輸出時和突發(fā)信號光的停止時，切換所述外部調(diào)制器的偏置水平。
[0015]此外，本發(fā)明還提供一種突發(fā)光信號發(fā)送裝置的控制方法，所述突發(fā)光信號發(fā)送裝置包括:光源，輸出連續(xù)光；以及外部調(diào)制器，根據(jù)指示發(fā)送信號數(shù)據(jù)和突發(fā)信號光的輸出或停止的突發(fā)控制信號，對來自所述光源的連續(xù)光進行調(diào)制并輸出突發(fā)信號光，所述突發(fā)光信號發(fā)送裝置的控制方法的特征在于，根據(jù)所述突發(fā)控制信號，在突發(fā)信號光的輸出時和突發(fā)信號光的停止時，切換所述外部調(diào)制器的偏置水平。
[0016]本發(fā)明通過外部調(diào)制器能夠切斷或透射來自光源的光。因此，可以連續(xù)驅動光源，從而可以防止突發(fā)信號上升時波長和光量的過渡性的波動的產(chǎn)生。此外，本發(fā)明能夠通過連續(xù)驅動光源，使光源的發(fā)熱量穩(wěn)定而消除溫度控制的不穩(wěn)定。
[0017]本發(fā)明可以提供突發(fā)光信號發(fā)送裝置及其控制方法，能夠消除在EML-T0SA的突發(fā)驅動中產(chǎn)生的突發(fā)信號上升時波長和光量的過渡性的波動的產(chǎn)生、以及因突發(fā)信號上升時光源的發(fā)熱引起的溫度控制的不穩(wěn)定。
[0018]本發(fā)明的突發(fā)光信號發(fā)送裝置的特征在于，所述光源連續(xù)輸出同一強度的連續(xù)光。
[0019]本發(fā)明的突發(fā)光信號發(fā)送裝置還包括光源驅動電路，所述光源驅動電路根據(jù)所述突發(fā)控制信號，在突發(fā)信號光的輸出時和突發(fā)信號光的停止時，切換從所述光源輸出的連續(xù)光的強度。
[0020]此外，本發(fā)明的突發(fā)光信號發(fā)送裝置的控制方法的特征在于，根據(jù)所述突發(fā)控制信號，在突發(fā)信號光的輸出時和突發(fā)信號光的停止時，切換從所述光源輸出的連續(xù)光的強度。
[0021]可以通過使光源的光強度不固定而在突發(fā)信號停止時下降來降低消耗電力。
[0022]本發(fā)明的突發(fā)光信號發(fā)送裝置的特征在于，所述外部調(diào)制器是電場吸收型半導體調(diào)制器、半導體馬赫-曾德爾調(diào)制器或鈮酸鋰調(diào)制器，所述光源是分布反饋型半導體激光或波長可調(diào)諧激光。
[0023]本發(fā)明的突發(fā)光信號發(fā)送裝置的特征在于，所述外部調(diào)制器是電場吸收型半導體調(diào)制器，所述外部調(diào)制器驅動電路將突發(fā)控制信號為突發(fā)信號光停止時的所述電場吸收型光半導體調(diào)制器的逆偏置電壓設定為，大于突發(fā)控制信號為突發(fā)信號光輸出時的所述電場吸收型光半導體調(diào)制器的逆偏置電壓的值。
[0024]本發(fā)明的突發(fā)光信號發(fā)送裝置的特征在于，所述光源驅動電路將突發(fā)控制信號為突發(fā)信號光停止時的來自所述光源的連續(xù)光的強度設定為，小于突發(fā)控制信號為突發(fā)信號光輸出時的來自所述光源的連續(xù)光的強度的值，所述外部調(diào)制器是電場吸收型半導體調(diào)制器，所述外部調(diào)制器驅動電路將突發(fā)控制信號為突發(fā)信號光停止時的所述電場吸收型光半導體調(diào)制器的逆偏置電壓設定為，大于突發(fā)控制信號為突發(fā)信號光輸出時的所述電場吸收型光半導體調(diào)制器的逆偏置電壓的值。
[0025]本發(fā)明可以提供突發(fā)光信號發(fā)送裝置及其控制方法，能夠消除在EML-T0SA的突發(fā)驅動中產(chǎn)生的突發(fā)信號上升時波長和光量的過渡性的波動的產(chǎn)生、以及因突發(fā)信號上升時光源的發(fā)熱引起的溫度控制的不穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0026]圖1是說明Ρ0Ν用突發(fā)光信號發(fā)送裝置的圖。
[0027]圖2是說明Ρ0Ν用突發(fā)光信號發(fā)送裝置的突發(fā)信號控制方法的時序圖。
[0028]圖3是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置的圖。
[0029]圖4是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置的控制方法的時序圖。
[0030]圖5是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置的EML光輸出強度的偏置電流依存性的圖。
[0031]圖6是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置的EAM透射強度比的偏置電壓依存性的圖。
[0032]圖7是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置輸出的突發(fā)信號光的圖。
[0033]圖8是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置的圖。
[0034]圖9是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置的控制方法的時序圖。
[0035]圖10是說明本發(fā)明的突發(fā)信號光發(fā)送裝置輸出的突發(fā)信號光的圖。
【具體實施方式】
[0036]下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。另外，本發(fā)明并不限于以下所示的實施方式。上述實施例只是舉例說明，能夠以基于本領域技術人員的知識進行各種變更、改良的方式來實現(xiàn)本發(fā)明。另外，在本說明書和附圖中，附圖標記相同的結構要素表示相互相同的結構要素。
[0037](實施方式1)
[0038]本實施方式的突發(fā)光信號發(fā)送裝置包括:光源，輸出連續(xù)光；外部調(diào)制器，根據(jù)指示發(fā)送信號數(shù)據(jù)和突發(fā)信號光的輸出或停止的突發(fā)控制信號，對來自所述光源的連續(xù)光進行調(diào)制并輸出突發(fā)信號光；以及外部調(diào)制器驅動電路，根據(jù)所述突發(fā)控制信號，在突發(fā)信號光的輸出時和突發(fā)信號光的停止時，切換所述外部調(diào)制器的偏置水平。
[0039]并且，所述光源的特征在于，連續(xù)輸出同一強度的連續(xù)光。
[0040]下面，基于圖3?圖7，詳細說明本實施方式的0NU用10Gb/s級外部調(diào)制器型突發(fā)光信號發(fā)送裝置的控制方法。圖3是本實施方式的Ρ0Ν用突發(fā)光信號發(fā)送裝置的構成，僅著眼于安裝在ONU上的收發(fā)器1的發(fā)送功能進行表示(省略了接收功能和其他周邊電路)。此外，圖4表示本實施方式的lOGb/s級外部調(diào)制器型突發(fā)光信號發(fā)送裝置的控制方法的時序圖。
[0041]在圖3中，該突發(fā)光信號發(fā)送裝置主要由內(nèi)置有EML26(DFB-LD13和EAM23)的EML-T0SA22、LD驅動電路21和突發(fā)對應EAM驅動電路24構成。EML-T0SA22通過自動溫度控制電路(ATC) 28和溫度調(diào)節(jié)用元件(TEC)29來管理DFB-LD13的溫度。所述光源相當于DFB-LD13，外部調(diào)制器相當于EAM23，外部調(diào)制器驅動電路相當于EAM驅動電路24。
[0042]由收發(fā)器1發(fā)出的突發(fā)信號光0通過以下方式生成。向收發(fā)器1輸入從上位層(未圖示)發(fā)出的具有l(wèi)OGb/s級的信號速度的發(fā)送信號數(shù)據(jù)5。發(fā)送信號數(shù)據(jù)5由空閑信號52和數(shù)據(jù)信號51構成，數(shù)據(jù)信號51是該0NU用收發(fā)器1需要向0LT發(fā)送的上行信號。此外，向收發(fā)器1輸入突發(fā)控制信號6。突發(fā)控制信號6以表示On/Off的控制信號來表示數(shù)據(jù)信號51的發(fā)送時序。上位層利用突發(fā)控制信號6并根據(jù)分配給該0NU的發(fā)送允許時間進行控制(參照圖4)。
[0043]DFB-LD13從LD驅動電路21通過LD偏置線25被施加恒定電流值50mA作為偏置電流(Ib)61，并且是始終激光振蕩出連續(xù)光的狀態(tài)，激光射入后一級的EAM23。此外，同樣從上位層(未圖示)發(fā)出的突發(fā)控制信號6從突發(fā)對應EAM驅動電路24通過EAM信號線27向EAM23施加。EAM23通過根據(jù)突發(fā)控制信號6的0n/0ff控制EAM偏置電壓(Vb) 72和EAM調(diào)制電壓振幅(Vpp) 73，對射入EAM23的激光進行強度調(diào)制而轉換為突發(fā)信號光0，并且由收發(fā)器1射出。
[0044]突發(fā)控制信號6為Off時，如圖4所示，EAM驅動電路24將EAM偏置電壓72的值設定為-4V，將EAM調(diào)制電壓振幅73的值設定為0V。利用圖5和圖6對此時的EML光輸出強度進行詳細說明。圖5表示本實施方式的EML光輸出強度的偏置電流依存性。具體地說，圖5是使EML26的EAM偏置電壓72和EAM調(diào)制電壓振幅73的值都為0V時使偏置電流61從0mA向50mA變化時的EML光輸出強度的測量結果。此外，圖6表示本實施方式的EAM透射強度比的偏置電壓依存性。如圖6所示，EAM偏置電壓72和EAM調(diào)制電壓振幅73的值都為0V時EAM的透射強度比是OdB。因此，在EAM23中不發(fā)生因電場吸收效果而產(chǎn)生的消光現(xiàn)象，如圖5所示，從EAM23輸出的光信號在偏置電流61為50mA (LD偏置點91)時是+9dBm的光強度。
[0045]另一方面，EAM驅動電路24在突發(fā)控制信號6為Off時，將偏置電流61同樣設定為50mA (LD偏置點91)，將EAM偏置電壓72的值設定為-4V (圖6中的EAM偏置點82)，將EAM調(diào)制電壓振幅73的值設定為0V。因此，在EAM23中因圖6所示的消光特性而產(chǎn)生_40dB的消光現(xiàn)象，EML-T0SA22的光輸出強度、即突發(fā)信號光0的空閑光信號102的強度為_32dBm(參照圖7)。由于上述值是充分低于用作接收器的lOGb/s級雪崩光電二極管(APD)的最小受光靈敏度約_30dBm的值，所以實用上是足夠的消光水平。
[0046]此外，EAM驅動電路24在突發(fā)控制信號6為On時，將偏置電流61設定為50mA (圖5中的LD偏置點91)，將EAM偏置電壓7