專利名稱：場發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種場發(fā)射顯示器。
背景技術(shù)：
當(dāng)前世界上使用最廣泛的顯示器是陰極射線管(Cathode RayTube，CRT)顯示器，但隨著對圖像清晰度和顯示屏幕尺寸要求的越來越高，CRT顯示器已越來越無法滿足人們的需求。近年來，平板顯示器發(fā)展迅速，并且被廣泛應(yīng)用在個人計算機等電子領(lǐng)域。目前應(yīng)用最為普遍的平板顯示器為液晶顯示器，但是液晶顯示器在制造方面存在諸多缺點，例如，在玻璃面板上沉積無定型硅的速度較慢、良率較低。其次，液晶顯示器需要較高能量的背光源，然而背光源產(chǎn)生的大部分能量都不能被利用而造成浪費。再者，液晶顯示器的顯示圖像受環(huán)境亮度和視角的限制，即在明亮的環(huán)境和在較寬的視角很難看到其圖像。另外，液晶顯示器的響應(yīng)時間取決于液晶材料對所加電場的響應(yīng)時間，因此，液晶顯示器的響應(yīng)速度較慢，典型液晶顯示器的響應(yīng)時間一般介于25ms到75ms。上述缺點限制液晶顯示器在如高清晰度電視、大型平板顯示器等許多方面的應(yīng)用。相比液晶顯示器，等離子顯示器則更適合應(yīng)用于高清晰度電視和大型顯示器。但是等離子顯示器消耗電量較多，而且其產(chǎn)生的熱量也太多。
近年來在液晶顯示器和等離子顯示器基礎(chǔ)上又發(fā)展了其它平板顯示器，場發(fā)射顯示器即是該平板顯示器的一種。場發(fā)射顯示器通過對陰極上的尖端施加電壓導(dǎo)致電子從尖端發(fā)出，然后撞擊沉積在陽極板上的熒光層而發(fā)光產(chǎn)生圖像。場發(fā)射顯示器與液晶顯示器和等離子顯示器相比，具有更高的對比度、更廣的視角、更高的亮度、更低的能量損耗、更短的響應(yīng)時間以及更寬的工作溫度范圍。
一種現(xiàn)有技術(shù)場發(fā)射顯示器的一個子像素單元可參照圖1，該子像素單元1包括一第一基板6，一第二基板3，一金屬膜9，一槽絕緣體8，一閘極7，一尖端10，一透明電極4和一熒光層5。其中，金屬膜9作為陰極使用，透明電極4作為陽極使用，尖端10作為電子發(fā)射源使用。
金屬膜9位于第一基板6上，槽絕緣體8位于金屬膜9上且該槽絕緣體8將閘極7與金屬膜9隔離開，多個尖端10垂直排列在金屬膜9上，透明電極4位于第二基板3上，熒光層5涂在透明電極4上。
但是，上述場發(fā)射顯示器具有以下缺陷首先，尖端制作困難。在場發(fā)射顯示器中，電子發(fā)射效率將直接影響到其發(fā)光和分辨率，但就目前而言，尖端的制造工藝仍存在技術(shù)難題，所以造成電子發(fā)射效率較低，從而影響場發(fā)射顯示器的發(fā)光和分辨率。
其次，即使采用相同的工藝過程也不太容易實現(xiàn)尖端的均勻性。由于每個像素都由多個子像素構(gòu)成，因而少許單元出現(xiàn)問題并不會嚴重影響到整個像素的功能，但如果尖端在像素上分布不均勻，則顯示器上將呈現(xiàn)出不穩(wěn)定的圖像。
再次，場發(fā)射顯示器是利用電子轟擊熒光層而自發(fā)輻射發(fā)光，但由于排列在像素上的尖端較難實現(xiàn)均勻性，從而造成從尖端發(fā)射出的電子將不均勻的撞擊在熒光層上，造成發(fā)出的光線也呈現(xiàn)出不均勻的現(xiàn)象。同時，為提高圖像亮度，陽極上的熒光層通常較薄，因此電子發(fā)射源所發(fā)的電子不能被熒光層充分吸收，由此降低場發(fā)射顯示器的電光轉(zhuǎn)換效率，造成發(fā)光不均勻的現(xiàn)象發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)場發(fā)射顯示器發(fā)光不均勻的問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光較均勻的場發(fā)射顯示器。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種場發(fā)射顯示器，其包括一陰極、一高電阻層、多個尖端、一陽極和一熒光層，該高電阻層形成在該陰極上，該多個尖端垂直排列在該高電阻層上，該熒光層涂在該陽極上，其中，該熒光層中具有多個散射粒子。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，由于本發(fā)明的場發(fā)射顯示器在其熒光層中加入多個散射粒子，因此當(dāng)從該多個尖端發(fā)射出的電子受該陽極板上加速電壓的吸引而撞擊熒光層發(fā)光，此時在該多個散射粒子的作用下，入射的熒光將向各個方向散射，從而提高光束的擴散性，達到較均勻的圖像顯示效果。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)場發(fā)射顯示器的一個子像素單元的截面圖。
圖2是本發(fā)明場發(fā)射顯示器像素單元的部分剖視圖。
圖3是圖2第III部分的放大圖。
具體實施方式
請參閱圖2和圖3，是本發(fā)明場發(fā)射顯示器的最佳實施方式。該場發(fā)射顯示器包括多個像素單元2，其中每一個像素單元2包括一基板150、一陰極152、一高電阻層154、多個尖端140、一槽絕緣體142、一閘極156、一支撐體130、一透明面板160、一陽極162和一熒光層164。
該陰極152設(shè)置在該基板150上，該高電阻層154形成于該陰極152上，該多個尖端140垂直排列在該高電阻層154上，該槽絕緣體142將該陰極152和該閘極156分隔開，該支撐體130將該閘極156和該陽極162分隔開，該陽極162位于該透明面板160上，該熒光層164涂在該陽極162上而且其中具有多個散射粒子132。
該陰極152由金屬制成，所以陰極152具有良好的導(dǎo)電性。該高電阻層154由硅的氧化物組成，該高電阻層154具有電阻緩沖的作用。該多個尖端140作為電子發(fā)射源使用。該支撐體130的高度能夠用來控制該閘極156和該陽極162之間的距離，從而有效的降低發(fā)射電壓。該陽極162因受電子的撞擊，所以采用導(dǎo)電和導(dǎo)熱性較好的材料制成，比如金屬材料，該陽極162可以直接接地，從而簡化電路設(shè)計并提高散熱效果，增加本發(fā)明場發(fā)射顯示器的可靠度。
該多個散射粒子132由二氧化硅制成，但是粒子的大小和數(shù)量會影響到光線的擴散，粒子越大數(shù)量越多擴散效果越好，視角也越大，但是輝度會降低，所以需要合理的選擇粒子的大小，本實施方式散射粒子132的大小介于1μm～50μm之間。
本發(fā)明場發(fā)射顯示器的像素單元2工作時，一發(fā)射電壓加在該陰極152和該閘極156之間從而使電子從該多個尖端140發(fā)出形成電子流，該電子流在一形成于該閘極156和該陽極162之間的加速電壓吸引下撞擊該熒光層164而發(fā)光，該光線經(jīng)該多個散射粒子132散射后向各個方向發(fā)散，提高光束的擴散性，從而達到較均勻的圖像顯示效果。
該多個散射粒子132的大小或密度沿和該多個尖端140相對的該陽極162表面遠離的方向逐漸增大，當(dāng)從該多個尖端140發(fā)射出的電子束撞擊該熒光層164后，該熒光層164將自發(fā)輻射發(fā)光，光線在該多個散射粒子132的作用下朝各個方向發(fā)散，由于該多個散射粒子132的大小或密度沿和該多個尖端140相對的該陽極162表面遠離的方向逐漸增大，因此該熒光層自發(fā)輻射出的熒光射到該多個散射粒子132的機率將沿和該多個尖端140相對的該陽極162表面遠離的方向逐漸增大，因此光線的散射角度將不斷提高，從而使得從該陽極162出射的光線具有更廣的視角，由此提高發(fā)光的均勻性。
權(quán)利要求
1.一種場發(fā)射顯示器，包括一陰極、一高電阻層、一閘極、多個尖端、一陽極和一熒光層，該高電阻層設(shè)置在該陰極上，該多個尖端和該閘極具有一定間隔，該熒光層涂在該陽極上，其特征在于該熒光層具有多個散射粒子。
2.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于該多個散射粒子的大小介于1μm～50μm之間。
3.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于該多個散射粒子由二氧化硅制成。
4.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于該多個散射粒子的大小沿和該多個尖端相對的該陽極表面遠離的方向逐漸增大。
5.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于該多個散射粒子的密度沿和該多個尖端相對的該陽極表面遠離的方向逐漸增大。
6.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于進一步包括一基板，該陰極由金屬制成，并位于該基板上。
7.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于進一步包括一透明面板，該陽極由良導(dǎo)電和導(dǎo)熱材料制成，并位于該透明面板上。
8.如權(quán)利要求7所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于該陽極是一透明電極。
9.如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于該透明電極是銦錫氧化物。
10.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示器，其特征在于該高電阻層由硅的氧化物組成。
全文摘要
本發(fā)明公開一種場發(fā)射顯示器，其包括一陰極、一高電阻層、多個尖端、一陽極和一熒光層，該高電阻層形成在該陰極上，該多個尖端垂直排列在該高電阻層上，該熒光層涂在該陽極上，其中該熒光層中包括多個散射粒子，在該多個散射粒子的作用下，入射的熒光將向各個方向散射，從而提高光束的擴散性，因此達到較均勻的圖像顯示效果。
文檔編號H01J29/02GK1670899SQ20041002659
公開日2005年9月21日 申請日期2004年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月16日
發(fā)明者簡士哲 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司