一種pi環(huán)化率的檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，包括如下步驟：提供一液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板及通過(guò)封框膠封裝在兩者之間的液晶，所述彩膜基板靠近所述液晶的一側(cè)涂覆有PI層；將所述彩膜基板從陣列基板上分離，清除所述彩膜基板的PI層上殘留的液晶；在所述PI層上形成溴化鉀薄膜；通過(guò)紅外光譜儀測(cè)量得到溴化鉀薄膜下的PI層的C?N?C吸光度A和C＝C吸光度B，則PI環(huán)化率為：(A/(B×C))×100％，其中C為標(biāo)準(zhǔn)值。通過(guò)本發(fā)明可以測(cè)的液晶顯示面板中PI的環(huán)化率，若PI環(huán)化率異常，則可以分析與PI層制作的相關(guān)制程，完善制作流程，進(jìn)而提高液晶顯示面板的生產(chǎn)良率。
【專利說(shuō)明】
一種PI環(huán)化率的檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PI環(huán)化率的檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(LCD，LiquidCrystalDisplay)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)福射等眾多優(yōu)點(diǎn)，從而得到了廣泛的應(yīng)用。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，通過(guò)玻璃基板通電電壓來(lái)控制液晶分子改變方向，產(chǎn)生不同畫(huà)面。
[0003]配向膜用于施予液晶分子朝配向的方向排列，使得液晶顯示面板中的液晶分子擁有一致的方向性，或是定向排列。配向膜通常由聚酰亞胺(polyimide，PI)液覆蓋在薄膜晶體管基板或是彩色濾光基板上形成。當(dāng)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶分子動(dòng)作時(shí)，全部或局部的液晶分子需要有同步且一貫性的動(dòng)作，使得顯示動(dòng)作能快速且一致。PI的環(huán)化率直接影響液晶配向的效果，進(jìn)而影響LCD的顯示性能及可靠性表現(xiàn)。因此在液晶顯示面板的制程分析中，需對(duì)成品液晶顯示面板中的PI環(huán)化率進(jìn)行檢測(cè)，以便完善液晶顯示面板的制程，進(jìn)而提高液晶顯不面板的制造良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，用于檢測(cè)成品液晶顯示面板中PI的環(huán)化率，以便分析和完善液晶顯示面板的制程，進(jìn)而提高液晶顯示面板的生產(chǎn)良率。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明提供一種PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，包括如下步驟:提供一液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板及通過(guò)封框膠封裝在兩者之間的液晶，所述彩膜基板靠近所述液晶的一側(cè)涂覆有PI層;將所述彩膜基板從陣列基板上分離，清除所述彩膜基板的PI層上殘留的液晶；在所述PI層上形成溴化鉀薄膜;通過(guò)紅外光譜儀測(cè)量得到溴化鉀薄膜下的PI層的C-N-C吸光度A和C = C吸光度B，則PI環(huán)化率為:(A/(BXC)) X 100%，其中C為標(biāo)準(zhǔn)值。
[0007]其中，所述清除所述彩膜基板上殘留的液晶步驟中，包括:用正己烷將彩膜基板上的液晶沖洗干凈，再將彩膜基板吹干。
[0008]其中，所述在所述PI層上形成溴化鉀薄膜步驟中，包括:在所述PI層上形成溴化鉀晶體層;提供一玻璃片放置于溴化鉀晶體層表面，對(duì)所述玻璃片提供壓力進(jìn)行壓合;去除所述玻璃片以形成所述溴化鉀薄膜。
[0009]其中，在所述PI層表面均勻涂布溴化鉀溶液，并將所述溴化鉀溶液風(fēng)干形成所述溴化鉀晶體層。
[0010]其中，對(duì)所述玻璃片提供壓力進(jìn)行壓合的時(shí)間為2小時(shí)。
[0011]其中，包括在彩膜基板中心區(qū)域切下尺寸為20cmX1cm作為待測(cè)樣品，所述溴化鉀薄膜形成于所述待測(cè)樣品上。
[0012]其中，所述將所述彩膜基板從陣列基板上分離步驟中，包括:提供一熱風(fēng)槍加熱液晶顯示面板的邊角區(qū)域，在封框膠軟化后將所述陣列基板和所述彩膜基板進(jìn)行分離。
[0013]其中，所述標(biāo)準(zhǔn)值C為標(biāo)準(zhǔn)PI層中C-N-C吸光度與C= C吸光度的比值。
[0014]其中，通過(guò)紅外光譜儀測(cè)量得到溴化鉀薄膜下的PI層的C-N-C吸光度A和C= C吸光度B步驟中，包括:采用ATR方法獲得PI層的紅外線光譜圖，并經(jīng)分析軟件分析得到C-N-C的吸光度A和C = C吸光度B。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:
[0016]通過(guò)本發(fā)明可以測(cè)的液晶顯示面板中PI的環(huán)化率，通過(guò)將測(cè)的PI的環(huán)化率的與設(shè)定的環(huán)化率的值進(jìn)行比較，若PI環(huán)化率異常，則可以分析與PI層制作相關(guān)制程中尋找原因，完善制作流程，進(jìn)而提尚液晶顯不面板的生廣良率。
【附圖說(shuō)明】
[0017]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是本發(fā)明PI環(huán)化率的檢測(cè)方法流程示意圖；
[0019]圖2是在彩膜基板上形成溴化鉀薄膜的流程示意圖；
[0020]圖3是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例的PI層紅外光譜圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0022]此外，以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明中所提到的方向用語(yǔ)，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語(yǔ)是為了更好、更清楚地說(shuō)明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0023]在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接;可以是機(jī)械連接;可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
[0024]此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。若本說(shuō)明書(shū)中出現(xiàn)“工序”的用語(yǔ)，其不僅是指獨(dú)立的工序，在與其它工序無(wú)法明確區(qū)別時(shí)，只要能實(shí)現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語(yǔ)中。另外，本說(shuō)明書(shū)中用“?”表示的數(shù)值范圍是指將“?”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的用相同的標(biāo)號(hào)表不。
[0025]PI環(huán)化率指的是聚酰亞胺中亞胺化程度，聚酰亞胺的亞胺化程度對(duì)液晶配向的影響較大。通常聚酰亞胺的大分子鏈中亞胺環(huán)愈多，其分子結(jié)構(gòu)就愈趨于理想狀態(tài)，產(chǎn)品的綜合性能更為優(yōu)良，液晶配向性能穩(wěn)定;倘若亞胺化不完全，殘留在大分子鏈中的羧基和酰胺鏈極易水解，使聚酰亞胺的綜合性能差而導(dǎo)致配向膜易破損，使得配向膜對(duì)液晶的定向性能不穩(wěn)定。因此，確定液晶顯示面板中PI環(huán)化率對(duì)于分析液晶顯示面板的制作流程有著重大的意義。只有分析PI環(huán)化率是否正常，才可以相應(yīng)的修正液晶面板的制作流程。例如，當(dāng)PI環(huán)化率異常時(shí)，可以調(diào)整與PI層相關(guān)制程，以修正PI環(huán)化率。若PI環(huán)化率正常，則可以分析其他制程，從而提高液晶顯示面板的生產(chǎn)良率。
[0026]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，主要包括如下步驟:
[0027]S100:提供一液晶顯示面板成品。所述液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板和液晶。所述液晶通過(guò)封框膠密封在所述陣列基板和所述彩膜基板之間，所述彩膜基板靠近所述液晶的一側(cè)涂覆有PI層。
[0028]S110:將所述彩膜基板從陣列基板上分離，清除所述彩膜基板的PI層上殘留的液晶O
[0029]具體的，提供一熱風(fēng)槍，將加熱風(fēng)槍先對(duì)準(zhǔn)所述液晶顯示面板的邊角區(qū)域進(jìn)行加熱，使得該區(qū)域的在封框膠軟化，然后逐漸將所述陣列基板和所述彩膜基板進(jìn)行分離。由于邊角區(qū)域的封框膠所受應(yīng)力較大，方便去除，因此可以首先去除該區(qū)域的封框膠。分離過(guò)程中可以將風(fēng)槍逐漸環(huán)繞液晶顯示面板一周，使得封框膠全部軟化，以順利將所述彩膜基板和陣列基板分離。
[0030]進(jìn)一步具體的，分離后的所述彩膜基板在設(shè)有PI層的一側(cè)通常會(huì)有殘留的液晶附著，會(huì)對(duì)PI環(huán)化率的測(cè)量造成不便，因此需要去除。對(duì)于液晶的去除，通?？梢圆捎谜和檫M(jìn)行沖洗，使得液晶完全從彩膜基板上去除。采用正己烷沖洗液晶的清洗效果較好，可以將液晶充分清除。沖洗過(guò)程中殘留在彩膜基板上的正己烷可以利用高壓氣槍吹出的壓縮空氣將其吹干。從而完成彩膜基板的清理過(guò)程。
[0031]SI 20:在所述PI層上形成溴化鉀薄膜。
[0032]具體的，請(qǐng)結(jié)合參閱圖2，由于考慮到后續(xù)需要采用紅外光譜儀測(cè)量PI層的紅外光譜圖。可以在彩膜基板上截取一小塊作為待測(cè)樣品，以便進(jìn)行后續(xù)的測(cè)量。通常彩膜基板中心區(qū)域的PI層比較均勻。優(yōu)選的，可以使用玻璃刀在彩膜基板中心區(qū)域切下尺寸為20cmX1 cm作為待測(cè)樣品。
[0033]然后在該待測(cè)樣品設(shè)有PI層的一側(cè)上均勻涂布適量溴化鉀(KBr)溶液，然后將待測(cè)樣品水平自然放置，使得待測(cè)樣品表面溴化鉀溶液中的水分揮發(fā)干燥，從而形成溴化鉀晶體層。
[0034]此時(shí)的溴化鉀晶體層各處不夠均勻。因此，需要提供一潔凈的玻璃片，將該玻璃片放置于溴化鉀晶體層表面上，然后通過(guò)給所述玻璃片施加壓力，以擠壓介于所述玻璃片和彩膜基板之間的溴化鉀晶體層。優(yōu)選的，該擠壓時(shí)間為2小時(shí)。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的擠壓后，可以去除所述玻璃片。此時(shí)，所述溴化鉀晶體層形成的溴化鉀薄膜各處相對(duì)比較均勻。可以減小后續(xù)的檢測(cè)誤差。
[0035]可以理解的是，在本發(fā)明另外的實(shí)施例中，還可以先在彩膜基板上除去液晶、形成溴化鉀薄膜后再在彩膜基板中心區(qū)域切下尺寸為20cmX 1cm作為待測(cè)樣品。或者，也可以先在彩膜基板中心區(qū)域切下尺寸為20cmX 1cm作為待測(cè)樣品后，對(duì)待測(cè)樣品進(jìn)行去除液晶和形成溴化鉀薄膜的過(guò)程。
[0036]S130:提供一紅外光譜儀，測(cè)得溴化鉀薄膜下的PI層的C-N-C吸光度A和C = C吸光度B，則PI環(huán)化率為:(A/(BXC))X100%，其中C為標(biāo)準(zhǔn)值。
[0037]可以理解的是，若樣品中PI層的C-N-C吸光度A和C = C吸光度B，則PI環(huán)化率為:
[(Asample/Bsample ) / ( ARef er ence /BRefer ence )X 100%，其中Sample代表測(cè)試樣品,Reference代表標(biāo)準(zhǔn)樣品。顯然，ARef erence/BRef erence即上述的標(biāo)準(zhǔn)值C。
[0038]優(yōu)選的，本發(fā)明中采用紅外光譜儀通過(guò)ATR(Attenuated Total Refract1n，衰減全反射)方法采集PI層的紅外線光譜，具體的紅外線光譜采集方法因其不是本發(fā)明保護(hù)的重點(diǎn)，此處僅簡(jiǎn)略介紹。具體的，ATR方法采集PI層的紅外線光譜過(guò)程中，需要通過(guò)一個(gè)探頭接觸到待測(cè)樣品表面進(jìn)行探測(cè)，因此需要設(shè)置溴化鉀薄膜，通過(guò)溴化鉀薄膜可以防止探頭直接與PI層接觸，從而劃傷PI層，造成測(cè)量誤差，同時(shí)由于溴化鉀薄膜不會(huì)吸收紅外線，因此不會(huì)對(duì)獲得的光譜圖造成干擾。
[0039]請(qǐng)參閱圖3，圖3為本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例的PI層的紅外線光譜圖，圖中橫軸表示波數(shù)，縱軸表示光線的吸收度。經(jīng)過(guò)例如Omnic紅外光譜處理軟件的分析可知，C-N-C官能團(tuán)的吸光度A為0.6286，C = C官能團(tuán)的吸光度B為0.4066。若此時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)值為1.61，則有PI環(huán)化率為:(0.6286/(0.4066 X 1.61)) X 100% =96.0% 0
[0040]測(cè)的待測(cè)樣品上PI層的環(huán)化率后，可以與設(shè)定的環(huán)化率的值進(jìn)行比較，若低于設(shè)定的環(huán)化率值，則可以在與PI層制作相關(guān)制程中尋找原因，完善制造流程，進(jìn)而提高液晶顯示面板的生產(chǎn)良率。若環(huán)化率正常，則可以分析其他制程，從而快速找到影響良率的因素。
[0041]本發(fā)明中的標(biāo)準(zhǔn)值C為標(biāo)準(zhǔn)的PI層在紅外光譜儀中獲得的紅外線光譜，經(jīng)紅外光譜處理軟件分析后，得到的C-N-C官能團(tuán)的吸光度與C = C官能團(tuán)的吸光度的比值。以該標(biāo)準(zhǔn)值為參照，進(jìn)而計(jì)算待測(cè)PI層的環(huán)化率。
[0042]在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0043]以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，包括如下步驟:提供一液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板及通過(guò)封框膠封裝在兩者之間的液晶，所述彩膜基板靠近所述液晶的一側(cè)涂覆有PI層;將所述彩膜基板從陣列基板上分離，清除所述彩膜基板的PI層上殘留的液晶；在所述PI層上形成溴化鉀薄膜;通過(guò)紅外光譜儀測(cè)量得到溴化鉀薄膜下的PI層的C-N-C吸光度A和C = C吸光度B，則PI環(huán)化率為:(A/(BXC)) X 100%，其中C為標(biāo)準(zhǔn)值。2.如權(quán)利要求1所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述清除所述彩膜基板上殘留的液晶步驟中，包括:用正己烷將彩膜基板上的液晶沖洗干凈，再將彩膜基板吹干。3.如權(quán)利要求1所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述在所述PI層上形成溴化鉀薄膜步驟中，包括:在所述PI層上形成溴化鉀晶體層;提供一玻璃片放置于溴化鉀晶體層表面，對(duì)所述玻璃片提供壓力進(jìn)行壓合;去除所述玻璃片以形成所述溴化鉀薄膜。4.如權(quán)利要求3所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，在所述PI層表面均勻涂布溴化鉀溶液，并將所述溴化鉀溶液風(fēng)干形成所述溴化鉀晶體層。5.如權(quán)利要求3所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，對(duì)所述玻璃片提供壓力進(jìn)行壓合的時(shí)間為2小時(shí)。6.如權(quán)利要求3所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，包括在彩膜基板中心區(qū)域切下尺寸為20cmX 1cm作為待測(cè)樣品，所述溴化鉀薄膜形成于所述待測(cè)樣品上。7.如權(quán)利要求1所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述將所述彩膜基板從陣列基板上分離步驟中，包括:提供一熱風(fēng)槍加熱液晶顯示面板的邊角區(qū)域，在封框膠軟化后將所述陣列基板和所述彩膜基板進(jìn)行分離。8.如權(quán)利要求1所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)值C為標(biāo)準(zhǔn)PI層中C-N-C吸光度與C = C吸光度的比值。9.如權(quán)利要求1所述的PI環(huán)化率的檢測(cè)方法，其特征在于，通過(guò)紅外光譜儀測(cè)量得到溴化鉀薄膜下的PI層的C-N-C吸光度A和C = C吸光度B步驟中，包括:采用ATR方法獲得PI層的紅外線光譜圖，并經(jīng)分析軟件分析得到C-N-C的吸光度A和C = C吸光度B。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK105892117SQ201610507101
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年6月30日
【發(fā)明人】何小波, 鐘興進(jìn), 張小新, 張維維, 巫景銘, 王俐
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司