專(zhuān)利名稱(chēng)：圖像顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備裝有對(duì)向配置的2塊基板的外殼、與設(shè)置于該外殼的內(nèi)側(cè)的多個(gè)圖像顯示元件的圖像顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，一直在開(kāi)發(fā)各種平面型顯示裝置作為取代陰極射線(xiàn)管(以下稱(chēng)作CRT)的下一代輕量、薄型的顯示裝置。這樣的平面型顯示裝置中，有利用液晶的取向來(lái)控制光的強(qiáng)弱的液晶顯示器(以下稱(chēng)作LCD)、利用等離子體放電的紫外線(xiàn)使熒光體發(fā)光的等離子體顯示板(以下稱(chēng)作PDP)、利用場(chǎng)致發(fā)射型電子發(fā)射元件的電子束使熒光體發(fā)光的場(chǎng)致發(fā)射顯示器(以下稱(chēng)作FED)，利用表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的電子束使熒光體發(fā)光的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器(以下稱(chēng)作SED)等。
例如，F(xiàn)ED和SED一般具有設(shè)置規(guī)定的間隙、對(duì)向配置的前面基板和背面基板，這些基板通過(guò)矩形框的側(cè)壁將周邊部之間互相接合來(lái)構(gòu)成真空的外殼。前面基板的內(nèi)表面上形成熒光屏，背面基板的內(nèi)表面上設(shè)置多個(gè)電子發(fā)射元件作為激勵(lì)熒光體使之發(fā)光的電子發(fā)射源。
而且，為了支承加到背面基板和前面基板上的大氣壓負(fù)荷，在這些基板間配置多個(gè)支持構(gòu)件。背面基板側(cè)的電位大致為地電位，熒光面上加上陽(yáng)極電壓。然后，通過(guò)將電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束照射構(gòu)成熒光屏的紅、綠、藍(lán)的熒光體，使之發(fā)光，從而顯示圖像。
這樣的FED和SED中可將顯示裝置的厚度減薄到幾mm左右，與作為現(xiàn)在的電視機(jī)或計(jì)算機(jī)的顯示器使用的CRT相比，能達(dá)到輕量化、薄型化。
上述的FED和SED必須使外殼的內(nèi)部為高真空。又，在PDP中，一旦使外殼真空后還必須充填放電氣體。
作為使外殼形成真空的方法，有一種方法是先利用適當(dāng)?shù)姆饨硬牧显诖髿庵屑訜嵬鈿さ臉?gòu)成部分即前面基板、背面基板、以及側(cè)壁進(jìn)行接合，然后通過(guò)設(shè)置于前面基板或背面基板上的排氣管對(duì)外殼內(nèi)進(jìn)行排氣后，真空密封排氣管。但是，在通過(guò)排氣管對(duì)平面型外殼進(jìn)行真空排氣時(shí)，由于排氣速度極慢，且能達(dá)到的真空度差，故存在批量性及特性方面的問(wèn)題。
作為解決該問(wèn)題的方法，例如在特開(kāi)2000-229825號(hào)公報(bào)中揭示了在真空槽內(nèi)進(jìn)行構(gòu)成外殼的前面基板和背面基板的最后組裝的方法。
這種方法，先將置入真空槽內(nèi)的前面基板和背面基板事先充分加熱。這是為了減輕成為外殼真空度變差的主要原因的來(lái)自外殼內(nèi)壁的氣體放出。接著，在前面基板和背面基板冷卻并充分提高真空槽內(nèi)的真空度時(shí)，在熒光屏上形成使外殼真空度改善、維持用的吸氣劑膜。然后再次加熱前面基板和背面基板達(dá)到封接材料熔解的溫度，在將前面基板和背面基板在規(guī)定的位置組合的狀態(tài)下冷卻，直到封接材料固化為止。
用這種方法制造的真空外殼，除了兼有封接工序與真空密封工序以外，可不需要因排氣所需的大量時(shí)間，而且能得到極好的真空度。另外這種方法，作為封接材料最好使用適宜于封接、密封一起處理的低熔點(diǎn)金屬材料。但是低熔點(diǎn)金屬材料由于熔融時(shí)的粘性低，擔(dān)心在封接時(shí)會(huì)從要求的封接區(qū)域流出。
特別在SED那樣的平面型圖像顯示裝置中，必須是高真空度，封接層中即使有1處發(fā)生漏氣，也成為次品。因此，為了實(shí)現(xiàn)在大尺寸的圖像顯示裝置制造或批量生產(chǎn)中的高成品率，必須提高封接部的氣密性和可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上各點(diǎn)而提出的，其目的在于提供封接部的氣密性高、可靠性提高的圖像顯示裝置及其制造方法。
為解決上述課題，本發(fā)明形態(tài)有關(guān)的圖像顯示裝置，具備裝有背面基板和與該背面基板對(duì)向配置的前面基板并通過(guò)封接層封接所述前面基板和所述背面基板的周邊部的外殼、和設(shè)置于所述外殼內(nèi)側(cè)的多個(gè)像素顯示元件，所述前面基板和背面基板至少一方具有形成于與所述封接層的界面上、含有所述封接層的成分的擴(kuò)散層。
又，本發(fā)明的另一形態(tài)有關(guān)的圖像顯示裝置的制造方法，是具備裝有背面基板和與該背面基板對(duì)向配置的前面基板的外殼、與設(shè)置于所述外殼的內(nèi)側(cè)的多個(gè)像素顯示元件的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，是沿所述背面基板與所述前面基板之間的封接面形成襯底層，以規(guī)定的溫度燒結(jié)所述襯底層，使所述襯底層的成分?jǐn)U散到所述封接面?zhèn)龋纬蓴U(kuò)散層，重疊于所述燒結(jié)的襯底層上形成金屬封接材料層，在真空氛圍中加熱所述背面基板和所述前面基板，使所述金屬封接材料層和襯底層熔融，封接所述背面基板與所述前面基板。
根據(jù)上述構(gòu)成的圖像顯示裝置及其制造方法，則封接層所含的一部分材料擴(kuò)散到與封接層相接的前面基板和背面基板的至少一方的界面附近區(qū)域，形成擴(kuò)散層。利用該擴(kuò)散層，大幅度地提高封接層與基板的密封性，得到氣密性高的封接構(gòu)造。


圖1示出本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的FED的立體圖。
圖2示出除去上述FED的前面基板后的狀態(tài)的立體圖。
圖3為沿圖1的線(xiàn)III-III的剖面圖。
圖4示出上述FED的熒光屏的平面圖。
圖5A示出在構(gòu)成FED的真空外殼的側(cè)壁封接面的封接面上形成襯底層和銦層的狀態(tài)的立體圖。
圖5B示出在構(gòu)成FED的真空外殼的前面基板的封接面上形成襯底層和銦層的狀態(tài)的立體圖。
圖6示出對(duì)向配置在上述封接部形成襯底層和銦層的背面?zhèn)冉M裝體與前面基板的狀態(tài)的剖面圖。
圖7示出上述FED制造中所用的真空處理裝置的簡(jiǎn)圖。
圖8示出上述FED封接層界面附近的由離子磨削法產(chǎn)生的TEM觀察圖像的圖。
圖9示出圖8中的封接層界面附近的分析點(diǎn)P1的EDX分析數(shù)據(jù)的圖。
圖10示出上述封接層界面附近的分析點(diǎn)P2的EDX分析數(shù)據(jù)的圖。
圖11示出上述封接層界面附近的分析點(diǎn)P4的EDX分析數(shù)據(jù)的圖。
圖12示出上述封接層界面附近的分析點(diǎn)P5的EDX分析數(shù)據(jù)的圖。
圖13示出襯底層燒結(jié)溫度與形成的擴(kuò)散層厚度的關(guān)系圖。
圖14示出本發(fā)明另一實(shí)施形態(tài)的FED剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明將本發(fā)明有關(guān)的圖像顯示裝置用于FED的實(shí)施形態(tài)。
如圖1至圖3所示，該FED具備由各自矩形玻璃板構(gòu)成的前面基板11和背面基板12，作為絕緣基板。基板11、12隔開(kāi)約1.5~3.0mm的間隔對(duì)向配置。前面基板11和背面基板12的周邊部通過(guò)矩形框側(cè)壁18互相接合，構(gòu)成內(nèi)部維持真空狀態(tài)的扁平矩形的真空外殼10。
真空外殼10的內(nèi)部設(shè)有支承加到背面基板12和前面基板11的大氣壓負(fù)荷的多個(gè)板形支持構(gòu)件14。這些支持構(gòu)件14沿與真空外殼10的短邊平行的方向延伸，并沿與長(zhǎng)邊平行的方向隔開(kāi)規(guī)定的間隔配置。此外，支持構(gòu)件14不限定于板形，也可用柱形的支持構(gòu)件。
如圖4所示，在前面基板11的內(nèi)表面上形成熒光屏16。熒光屏16由并排配置的發(fā)出紅、綠、藍(lán)3色光的條形熒光層R、G、B和位于它們之間的作為非發(fā)光部的條形黑色吸收層20所構(gòu)成。熒光層R、G、B沿與真空外殼10的短邊平行的方向延伸，并沿與長(zhǎng)邊平行的方向隔開(kāi)規(guī)定間隔配置。此外，在熒光屏16上蒸鍍未圖示的鋁層作為金屬基底。
如圖3所示，在背面基板12的內(nèi)表面上，設(shè)置發(fā)射各電子束的多個(gè)電場(chǎng)發(fā)射型的電子發(fā)射元件22，作為激勵(lì)熒光層R、G、B的電子發(fā)射源。這些電子發(fā)射元件22對(duì)應(yīng)每個(gè)像素，配置成多列和多行。
詳細(xì)地說(shuō)，在背面基板12的內(nèi)表面上，形成導(dǎo)電性陰極層24，在層24上形成有多個(gè)空腔25的二氧化硅膜26。在膜26上形成由鉬、鈮等構(gòu)成的柵極28。然后，在背面基板12的內(nèi)表面上的各空腔25內(nèi)設(shè)置由鉬等構(gòu)成的錐形電子發(fā)射元件22。此外，在背面基板12上形成與電子發(fā)射元件22連接的未圖示的矩陣形的布線(xiàn)等。
在如上構(gòu)成的FED中，視頻信號(hào)輸入到電子發(fā)射元件22與柵極28。以電子發(fā)射元件22為基準(zhǔn)時(shí)，在最大亮度狀態(tài)時(shí)加上+100V的柵極電壓。而熒光屏16上施加+10kV。從電子發(fā)射元件22發(fā)射的電子束由柵極28的電壓所調(diào)制，通過(guò)該電子束激勵(lì)熒光屏16的熒光層，使之發(fā)光來(lái)顯示圖像。
由于在熒光屏16上施加高電壓，故對(duì)前面基板11、背面基板12、側(cè)壁18、以及支持構(gòu)件14用的板玻璃，使用高應(yīng)變點(diǎn)玻璃。如后所述，背面基板12與側(cè)壁18之間，用焊料玻璃等低熔點(diǎn)玻璃30封接，在前面基板11與側(cè)壁18之間，用形成于封接面上的襯底層31與形成于襯底層上的銦層32熔合而成的封接層33封接。
以下，詳細(xì)說(shuō)明如上構(gòu)成的FED的制造方法。
首先，在前面基板11的板玻璃上形成熒光屏16。這是準(zhǔn)備與前面基板11相同大小的板玻璃，用繪圖機(jī)在該板玻璃上形成熒光層的條形圖案。將已形成熒光體條形圖案的板玻璃與前面基板用板玻璃置于定位夾具上。定位夾具置于曝光臺(tái)上，經(jīng)曝光、顯影，在前面基板用板玻璃上生成熒光屏16。
接著，在背面基板用的板玻璃上形成電子發(fā)射元件22。這時(shí)，在板玻璃上形成矩陣形狀的導(dǎo)電性陰極層，在其上用例如熱氧化法、CVD法或?yàn)R射法形成二氧化硅膜的絕緣層。
其后，在該絕緣膜上用例如濺射法或電子束蒸鍍法形成鉬或鈮等的柵極形成用的金屬膜。接著，在該金屬膜上用光刻法形成與應(yīng)形成的柵極對(duì)應(yīng)的形狀的抗蝕劑圖案。以此圖案作為掩膜，用濕刻法或干刻法來(lái)刻蝕金屬膜，形成柵極28。
其次，以抗蝕劑圖案和柵極作為掩膜，用濕刻法或干刻法來(lái)刻蝕絕緣膜，形成空腔25。除去抗蝕劑圖案后，通過(guò)相對(duì)于背面基板從規(guī)定的傾斜角度的方向進(jìn)行電子束蒸鍍，從而在柵極28上形成例如由鋁或鎳構(gòu)成的剝離層。之后，從相對(duì)于背面基板表面的垂直方向，用電子束蒸鍍法例如蒸鍍鉬，作為陰極形成用材料。這樣一來(lái)，在各空腔25的內(nèi)部形成電子發(fā)射元件22。接著，用剝離法一起除去剝離層與形成于其上的金屬膜其后，在大氣中利用低熔點(diǎn)玻璃30對(duì)形成電子發(fā)射元件22的背面基板12的周邊部與矩形框的側(cè)壁18之間互相進(jìn)行封接。
接著，通過(guò)側(cè)壁18互相封接背面基板12與前面基板11。這時(shí)，如圖5A和圖5B所示，先在作為封接面的側(cè)壁18的上表面和前面基板11的內(nèi)表面周邊部上，分別沿整個(gè)周邊以規(guī)定寬度形成襯底層31。
本實(shí)施形態(tài)中，襯底層31使有銀膏。形成方法是用絲網(wǎng)印刷法將銀膏涂布到所需的地方。涂布后的銀膏經(jīng)自然干燥后，再在150℃下干燥20分鐘。其后，將溫度提升至約580℃，燒結(jié)銀膏形成襯底層31。這樣，通過(guò)約在400℃以上的溫度下燒結(jié)銀膏形成襯底層31，襯底層的Ag成分?jǐn)U散到基板的表層，形成擴(kuò)散層。
接著，在各襯底層31之上涂布作為金屬封接材料的銦，分別在襯底層的整個(gè)周邊形成延伸的銦層32。
作為金屬封接材料，最好使用熔點(diǎn)約350℃以下且密封性、接合性?xún)?yōu)良的低熔點(diǎn)金屬材料。本實(shí)施形態(tài)中所用的銦(In)不僅熔點(diǎn)低到156.7℃，而且有蒸氣壓低、柔軟且抗沖擊性好、即使低溫也不發(fā)脆的優(yōu)良特點(diǎn)。而且，根據(jù)某種條件銦可直接接合于玻璃上。
此外，作為低熔點(diǎn)金屬材料，不僅可以用In的單體，而且也可用在銦中單獨(dú)或復(fù)合添加氧化銀、銀、金、銅、鋁、鋅、錫等元素。例如，In97％-Ag3％的共晶合金中，熔點(diǎn)更降低為141℃，而且能提高機(jī)械強(qiáng)度。
以上說(shuō)明中使用所謂“熔點(diǎn)”來(lái)表述，但在由2種以上的金屬構(gòu)成的合金中，有時(shí)熔點(diǎn)不是單一決定的。對(duì)于這種合金，一般定義為液相線(xiàn)溫度與固相線(xiàn)溫度。前者是在從液體狀態(tài)下降溫度時(shí)合金的一部分開(kāi)始固體化的溫度，后者是合金全部固體化的溫度。本實(shí)施形態(tài)為說(shuō)明方便起見(jiàn)，對(duì)這種合金也用所謂熔點(diǎn)來(lái)表述，將固相線(xiàn)溫度稱(chēng)作熔點(diǎn)。
另一方面，所述的襯底層31用相對(duì)于金屬封接材料其浸潤(rùn)性和氣密性良好的材料，即對(duì)于金屬封接材料其親合性高的材料。除了Ag以外，可用Ni、Co、Au、Cu、Al等金屬。
接著，將在封接面上形成襯底層31和銦層32的前面基板11、與在背面基板12上封接側(cè)壁18的并在該側(cè)壁上表面形成襯底層31和銦層32的背面?zhèn)冉M裝體，按圖6所示那樣，在封接面之間對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下，且隔開(kāi)規(guī)定距離對(duì)置的狀態(tài)下，用夾具加以保持，置入真空處理裝置。
如圖7所示，真空處理裝置100具有依次并排設(shè)置的裝入室101、烘烤及電子束洗凈室102、冷卻室103、吸氣劑膜蒸鍍室104、組裝室105、冷卻室106、以及卸載室107。各室作為可真空處理的處理室而構(gòu)成，在FED制造時(shí)全部室被真空排氣。相鄰的處理室之間間利用閘門(mén)閥連接。
隔開(kāi)規(guī)定間隔并對(duì)置的背面?zhèn)冉M裝體和前面基板11放入裝入室101，使裝入室101內(nèi)為真空氛圍后，送到烘烤及電子束洗凈室102。烘烤及電子束洗凈室102達(dá)到10-5Pa程度的高真空度時(shí)，將背面?zhèn)冉M裝體和前面基板11加熱到300℃左右的溫度，進(jìn)行烘烤，使各構(gòu)件的表面吸附氣體充分排出。
在該溫度下，銦層(熔點(diǎn)約156℃)32溶化。然而，由于銦層形成于親合性高的襯底層31上，故銦不流動(dòng)而保持在襯底層31上，防止向電子發(fā)射元件22側(cè)和背面基板12的外側(cè)或者熒光屏16側(cè)的流出。
在烘烤及電子束洗凈室102中，與加熱同時(shí)，由安裝于電子束洗凈室102中的未圖示的電子束發(fā)生裝置對(duì)前面基板11的熒光屏面、和背面基板12的電子發(fā)射元件面照射電子束。該電子束由裝于電子束發(fā)生裝置外部的偏轉(zhuǎn)裝置進(jìn)行偏轉(zhuǎn)掃描。因此可將熒光屏面、和電子發(fā)射元件面的整個(gè)面進(jìn)行電子束洗凈。
加熱及電子束洗凈后，背面基板側(cè)組裝體和前面基板11被送到冷卻室103，例如冷卻到100℃的溫度為止。接著，背面?zhèn)冉M裝體和前面基板11被送到蒸鍍室104，這里，在熒光屏的外表面上蒸鍍形成Ba膜，作為吸氣劑膜。Ba膜能防止表面被氧或碳等污染，維持活性狀態(tài)。
然后，將背面?zhèn)冉M裝體和前面基板11送到組裝室105，在此加熱至200℃，使銦層32再次熔化成液體或軟化。在該狀態(tài)下，將前面基板11與側(cè)壁18接合，并施加規(guī)定的壓力后，銦慢慢冷卻并固化。這樣一來(lái)，前面基板11與側(cè)壁18利用融合銦層32和襯底層31的封接層進(jìn)行封接，形成真空外殼10。
這樣形成的真空外殼10，在冷卻室106冷卻到常溫后，從卸載室107取出。通過(guò)以上的工序，完成FED。
根據(jù)上述構(gòu)成的FED及其制造方法，通過(guò)在真空氛圍中進(jìn)行前面基板11和背面基板12的封接，能夠一并使用烘烤和電子束洗凈，使基板表面的吸附氣體充分放出。從而，吸氣劑膜不被氧化，而能得到充分的氣體吸收效果。這樣，能得到可維持高真空度的FED。
而且，通過(guò)使用銦作為封接材料，不像用焊料玻璃封接那樣在真空中封接層會(huì)發(fā)泡，能得到氣密性和封接強(qiáng)度高的FED板。通過(guò)在銦層32之下設(shè)置襯底層31，即使封接工藝中銦熔化時(shí)，也能防止銦的流出，使它保持在規(guī)定位置上。
又，在襯底層31形成時(shí)，通過(guò)以規(guī)定溫度燒結(jié)襯底層材料，可使襯底層成分的Ag擴(kuò)散到基板表層，改善基板與封接層的接合性。這樣，可得到氣密性高的真空容器。由下面說(shuō)明之。
圖8至圖12示出由封接層與前面基板11的界面利用離子磨削法產(chǎn)生的TEM觀察圖像及各分析點(diǎn)P1、P2、P4、P5的用EDX得到的元素分析數(shù)據(jù)。從這些圖中可知，在封接層與前面基板11的界面上形成擴(kuò)散了銀的擴(kuò)散層40。也即在前面基板11側(cè)的擴(kuò)散層40存在襯底層31的成分即Ag。這時(shí)，擴(kuò)散層40中的Ag的含有量在3％以下。而擴(kuò)散層40的厚度為0.01~50μm。
如圖13所示，襯底層31的燒結(jié)溫度越高，前面基板11的表層和側(cè)壁18的表層中形成的擴(kuò)散層40的厚度則越厚。而且加長(zhǎng)燒結(jié)時(shí)間，也能增厚擴(kuò)散層。反之，襯底層31的燒結(jié)溫度低時(shí)，擴(kuò)散層40的厚度就變薄。因此要求燒結(jié)溫度至少在400℃以上。又，由于擴(kuò)散溫度隨元素而異，故要求形成擴(kuò)散層的燒結(jié)溫度根據(jù)襯底層所用的材料分別設(shè)定。
如上所述，根據(jù)上述構(gòu)成的FED及其制造方法，則封接層所含的一部分材料通過(guò)熱處理被擴(kuò)散到與封接層相接的前面基板和側(cè)壁，同樣，玻璃構(gòu)件所含的一部分材料也向封接層擴(kuò)散。這樣一來(lái)，在封接層與前面基板間的前面基板側(cè)界面、及封層與側(cè)壁間的側(cè)壁側(cè)界面，分別形成封接材料擴(kuò)散的擴(kuò)散層40。利用該擴(kuò)散層40，大幅度地提高封接層與前面基板、及封接層與側(cè)壁18的密封性，得到氣密性高的密封構(gòu)造。因此，能制成高真空度的外殼，可得到高可靠性、高性能的FED。
又，上述的實(shí)施形態(tài)中，說(shuō)明了在前面基板11的封接面與側(cè)壁18的封接面的雙方都形成襯底層13和銦層32的狀態(tài)下進(jìn)行封接的構(gòu)成，但也可以銦層只形成在一方的封接面上，例如如圖14所示，只在前面基板11的封接面形成襯底層31和銦層32，而在側(cè)壁18的封接面上只形成襯底層31，采用在這樣的狀態(tài)下進(jìn)行封接的結(jié)構(gòu)。
此外，本發(fā)明不限于上述的實(shí)施形態(tài)，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可作各種變形。例如，也可以利用與上述實(shí)施形態(tài)相同的融合襯底層31和銦層32的封接層對(duì)背面基板與側(cè)壁之間進(jìn)行封接。又，也可以將前面基板或背面基板的一方的周邊部彎折地形成，將這些基板不通過(guò)側(cè)壁而直接地接合來(lái)構(gòu)成。此外，銦層為沿整個(gè)周邊形成寬度小于襯底層寬度的構(gòu)成，但只要在襯底層的至少一部分中形成得比襯底層的寬度更小，就可防止銦的流動(dòng)。
又，上述的實(shí)施形態(tài)中，作為電子發(fā)射元件用了電場(chǎng)發(fā)射型電子發(fā)射元件，但不限于此，也可以用pn型的冷陰極元件或表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件等其他電子發(fā)射元件。又，本發(fā)明也可適用于等離子體顯示板(PDP)、電致發(fā)光(EL)等其他圖像顯示裝置。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的形態(tài)，通過(guò)在封接部的界面附近形成封接材料擴(kuò)散的擴(kuò)散層，可提供封接部的氣密性高且可靠性提高的圖像顯示裝置及其制造方法。
權(quán)利要求
1.一種圖像顯示裝置，其特征在于，包括有背面基板和與該背面基板對(duì)向配置的前面基板并通過(guò)封接層封接所述前面基板和所述背面基板的周邊部的外殼、以及設(shè)置于所述外殼內(nèi)側(cè)的多個(gè)像素顯示元件，所述前面基板和背面基板至少一方具有形成于與所述封接層的界面上、含有所述封接層的成分的擴(kuò)散層。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述封接層含有Ag。
3.如權(quán)利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述擴(kuò)散層具有3％以下的Ag含有量。
4.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述封接層主要含銦或含銦的合金。
5.如權(quán)利要求4所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述含銦的合金，含Sn、Ag、Ni、Al、Ga中的一種。
6.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述擴(kuò)散層具有0.01~50μm的厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述封接層由襯底層、和設(shè)于該襯底層上并與所述襯底層不同的金屬封接材料層融合而成的層形成。
8.如權(quán)利要求7所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述襯底層含Ag、Ni、Co、Au、Cu、Al中的一種。
9.一種圖像顯示裝置，其特征在于，包括有背面基板和與該背面基板對(duì)向配置的前面基板并通過(guò)封接層封接所述前面基板和所述背面基板的周邊部的外殼、形成于所述前面基板的內(nèi)表面上的熒光屏、以及設(shè)于所述背面基板上并對(duì)所述熒光屏發(fā)射電子束而使熒光屏發(fā)光的電子發(fā)射源，所述前面基板和背面基板至少一方具有形成于與所述封接層的界面上的、含有所述封接層的成分的擴(kuò)散層。
10.一種圖像顯示裝置的制造方法，是包括有背面基板和與該背面基板對(duì)向配置的前面基板的外殼、以及設(shè)置于所述外殼的內(nèi)側(cè)的多個(gè)像素顯示元件的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，沿所述背面基板與所述前面基板之間的封接面形成襯底層，以規(guī)定的溫度燒結(jié)所述襯底層，使所述襯底層的成分?jǐn)U散到所述封接面?zhèn)?，形成擴(kuò)散層，重疊于所述燒結(jié)的襯底層上形成金屬封接材料層，在真空氛圍中加熱所述背面基板和所述前面基板，使所述金屬封接材料層和襯底層熔融，封接所述背面基板與所述前面基板。
11.如權(quán)利要求10所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，利用含有Ag、Ni、Co、Au、Cu、Al中任一種的金屬膏形成所述襯底層。
12.如權(quán)利要求10所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，用400℃以上的溫度燒結(jié)所述襯底層。
13.如權(quán)利要求10所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，利用熔點(diǎn)在350℃以下的低熔點(diǎn)金屬材料形成所述金屬封接材料層。
14.如權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述低熔點(diǎn)金屬材料是銦或含銦的合金。
全文摘要
圖像顯示裝置的真空外殼(10)具有對(duì)向配置的背面基板(12)和前面基板(11)，在該真空外殼內(nèi)設(shè)置多個(gè)電子發(fā)射元件(22)。前面基板和背面基板的周邊部分通過(guò)封接層(33)封接，在前面基板和背面基板的至少一方與封接層的界面的上述板側(cè)，形成含有封接層成分的擴(kuò)散層。
文檔編號(hào)H01J9/26GK1608278SQ02826098
公開(kāi)日2005年4月20日 申請(qǐng)日期2002年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月27日
發(fā)明者山田晃義, 清野和之, 橫田昌廣, 西村孝司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝