-(Py+b)-d3/2、Yp=-d3/2,且中心變換值為 X=-(Px+a+d2)/2、 Y=(Py+b+d3) /2 ；
[0055] 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時，若以無插花的形式僅曝光主 體圖形，則第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b+d3/2,且中心變換值為 X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2;第二圖形的主 體圖形的遮光坐標點為 Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心 變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2;第三圖形的主體圖形的遮光坐標點 為 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心變換 值為X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+t+dl+b+d3) /2 ;以及，第四圖形的主體圖形的遮光坐標點 為 Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心變換值為 X=-(Px+a+d2)/2,Y=(Py+t+dl+b+d3) /2 ；
[0056] 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時，若以無插花的形式曝光主體 圖形和測試圖形，則第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=d3/2、Yp=Py+b-t+d3/2，且中心變換值為 X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+dl+b+d3)/2; 第一圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、 Yp=Py+dl+b+d3/2,且中心變換值為 X=-(Px+a+d2)/2、Y=-dl-(Py+dl+b+d3)/2;第二圖形 的主體圖形的遮光坐標點為 Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=_d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b_t+d3/2， 且中心變換值為X= (Px+a+d2) /2、Y=- (Py+dl+b+d3) /2;第二圖形的測試圖形的遮光 坐標點為 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b-t+d3/2、Yp=Py+dl+b+d3/2，且中 心變換值為X= (Px+a+d2) /2、Y=-dl- (Py+dl+b+d3) /2 ;第三圖形的主體圖形的遮光坐 標點為 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl_d3/2，且中心 變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+dl+b+d3)/2;第三圖形的測試圖形的遮光坐標點為 Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心變換值為 X=(Px+a+d2)/2、 Y=-dl+(Py+dl+b+d3)/2 ;以及，第四圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、 Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心變換值為 X=-(Px+a+d2)/2、 Y= (Py+dl+b+d3) /2 ;第四圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、 Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心變換值為X=- (Px+a+d2) /2、Y=-dl+ (Py+dl+b+d3) /2 ;
[0057] 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時，若以插花的形式僅曝光主體 圖形，則第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b+d3/2,且中心變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二圖形的主 體圖形的遮光坐標點為Xm=- (Px+a) -d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、Yp=Py+b+d3/2，且中心 變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第三圖形的主體圖形的遮光坐標點 為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心變換 值為X= (Px+a+d2) /2、Y= (Py+t+dl+b+d3) /2 ;以及，第四圖形的主體圖形的遮光坐標點 為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、Yp=-t-dl-d3/2,且中心變換值為 X=-(Px+a+d2)/2,Y=(Py+t+dl+b+d3) /2 ；
[0058] 當所述完整圖形包含主體圖形和測試圖形時，若以插花的形式曝光主體圖形和 測試圖形，則第一圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b-t_d4+d3/2,且中心變換值為X=_(Px+a+d2)/2、Y=_(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第 一圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 Yp=Py+t+b+dl+d3/2,且中心變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ; 第二圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=d3/2、 Yp=Py+b-t-d4+d3/2,且中心變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第二 圖形的測試圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=Py+dl+b+d3/2、 Yp=Py+t+b+dl+d3/2,且中心變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl-(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第三 圖形的主體圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)-d3/2、 Yp=-t-dl-t-d4-d3/2,且中心變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=(Py+t+dl+b+d3)/2 ;第三圖形 的測試圖形的遮光坐標點為Xm=-(Px+a)-d2/2、Xp=-d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心 變換值為X=(Px+a+d2)/2、Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ;以及，第四圖形的主體圖形的遮 光坐標點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-(Py+t+dl+b)_d3/2、Yp=-t-dl-t-d4_d3/2，且 中心變換值為X=-(Px+a+d2)/2、Y= (Py+t+dl+b+d3)/2 ;第四圖形的測試圖形的遮光坐標 點為Xm=d2/2、Xp=Px+a+d2/2、Ym=-t-d3/2、Yp=-d3/2,且中心變換值為X=-(Px+a+d2)/2、 Y=-t-dl+(Py+t+dl+b+d3)/2 ；
[0059] 其中，（Xm，Ym)為第一遮光坐標點，（Xp，Yp)為第二遮光坐標點，Xm和Xp為對應(yīng) 于所述第一軸的參數(shù)值、Ym和Yp為對應(yīng)于所述第二軸的參數(shù)值，X為沿所述第一軸的變換 值、Y為沿所述第二軸的變換值，Px為所述第一期望步進長度、Py為所述第二期望步進長 度，a為所述一個完整圖形上的左側(cè)緩沖區(qū)在所述第一軸方向上的寬度、b為所述一個完整 圖形上的下側(cè)緩沖區(qū)在所述第二軸方向上的高度，t為所述實際高度，dl為所述主體圖形 和所述測試圖形在所述光刻版上的間距，d2為所述第一圖形和所述第二圖形、所述第三圖 形和所述第四圖形在所述第一軸方向上的間距，d3為所述第一圖形和所述第四圖形、所述 第二圖形和所述第三圖形在所述第二軸方向上的間距，d4為所述測試圖形和部分所述主體 圖形在所述光刻版上的間距。
[0060] 通過以上技術(shù)方案，可以根據(jù)用戶對于硅片上的實際光刻需求，推算對于光刻機 的曝光參數(shù)設(shè)置，從而提供一種通用、準確的曝光參數(shù)計算方式，簡化了曝光參數(shù)的計算過 程。
【附圖說明】
[0061] 圖1示出了相關(guān)技術(shù)中的光刻處理的示意圖；
[0062] 圖2示出了相關(guān)技術(shù)中的硅片的示意圖；
[0063] 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的硅片上的曝光區(qū)域的示意圖；
[0064] 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的每個版面的區(qū)域劃分的示意圖；
[0065] 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的基于單版建立直角坐標系的示意圖；
[0066] 圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的基于二合一版建立直角坐標系的示意圖；
[0067] 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的基于三合一版建立直角坐標系的示意圖；
[0068] 圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的基于四合一版建立直角坐標系的示意圖；
[0069] 圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻機曝光參數(shù)的獲取方法的示意流程圖。
【具體實施方式】
[0070] 為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結(jié)合附圖和具體實 施方式對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施 例及實施例中的特征可以相互組合。
[0071] 在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可 以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明并不限于下面公開的具體實 施例的限制。
[0072] -、術(shù)語定義
[0073] 首先，針對程序編制用到的一些術(shù)語進行嚴格定義：
[0074] 光刻版（Mask或Reticle;或名"掩膜版"):方形，具體尺寸不等；其上制作有圖形， 作為母版，在半導體光刻過程中圖形被轉(zhuǎn)移到硅片(光刻版）上。
[0075] 娃片（Wafer):圓形，具體尺寸不等。如圖2所示，對于8inch以下娃片（即光刻版 106)切有平邊106A以便定位，同時在平邊106A處用激光打碼，打碼的最高位置與平板106A 的距離即為激光打碼高度h。半導體產(chǎn)品被制作在硅片上。在光刻過程中，光刻版上的圖形 被轉(zhuǎn)移至硅片上。
[0076] 單版：在一塊光刻版上僅制作單層光刻圖形，稱為單版。比如可以參考圖5所示的 單版，其具體情形將在下文詳細介紹。
[0077] 復合版：在一塊光刻版上按一定規(guī)范制作多層光刻圖形，稱為復合版。比如可以參 考圖6、圖7和圖8,分別為二合一版、三合一版和四合一版。
[0078] 光刻圖形（Frame):制作在Mask上的光刻圖形，單版有1個，二合一、三合一、四合 一復合版分別有2、3、4個(位于復合版的不同位置，坐標不同；但結(jié)構(gòu)、尺寸相同），F(xiàn)rame內(nèi) 圖形按照某種曝光方式曝在硅片上，實現(xiàn)對圖形的轉(zhuǎn)移。
[0079] 曝光區(qū)域（Shot):步進式光刻曝光后，如圖3所示，在硅片（即光刻版106)上形成 大小、尺寸相同的多個獨立圖形，每一個稱為一個Shot(即曝光區(qū)域106B)。其中，不同Shot 內(nèi)的圖形(來自Mask上的Frame)可以不同。
[0080] 測試圖形（Test):如果Frame內(nèi)的圖形分為2部分，貝U上方部分為測試圖形，稱為 Test。
[0081] 主體圖形（Main):如果Frame內(nèi)的圖形分為2部分，貝U下方部分為主體圖形，稱為 Main?；蛘?，在另一種情況下，只有主體圖形而沒有測試圖形，則Frame整體稱為Main。比 如圖4示出了一個Frame內(nèi)的區(qū)域分布示意圖，其中，對于上述的第一種情況，則以A、B為 對角線端點的矩形為主體圖形，以C、D為對角線端點的矩形為測試圖形；對于上述的第二 種情況，則以A、D為對角線端點的矩形為主體圖形。
[0082] 需要說明的是：雖然在本發(fā)明所提供的具體實施例中，Test部分在上方、Main部 分在下方，但實際上二者的定義是相對的，使得公式的推導