一種背光模組和液晶顯示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種背光模組和液晶顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯不設(shè)備包括用于顯不圖像內(nèi)容的IXD液晶面板和向IXD液晶面板提供白色 光源的背光模組。背光模組的白色光源色域范圍決定了液晶顯示器呈現(xiàn)圖像內(nèi)容的色域范 圍。為了提高白色光源的色域范圍，采用藍(lán)光LED芯片激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)出綠光和紅光，該綠 光、紅光及未激發(fā)藍(lán)光混合成白色光源。
[0003] -方面，由于量子點(diǎn)的熱穩(wěn)定性較差，溫度高于120°C時(shí)激發(fā)效率急速下降甚至 失效，因此，為了避免LED工作溫度升高致使量子點(diǎn)材料失效，必須將該量子點(diǎn)材料放置在 遠(yuǎn)離LED發(fā)光芯片的地方，以保持適當(dāng)隔熱間隙。因此，目前行業(yè)內(nèi)比較成熟的做法如下： 一、在直下式背光模組方案中是將量子點(diǎn)材料封裝在光學(xué)膜片中形成量子點(diǎn)膜，為了組裝 方便，將該量子點(diǎn)膜作為光學(xué)膜片組的一個(gè)組件放置在擴(kuò)散板與LCD液晶面板之間。二、在 側(cè)入式背光模組方案中，將量子點(diǎn)材料封裝在玻璃管中形成量子點(diǎn)管，通過固定支架將該 量子點(diǎn)管設(shè)置在LED芯片的出光側(cè)且與保持一定隔熱間隙。
[0004] 示例的，如圖1為已有技術(shù)直下式背光模組一種典型組裝結(jié)構(gòu)，如圖1所示，設(shè)置 在印制電路上的LED發(fā)光芯片12固定在背板11上，量子點(diǎn)膜13設(shè)置在擴(kuò)散板14的出光面 和其他光學(xué)膜片15之間。采用圖1結(jié)構(gòu)的直下式背光模組，偶有發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)材料的激發(fā)性 能失效，引起直接透過量子點(diǎn)膜13的藍(lán)光成分增多，相應(yīng)的，激發(fā)產(chǎn)生的紅光和綠光變少， 導(dǎo)致背光模組整體主觀發(fā)藍(lán)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種背光模組和液晶顯示設(shè)備，能夠有效解決量子點(diǎn)膜中量 子點(diǎn)材料激發(fā)性能失效的問題。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種背光模組，所述背光模組至少包括基 板、填充層、量子點(diǎn)膜和LED發(fā)光芯片，所述填充層貼合在所述基板的內(nèi)表面上，所述填充 層上布設(shè)有多個(gè)槽體；所述量子點(diǎn)膜封裝在所述填充層外表面上，且覆蓋所述槽體的開口 處；所述LED發(fā)光芯片設(shè)置在所述槽體的底部；其中，所述基板與所述填充層將所述LED發(fā) 光芯片及所述量子點(diǎn)膜封裝成一體結(jié)構(gòu)。
[0007] 進(jìn)一步的，所述背光模組還包括其他光學(xué)結(jié)構(gòu)層，所述其他光學(xué)結(jié)構(gòu)層設(shè)置在所 述量子點(diǎn)膜之上，所述量子點(diǎn)膜與所述其他光學(xué)結(jié)構(gòu)層之間設(shè)置有間隙。
[0008] 優(yōu)選的，所述槽體為錐形槽，所述錐形槽包括大端、小端和錐面，所述LED發(fā)光芯 片設(shè)置在所述小端，所述量子點(diǎn)膜覆蓋所述大端。
[0009] 進(jìn)一步的，所述錐形槽的錐度小于:_|_，所述錐面的反射率大于90%。
[0010] 進(jìn)一步的，所述槽體為沉槽，所述LED發(fā)光芯片設(shè)置在所述沉槽底部。
[0011] 進(jìn)一步的，所述槽體為通槽，所述LED發(fā)光芯片設(shè)置在所述基板上。
[0012] 優(yōu)選的，所述填充層表面的全反射率大于90%，所述填充層表面的擴(kuò)散反射率大于 90%，所述填充層表面的鏡面反射率低于3%。
[0013] 優(yōu)選的，所述量子點(diǎn)膜為一體式量子點(diǎn)膜，所述量子點(diǎn)膜覆蓋所述填充層的上表 面以及所述槽體的開口處。
[0014] 優(yōu)選的，所述量子點(diǎn)膜為分體式量子點(diǎn)膜，所述量子點(diǎn)膜與所述槽體一一對(duì)應(yīng)。
[0015] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種液晶顯示設(shè)備，所述液晶顯示設(shè)備 包括上述背光模組。
[0016] 本發(fā)明實(shí)施例提供的背光模組，其填充層貼合在基板的內(nèi)表面，量子點(diǎn)膜封裝在 填充層上表面，基板和填充層將LED發(fā)光芯片及量子點(diǎn)膜封裝成一體結(jié)構(gòu)，其中，填充層具 有一定的厚度，保證量子點(diǎn)膜和LED發(fā)光芯片之間具有適當(dāng)?shù)母魺衢g隙，避免因 LED發(fā)光芯 片工作溫度升高致使量子點(diǎn)材料失效。同時(shí)，其他光學(xué)結(jié)構(gòu)層可以設(shè)置在量子點(diǎn)膜之上，為 了有效避免量子點(diǎn)膜與其他光學(xué)結(jié)構(gòu)層貼合，在量子點(diǎn)膜與其他光學(xué)結(jié)構(gòu)層之間設(shè)置一定 的間隙，有效避免了量子點(diǎn)膜表面與其他光學(xué)結(jié)構(gòu)層間發(fā)生摩擦損傷量子點(diǎn)膜表面的水氧 阻隔層，解決量子點(diǎn)膜中量子點(diǎn)材料激發(fā)性能失效的問題。
【附圖說明】
[0017] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中 所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí) 施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖 獲得其他的附圖。
[0018] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2c為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2d為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2e為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種背光模組結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為圖2、圖2a中所示填充層的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3a為圖2b中所示填充層的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3b為圖2c、圖2d、圖2e中所示填充層的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明實(shí)施例的背光模組光學(xué)匯聚示意圖； 圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一種槽體的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明實(shí)施例的背光模組不同錐度槽體的錐面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0020] 基于發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如圖1所示直下式背光模組，偶有整體顯示主觀發(fā)藍(lán)的問題。分 析產(chǎn)生上述問題的原因在于，量子點(diǎn)膜13中量子點(diǎn)材料激發(fā)性能的失效?；诹孔狱c(diǎn)材料 的熱穩(wěn)定性較差，當(dāng)其溫度高于120°C時(shí)激發(fā)效率急速下降甚至失效，首先考慮到出現(xiàn)上述 量子點(diǎn)材料激發(fā)性能失效的原因?yàn)椋捎贚ED發(fā)光芯片12工作溫度升高，導(dǎo)致量子點(diǎn)材料 溫度升高引起的激發(fā)性能失效。為分析查明上述原因，在圖1所示背光模組工作的過程中， 通過檢測量子點(diǎn)膜13和LED發(fā)光芯片12的工作溫度發(fā)現(xiàn)，當(dāng)LED發(fā)光芯片12長時(shí)間工作 后，其工作溫度高于120°C，但由于LED發(fā)光芯片12與量子點(diǎn)膜13之間存在隔熱間隙，量子 點(diǎn)膜13的溫度遠(yuǎn)低于120°C，始終在其正常的工作溫度范圍內(nèi)，因此，可以排除引起量子點(diǎn) 膜13中量子點(diǎn)材料失效的原因不是LED發(fā)光芯片12工作溫度升高，導(dǎo)致量子點(diǎn)材料溫度 升1?引起的。
[0021] 在上述分析的基礎(chǔ)上，通過對(duì)圖1所示背光模組的運(yùn)輸過程和工作過程的溫度進(jìn) 行檢測，發(fā)現(xiàn)在其運(yùn)輸溫度和工作溫度始終低于其失效溫度的情況下，圖1