薄膜晶體管的漏極4在襯底基板上的正投影與上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影的重疊部分所包括的上述線段或者曲線段相對(duì)柵線1傾斜設(shè)置于上述凹槽結(jié)構(gòu)12內(nèi)，可以使得上述凹槽結(jié)構(gòu)12所占柵線1的寬度盡可能小，那么，相對(duì)的，柵線的凹槽結(jié)構(gòu)12之外的寬度就會(huì)較寬，使得柵線1的電阻減小，降低了柵線1與數(shù)據(jù)線2、柵極與薄膜晶體管的源極和薄膜晶體管的漏極之間的耦合電容的充電時(shí)間，從而降低柵線1的信號(hào)延遲。
[0048]為了進(jìn)一步的降低柵線1的信號(hào)延遲，較佳地，上述相關(guān)實(shí)施例中，上述線段或者曲線段的兩端點(diǎn)之間連線的延伸方向與柵線1的延伸方向之間的夾角大于30度且小于60度。
[0049]需要說明的是，上述薄膜晶體管的漏極4在襯底基板上的正投影與上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影的重疊部分除了包括上述線段或者曲線段，還可以包括其它的線段或其它的曲線段，在此不作具體限定。
[0050]上述相關(guān)實(shí)施例中，上述凹槽結(jié)構(gòu)12的形狀有多種，較佳地，上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影的形狀為正方形，矩形，梯形或者半圓形。
[0051]較佳地，上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影的形狀也可以根據(jù)需要設(shè)置成其它的多邊形，等等。
[0052]本實(shí)用新型實(shí)施例中，凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影可以為半圓形，參見圖5，在該實(shí)施例中，薄膜晶體管的源極7在襯底基板上的正投影的形狀可以呈“L”型。
[0053]相應(yīng)的，薄膜晶體管的源極包括相互連接的第一邊71和第二邊72，薄膜晶體管的源極的第一邊71的延伸方向與數(shù)據(jù)線2的延伸方向平行；薄膜晶體管的源極的第二邊72的延伸方向與柵線1的延伸方向平行。
[0054]本實(shí)用新型實(shí)施例中，上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影的形狀可以為梯形，參見圖6，在該實(shí)施例中，薄膜晶體管的源極7在襯底基板上的正投影的形狀可以呈“U”型。
[0055]相應(yīng)的，薄膜晶體管的漏極4具有相互連接的第一線段41、第二線段42和第三線段43:薄膜晶體管的漏極的第一線段41的延伸方向與數(shù)據(jù)線2的延伸方向平行；薄膜晶體管的漏極的第一線段41與像素電極3通過過孔5連接。薄膜晶體管的漏極的第二線段42的延伸方向與柵線1的延伸方向平行；薄膜晶體管的漏極的第二線段42在襯底基板上的正投影與薄膜晶體管的有源層6在襯底基板上的正投影部分重疊。上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影與薄膜晶體管的漏極的第三線段43在襯底基板上的正投影至少部分重疊，且該重疊部分包括一線段；該線段的兩端點(diǎn)之間連線的延伸方向與柵線1的延伸方向之間的夾角的范圍可參照上述相關(guān)實(shí)施例。
[0056]相應(yīng)的，薄膜晶體管的源極7具有相互連接的第一邊71和第二邊72:薄膜晶體管的源極的第一邊71的延伸方向與柵線1的延伸方向平行，薄膜晶體管的源極的第二邊72的延伸方向也與柵線1的延伸方向平行。薄膜晶體管的源極7的“U”型開口朝向薄膜晶體管的漏極的第二線段42。
[0057]上述相關(guān)實(shí)施例中，薄膜晶體管的漏極4與像素電極3連接所通過的過孔5的設(shè)置位置有多種，下面舉例說明。
[0058]例如，薄膜晶體管的漏極4與像素電極3連接所通過的過孔5可以位于像素電極3對(duì)應(yīng)區(qū)域的中央部。如圖1所示，薄膜晶體管的漏極4與像素電極3連接所通過的過孔5在襯底基板上的正投影位于像素電極3在襯底基板上的正投影的區(qū)域中央部。這樣，可以使得像素電極3上所加載的電壓均衡。
[0059]又例如，上述過孔5可以完全位于上述凹槽結(jié)構(gòu)12所對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。如圖7所示，薄膜晶體管的漏極4與像素電極3連接所通過的過孔5在襯底基板上的正投影位于上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影的區(qū)域內(nèi)。這樣，上述凹槽結(jié)構(gòu)12對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)有過孔5，從而使得相鄰的柵線1與相鄰的數(shù)據(jù)線2限定區(qū)域內(nèi)的開口率提高了。
[0060]相應(yīng)的，薄膜晶體管的漏極4具有相互連接的第一線段41和第二線段42:薄膜晶體管的漏極的第一線段41與像素電極3通過過孔5連接；上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影與薄膜晶體管的漏極的第一線段41在襯底基板上的正投影至少部分重疊，該重疊部分包括一線段，該線段的兩端點(diǎn)之間連線的延伸方向與柵線1的延伸方向之間的夾角的范圍可參照上述實(shí)施例。薄膜晶體管的漏極的第二線段42的延伸方向與柵線1的延伸方向平行；薄膜晶體管的漏極的第二線段42在襯底基板上的正投影與薄膜晶體管的有源層6在襯底基板上的正投影部分重疊。
[0061]再例如，上述過孔5可以部分位于上述凹槽結(jié)構(gòu)12所對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。如圖8所示，薄膜晶體管的漏極4與像素電極3連接所通過的過孔5在襯底基板上的正投影與上述凹槽結(jié)構(gòu)12在襯底基板上的正投影部分重疊。其余結(jié)構(gòu)的設(shè)置可參見圖7。
[0062]本實(shí)用新型實(shí)施例中，上述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極通過過孔連接包括薄膜晶體管的漏極通過過孔與所述像素電極直接接觸連接的情形；也包括薄膜晶體管的漏極通過過孔與像素電極電連接的情形，例如，薄膜晶體管的漏極通過過孔與其他電氣結(jié)構(gòu)連接，該電氣結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)線和/或電容，像素電極與該電氣結(jié)構(gòu)連接，從而，薄膜晶體管的漏極通過過孔與像素電極形成電連接。
[0063]基于同樣的構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括以上任意實(shí)施例所述的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0064]本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的一種陣列基板及顯示裝置，由于柵線在相鄰的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有寬化部，與現(xiàn)有技術(shù)相比，大大增加了柵線的部分位置的寬度，使得柵線的電阻減小，降低了與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容的充電時(shí)間，從而降低了柵線的信號(hào)延遲；又由于柵線與數(shù)據(jù)線交叉處未增加寬度，就不會(huì)增加?xùn)啪€與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容。并且，在上述寬化部設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，該凹槽結(jié)構(gòu)有利于靈活布線，凹槽結(jié)構(gòu)在襯底基板上的正投影與薄膜晶體管的漏極在襯底基板上的正投影至少部分重疊，即薄膜晶體管的漏極經(jīng)過上述凹槽結(jié)構(gòu)，減少了薄膜晶體管的漏極與柵線的重疊，從而可以降低薄膜晶體管的漏極與柵線的耦合電容。
[0065]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板及顯示裝置，僅是以有限的陣列基板結(jié)構(gòu)為例說明，具體實(shí)施時(shí)不限于本實(shí)用新型提及的陣列基板結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)用新型實(shí)施例附圖中所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)僅是用于說明本實(shí)用新型的內(nèi)容，并不用于限制本實(shí)用新型。
[0066]盡管已描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本實(shí)用新型范圍的所有變更和修改。
[0067]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，在所述襯底基板上交叉設(shè)置的多條柵線，多條數(shù)據(jù)線，設(shè)置在相鄰的柵線與相鄰的數(shù)據(jù)線限定區(qū)域內(nèi)的像素電極，以及在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉位置處設(shè)置的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極通過過孔連接；其特征在于: 所述柵線在相鄰的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有寬化部； 所述寬化部設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)； 所述凹槽結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管的漏極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極在所述襯底基板上的正投影與所述凹槽結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影的重疊部分至少包括一線段，或者一曲線段。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述線段或曲線段的兩端點(diǎn)之間連線的延伸方向與所述柵線的延伸方向之間的夾角大于0度且小于90度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述線段或曲線段的兩端點(diǎn)之間連線的延伸方向與所述柵線的延伸方向之間的夾角大于30度且小于60度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接所通過的過孔在所述襯底基板上的正投影位于所述凹槽結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影的區(qū)域內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接所通過的過孔在所述襯底基板上的正投影與所述凹槽結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影部分重疊。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影的形狀為正方形，矩形，梯形或者半圓形。8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種陣列基板及顯示裝置。該陣列基板，包括襯底基板，在襯底基板上交叉設(shè)置的多條柵線，多條數(shù)據(jù)線，設(shè)置在相鄰的柵線與相鄰的數(shù)據(jù)線限定區(qū)域內(nèi)的像素電極，以及在柵線和數(shù)據(jù)線交叉位置處設(shè)置的薄膜晶體管，薄膜晶體管的漏極與像素電極通過過孔連接；柵線在相鄰的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有寬化部；所述寬化部設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)；所述凹槽結(jié)構(gòu)在襯底基板上的正投影與薄膜晶體管的漏極在襯底基板上的正投影至少部分重疊。由于柵線在相鄰的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有寬化部，降低了柵線的信號(hào)延遲，在上述寬化部設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，該凹槽結(jié)構(gòu)有利于靈活布線，薄膜晶體管的漏極經(jīng)過上述凹槽結(jié)構(gòu)，從而可以降低薄膜晶體管的漏極與柵線的耦合電容。
【IPC分類】G02F1/1362
【公開號(hào)】CN205067935
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520876580
【發(fā)明人】程鴻飛, 先建波
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2015年11月5日