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光刻機曝光參數(shù)的獲取方法_6

文檔序號:9216355閱讀:來源:國知局
)/2、 Ym=(Py+t+dl+b)/化(Py+dl+b+d3)、化=(Py+t+dl+b)/化(Py+t+dl+b+d3),且中也變換值 為X=0、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3);第二圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)/2、 Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py+t+dl+b)/2、化=(Py+t+dl+b)/2-t-dl-t-d4,且中也變換值 為X=0、Y=0 ;第二圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)/2、Xp=(Px+a)/2、 Ym=(Py+t+dl+b)/2-t、化=(Py+t+dl+b)/2,且中也變換值為X=0、Y=-t-dl;W及,第H圖 形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=- (Px+a) /2、Xp= (Px+a) /2、Ym=- (Py+t+dl+b) /2-(Py +t+dl+b+d3)、化=(Py+t+dl+b)/2-t-dl-t-d4-(Py+t+dl+b+d3),且中也變換值為X=0、 Y=Py+t+dl+b+d3 ;第H圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=- (Px+a) /2、Xp= (Px+a) /2、 Ym=- (Py+t+dl+b) /2-t-d3、化=-(Py+t+dl+b) /2-d3,且中也變換值為X=0、Y=Py+b+d3 ; 其中,(Xm,化)為第一遮光坐標點,(Xp,化)為第二遮光坐標點,Xm和Xp為對應于所 述第一軸的參數(shù)值、Ym和化為對應于所述第二軸的參數(shù)值,X為沿所述第一軸的變換值、Y 為沿所述第二軸的變換值,Px為所述第一期望步進長度、Py為所述第二期望步進長度,a為 所述一個完整圖形上的左側(cè)緩沖區(qū)在所述第一軸方向上的寬度、b為所述一個完整圖形上 的下側(cè)緩沖區(qū)在所述第二軸方向上的高度,t為所述實際高度,dl為所述主體圖形和所述 測試圖形在所述光刻版上的間距,d3為所述第一圖形和所述第二圖形、所述第二圖形和所 述第H圖形在所述第二軸方向上的間距,d4為所述測試圖形和部分所述主體圖形在所述光 刻版上的間距。11.根據(jù)權利要求7所述的光刻機曝光參數(shù)的獲取方法,其特征在于,所述光刻機曝光 參數(shù)包括;遮光坐標和中也變換值; 若所述光刻版上包含四個完整圖形,第一圖形位于第一象限、第二圖形位于第二象限、 第H圖形位于第H象限、第四圖形位于第四象限,且第一圖形和第四圖形、第二圖形和第H 圖形分別沿所述第一軸對稱,第一圖形和第二圖形、第H圖形和第四圖形分別沿所述第二 軸對稱,則按照如下方式計算所述光刻機曝光參數(shù): 當所述完整圖形僅包含主體圖形時,第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、 Y=- (Py+b+d3) /2 ;第二圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、 Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+b+d3)/2 ;第H圖形的 主體圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+b)-d3/2、化=-d3/2,且中 也變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+b+d3)/2 及,第四圖形的主體圖形的遮光坐標點為 Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+b)-d3/2、化=-d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=(Py+b+d3) /2; 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時,若W無插花的形式僅曝光主體 圖形,則第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 化=Py+b+d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二圖形的主 體圖形的遮光坐標點為Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也 變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H圖形的主體圖形的遮光坐標點 為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也變換 值為X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+t+dl+b+d3) /2;W及,第四圖形的主體圖形的遮光坐標點 為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也變換值為 X=-(Px+a+d2)/2.Y=(Py+t+dl+b+d3) /2; 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時,若W無插花的形式曝光主體圖 形和測試圖形,則第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=d3/2、化=Py+b-t+d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+dl+b+d3)/2 ; 第一圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、 化=Py+dl+b+d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-dl-(Py+dl+b+d3)/2 ;第二圖形 的主體圖形的遮光坐標點為Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b-t+d3/2, 且中也變換值為X= (Px+a+d2) /2、Y=- (Py+dl+b+d3) /2 ;第二圖形的測試圖形的遮光 坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、化=Py+dl+b+d3/2,且中 也變換值為X= (Px+a+d2) /2、Y=-dl- (Py+dl+b+d3) /2 ;第H圖形的主體圖形的遮光坐 標點為《111=-任義+3)-(12/2、《口=-(12/2、¥111=-任7+(11+6)-(13/2、化=-1-(11-(13/2,且中也 變換值為X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+dl+b+d3) /2 ;第H圖形的測試圖形的遮光坐標點為 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也變換值為X= (Px+a+d2)/2、 Y=-dl+(Py+dl+b+d3)/2 ; W及,第四圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、 Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、 Y= (Py+dl+b+d3) /2 ;第四圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也變換值為X=- (Px+a+d2) /2、Y=-dl+ (Py+dl+b+d3) /2 ; 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時,若W插花的形式僅曝光主體圖形,則第 一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中 也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二圖形的主體圖形的遮光坐標點 為Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、化=Py+b+d3/2,且中也變換值為X= (Px+a+d2) /2、 Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、 Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-d3/2,且中也變換值為X=(Px+a+d2)/2、 Y=(Py+t+dl+b+d3)/2 ; W及,第四圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、 Xp=Px+a+d2/2、Ym=- (Py+t+dl+b) -d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中也變換值為X=- (Px+a+d2) /2、 Y=(Py+t+dl+b+d3)/2; 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時,若W插花的形式曝光主體圖形和 測試圖形,則第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 化=Py+b-t-d4+d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第 一圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 化=Py+t+b+dl+d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ; 第二圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、 化=Py+b-t-d4+d3/2,且中也變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二 圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 化=Py+t+b+dl+d3/2,且中也變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H 圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、 化=-t-dl-t-d4-d3/2,且中也變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第H圖形 的測試圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也 變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ;W及,第四圖形的主體圖形的遮 光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、化=-t-dl-t-d4-d3/2,且 中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y= (Py+t+dl+b+d3)/2 ;第四圖形的測試圖形的遮光坐標 點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-t-d3/2、化=-d3/2,且中也變換值為X=-(Px+a+d2)/2、 Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ; 其中,(Xm,化)為第一遮光坐標點,(Xp,化)為第二遮光坐標點,Xm和Xp為對應于所 述第一軸的參數(shù)值、Ym和化為對應于所述第二軸的參數(shù)值,X為沿所述第一軸的變換值、Y 為沿所述第二軸的變換值,Px為所述第一期望步進長度、Py為所述第二期望步進長度,a為 所述一個完整圖形上的左側(cè)緩沖區(qū)在所述第一軸方向上的寬度、b為所述一個完整圖形上 的下側(cè)緩沖區(qū)在所述第二軸方向上的高度,t為所述實際高度,dl為所述主體圖形和所述 測試圖形在所述光刻版上的間距,d2為所述第一圖形和所述第二圖形、所述第H圖形和所 述第四圖形在所述第一軸方向上的間距,d3為所述第一圖形和所述第四圖形、所述第二圖 形和所述第H圖形在所述第二軸方向上的間距,d4為所述測試圖形和部分所述主體圖形在 所述光刻版上的間距。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種光刻機曝光參數(shù)的獲取方法,包括:解析接收到的參數(shù)輸入指令,以獲取在硅片上沿水平方向的第一期望步進長度和沿豎直方向的第二期望步進長度;根據(jù)所述第一期望步進長度和所述第二期望步進長度,計算對應的光刻機曝光參數(shù)。通過本發(fā)明的技術方案,可以根據(jù)用戶對于各類復雜光刻版(或名掩膜版)的實際光刻需求,推算對于光刻機的曝光參數(shù)設置,從而提供一種通用、準確的曝光參數(shù)計算方式,簡化了曝光參數(shù)的計算過程。
【IPC分類】G03F7/20
【公開號】CN104932204
【申請?zhí)枴緾N201410103636
【發(fā)明人】曲東升, 張彥平
【申請人】北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2014年3月19日
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