陣列基板和顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板和顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展，單純具有顯示功能的傳統(tǒng)顯示面板及包括該顯示面板的顯示裝置已經(jīng)不能滿足人們的要求。顯示面板生產(chǎn)廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)在傳統(tǒng)的顯示面板中集成觸控功能，形成觸控顯示面板。
[0003]現(xiàn)有的觸控顯示面板有多種實(shí)現(xiàn)方式，其中一種是:將傳統(tǒng)的陣列基板上的公共電極分為多個(gè)條狀電極，形成第一觸控電極，并在彩膜基板上設(shè)置多個(gè)第二觸控電極，其中的第一觸控電極發(fā)送觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，通過在第二觸控電極上進(jìn)行觸控信號(hào)檢測(cè)，利用上述第一觸控電極和第二觸控電極相結(jié)合實(shí)現(xiàn)觸控功能。
[0004]其中，陣列基板上的上述位于顯示區(qū)域的第一觸控電極需要與非顯示區(qū)域的驅(qū)動(dòng)芯片電連接，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)芯片將觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)送到各個(gè)第一觸控電極，現(xiàn)有技術(shù)中，通常是使用金屬走線將驅(qū)動(dòng)芯片和對(duì)應(yīng)的第一觸控電極電連接。另外，在陣列基板的顯示區(qū)域還會(huì)設(shè)置多條數(shù)據(jù)線，該多條數(shù)據(jù)線也會(huì)通過金屬走線與非顯示區(qū)域的驅(qū)動(dòng)芯片電連接，以進(jìn)行顯示信號(hào)的傳輸。
[0005]在陣列基板和對(duì)置基板進(jìn)行對(duì)盒工藝時(shí)，通常使用封框膠進(jìn)行封裝，并通過紫外線進(jìn)行紫外固化，然且封框膠一般會(huì)與上述金屬走線的所在區(qū)域重疊，此時(shí)，上述金屬走線影響透光率，降低對(duì)封框膠進(jìn)行紫外固化時(shí)的效率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提出一種陣列基板和顯示面板，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中金屬走線影響透光率，降低對(duì)封框膠進(jìn)行紫外固化時(shí)的效率的問題。
[0007]為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0008]—方面，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，包括:
[0009]顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括多條第一觸控電極，所述非顯示區(qū)域設(shè)置有驅(qū)動(dòng)芯片，
[0010]襯底基板，所述襯底基板包括多條多晶硅走線，
[0011]每條所述第一觸控電極與所述驅(qū)動(dòng)芯片通過所述多晶硅走線電連接。
[0012]另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括上述的陣列基板，該陣列基板還包括:
[0013]多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵極線沿著第一方向延伸，所述多條數(shù)據(jù)線沿著第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向交叉；
[0014]以及多條第二觸控電極，所述多條第二觸控電極沿第一方向延伸并且沿著第二方向排列，所述多條第一觸控電極沿第二方向延伸并且沿著第一方向排列。
[0015]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板和顯示面板，該陣列基板上顯示區(qū)域包括多條第一觸控電極，襯底基板上設(shè)置多條多晶硅走線，其中每條第一觸控電極通過多晶硅走線與驅(qū)動(dòng)芯片電連接，其中的多晶娃走線為透明走線，透光率較金屬走線高，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中每條第一觸控電極通過金屬走線與驅(qū)動(dòng)芯片電連接，能夠有效提高對(duì)封框膠進(jìn)行紫外固化時(shí)的紫外光透過率，提高固化效率。
【附圖說明】
[0016]為了更加清楚地說明本實(shí)用新型示例性實(shí)施例的技術(shù)方案，下面對(duì)描述實(shí)施例中所需要用到的附圖做一簡(jiǎn)單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本實(shí)用新型所要描述的一部分實(shí)施例的附圖，而不是全部的附圖，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。
[0017]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一種連接方式的俯視示意圖一；
[0019]圖2B為沿圖2A中A卜A2的截面示意圖；
[0020]圖2C為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一種連接方式的俯視示意圖二；
[0021]圖3A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二種連接方式的俯視示意圖一；
[0022]圖3B為沿圖3A中B1-B2的截面示意圖；
[0023]圖3C為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二種連接方式的俯視示意圖二；
[0024]圖4A為本實(shí)用新型實(shí)施例中多晶硅走線區(qū)域與薄膜晶體管區(qū)域的截面對(duì)照示意圖一；
[0025]圖4B為本實(shí)用新型實(shí)施例中多晶硅走線區(qū)域與薄膜晶體管區(qū)域的截面對(duì)照示意圖二；
[0026]圖5A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示面板的俯視示意圖；
[0027]圖5B為沿圖5A中C1-C2的截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，通過【具體實(shí)施方式】，完整地描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下獲得的所有其他實(shí)施例，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板。圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖。如圖1所示，該陣列基板包括顯示區(qū)域I和非顯示區(qū)域2，其中顯示區(qū)域I包括多條第一觸控電極U，非顯示區(qū)域2設(shè)置有驅(qū)動(dòng)芯片21，該陣列基板還包括襯底基板3，以及在襯底基板3上包括多條多晶硅走線31，其中多晶硅走線31可以是與每條第一觸控電極11對(duì)應(yīng)設(shè)置，即每條第一觸控電極11通過多晶硅走線31與驅(qū)動(dòng)芯片21電連接。
[0030]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，其中每條第一觸控電極11通過多晶硅走線31與驅(qū)動(dòng)芯片21電連接，其中的多晶娃走線31為透明走線，透光率較金屬走線高，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中每條第一觸控電極11通過金屬走線與驅(qū)動(dòng)芯片21電連接，能夠有效提高對(duì)封框膠進(jìn)行紫外固化時(shí)的紫外光透過率，提高固化效率。
[0031]具體的，本實(shí)用新型上述實(shí)施例中提供的多晶硅走線31和第一觸控電極11非同層設(shè)置，通常將第一觸控電極11設(shè)置在多晶硅走線31的上方，對(duì)于第一觸控電極11和多晶硅走線31的連接方式，具體可以包括兩種情況，其一是第一觸控電極11直接通過過孔與對(duì)應(yīng)的多晶硅走線31電連接，其二是設(shè)置金屬連接部，其中第一觸控電極11先通過過孔與金屬連接部電連接，金屬連接部再通過過孔與多晶娃走線31電連接。
[0032]針對(duì)第一種情況，具體可以參見圖2A和圖2B，其中圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一種連接方式的俯視示意圖，圖2B為沿圖2A中A1-A2的截面示意圖。如上述圖2A和圖2B所示，其中第一觸控電極11設(shè)置在多晶硅走線31上方，且與多晶硅走線31之間設(shè)置有第一絕緣層32，多晶硅走線31的第一端與驅(qū)動(dòng)芯片21電連接，第一觸控電極11通過第一絕緣層32中的第一過孔33與多晶硅走線31的第二端電連接。其中在圖2A所示實(shí)施例中，與每條第一觸控電極11對(duì)應(yīng)的第一過孔33的數(shù)目為I個(gè)，另外，如圖2C所示，還可以設(shè)置多個(gè)第一過孔33，該多個(gè)第一過孔33以并聯(lián)的形式設(shè)置在第一觸控電極11和多晶硅走線31之間，能夠有效提高二者之間的電連接性能。
[0033]針對(duì)第二種情況，具體可以參見圖3A和圖3B，其中圖3A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二種連接方式的俯視示意圖，圖3B為沿圖3A中B1-B2的截面示意圖。如上述圖3A和圖3B所示，多晶硅走線31上方設(shè)置有第二絕緣層34，第二絕緣層34上方設(shè)置有與每條多晶硅走線31對(duì)應(yīng)的第一金屬連接部35，第一金屬連接部35上方設(shè)置有第三絕緣層36，第一觸控電極11設(shè)置在第三絕緣層36上方，每條第一觸控電極11通過第三絕緣層36中的一個(gè)第三過孔37與對(duì)應(yīng)的第一金屬連接部35連接，多晶硅走線31的第一端與驅(qū)動(dòng)芯片21電連接，以及每個(gè)第一金屬連接部35通過第二絕緣層中34的一個(gè)第二過孔38與多晶硅走線31的第二端電連接。其中在圖3A所示實(shí)施例中，與每套第一觸控電極11對(duì)應(yīng)的第二過孔38和第三過孔37的數(shù)目為I個(gè)，另外，如圖3C所示，還可以設(shè)置多個(gè)第二過孔38和多個(gè)第三過孔37。本實(shí)施例中，其中設(shè)置第一金屬連接部35，分別與第一觸控電極11和多晶硅走線31電連接，相對(duì)于直接將第一觸控電極11和多晶硅走線31電連接，能夠有效提高電連接性能。
[0034]進(jìn)一步的，參照上述圖1、圖2A和圖3A所示的，其中在陣列基板的顯示區(qū)域I還可以包括多條數(shù)據(jù)線12，并且參照上述圖2A和圖3A所示的，在襯底基板上還可以設(shè)置多個(gè)薄膜晶體管13，該多個(gè)薄膜晶體管13也位于陣列基板的顯示區(qū)域I，且與各個(gè)像素電極15—一對(duì)應(yīng)設(shè)置，陣列基板的顯示區(qū)域I內(nèi)的薄膜晶體管13可以呈矩陣排列。
[0035]本實(shí)用新型實(shí)施例中，其中多晶硅走線31可以與上述多個(gè)薄膜晶體管13的