù)(A＝6)ρ鎂的真密度圖10是表示CL發(fā)光強(qiáng)度和放電延遲的相關(guān)關(guān)系的曲線圖。
根據(jù)該圖10可知，利用被氧化鎂層8激勵(lì)的235nm的CL發(fā)光可以縮短PDP的放電延遲，而且還判明該235nm的CL發(fā)光強(qiáng)度越強(qiáng)，該放電延遲就越短。
如上所述，上述PDP通過形成包括利用BET法測(cè)定的平均粒徑大于等于500埃(優(yōu)選大于等于2000埃)的氣相法氧化鎂單晶體的氧化鎂層8，實(shí)現(xiàn)放電概率和放電延遲等放電特性的改善(減少放電延遲和提高放電概率)，可以具有良好的放電特性。
圖11是通過涂覆含有平均粒徑為2000～3000埃的氣相法氧化鎂單晶體的漿料來形成設(shè)在地址放電單元C2內(nèi)的氧化鎂層8時(shí)、利用以往的蒸鍍法來形成氧化鎂層8時(shí)、及不形成氧化鎂層8時(shí)的各自放電概率的對(duì)比曲線圖，圖12表示圖11的放電停止施加為1000μsec時(shí)的各自的放電概率。
另外，同樣，圖13是通過涂覆含有平均粒徑為2000～3000埃的氣相法氧化鎂單晶體的漿料來形成氧化鎂層8時(shí)、利用以往的蒸鍍法來形成氧化鎂層8時(shí)、及不形成氧化鎂層8時(shí)的各自放電延遲時(shí)間的對(duì)比曲線圖，圖14表示圖13的放電停止施加為1000μsec時(shí)的各自的放電延遲時(shí)間。
另外，在圖11～圖14中，表示氧化鎂層8中含有多晶結(jié)構(gòu)的氣相法氧化鎂單晶體的情況。
根據(jù)該圖11～圖14可知，通過形成包括氣相法氧化鎂單晶體的氧化鎂層8，上述PDP的放電概率和放電延遲得到大幅度改善，另外，放電延遲的停止時(shí)間依賴性減少，具有良好的放電彈性。
圖15是表示形成氧化鎂層8的氣相法氧化鎂單晶體的粒徑和放電概率的關(guān)系的曲線圖。
根據(jù)該圖15可知，形成氧化鎂層8的氣相法氧化鎂單晶體的粒徑越大，放電概率就越高，通過激勵(lì)上述的在235nm具有峰的CL發(fā)光的粒徑(圖示例中為2000埃和3000埃)的氣相法氧化鎂單晶體形成的氧化鎂層8大幅提高了放電概率。
上述的PDP的氧化鎂層8的放電概率的改善，被推測(cè)認(rèn)為是進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光的氣相法氧化鎂單晶體，具有與該波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的能量水平，利用該能量水平可以長(zhǎng)時(shí)間(數(shù)毫秒以上)捕集電子，利用電場(chǎng)取出該電子，由此可以獲得在放電開始時(shí)需要的初期電子。
并且，基于該氣相法氧化鎂單晶體的放電特性的改善效果，隨著在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光強(qiáng)度的增大而變大，這是因?yàn)槿缜懊嫠?，在CL發(fā)光強(qiáng)度和氣相法氧化鎂單晶體的粒徑之間具有相關(guān)關(guān)系(參照?qǐng)D8)。
即，在形成粒徑較大的氣相法氧化鎂單晶體時(shí)，需要提高產(chǎn)生鎂蒸氣時(shí)的加熱溫度，鎂和氧氣反應(yīng)的火焰的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，該火焰和周圍的溫度差變大，因此越是粒徑大的氣相法氧化鎂單晶體，對(duì)應(yīng)上述的CL發(fā)光的峰波長(zhǎng)(例如，235nm附近，230～250nm內(nèi))的能量水平的形成等級(jí)就越多。
并且，關(guān)于立方體的多晶結(jié)構(gòu)的氣相法氧化鎂單晶體，推測(cè)認(rèn)為含有許多結(jié)晶面缺陷，該面缺陷能量水平的存在也有助于放電概率的改善。
另外，根據(jù)圖15可知，在使用絲網(wǎng)印刷法或膠板印刷法、配合法、噴墨法、滾涂法等方法涂覆含有平均粒徑約為500埃的氣相法氧化鎂單晶體的漿料來形成氧化鎂層8時(shí)，與以往的蒸鍍氧化鎂層相比，放電概率大幅度提高。
上述圖7～圖15的結(jié)果是利用絲網(wǎng)印刷法或噴嘴涂覆、噴墨法等方法涂覆含有氣相法氧化鎂單晶體的漿料來形成氧化鎂層8的情況，但也可以利用使用噴射法或靜電涂覆法等方法形成氣相法氧化鎂單晶體粉末的粉末層來形成氧化鎂層8。
并且，在上述實(shí)施例中表示向地址放電單元內(nèi)涂覆含有氣相法氧化鎂單晶體的漿料來形成氧化鎂層8的示例，但也可以涂覆含有氧化鎂單晶體的漿料來形成保護(hù)層，以覆蓋前面基板側(cè)的電介質(zhì)層2。
另外，也可以在前面基板側(cè)的電介質(zhì)層2上形成以往的氧化鎂膜，在其上涂覆含有氣相法氧化鎂單晶體粉末的漿料來形成第二層MgO膜。
第二實(shí)施例圖16～圖18表示本發(fā)明的PDP的實(shí)施方式的第二實(shí)施例，圖16是表示該第二實(shí)施例的PDP的正面示意圖，圖17是沿圖16的V3-V3線的剖面圖，圖18是沿圖16的W2-W2線的剖面圖。
圖16～圖18所示PDP構(gòu)成為其顯示面即前面玻璃基板10的背面，多個(gè)行電極對(duì)(X1、Y1)平行地排列成在前面玻璃基板10的行方向(圖16的左右方向)延伸。
行電極X1由形成為T字形的由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極X1a、和在前面玻璃基板10的行方向延伸的由連接在透明電極X1a的寬度較小的基端部的金屬膜構(gòu)成的總線電極X1b構(gòu)成。
同樣，行電極Y1由形成為T字形的由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極Y1a、和在前面玻璃基板10的行方向延伸的由連接在透明電極Y1a的寬度較小的基端部的金屬膜構(gòu)成的總線電極Y1b構(gòu)成。
該行電極X1和Y1被交替排列在前面玻璃基板10的列方向(圖16的上下方向)，沿著總線電極X1b和Y1b并列設(shè)置的各個(gè)透明電極X1a和Y1a，在彼此成對(duì)的對(duì)方行電極側(cè)延伸，該透明電極X1a和Y1a的寬度較寬的頂邊分別通過必要寬度的放電間隙g1彼此相對(duì)。
在前面玻璃基板10的背面，在列方向相鄰的行電極對(duì)(X1、Y1)的彼此背靠背的總線電極X1b和Y1b之間，沿著該總線電極X1b、Y1b形成在行方向延伸的黑色或暗色的光吸收層(遮光層)11。
另外，在前面玻璃基板10的背面形成覆蓋行電極對(duì)(X1、Y1)的電介質(zhì)層12，在該電介質(zhì)層12的背面?zhèn)?，在與彼此相鄰的行電極對(duì)(X1、Y1)的背靠背的總線電極X1b和Y1b相對(duì)的位置、及與該背靠背的總線電極X1b和Y1b之間的區(qū)域部分相對(duì)的位置，在電介質(zhì)層12的背面?zhèn)韧怀龅墓钠痣娊橘|(zhì)層12A形成為與總線電極X1b、Y1b平行地延伸。
另外，在該電介質(zhì)層12和鼓起電介質(zhì)層12A的背面?zhèn)龋纬珊竺嫠龅陌ㄍㄟ^被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的CL發(fā)光的氧化鎂晶體的氧化鎂層13。
另一方面，在與前面玻璃基板10平行配置的背面玻璃基板14的顯示側(cè)表面上，列電極D1被排列成彼此隔開規(guī)定間隔平行，并且在與各個(gè)行電極對(duì)(X1、Y1)的彼此成對(duì)的透明電極X1a和Y1a相對(duì)的位置，在與行電極對(duì)(X1、Y1)正交的方向(列方向)延伸。
在背面玻璃基板14的顯示側(cè)表面上，還形成覆蓋列電極D1的白色列電極保護(hù)層15，在該列電極保護(hù)層15上形成隔壁16。
該隔壁16形成為梯子形狀，具有在與各行電極對(duì)(X1、Y1)的總線電極X1b和Y1b相對(duì)的位置分別在行方向延伸的一對(duì)橫壁16A；在相鄰的列電極D1之間的中間位置，在一對(duì)橫壁16A之間在列方向延伸的縱壁16B，各個(gè)隔壁16在與相鄰的其他隔壁16的背靠背的橫壁16A之間，通過在行方向延伸的間隙SL并列設(shè)置在列方向。
并且，通過該梯子狀隔壁16，前面玻璃基板10和背面玻璃基板13之間的放電空間S在各行電極對(duì)(X1、Y1)中按照與成對(duì)的透明電極X1a、Y1a相對(duì)的每個(gè)部分被劃分成方形，分別形成放電單元C3。
在面對(duì)放電單元C3的隔壁16的橫壁16A和縱壁16B的側(cè)面及列電極保護(hù)層15的表面，形成將這五個(gè)面全部覆蓋的熒光體層17，該熒光體層17的顏色按照各放電單元C3被排列成在行方向順序排列紅、綠、藍(lán)三原色。
鼓起電介質(zhì)層12A通過使覆蓋該鼓起電介質(zhì)層12A的氧化鎂層13接觸隔壁16的橫壁16A的顯示側(cè)表面(參照?qǐng)D17)，放電單元C3和間隙SL之間分別被封閉，但縱壁16B的顯示側(cè)表面不接觸氧化鎂層13(參照?qǐng)D18)，在其間形成間隙r1，在行方向相鄰的放電單元C3通過該間隙r1彼此連通。
在放電空間S內(nèi)被封入了含有氙氣的放電氣體。
形成上述氧化鎂層13的氧化鎂晶體和第一實(shí)施例的情況相同，是利用氣相氧化法使從被加熱的鎂產(chǎn)生的鎂蒸氣氣相氧化而生成的單晶體，例如，包括通過被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm)具有峰的CL發(fā)光的氣相法氧化鎂單晶體，在該氣相法氧化鎂單晶體中，例如包括具有立方體的單晶結(jié)構(gòu)的圖5的SEM照片所示的氧化鎂單晶體，和具有立方體晶體彼此嵌套的多晶結(jié)構(gòu)的圖6的SEM照片所示的氧化鎂單晶體。
并且，氧化鎂層13是利用絲網(wǎng)印刷法或膠板印刷法、配合法、噴墨法、滾涂法等方法，將含有上述的氣相法氧化鎂單晶體的漿料涂覆在電介質(zhì)層12和鼓起電介質(zhì)層12A的表面上而形成的，或者利用噴射法或靜電涂覆法等方法將氣相法氧化鎂單晶體粉末附著在電介質(zhì)層12和鼓起電介質(zhì)層12A的表面上而形成的，或者將含有氣相法氧化鎂單晶體的漿料涂覆在支撐薄膜上并干燥成薄膜狀或薄片狀，然后層壓在電介質(zhì)層上而形成的。
圖19表示利用絲網(wǎng)印刷法或膠板印刷法、配合法、噴墨法、滾涂法等方法涂覆含有氣相法氧化鎂單晶體的漿料來形成氧化鎂層13(A)的狀態(tài)。
并且，圖20表示利用使用噴射法或靜電涂覆法等方法附著了氣相法氧化鎂單晶體粉末的粉末層來形成氧化鎂層13(B)的狀態(tài)。
在上述PDP中，在面對(duì)放電單元C3內(nèi)的位置，形成包括通過被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的CL發(fā)光的氧化鎂晶體的氧化鎂層13，由此實(shí)現(xiàn)在放電單元C3內(nèi)產(chǎn)生的放電的快速化(例如，通過長(zhǎng)久維持基于復(fù)位放電的發(fā)光效果，實(shí)現(xiàn)地址放電的快速化)。
圖21是把氧化鎂單晶體粉末分散在例如特定的乙醇等介質(zhì)中，使用噴槍利用空氣噴射法將該懸浮液吹附在電介質(zhì)層12和鼓起電介質(zhì)層12A的表面上，使附著氧化鎂單晶體粉末，由此來形成氧化鎂層13時(shí)的放電延遲時(shí)間，與其他示例的放電延遲時(shí)間的對(duì)比曲線圖。
在該圖21中，曲線a表示在電介質(zhì)層12的表面形成使用平均粒徑為500埃的氣相法氧化鎂單晶體粉末的粉末層時(shí)的放電概率，曲線b表示利用以往的蒸鍍法在電介質(zhì)層12的表面形成氧化鎂層時(shí)的放電概率，曲線c表示如第一實(shí)施例那樣，在放電單元被分割成放電顯示單元和地址放電單元的PDP中，通過在地址放電單元內(nèi)涂覆含有平均粒徑為500埃的氣相法氧化鎂單晶體粉末的漿料來形成氧化鎂層時(shí)的放電概率，曲線d表示在相同類型的地址放電單元內(nèi)，使用以往的蒸鍍法形成氧化鎂層時(shí)的放電概率。
根據(jù)該圖21的曲線a和c的比較可知，即使是利用通過附著氣相法氧化鎂單晶體粉末而形成的粉末層來構(gòu)成氧化鎂層13時(shí)的放電概率(放電延遲)，也能獲得和通過涂覆含有氧化鎂單晶體粉末的漿料來形成氧化鎂層時(shí)大致相同的特性。
另外，根據(jù)圖21可知，使用平均粒徑約為500埃的氣相法氧化鎂單晶體，利用絲網(wǎng)印刷法或膠板印刷法、配合法、噴墨法、滾涂法等方法進(jìn)行涂覆形成氧化鎂層，以及利用噴射法或靜電涂覆法等方法進(jìn)行附著形成氧化鎂層的任何情況下，與使用以往的蒸鍍法形成氧化鎂層時(shí)相比，放電概率大幅度提高。
第三實(shí)施例圖22～圖24表示本發(fā)明的PDP的實(shí)施方式的第三實(shí)施例，圖22是表示該實(shí)施例的PDP的正面示意圖，圖23是沿圖22的V4-V4線的剖面圖，圖24是沿圖22的W3-W3線的剖面圖。
圖22～圖24所示的PDP構(gòu)成為在其顯示面即前面玻璃基板21的背面，多個(gè)行電極對(duì)(X2、Y2)平行地排列成在前面玻璃基板21的行方向(圖22的左右方向)延伸。
行電極X2由形成為T字形的由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極X2a、和在前面玻璃基板21的行方向延伸的由連接在透明電極X2a的寬度較小的基端部的金屬膜構(gòu)成的總線電極X2b構(gòu)成。
同樣，行電極Y2由形成為T字形的由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極Y2a、和在前面玻璃基板21的行方向延伸的由連接在透明電極Y2a的寬度較小的基端部的金屬膜構(gòu)成的總線電極Y2b構(gòu)成。
該行電極X2和Y2被交替排列在前面玻璃基板21的列方向(圖22的上下方向)，沿著總線電極X2b和Y2b并列設(shè)置的各個(gè)透明電極X2a和Y2a，在彼此成對(duì)的對(duì)方行電極側(cè)延伸，該透明電極X2a和Y2a的寬度較寬的頂邊分別通過必要寬度的放電間隙g2彼此相對(duì)。
在前面玻璃基板21的背面，在列方向相鄰的行電極對(duì)(X2、Y2)的彼此背靠背的總線電極X2b和Y2b之間，沿著該總線電極X2b、Y2b形成在行方向延伸的黑色或暗色的光吸收層(遮光層)22。
另外，在前面玻璃基板21的背面形成覆蓋行電極對(duì)(X2、Y2)的電介質(zhì)層23，在該電介質(zhì)層23的背面，在與彼此相鄰的行電極對(duì)(X2、Y2)的背靠背相鄰的總線電極X2b和Y2b相對(duì)的位置、及與該相鄰的總線電極X2b和Y2b之間的區(qū)域部分相對(duì)的位置，在電介質(zhì)層23的背面?zhèn)韧怀龅墓钠痣娊橘|(zhì)層23A形成為與總線電極X2b、Y2b平行地延伸。
另外，在該電介質(zhì)層23和鼓起電介質(zhì)層23A的背面?zhèn)?，形成利用蒸鍍法或?yàn)R射形成的薄膜氧化鎂層(以下稱為薄膜氧化鎂層)24，覆蓋電介質(zhì)層23和鼓起電介質(zhì)層23A的整個(gè)背面。
在該薄膜氧化鎂層24的背面?zhèn)?，形成后面所述的包括通過被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的陰極·電致發(fā)光(CL發(fā)光)的氧化鎂晶體的氧化鎂層(以下稱為結(jié)晶氧化鎂層)25。
該結(jié)晶氧化鎂層25形成在薄膜氧化鎂層24的整個(gè)背面或背面的一部分上，例如形成在面對(duì)后述放電單元的部分上(在圖示例中，表示結(jié)晶氧化鎂層25形成在薄膜氧化鎂層24的整個(gè)背面上的示例)。
另一方面，在與前面玻璃基板21平行配置的背面玻璃基板26的顯示側(cè)表面上，列電極D2被排列成彼此隔開規(guī)定間隔平行，并且在與各個(gè)行電極對(duì)(X2、Y2)的彼此成對(duì)的透明電極X2a和Y2a相對(duì)的位置，在與行電極對(duì)(X2、Y2)正交的方向(列方向)延伸。
在背面玻璃基板26的顯示側(cè)的面上，還形成覆蓋列電極D2的白色列電極保護(hù)層(電介質(zhì)層)27，在該列電極保護(hù)層27上形成隔壁28。
該隔壁28形成為大致梯子形狀，具有在與各行電極對(duì)(X2、Y2)的總線電極X2b和Y2b相對(duì)的位置分別在行方向延伸的一對(duì)橫壁28A；在相鄰的列電極D2之間的中間位置，在一對(duì)橫壁28A之間在列方向延伸的縱壁28B，各個(gè)隔壁28在與相鄰的其他隔壁28的背靠背面對(duì)的橫壁28A之間，隔著在行方向延伸的間隙SL1并列設(shè)置在列方向。
并且，通過該梯子狀隔壁28，前面玻璃基板21和背面玻璃基板26之間的放電空間S1，按照在與各行電極對(duì)(X2、Y2)中彼此成對(duì)的透明電極X2a、Y2a相對(duì)的部分形成的每個(gè)放電單元C4，分別被劃分成方形。
在面對(duì)放電空間S1的隔壁28的橫壁28A和縱壁28B的側(cè)面及列電極保護(hù)層27的表面，形成將這五個(gè)面全部覆蓋的熒光體層29，該熒光體層29的顏色按照各放電單元C4被排列成在行方向順序排列紅、綠、藍(lán)三原色。
鼓起電介質(zhì)層23A通過使覆蓋該鼓起電介質(zhì)層23A的結(jié)晶氧化鎂層25(或者，在結(jié)晶氧化鎂層25僅形成于和薄膜氧化鎂層24背面的放電單元C4相對(duì)的部分時(shí)，指薄膜氧化鎂層24)接觸隔壁28的橫壁28A的顯示側(cè)一面(參照?qǐng)D23)，放電單元C4和間隙SL1之間分別被封閉，但不接觸縱壁28B的顯示側(cè)一面(參照?qǐng)D24)，在其間形成間隙r2，在行方向相鄰的放電單元C4通過該間隙r2彼此連通。
在放電空間S1內(nèi)被封入了含有氙氣的放電氣體。
上述結(jié)晶氧化鎂層25是利用噴射法或靜電涂覆法等方法將上述的氧化鎂晶體附著在覆蓋電介質(zhì)層23和鼓起電介質(zhì)層23A的薄膜氧化鎂層24的背面?zhèn)鹊拿嫔隙纬傻摹?br> 另外，在該實(shí)施例中，說明了在電介質(zhì)層23和鼓起電介質(zhì)層23A的背面形成薄膜氧化鎂層24，在該薄膜氧化鎂層24的背面形成結(jié)晶氧化鎂層25的示例，但是，也可以在電介質(zhì)層23和鼓起電介質(zhì)層23A的背面形成結(jié)晶氧化鎂層25后，在該結(jié)晶氧化鎂層25的背面形成薄膜氧化鎂層24。
圖25表示在電介質(zhì)層23的背面形成薄膜氧化鎂層24，在該薄膜氧化鎂層24的背面，利用噴射法或靜電涂覆法等方法附著氧化鎂晶體來形成結(jié)晶氧化鎂層25的狀態(tài)。
并且，圖26表示在電介質(zhì)層23的背面利用噴射法或靜電涂覆法等方法附著氧化鎂晶體來形成結(jié)晶氧化鎂層25后，形成薄膜氧化鎂層24的狀態(tài)。
上述PDP的結(jié)晶氧化鎂層25是利用下述材料和方法形成的。
即，作為該結(jié)晶氧化鎂層25的形成材料的、被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光的氧化鎂晶體，和上述的第一和第二實(shí)施例相同，例如，包括使通過加熱鎂產(chǎn)生的鎂蒸氣氣相氧化得到的鎂的單晶體(以下，把該鎂的單晶體稱為氣相法氧化鎂單晶體)，在該氣相法氧化鎂單晶體中，例如包括如圖5的SEM照片所示的具有立方體的單晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體，和圖6的SEM照片所示的具有立方體晶體彼此嵌套結(jié)構(gòu)(即，立方體的多晶結(jié)構(gòu))的如氧化鎂單晶體。
該氣相法氧化鎂單晶體如后面所述，有利于減少放電延遲等放電特性的改善。
并且，該氣相法氧化鎂單晶體與利用其他方法得到的氧化鎂相比，具有純度高，能獲得微粒子，并且顆粒凝聚少等特征。
在該實(shí)施例中，使用利用BET法測(cè)定的平均粒徑大于等于500埃(優(yōu)選大于等于2000埃)的氣相法氧化鎂單晶體。
另外，關(guān)于氣相法氧化鎂單晶體的合成，記載在“材料”昭和62年11月號(hào)第36卷第410號(hào)的第1157～1161頁的“氣相法氧化鎂粉末的合成及其性質(zhì)”等中。
該結(jié)晶氧化鎂層25如前面所述，通過利用噴射法或靜電涂覆法等方法附著氣相法氧化鎂單晶體而形成。
上述PDP在放電單元C4內(nèi)進(jìn)行圖像形成用復(fù)位放電和地址放電、維持放電。
并且，在放電單元C4內(nèi)產(chǎn)生地址放電前進(jìn)行的復(fù)位放電時(shí)，在該放電單元C4內(nèi)形成結(jié)晶氧化鎂層25，由此可以長(zhǎng)久保持基于復(fù)位放電的發(fā)光效果，實(shí)現(xiàn)地址放電的快速化。
上述PDP如圖7和圖8所示，結(jié)晶氧化鎂層25是利用上述的氣相法氧化鎂單晶體形成的，由此通過照射因放電產(chǎn)生的電子射線，可以在從結(jié)晶氧化鎂層25含有的粒徑較大的氣相法氧化鎂單晶體進(jìn)行在300～400nm具有峰的CL發(fā)光的基礎(chǔ)上，激勵(lì)在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光，在該200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光，隨著氣相法氧化鎂單晶體的粒徑越大，該峰的強(qiáng)度就越大。
如圖9所示，從利用通常的蒸鍍法形成的氧化鎂層(該實(shí)施例中的薄膜氧化鎂層24)不激勵(lì)在該235nm具有峰的CL發(fā)光，僅激勵(lì)在300～400nm具有峰的CL發(fā)光。
由于存在在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的CL發(fā)光，推測(cè)能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)放電特性的改善(放電延遲的減少，放電概率的提高)。
即，基于該結(jié)晶氧化鎂層25的放電特性的改善，被推測(cè)認(rèn)為是進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光的氣相法氧化鎂單晶體，具有與該波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的能量水平，利用該能量水平可以長(zhǎng)時(shí)間(數(shù)毫秒以上)捕集電子，利用電場(chǎng)取出該電子，由此可以獲得在放電開始時(shí)需要的初期電子。
并且，基于該氣相法氧化鎂單晶體的放電特性的改善效果，隨著在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)(特別是235nm附近，230～250nm內(nèi))具有峰的CL發(fā)光強(qiáng)度的增大而變大，其理由和上述第一實(shí)施例中的說明相同。
另外，形成結(jié)晶氧化鎂層25的氣相法氧化鎂單晶體的粒徑(DBET)，可以利用和第一實(shí)施例相同的方法算出。
CL發(fā)光強(qiáng)度和放電延遲的相關(guān)關(guān)系和第一實(shí)施例中的圖10所示情況相同，由于被結(jié)晶氧化鎂層25激勵(lì)的235nm的CL發(fā)光，PDP的放電延遲被縮短，并且，該235nm的CL發(fā)光強(qiáng)度越強(qiáng)，該放電延遲就越短。
圖27表示如上所述PDP具有薄膜氧化鎂層24和結(jié)晶氧化鎂層25的雙層結(jié)構(gòu)的情況(曲線a)、和如以往的PDP那樣僅形成利用蒸鍍法形成的氧化鎂層的情況(曲線b)的放電特性的對(duì)比。
根據(jù)該圖27可知，PDP通過具有薄膜氧化鎂層24和結(jié)晶氧化鎂層25的雙層結(jié)構(gòu)，與以往僅具有利用蒸鍍法形成的薄膜氧化鎂層的PDP相比，放電延遲特性明顯改善。
如上所述，上述PDP是在利用蒸鍍法等形成的以往的薄膜氧化鎂層24的基礎(chǔ)上，再層疊包括通過被電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的CL發(fā)光的氧化鎂晶體的結(jié)晶氧化鎂層25而形成的，由此可以實(shí)現(xiàn)放電延遲等放電特性的改善，具有良好的放電特性。
在形成該結(jié)晶氧化鎂層25的氧化鎂晶體中，使用利用BET法測(cè)定的平均粒徑大于等于500埃的氧化鎂晶體，優(yōu)選使用2000～4000埃的氧化鎂晶體。
結(jié)晶氧化鎂層25如前面所述，未必一定形成為覆蓋薄膜氧化鎂層24的整個(gè)表面，也可以通過部分圖形加工來形成，例如，在與行電極X2、Y2的透明電極X2a、Y2a相對(duì)的部分，或反之與透明電極X2a、Y2a相對(duì)的部分以外的部分等。
在部分形成該結(jié)晶氧化鎂層25時(shí)，結(jié)晶氧化鎂層25相對(duì)薄膜氧化鎂層24的面積比例如設(shè)定為0.1～85％。
另外，以上說明了把本發(fā)明適用于在前面玻璃基板形成行電極對(duì)，在被電介質(zhì)層覆蓋的背面玻璃基板側(cè)形成熒光體層和列電極的反射型交流PDP的示例，但本發(fā)明也可以適用于在前面玻璃基板側(cè)形成行電極對(duì)和列電極并利用電介質(zhì)層覆蓋，在背面玻璃基板側(cè)形成熒光體層的反射型交流PDP，或在前面玻璃基板側(cè)形成熒光體層，在背面玻璃基板側(cè)形成行電極對(duì)和列電極并利用電介質(zhì)層覆蓋的透過型交流PDP，或在放電空間的行電極對(duì)和列電極的交叉部分形成放電單元的三電極型交流PDP，或放電空間的行電極和列電極的交叉部分形成放電單元的二電極型交流PDP等各種形式的PDP。
并且，以上說明了利用噴射法和靜電涂覆法等方法附著形成結(jié)晶氧化鎂層25的示例，但是，結(jié)晶氧化鎂層25也可以利用絲網(wǎng)印刷法或膠板印刷法、配合法、噴墨法、滾涂法等方法涂覆含有氧化鎂晶體粉末的漿料來形成，或者將含有氧化鎂晶體的漿料涂覆在支撐薄膜上并干燥成薄膜狀，然后將其層壓在薄膜氧化鎂層上來形成。
本發(fā)明可以提供改善了放電概率和放電延遲等的放電特性且具有良好的放電特性的PDP。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板，設(shè)有隔著放電空間而面對(duì)的前面基板和背面基板，以及在該前面基板和背面基板之間設(shè)置的多個(gè)行電極對(duì)、和在與該行電極對(duì)交叉的方向延伸并且在與行電極對(duì)的各交叉部分的放電空間分別形成單位發(fā)光區(qū)域的多個(gè)列電極，其特征在于，在與所述前面基板和背面基板之間的單位發(fā)光區(qū)域相對(duì)面的部分上設(shè)置包括氧化鎂晶體的氧化鎂層，該氧化鎂晶體通過電子射線的激勵(lì)而進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂晶體是利用氣相氧化法形成的氧化鎂單晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂單晶體進(jìn)行在230～250nm內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂單晶體的粒徑大于等于2000埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂層形成在覆蓋行電極對(duì)的電介質(zhì)層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述單位發(fā)光區(qū)域被劃分成進(jìn)行圖像形成用發(fā)光的第1發(fā)光區(qū)域、和為了選擇發(fā)出用于形成該圖像的光的第1發(fā)光區(qū)域而進(jìn)行放電的第2發(fā)光區(qū)域，所述氧化鎂層被設(shè)置在面對(duì)單位發(fā)光區(qū)域的第2發(fā)光區(qū)域的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂單晶體是具有立方體單晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂單晶體是具有立方體多晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂單晶體的粒徑大于等于500埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂單晶體的粒徑大于等于2000埃。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，具有覆蓋所述行電極對(duì)或列電極的電介質(zhì)層和覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)層，包括通過被所述電子射線激勵(lì)進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光的氧化鎂晶體的氧化鎂層，和通過蒸鍍或?yàn)R射而形成的薄膜氧化鎂層一起構(gòu)成疊層結(jié)構(gòu)的保護(hù)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述薄膜氧化鎂層形成在電介質(zhì)層上，在該薄膜氧化鎂層上形成包括氧化鎂晶體的氧化鎂層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示面板，其特征在于，包括所述氧化鎂晶體的氧化鎂層形成在電介質(zhì)層上，在包括該氧化鎂晶體的氧化鎂層上形成薄膜氧化鎂層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示面板，其特征在于，包括所述氧化鎂晶體的氧化鎂層和薄膜氧化鎂層分別形成在電介質(zhì)層的整個(gè)表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述薄膜氧化鎂層形成在電介質(zhì)層的整個(gè)表面上，包括氧化鎂晶體的氧化鎂層形成在與電介質(zhì)層的表面的一部分面對(duì)的位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子顯示面板，其特征在于，包括所述氧化鎂晶體的氧化鎂層形成在與行電極對(duì)或列電極面對(duì)的部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子顯示面板，其特征在于，包括所述氧化鎂晶體的氧化鎂層形成在與行電極對(duì)或列電極面對(duì)的部分以外的部分。
18.一種等離子顯示面板的制造方法，等離子顯示面板具有隔著放電空間而面對(duì)的前面基板和背面基板；形成于該前面基板和背面基板中至少一方的基板上的電極；覆蓋該電極的電介質(zhì)層；覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)層，其特征在于，具有下述工序在覆蓋所述電介質(zhì)層的必要部分的位置上形成包括氧化鎂晶體的氧化鎂層，該氧化鎂晶體通過電子射線的激勵(lì)而進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在所述氧化鎂的形成工序中，通過向電介質(zhì)層的必要部分涂覆包括氧化鎂晶體漿料來形成氧化鎂層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在所述氧化鎂的形成工序中，通過向電介質(zhì)層吹附包括氧化鎂晶體的粉末來形成氧化鎂層。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂晶體是利用氣相氧化法形成的氧化鎂單晶體。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂晶體進(jìn)行在230～250nm內(nèi)具有峰的陰極·電致發(fā)光。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂晶體的粒徑大于等于2000埃。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂單晶體是具有立方體單晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂單晶體是具有立方體多晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂單晶體的粒徑大于等于500埃。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂單晶體的粒徑大于等于2000埃。
28.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂層的形成工序在形成保護(hù)層的工序中，和通過蒸鍍或?yàn)R射形成薄膜氧化鎂層的工序一起進(jìn)行，形成基于薄膜氧化鎂層和包括氧化鎂晶體的氧化鎂層的疊層結(jié)構(gòu)的保護(hù)層。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在完成形成所述薄膜氧化鎂層的工序后，進(jìn)行形成包括氧化鎂晶體的氧化鎂層的工序。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在完成形成包括所述氧化鎂晶體的氧化鎂層的工序后，進(jìn)行形成薄膜氧化鎂層的工序。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述保護(hù)層的工序中，包括氧化鎂晶體的氧化鎂層和薄膜氧化鎂層分別被形成在電介質(zhì)層的整個(gè)表面上。
32.根據(jù)權(quán)利要求28所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述薄膜氧化鎂層的工序中，薄膜氧化鎂層被形成在電介質(zhì)層的整個(gè)表面上，在包括氧化鎂晶體的氧化鎂層的形成工序中，包括氧化鎂晶體的氧化鎂層形成在面對(duì)電介質(zhì)層表面的一部分的位置上。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在形成包括所述氧化鎂晶體的氧化鎂層的工序中，包括氧化鎂晶體的氧化鎂層形成在面對(duì)電極的部分上。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在包括所述氧化鎂晶體的氧化鎂層的形成工序中，包括氧化鎂晶體的氧化鎂層形成在面對(duì)電極的部分以外的部分上。
全文摘要
一種等離子顯示面板，在與形成于前面玻璃基板(1)和背面玻璃基板(4)之間的放電空間的放電單元(C)面對(duì)的位置上設(shè)置包括氧化鎂晶體的氧化鎂層(8)，該氧化鎂晶體通過電子射線激勵(lì)而進(jìn)行在200～300nm波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)具有峰的陰極/電致發(fā)光。
文檔編號(hào)H01J9/24GK1836305SQ20048002341
公開日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2004年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月26日
發(fā)明者林海, 直井太郎, 廣田敦士, 佐佐木健 申請(qǐng)人:日本先鋒公司